先进封装行业电话会议纪要关键要点 一、 涉及的行业与公司 * **行业**：半导体先进封装行业，特别是2.5D/3D Chip-on-Wafer-on-Substrate封装领域[1][2] * **主要公司**： * **第一梯队（已量产）**：盛和（年产能约120万颗）、通富（年产能约30万颗）[2] * **第二梯队（建设中）**：长电（预计2026年底年产能50万颗）、华天（预计2026年底年产能50万颗）、永锡、华进半导体、珠海天成先进[2] * **第三梯队（非传统封测厂）**：太极、日月星（布局消费电子/GPU/CPU的FCBG或OS封装）[2] * **非传统厂商**：百维（在COWS领域有一定进展）、慧辰（无明显动作）[1][5] * **设备/材料供应商**：盛美、中科飞测、北方华创、芯源微、上海微、新上微、宁波新丰、沈阳和颜、北京华丰、普莱信、南大光电、同创新材、安吉、新阳、鼎龙等[8][9][12][13][17] 二、 产能与规划 * 国内COWS封装总产能：2025年约150万颗/年，预计到2026年底将接近300万颗/年[1][3] * 产能扩张主要驱动力：长电、华天等第二梯队厂商的产能释放[1] * 主要技术路线：硅中间层技术[1][2] 三、 技术细节与良率 * **产品规格**：主要为1个SOC加4个或6个HBM的组合，如H100[4][7] * **晶圆切割效率**：一片晶圆大约可切割25到30颗芯片[4] * **产能换算**：以盛和为例，年产120万颗芯片需加工约5至6万片晶圆[1][4] * **TSV技术**：大陆封装厂（如通富、永熙）已具备TSV制造基础，技术难度相对可控[6] 四、 投资与成本 * **生产线投资**：建设一条年产100万颗芯片的2.5D全流程生产线，总体资本开支约10亿元人民币[7] * **投资分配**： * 主要工艺设备费用约8亿元人民币[1][7][13] * 厂房建设和水汽处理设备约2亿元人民币[7] * 设备投资细分：光刻及电镀设备各需约5,000万元人民币；固晶及键合设备总计近4,000万元人民币；测试相关设施投入约3,000万元人民币[11][13][14] 五、 设备需求与国产化进程 * **设备需求特点**：工序多（100至200道），需求体现在设备升级（如光刻机从GI线升级到TLF，固晶机升级到多芯片组合）和数量增加[8] * **整体国产化率**：跨式先进封装国产化率已超过50%[1][8] * **分环节国产化率**： * **高国产化率（≥50%）**：PVD（物理沉积，70%）、涂胶显影（100%）、曝光机（100%）、电镀邦定及Micro Bumping（50%）、COW固晶机（70%）、锡银混合电镀液（>50%）、镍电镀液（约50%）、CMP抛光液（约50%）[8][9][12][16][17] * **低国产化率（<50%）**： * **设备**：3D AOI检测设备（约30%）、研磨切割设备（约30%）、光刻机与电镀机（金额最大，依赖进口）[2][9][12] * **材料**：光刻胶（PR胶，<10%）、PSPI（约10%）、金电镀液（几乎0%）[2][13][16] * **几乎无国产化**：晶圆级塑封设备、测试机（Final Test）[2][12] 六、 核心挑战与进入壁垒 * **战略与资金**：需要公司高层明确的战略决策、足够的资金支持以及客户基础[5] * **回报周期**：从研发到形成收入的回报周期长达3至4年[1][5] * **技术集成**：需掌握邦定、RDL、FCBJ及TSV等核心技术[1][6] * **人才作用**：从台积电挖人有帮助，但不能替代战略、资金和客户基础[1][5][6] 七、 上游材料与新兴技术 * **材料价格**：上游材料价格普遍上涨10%到20%；存储器件（DRAM和NOR Flash）因产能与耗材问题涨幅达30%；消费类电子产品因产能紧张涨幅约20%[2][19] * **碳化硅中介层前景**：具备良好散热和绝缘性能，但TSV加工工艺复杂、设备要求高，且碳化硅片制备工艺不成熟，大规模量产面临挑战[20] * **光刻技术方向**：WLP封装解析力要求较低（约15微米）；LDI直写光刻在成本与效率上仍有挑战，国内设备尚不能满足亚微米级需求[18] 八、 其他重要信息 * 非传统封测厂商可能参与OS，但不一定建设全流程2.5D COWS生产线[5] * 大陆先进封装技术发展得到大量台湾团队成员的支持[6] * 检测设备市场70%份额被以色列Camtek占据[10] * 研磨切割设备市场70%份额被日本Disco占据[12] * 测试机市场70%以上被爱德万占据，10-20%被泰瑞达占据[12] * 金属材料日系品牌占主导地位[16] * CMP高端需求仍依赖国际品牌如Carbo或Fujimi[17]

投资评级 - 维持"买入"评级 [1] 核心观点 - 英伟达计划在2027年新一代GPU芯片的CoWoS工艺中以碳化硅取代硅中介层 这将为碳化硅衬底创造增量需求 [7] - 碳化硅中介层凭借高热导率(490 W/m·K 比硅高2–3倍)和耐化学性 能显著提升CoWoS结构散热并缩小封装尺寸 美国尼尔森科学采用350μm碳化硅可实现109:1深宽比 远高于硅中介层的17:1 [7] - 以英伟达H100的2,500mm²中介层计算 若160万张H100全部替换为碳化硅中介层 将对应76,190张衬底需求 而台积电预计2027年推出7×光罩CoWoS 中介层面积增至1.44万mm² 将进一步拉动衬底需求 [7] - 晶盛机电已攻克12英寸碳化硅晶体生长技术难题 实现12英寸导电型碳化硅晶体生长 并积极扩产6&8寸衬底产能 [7] 财务预测 - 预计2025-2027年营业总收入分别为12,034/13,082/14,797百万元 同比变化-31.53%/8.71%/13.11% [1][8] - 预计2025-2027年归母净利润分别为1,007/1,247/1,538百万元 同比变化-59.89%/23.88%/23.37% [1][8] - 预计2025-2027年EPS分别为0.77/0.95/1.17元/股 对应动态PE分别为45.53/36.75/29.79倍 [1][8] - 预计2025-2027年毛利率分别为24.79%/25.39%/27.02% 归母净利率分别为8.36%/9.53%/10.40% [8] 市场数据 - 当前股价35.00元 总市值45,833.68百万元 流通市值43,104.44百万元 [5] - 市净率2.67倍 每股净资产13.10元 [5][6] - 一年股价波动区间21.39-42.80元 [5]

行业背景 - 台湾半导体产业碳化硅产业链因英伟达对GPU性能需求而快速升温 [3] - 全球碳化硅龙头Wolfspeed于今年5月宣布破产 但同期台湾企业如环球晶宣布加码碳化硅新产品开发 [3] 技术变革驱动因素 - 英伟达新一代Rubin处理器为提升效能 计划将硅中介层材料替换为碳化硅 [3] - 高阶芯片功耗计划达1000伏特 远超特斯拉快充的350伏特电压 [4] - 碳化硅导热系数优于铜 能有效缓解大电流产生的高热问题 [4] - NVLink技术特性要求GPU与记忆体距离更近 碳化硅中介层可实现更高传输速度与功率 [4] 技术挑战与机遇 - 碳化硅硬度与钻石相当 切割技术不佳会导致表面波浪状 影响先进封装应用 [4] - 需使用绝缘单晶碳化硅制造中介层 且尺寸需与现有硅晶圆一致 [4] - 中国碳化硅制造商多限于6吋和8吋晶圆 台湾厂商投资更大尺寸产线形成差异化优势 [4] 产业链动态 - 台积电邀集各国厂商共同研发碳化硅中介层制造技术 [5] - 日本DISCO等切割设备商正在研发新一代雷射切割机台 [5] - 英伟达Rubin GPU第一代仍采用硅中介层 待新设备到位后碳化硅中介层制造将更顺利 [5] - 碳化硅中介层技术预计最晚后年（2026年）进入先进封装领域 [5] 应用场景 - 该技术目前仅应用于最尖端AI芯片 [5] - 碳化硅中介层在CoWoS封装中承担"楼板"功能 承载GPU并连接高性能记忆体 [3]