对此，摩根士丹利表示，英特尔此举在短期内的影响微乎其微。该行对英特尔的股票评级为"持股观 望"，目标价为23美元。 智通财经APP获悉，据报道，英特尔(INTC.US)新任首席执行官陈立武正考虑对其晶圆厂代工业务进行 重大改革，直接以14A工艺对阵竞争对手，以吸引苹果(AAPL.US)、英伟达(NVDA.US)等大客户。 以Joseph Moore为首的分析师团队在周四一份投资者报告中表示："从某种程度上说，18A工艺的雄心早 已有所缩减。我们认为上述举措的潜在影响很小，减记也很小。""即使在最乐观的情况下，客户也会从 较小的项目开始评估英特尔的能力，而这些较小的项目相关的资本支出并不多。该公司管理层一直强 调，实现晶圆厂代工盈亏平衡的途径对外部客户的依赖很小。因此，对于2025/26年，这些都不会产生 太大的经济影响。" 业内消息称，陈立武根据业内反馈判断，英特尔18A工艺在吸引新客户方面正面临困难。因此，他考虑 将更多资源投入到更有可能与台积电竞争的14A工艺节点上。若最终决定停止进一步推广18A工艺，英 特尔或将面临数亿美元至数十亿美元的资产减值。这一决策复杂且涉及大量资金，预计董事会可能要到 秋季会议 ...

英特尔18A工艺技术 - 英特尔18A制造工艺在VLSI 2025研讨会上发布，预计在功耗、性能和面积方面较上一代有显著提升，密度提升30%，性能提升25%，功耗降低36% [1] - 18A工艺将是英特尔多年来首个与台积电尖端技术正面竞争的制程技术，两者均将于2025年下半年投入量产 [2] - 该工艺专为客户端和数据中心应用设计，首款采用18A的产品将是Panther Lake CPU，将于2024年底发布 [5] PPA优势 - 18A工艺提供两种库：高性能(HP)库(180纳米单元高度)和高密度(HD)库(160纳米单元高度) [5] - 与Intel 3相比，18A在1.1V电压下性能提升25%，功耗降低36%；在0.75V低电压下性能提升18%，功耗降低38% [6] - 采用18A工艺的设计比Intel 3设计占用面积减少约28% [6] - SRAM位单元尺寸缩小至0.021 µm²，密度达31.8 Mb/mm²，与台积电N5和N3E节点相当 [7] 技术架构 - 18A采用第二代RibbonFET环栅(GAA)晶体管和PowerVia背面供电网络(BSPDN) [10] - RibbonFET采用四条纳米带，支持八个不同逻辑阈值电压(VT)，跨度为180mV [14] - PowerVia技术将晶体管密度提高8-10%，金属层RC性能提高12%，电压下降降低10倍 [18] - PowerVia通过严格可靠性测试，包括275小时高加速应力测试和1000小时高温老化测试 [21] 可制造性改进 - 18A简化生产流程和芯片设计，减少光罩总数，简化前端金属工艺 [22] - 采用单次EUV图案化技术完成M0-M2金属层，降低工艺复杂性 [25] - PowerVia背面金属层设计具有低电阻和高导热性，解决GAA晶体管散热挑战 [25] - 与Foveros和EMIB等先进封装方法兼容 [25] 14A工艺展望 - 14A节点计划于2027年风险生产，性能功耗比预计比18A提升15-20% [31] - 晶体管密度比18A提高1.3倍，采用改进的RibbonFET 2晶体管和PowerDirect供电网络 [33] - 引入Turbo Cell技术，通过加速关键路径提升处理器整体性能 [34][37] - 提供三个标准单元库："高"库优化高频，"中"库优化每瓦性能，"短"库专注密度 [36]

来源：内容来自 Source：编辑部，谢谢。 如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 在日前英特尔推出了A14工艺之后，两大晶圆厂巨头正式入局这个巅峰之争。从目前的资料看来，总体而言，他们在 架构、EUV光刻和晶体管设计上展开了激烈竞争。 首先看台积电，据该公司执行副总裁兼联席首席运营官Yuh-Jier Mii （米玉杰）博士介绍，当前的发展方向是从 FinFET到Nanosheet。除了这些技术之外，垂直堆叠的NFET和PFET器件（称为CFET）也可能是实现器件微缩的候选 方案。除了CFET之外，沟道材料方面也取得了突破，可以进一步实现尺寸微缩和降低功耗。上图总结了这些进展。 米博士报告称，台积电一直在积极构建硅基CFET器件，以实现更高水平的微缩。台积电在2023年IEDM上展示了其首 款栅极间距为48纳米的CFET晶体管。今年在IEDM上，台积电展示了最小的CFET反相器。下图展示了该器件在高达 1.2V电压下均衡的性能特征。 英特尔将推出的 14A 工艺节点（计划于 2027 年进行风险生产）的性能指标，宣称其功耗将降低高达 35%。英特尔还 展示了其全新的 Turbo Cell 技术，这是一种可 ...

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 今天，英特尔举办了晶圆代工大会，会上公司指出，正在与主要客户洽谈即将推出的14A工艺 节点（相当于1.4纳米），该节点是18A工艺节点的后续产品。英特尔已有多家客户计划流片 14A测试芯片。英特尔还透露，公司至关重要的18A节点目前已进入风险生产阶段，并计划于 今年晚些时候实现量产。 英特尔新的18A-P扩展节点（18A节点的高性能变体）目前正在晶圆厂早期生产。此外，该公司正 在开发一种新的18A-PT变体，该变体支持带有混合键合互连的Foveros Direct 3D，使该公司能够 在其最先进的前沿节点上垂直堆叠芯片。 在英特尔的新方案中，Foveros Direct 3D 技术是一项关键的进展，因为它提供了竞争对手台积电 （TSMC）已在生产中使用的功能，最著名的是 AMD 的 3D V-Cache 产品。事实上，英特尔的实 现在关键互连密度测量方面与台积电的产品不相上下。 在成熟节点方面，英特尔代工厂目前已在晶圆厂中完成其首个 16nm 生产流片，并且该公司目前 还在与联华电子合作开发的 12nm 节点吸引客户。 接下来，我们来看一下这家巨头的晶圆代工最新路线图 ...