公司业绩与市场表现 - 2025年第二季度销售额达1800亿韩元，同比增长45 8%，营业利润863亿韩元，同比增长55 7%，营业利润率47 9% [2] - 预计全年销售额将达8000亿至1 1万亿韩元 [2] - TC键合机海外市场利润率比国内高出30~40%，正积极扩大海外销售占比 [3] HBM4市场布局与技术优势 - 有信心包揽所有主要客户的HBM4用TC键合机订单 [2][3] - 与HBM主要客户长期合作积累量产经验，行业格局稳固 [3] - 预计今年将收到海外客户大规模订单，订单量将是去年两倍 [3] 下一代技术研发进展 - 已收到主要客户对无助焊剂键合机订单，预计2025年下半年开始交付 [1][3] - 无助焊剂键合技术可减少键合间隙，实现更薄HBM封装结构 [3] - 正在开发混合键合设备，计划2027年推出，投资1000亿韩元建设新工厂 [4] - 混合键合技术可直接铜互联键合，降低封装厚度并提升散热性能 [4]

HBM市场与TCB键合机技术 - 2024年HBM成为半导体产业最热门产品之一，AI大模型和高性能计算推动需求激增，SK海力士占据70%市场份额 [2] - TCB键合机是HBM产业链关键设备，通过局部加热和压力控制解决传统倒装芯片工艺的焊料桥接问题，接触密度可达每平方毫米10,000个 [3][4] - SK海力士采用MR-MUF技术，热导率是TC-NCF的两倍，美光和三星则使用TC-NCF工艺 [5] - TCB键合机市场规模预计从2024年4.61亿美元增长至2027年15亿美元，增长两倍以上 [5] TCB键合机市场竞争格局 - 市场呈"六强格局"：韩国韩美半导体、SEMES、韩华SemiTech，日本东丽、新川，新加坡ASMPT [7] - 韩美半导体占据主导地位，2023年营业利润增长639%至2554亿韩元，74%收入来自SK海力士，但计划将依赖度降至40% [7][8] - 韩华SemiTech获SK海力士420亿韩元订单，设备自动化系统和维护便利性受青睐，引发韩美半导体提价28%报复 [10][11] - ASMPT在HBM3E 16层工艺中表现优于韩美半导体，获SK海力士测试订单，30多台设备已部署 [12][13] 技术路径与厂商动态 - 三星转向子公司SEMES供应TCB键合机，新川设备因技术落后被逐步淘汰 [16][17] - SEMES 2023年营业利润增长81.7%至1212亿韩元，显示设备业务弥补半导体订单下滑 [18][19] - 新加坡K&S采用化学法无助焊剂键合，ASMPT采用物理法，两者各有优劣 [15] - 韩美半导体推出专为HBM4设计的"TC Bonder 4"，针对16层以上堆叠优化 [29] 韩国半导体设备产业崛起 - 韩国六家设备企业2024年表现亮眼：韩美半导体营业利润率46%，Techwing Cube Prober测试设备获英伟达青睐 [24][25] - Zeus TSV清洗设备营收4908亿韩元，Juseong Engineering 85%收入来自中国ALD设备市场 [25][26] - DIT激光退火设备占SK海力士HBM3E量产线核心工艺，Oros Technology焊盘覆盖设备打入铠侠供应链 [26][27] 地缘政治与供应链风险 - 韩国政府计划限制TCB键合机出口，国内厂商在热压头模块和系统整合环节仍需突破 [22] - 韩国设备产业由单一强者转向多元格局，Techwing、Zeus等凭借独门技术快速成长 [27]

混合键合技术应用 - 三星电子和SK海力士计划将混合键合技术应用于下一代HBM产品，三星可能最早于2025年用于HBM4（第六代），SK海力士则可能用于第七代HBM4E [1] - 混合键合技术通过铜对铜直接键合替代传统凸块连接，可缩小芯片尺寸并将功率效率和性能提升一倍以上 [1] - 当前HBM生产依赖TC键合机，韩国设备商（如SEMES、韩美半导体、韩华光辉）占据全球80%以上市场份额，其中韩美半导体垄断HBM3E的TC键合机供应 [2] 供应链竞争格局 - 美国应用材料公司通过收购Besi公司9%股份进入混合键合市场，Besi是全球唯一量产混合键合设备的公司 [3] - 韩国HANMI Semiconductor和Hanwha Semitech加速开发无助焊剂键合系统作为替代方案，美光正评估该技术用于下一代HBM [3] - 当前TC键合机主要供应商包括SEMES（三星）、韩美半导体（SK海力士）、Shinkawa Electric（美光）和ASMPT [2] 技术迭代与市场影响 - HBM需求激增推动韩国本土设备商订单大幅增长，买家优先选择具备稳定量产能力的供应商 [2] - 混合键合技术若普及将成为未来HBM堆叠的主流方法，可能重塑半导体设备供应链格局 [2][3] - 传统TC键合工艺通过加热加压连接DRAM芯片，需使用凸块并固定间隔堆叠，而混合键合无需凸块且密度更高 [1][2]

美光HBM业务重组与战略布局 - 美光成立专门HBM业务部门，新架构将于2025年5月30日开始的2026财年Q4初到位，财务报告格式同步更新 [1] - 新组织架构包含四大部门：云内存业务部门(CMBU)、核心数据中心业务部门(CDBU)、移动与客户端业务部门(MCBU)、汽车与嵌入式业务部门(AEBU) [1] - CMBU重点服务超大规模云服务提供商，负责HBM业务，为微软、AWS等提供定制化内存解决方案 [1] - CDBU专注服务戴尔、慧与、技嘉等OEM服务器客户 [1] HBM技术竞争与产能扩张 - 美光12层HBM3E已开始交付，用于英伟达B300芯片 [2] - 韩美半导体将向美光交付约50台热压键合机，远超2024年交付量 [2] - HBM4预计2026年量产，HBM4E计划2027-2028年投产 [2] - 公司正评估Fluxless无助焊剂键合技术，计划2024年Q2起与设备商合作测试 [4] HBM4技术突破方向 - 现有NCF技术面临HBM4堆栈增至12层时的技术限制，包括材料填充不完美和边缘溢出问题 [5] - 无助焊剂技术成为HBM4/HBM4E的替代方案，采用MR-MUF工艺，通过等离子体或甲酸去除氧化膜 [6] - 主要设备商韩美半导体、Kulicke & Sofa、ASMPT均参与测试 [4] - 三星电子也在测试同类技术，同时评估NCF和混合键合方案 [7] 行业竞争格局 - 美光通过业务重组和技术创新试图缩小与SK海力士的差距 [2] - 键合设备供应商竞争加剧，韩美半导体获得大额订单 [2] - 技术路线出现分化，NCF与MR-MUF工艺并行发展 [4][6]