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高带宽内存(HBM)
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力积存储再度递表港交所 报告期内累计亏约5.42亿元
每日经济新闻· 2025-12-18 21:24
公司上市与股权变动 - 浙江力积存储科技股份有限公司再次向港交所递交上市申请[1] - 公司控股股东应伟通过其全资拥有的Eaglestream HK,在2020年至2024年间分三次以总计2900万美元(500万+1680万+720万)收购了Zentel Japan全部股权,并接管其品牌、业务、知识产权及人员,为公司发展奠定基础[4] - 金华市国资委旗下的浙江金义田园智城高新技术产业发展有限公司在2021年和2022年分两次总计投资1亿元进行股权投资,但在2025年3月以约1.17亿元的总价转让了所持全部9.44%的股份[3][7] - 根据田园智城2025年3月的转让价计算,公司100%股权估值不到13亿元;而根据2023年12月龙芯创启以5000万元认购1.73%股份的增资计算,公司估值近29亿元,两者存在显著差异[7][8] - 田园智城股份的接盘方之一天津鼎鹰,其唯一有限合伙人林芝鼎孚创业投资管理有限公司直接持有公司8.5%的股份[9] 财务与经营状况 - 公司尚未实现盈利,2022年至2024年及2025年上半年,收入分别为6.10亿元、5.80亿元、6.46亿元和4.12亿元,同期分别亏损1.39亿元、2.44亿元、1.09亿元和4982.2万元,累计亏损约5.42亿元[5] - 产品收入结构发生显著变化:内存芯片收入占比从2022年的88.2%下降至2025年上半年的53.3%,而内存模组收入占比从2022年的0%上升至2025年上半年的40.1%[1][6] - 公司的内存模组主要采用第三方供应商的内存芯片,因公司自研芯片定位于利基市场(如8Gb DDR4及更早代际产品),尚未进入台式电脑、笔记本电脑及数据中心等主流DRAM市场[6] - 截至2025年上半年末,公司存货金额达1.49亿元,占总资产5.25亿元的近三成;到2025年三季度末,存货进一步上升至2.06亿元[6] - 2022年至2024年及2025年上半年,公司存货减值损失分别为8034.1万元、2968.4万元、2402.6万元和92.5万元[6] 市场地位与产品技术 - 按2024年利基DRAM收入计,公司在全球利基DRAM市场的中国公司中排名第四,在全球所有参与者中排名第十一[4] - 公司表示是国内少数拥有高带宽3D堆叠技术的企业之一,预计将于2026年正式推出HSM(混合堆叠内存)产品,目标成为国内高带宽3D堆叠内存芯片生产和商业化的先驱[11] - 2022年至2024年及2025年上半年,公司来自AI存算解决方案及其他业务的收入分别为1600万元、180万元、50万元和850万元,主要包括与高带宽内存产品相关的设计服务及特许权使用费[11] - 公司已与力积电订立开发协议,联合研发基于19纳米及以下制程的内存产品,预计从2027年第三季开始量产19纳米产品,并于2027年第四季实现商业销售[12] - 公司称19纳米内存工艺是中国目前最先进的工艺制程,在成本结构和性能方面具有明显优势[12] 行业背景与竞争 - 在人工智能产业发展的推动下,高带宽内存(HBM)成为内存市场竞争焦点,国际巨头将产能大幅向该领域倾斜[10] - 根据Yole Group报告,HBM在DRAM领域的市场份额预计将从2024年的18%升至2030年的50%以上,年复合增长率为33%[11] - 在全球范围内,HBM产品主要由三星、SK海力士和美光提供,中国尚未有公司将高带宽内存产品商业化[11] - 以长鑫存储为代表的中国本土企业正在猛攻HBM领域[11] - 在本土企业中,兆易创新早在2021年已出货19纳米DRAM产品,并在2022年正式量产17纳米DRAM产品[12]
Micron Technology(MU) - 2026 Q1 - Earnings Call Transcript
2025-12-18 06:30
财务数据和关键指标变化 - 2026财年第一季度总收入为136亿美元,环比增长21%,同比增长57%,连续第三个季度创下纪录 [20] - 第一季度DRAM收入为108亿美元,同比增长69%,占总收入的79%,环比增长20% [20] - 第一季度NAND收入为27亿美元,同比增长22%,占总收入的20%,环比增长22% [21] - 第一季度综合毛利率为56.8%,环比提升11个百分点,主要受价格上涨、成本控制和有利的产品组合驱动 [22] - 第一季度非GAAP摊薄后每股收益为4.78美元,环比增长58%,同比增长167% [24] - 第一季度运营现金流为84亿美元,资本支出为45亿美元,自由现金流为39亿美元,创下季度纪录 [25] - 第一季度末库存为82亿美元,环比减少1.5亿美元,库存天数为126天,其中DRAM库存天数低于120天 [25] - 第一季度末现金及投资为120亿美元,总流动性(包括未使用的信贷额度)为155亿美元,偿还了27亿美元债务,季度末净现金余额超过2.5亿美元 [25] - 公司预计2026财年第二季度收入将达到创纪录的187亿美元(±4亿美元),毛利率约为68%(±100个基点),每股收益预计为创纪录的8.42美元(±0.20美元) [29][30] 各条业务线数据和关键指标变化 - **云存储业务单元**:第一季度收入为创纪录的53亿美元,占总收入的39%,环比增长16%,毛利率为66%,环比提升620个基点 [22][23] - **核心数据中心业务单元**:第一季度收入为创纪录的24亿美元,占总收入的17%,环比增长51%,毛利率为51%,环比提升990个基点 [23] - **移动与客户端业务单元**:第一季度收入为创纪录的43亿美元,占总收入的31%,环比增长13%,毛利率为54%,环比提升17个百分点 [23] - **汽车与嵌入式业务单元**:第一季度收入为创纪录的17亿美元,占总收入的13%,环比增长20%,毛利率为45%,环比提升14个百分点 [23] - **数据中心NAND产品组合**:第一季度收入超过10亿美元,数据中心SSD产品组合势头强劲 [11] - **HBM业务**:第一季度HBM收入创下纪录,公司已完成整个2026日历年HBM供应(包括行业领先的HBM4)的价格和数量协议 [4] 各个市场数据和关键指标变化 - **数据中心/服务器市场**:服务器需求显著增强,预计2025日历年服务器单位增长率将达到高十位数百分比范围,高于上次财报电话会议中10%的预期,服务器内存和存储的容量及性能要求逐代提升 [10] - **PC市场**:PC需求继续受Windows 10生命周期结束和AI PC驱动,预计2025日历年PC单位销量将实现高个位数百分比增长,高于之前中个位数的预期 [12] - **移动市场**:2025日历年智能手机单位销量预计将实现低个位数百分比增长,AI正在推动内存容量增长,旗舰智能手机中配备12GB DRAM的出货比例在2025年第三季度增至59%,是一年前的两倍多 [12][13] - **汽车、工业与嵌入式市场**:L2+和L3级别的采用正在推动强劲需求,公司在汽车市场拥有领先份额,其ASIL级LPDDR5X和UFS 4.1 NAND产品已获得数十亿美元的设计订单 [13][14] - **行业供需**:预计2025日历年DRAM位元需求增长率为低20%范围(此前为高十位数),NAND位元需求增长率为高十位数百分比范围(此前为低至中十位数),预计2026日历年行业DRAM和NAND位元出货量增长将受供应限制,均将比2025年增长约20% [16][17] 公司战略和发展方向和行业竞争 - **技术领先地位**:公司在DRAM连续四个技术节点和NAND连续三个节点上引领行业,每个节点的良率爬坡速度都在加快,1-gamma DRAM节点进展顺利,将成为2026日历年DRAM位元增长的主要驱动力 [7][8] - **HBM战略与前景**:预计HBM总可用市场将以约40%的复合年增长率增长,从2025年的约350亿美元增至2028年的约1000亿美元,这一里程碑比之前的预测提前了两年 [4] - **产能扩张与资本支出**:计划将2026财年资本支出增加至约200亿美元(此前估计为180亿美元),主要用于支持HBM供应能力和1-gamma节点,正在加速爱达荷州第一座晶圆厂的时间表,预计首片晶圆产出将在2027年中期(此前为2027年下半年) [17][18] - **长期供应协议**:正在与多个关键客户就包含具体承诺的多年合同进行讨论,这些合同结构与以往不同,约束力更强 [6][31] - **AI赋能内部运营**:超过80%的专业员工积极使用生成式AI,在制造中集成AI使根本原因识别时间缩短了一半,编码团队使用智能体AI实现了30%或更高的生产力提升 [26] 管理层对经营环境和未来前景的评论 - **市场环境**:持续强劲的行业需求以及供应限制导致市场状况紧张,预计这种状况将持续到2026日历年之后甚至更久 [6] - **行业供应短缺**:预计整个行业供应在可预见的未来仍将大幅低于需求,HBM需求的急剧增长因与DDR5存在3:1的置换比而进一步挑战供应环境,该比例在未来HBM世代中只会增加 [16] - **公司前景**:预计2026财年第二季度及整个财年将在收入、毛利率、每股收益和自由现金流方面创下大量新纪录,预计业务表现将在全年持续增强 [6] - **中期供应能力**:在中期,公司仅能满足部分关键客户约50%至三分之二的需求 [38] 其他重要信息 - **产品质量**:2025日历年是公司在内部和客户质量指标方面的创纪录之年,确立了公司在内存行业的质量领导地位 [9] - **新产品进展**:HBM4具有行业领先的超过11 Gb/s的速度,预计将在2026日历年第二季度以高良率开始量产,与客户的产品爬坡计划一致 [10] - **低功耗产品**:公司的低功耗DRAM服务器模块功耗仅为DDR DRAM服务器模块的三分之一,并已对192GB LPCAMM2产品进行采样 [11] - **SSD产品**:推出了全球首款基于G9 NAND的PCIe Gen 6 SSD,并获得了包括超大规模客户在内的快速增长的认证承诺 [11] 总结问答环节所有的提问和回答 问题: 关于客户长期协议的性质和期限 [31] - 公司正在与几个关键客户就涉及DRAM和NAND的多年合同进行讨论,这些合同包含具体承诺,合同结构比以前的LTA更强,但无法透露具体细节 [31] 问题: 关于资本支出强度低于历史水平的原因以及2027财年展望 [32][33] - 资本支出增加主要用于支持DRAM,特别是HBM和1-gamma节点的爬坡,从2025年到2026年,实体建筑相关的资本支出计划大约翻倍,预计2027年资本支出会增加,但公司将保持纪律性,使供应与需求保持一致,资本强度因市场环境向好而下降 [34] 问题: 关于资本支出增长相对保守是否因洁净室空间限制 [35] - 供应问题已持续数个季度,节点转换将是2026财年供应增长的主要来源,HBM增长进一步加剧了供应压力,洁净室建设需要时间,没有短期解决方案,公司正在现有产能和近期扩张范围内尽最大努力提供供应,2026年的位元增长将受到供应限制 [35][36][37] 问题: 关于2026日历年DRAM和NAND的成本下降预期以及HBM3E到HBM4过渡的影响 [38] - 公司在DRAM和NAND方面的成本执行情况良好,新晶圆厂的建设成本将在2026年下半年和2027年开始产生影响,但相对于业务规模影响较小,1-gamma DRAM和G9 NAND的爬坡进展顺利,将成为成本助力,HBM4预计将比HBM3E有更快的良率爬坡,2026年的产品组合将基于客户需求 [38][39][40] 问题: 关于ASIC AI XPU需求上升对HBM3E订单的影响以及如何管理HBM3E和HBM4的需求组合 [41] - 2026年将是HBM3E和HBM4的混合,公司与整个HBM生态系统的多个客户合作,两者都将为2026年的强劲同比增长做出贡献,产品组合将根据客户需求进行管理 [41][42] 问题: 关于企业SSD业务是否也签订长期供应协议,以及SSD需求是否与推理工作负载更相关 [43] - 企业SSD是数据中心业务组合的重要组成部分,公司正在讨论的多年合同中也包含数据中心SSD,且涉及多个市场领域的客户,生成式AI向视频等领域发展,以及AI模型和应用的快速演进,都在推动企业SSD的更大增长 [43][44][45] 问题: 关于HBM占DRAM业务的百分比、竞争地位以及是否因竞争对手认证而调整战略 [46] - 公司对其竞争地位和HBM4产品感到非常满意,HBM4具有超过11 Gb/s的行业领先性能,且保持了低功耗优势,在紧张的供应环境下,公司将根据战略客户关系和整体盈利目标来管理HBM与非HBM的业务组合 [46][47][48] 问题: 关于HBM在11月和2月季度的具体贡献 [49] - 公司不提供具体的收入细分,仅表示2026财年第一季度HBM收入创纪录,且预计2026年HBM收入将实现强劲的同比增长 [50] 问题: 关于2月季度之后的毛利率走势 [51] - 公司不提供第二季度之后的毛利率指引,但预计随着市场环境保持向好以及成本执行良好,毛利率在第二季度后将继续扩张,不过由于基数较高,增速将比前几个季度更为平缓 [51][52] 问题: 关于在40%的HBM市场复合年增长率下,美光的HBM市场份额展望 [53] - 公司不具体说明份额,将像管理产品组合中的其他产品一样,基于战略原因和客户关系来管理HBM与非HBM的组合,在当前行业基本面持久的背景下,公司处于有利地位 [53][54] 问题: 关于长期客户合同的签署时间表、阻碍因素以及客户是否参与新晶圆厂投资 [55] - 公司不讨论与客户合同谈判的具体细节,但指出客户对长期获得充足内存的担忧正在促成建设性对话,正在讨论的合同结构远强于以往,且是多年期合同,在管理合同讨论时,需考虑公司整体供应以及仅能满足部分关键客户一半至三分之二需求的中期情况 [55][56][57] 问题: 关于HBM定价是否因需求强劲而浮动 [57] - 公司2026年的HBM在数量和价格上均已售罄并完成谈判,HBM业务具有强劲的盈利能力,非HBM业务也表现出健康的盈利能力 [57] 问题: 关于内存价格上涨对数据中心和AI市场以外的电子产品需求可能产生的影响 [58] - 在一些消费市场,单位需求可能会受到内存价格上涨的影响,客户可能会调整产品组合,这些已考虑在公司的预测中,即便如此,供需缺口仍然非常大,从数据中心到边缘设备的AI体验都需要更多内存,这正推动客户与公司就长期供应进行合作 [58][59]
[热闻寻踪]HBM4溢价红利来袭,A股产业链谁能分羹?
全景网· 2025-11-08 11:58
行业动态与市场背景 - 近期A股高带宽内存概念受到市场关注,部分相关概念股获资金抢筹,涨势凌厉 [1] - SK海力士与英伟达敲定HBM4供应协议,单价为560美元,较HBM3E上涨超过50%,且明年产能已售罄 [1] - 机构预测SK海力士2025年营业利润或首次突破70万亿韩元 [1] - HBM4高溢价红利短期由海外寡头独享,国内标的交易逻辑以主题为主 [1] 上市公司HBM业务进展 - 中天精装间接持有深圳远见智存科技有限公司6.71%的股权,远见智存聚焦高带宽存储芯片领域,提供整套HBM/DRAM堆叠及核心IP解决方案,旨在实现HBM芯片国产替代 [1] - 远见智存的HBM2/2e产品已完成终试,HBM3/3e处于研发阶段,目标覆盖大模型训练及AI推理、网络、图形图像、车载以及穿戴等边缘侧和端侧设备的需求 [1] - 紫光国微面向特种行业应用的HBM产品目前处于研发阶段,特种行业新产品用户导入周期较长 [2] - 精测电子拥有HBM存储芯片制程相关的老化测试设备,该产品线在国内一线客户实现批量重复订单,CP/FT产品线相关产品已取得订单并完成交付 [3] - 飞凯材料的先进封装材料如功能性湿电子化学品、锡球、环氧塑封料均可用于HBM制程,公司正与相关厂商合作开发与调试,以提升HBM制程工艺成熟度并加速材料国产化替代 [3] - 艾森股份的先进封装光刻胶、电镀铜基液、铜钛蚀刻液、电镀锡银添加剂等产品可以用于HBM存储芯片封装 [5] - 快克智能在先进封装领域重点推进热压键合设备研发,该设备是HBM封装的关键工艺设备,目前进展顺利 [6] - 龙芯中科协同产业链伙伴在HBM研发上有相应的计划和投入 [4] 相关材料与技术发展 - 三祥新材正在布局的电子级锆及铪材料为锆基及铪基前驱体材料的关键原材料,后者在HBM等高性能存储芯片中有广泛应用,公司部分相关产品已向下游半导体产业链客户送样 [6] - 飞凯材料表示空芯光纤相较于传统光纤是内部光传导结构的升级与优化,但目前尚未大批量投入工业应用,对公司光纤涂覆材料的应用性能要求与使用量影响不大 [3] - 龙芯中科的龙链技术在持续研发迭代中,以带来更高的带宽和更低的延迟,为满足后续GPGPU的需求而继续演进 [4]
韩国厂商,要垄断HBM4
半导体芯闻· 2025-07-30 18:54
公司业绩与市场表现 - 2025年第二季度销售额达1800亿韩元,同比增长45 8%,营业利润863亿韩元,同比增长55 7%,营业利润率47 9% [2] - 预计全年销售额将达8000亿至1 1万亿韩元 [2] - TC键合机海外市场利润率比国内高出30~40%,正积极扩大海外销售占比 [3] HBM4市场布局与技术优势 - 有信心包揽所有主要客户的HBM4用TC键合机订单 [2][3] - 与HBM主要客户长期合作积累量产经验,行业格局稳固 [3] - 预计今年将收到海外客户大规模订单,订单量将是去年两倍 [3] 下一代技术研发进展 - 已收到主要客户对无助焊剂键合机订单,预计2025年下半年开始交付 [1][3] - 无助焊剂键合技术可减少键合间隙,实现更薄HBM封装结构 [3] - 正在开发混合键合设备,计划2027年推出,投资1000亿韩元建设新工厂 [4] - 混合键合技术可直接铜互联键合,降低封装厚度并提升散热性能 [4]