台积电商业秘密泄露事件 - 东京电子株式会社解雇台北分公司一名员工 这是该公司首次就台积电商业机密案公开发表声明 [1] - 台积电证实因2纳米制程商业秘密泄漏开除多名员工 近期通过常规监控发现违规行为 已对涉事人员采取法律行动 [1] - 涉案人员约10人 包括1名跳槽至东京电子的前员工(已被收押) 6名研发中心人员(传送2纳米资料) 3名试产人员(拍摄400多张技术照) [1][2] - 台积电强调对商业秘密违规行为零容忍 已启动司法程序并移交涉案人员 [1][2] 全球2纳米芯片技术竞争 - 日本政府支持的Rapidus项目斥资340亿美元(约2440.92亿人民币) 已成功生产日本首个2纳米晶体管 [2] - 台积电正全力冲刺2024年底前量产2纳米制程 该技术泄露事件涉及核心研发数据 [1][2] - 纳米尺寸越小芯片越先进 台积电与三星等公司正在竞相缩小制程 [2] 晶圆代工行业格局 - 2025年Q1台积电以67.6%市场份额稳居全球第一 三星(7.7%)/中芯国际(6.0%)/联电(4.7%)/格芯(4.2%)分列2-5位 [3] - 前五大厂商合计占据全球90.2%市场份额 其中台积电份额超其他四家总和两倍 [3] - 当季三星/联电/格芯营收分别下降11.3%/5.8%/13.9% 中芯国际营收逆势增长1.8% [3]

IBM Power11处理器发布 - Power11处理器于7月25日上市，定位入门级、中端和企业级服务器[4] - 该处理器是Power10的深度升级版本，采用三星7nm+工艺制造[5][8] - 晶体管数量达180亿个，芯片面积654平方毫米，时钟频率3.8-4.4GHz[11] 技术规格与性能 - 支持16个全激活核心，相比Power10最多15个核心有所提升[10] - 提供SCM和DCM两种模块配置，频率范围2.4-4.2GHz[10] - 支持DDR5内存，通过OMI接口实现DDR4/DDR5兼容[12] - 四节点系统最高支持256核心和64TB内存[18] 市场竞争对比 - 相比AMD Zen5核心Epyc 9005处理器，Power11在内存带宽上具有优势（12.8TB/s vs 1.5TB/s）[19][20] - 对比英特尔Granite Rapids至强6处理器，Power11在核心频率（4.4GHz vs 2GHz）和内存带宽（12.8TB/s vs 5.5TB/s）上领先[20] 系统架构创新 - 采用OpenCAPI内存接口(OMI)，实现内存协议与处理器解耦[12] - 每个节点4插槽设计，X-bus互连速度50Gb/s，A-bus NUMA链路32Gb/s[17] - 通过调整内存控制器数量（16个）优化内存带宽与温度[20] 产品演进路线 - Power9到Power11三代产品核心数量从最多192个提升至256个[22] - 相对性能从Power9的5080.7提升至Power11的9045.8，增幅78%[22] - 理论最高配置Power E1185X可达512核心，性能达Power9的3.24倍[22]

裁员与业务调整 - 公司计划裁减全球15%-20%的员工，并在加利福尼亚州圣克拉拉总部裁员107人，裁员将于7月18日生效 [3] - 2024年5月公司已进行大规模裁员，涉及工程、制造、销售和营销等多个部门，其中工程部门受影响最严重，包括射频电路设计、可制造性设计和I/O设计等团队被解散 [3] - 自2025年7月起，制造业务部门员工将面临高达20%的裁员 [4] - 公司计划关停汽车业务，旗下Automotive Group将关闭，软件定义汽车平台团队等将被解散，大多数员工将被裁员，但会履行对客户的现有承诺 [4] 高管与董事会变动 - 2024年公司进行董事会调整，独立董事ileen B Fabbioli和Tom Ohepner当选为董事会成员，而Michele A Patrick、Susan M Prescott和Zak Williams未被提名连任 [4] - 同年高管团队出现变动，资深副总裁Devon D Anderson、执行副总裁兼首席信息官Stephen C Smith、资深副总裁兼芯片设计总监Riyad Asmat和执行副总裁Gregory P Bryant等相继离职 [4] 财务与市场表现 - 2023年公司净利润仅为2 92亿美元，2024年第一季度出现6 3亿美元净亏损 [5] - 客户计算部门（CCG）营收下降20 8%，数据中心和人工智能部门（DCAI）营收下降7 6% [5] - 公司在与AMD、NVIDIA等竞争对手的较量中逐渐失去优势，市场份额不断被蚕食 [5] 技术创新挑战 - 在芯片制造工艺上，公司的7纳米工艺进度一再延迟，而台积电和三星等竞争对手则在推进更先进的工艺技术 [5] - 在人工智能领域，NVIDIA占据主导地位，公司的技术积累和市场份额相对较小 [5] 未来发展潜力 - 公司拥有强大的研发实力和技术创新能力，以及在全球半导体市场的品牌影响力和客户资源 [5] - 通过裁员超20%的重组计划，有望降低运营成本、提高运营效率，为未来发展奠定基础 [5]

台积电3nm工艺布局 - 台积电将N3工艺称为"最后也是最好的FinFET节点"，并开发了N3B、N3E、N3P、N3X、N3S、N3RF、N3A和N3C等多个变体，打造全面可定制的硅片资源平台 [2] - N3B为基准3nm工艺，N3E是成本优化版本（EUV层数更少且无需双重曝光），N3P在相同速度下性能提高5%或功耗降低5-10%，N3X面向高性能计算支持更高电压和时钟频率 [28][31][33][36] - N3工艺相比N5在相同功耗下速度提升10-15%，相同速度下功耗降低25-30%，逻辑密度提升约1.7倍 [30] FinFET技术演进 - 英特尔2009年推出22nm FinFET工艺，开启晶体管三维化革命，较32nm工艺工作电压降低20-25%，有效功耗降低50%以上，性能提升18-37% [8][13][15] - FinFET通过三面硅鳍片设计增大反转层面积，实现五大优势：降低漏电流、增强栅极控制力、提升驱动电流、保持晶体管密度、可调节鳍片数量优化性能 [11][12][14] - 22nm FinFET使英特尔晶体管密度提升两倍，制造成本仅增加2-3%，并预计竞争对手需到14nm才会采用类似技术 [15] 晶圆代工三强竞争格局 - 台积电2013年率先推出16nm FinFET工艺，速度较28nm提升38%，功耗降低54%，华为海思首款采用该工艺的32核ARM处理器主频达2.6GHz [17][19] - 三星14nm工艺密度与台积电16nm相当，芯片尺寸较20nm平面工艺缩小15%，但发布时间比英特尔晚约6个月 [21][25] - 英特尔在14nm工艺上因良率问题导致代工厂追赶，最终台积电从10nm到3nm持续领先，成为晶圆代工巨头 [27] GAA技术发展 - FinFET技术因鳍片高度和数量已达极限，将被环栅场效应晶体管(GAA)取代，采用堆叠纳米片实现四面栅极环绕，进一步减少漏电并增加驱动电流 [38] - 台积电N2工艺将首次采用GAA纳米片晶体管，配合SHPMIM电容器使电容密度提升2倍以上，薄层电阻和过孔电阻均降低50% [39][41] - 英特尔18A工艺GAA RibbonFET较Intel 3性能提升25%或功耗降低36%，三星2022年已在3nm采用MBCFET架构的GAA技术 [41][43]

英特尔Panther Lake芯片延迟 - 英特尔Panther Lake芯片可能无法在2025年内上市，原计划2025年下半年发布，但最新消息显示量产时间表已从2025年9月初推迟到2025年第四季度中期 [1][2] - 搭载Panther Lake芯片的笔记本电脑和设备可能要到2026年才能面市，英特尔将错过2025年年底的关键假日销售旺季 [1][2] - 延迟原因在于Intel 18A工艺良品率提升缓慢，目前良品率约为20%-30%，第三季度良品率水平预计不会改善 [2] Intel 18A工艺问题 - Intel 18A工艺采用RibbonFET（全栅晶体管）和PowerVia（背面供电架构），理论上可提高密度和性能，单元利用率提升5%至10%，ISO电源性能提高4% [2] - 该工艺良品率不理想，导致Panther Lake芯片生产推迟，英特尔可能无法在预期时间内实现量产 [2] - 若良品率问题持续，Panther Lake可能需要更换代工方或延期出货 [2] 市场影响 - Panther Lake延迟将对公司2025年下半年的收入、利润和供应链信任产生负面影响 [2] - 芯片和成品（PC/NB）出货之间通常有2-4周时间差，PTL笔记本普及可能推迟至2026年 [1][2]