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氮化铝多层薄厚膜产品
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中瓷电子:碳化硅芯片晶圆工艺线处于产品升级及客户导入阶段
新浪财经· 2025-09-24 23:13
碳化硅芯片业务进展 - 碳化硅芯片晶圆工艺线于2025年上半年完成从6英寸到8英寸的升级改造 目前已通线并进入产品升级及客户导入阶段 [1] 陶瓷零部件业务突破 - 陶瓷零部件新产品通过国产半导体设备上机验证 实现批量供货 [1] 光通信器件技术布局 - 光通信器件外壳传输速率覆盖2.5Gbps至1.6Tbps且全部实现量产 [1] - 正配合客户开展3.2Tbps产品的研发工作 [1] 氮化铝产品应用拓展 - 氮化铝多层薄厚膜产品实现快速增长 应用于高频高速光模块 [1] - 产品主要服务于AI智能和数据中心等新兴应用场景 [1]
调研速递|中瓷电子接受光大证券等10家机构调研 透露多项业务进展要点
新浪财经· 2025-09-24 18:15
公司财务表现 - 2025年上半年净利润增长得益于高端产品放量及降本增效 盈利能力大幅提升 [1] 行业发展机遇 - AI算力需求增长推动数字经济发展 带动半导体及通信行业持续增长 光模块等电子元器件和半导体设备市场规模上升 [1] - 光通信市场繁荣带动光通讯相关产品订单增长 氮化铝多层薄厚膜产品增长幅度较大 应用于高频高速光模块 AI智能和数据中心等新场景 [1] 产品与技术进展 - 氮化镓通信基站射频芯片与器件领域将进一步提升市场占有率 [1] - 碳化硅功率模块领域 晶圆工艺线由6英寸升级为8英寸并已通线 处于产品升级及客户导入阶段 [1] - 光通信器件外壳传输速率覆盖2.5Gbps至10Gbps 正配合客户研发3.2Tbps产品 [1] - 开发精密陶瓷零部件核心材料和配套金属化体系 陶瓷加热盘核心技术指标达国际水平并通过用户验证 2025年上半年新产品研发顺利推进 [1] 产能与项目建设 - 产能利用率维持较高水平 加快电子陶瓷外壳生产线项目建设 实现氮化铝陶瓷基板和消费电子陶瓷外壳产品快速增长 [1] - 氮化镓微波产品精密制造生产线及通信功放与微波集成电路研发中心建设项目变更地点后已开工 主体封顶 [1] - 第三代半导体工艺及封测平台建设项目延期至2027年10月 其他建设项目按计划推进 [1] 战略布局 - 子公司博威公司积极推进5G-A 6G 星链通信等新一代通信系统用射频芯片与器件关键技术研发 在相关领域储备技术并推进产品开发验证 [1]
中瓷电子(003031) - 003031中瓷电子投资者关系管理信息20250924
2025-09-24 17:36
财务表现与增长驱动 - 2025年上半年净利润显著增长,主要因高端产品放量和降本增效 [2] - 氮化铝多层薄厚膜产品实现快速增长,应用于AI智能和数据中心光模块 [4] - 电子陶瓷外壳产能利用率维持高位,氮化铝陶瓷基板及消费电子陶瓷外壳快速增长 [5] 技术研发与产品进展 - 光通信器件外壳传输速率覆盖2.5Gbps至1.6Tbps并全部量产 [5][6] - 3.2T光模块产品正配合客户研发 [5] - 碳化硅芯片晶圆线由6英寸升级8英寸,已通线并处于客户导入阶段 [3][9] - 精密陶瓷零部件(氧化铝/氮化铝)通过国产半导体设备验证并批量供货 [8] - 陶瓷加热盘技术指标达国际水平,实现关键零部件国产化 [8] 战略布局与市场拓展 - 子公司博威公司推进5G-A/6G/星链通信射频芯片关键技术研发 [7] - 聚焦第三代半导体氮化镓通信基站射频芯片,提升市场占有率 [3] - 光模块产品紧跟AI算力需求,适配数据中心等新场景 [4] 建设项目进展 - 氮化镓微波产品生产线项目主体已封顶,实施地点于2024年8月变更 [7] - 第三代半导体工艺及封测平台建设项目延期至2027年10月 [7] - 其他建设项目按计划推进 [7]