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晶科能源取得光伏组件及背接触电池制造方法专利
金融界· 2026-01-23 11:53
公司专利与技术动态 - 晶科能源(海宁)有限公司于2025年10月申请了一项名为“光伏组件、叠层电池、背接触电池及其制造方法”的专利,并于近期获得授权,授权公告号为CN120957524B [1] - 该专利涉及光伏组件的核心部件,包括叠层电池和背接触电池的制造技术 [1] 公司基本信息 - 晶科能源(海宁)有限公司成立于2017年,位于浙江省嘉兴市,主营业务为电力、热力生产和供应业 [1] - 公司注册资本为357,000万人民币 [1] 公司经营与资质 - 根据天眼查大数据分析,公司共参与招投标项目56次 [1] - 公司拥有专利信息924条,并拥有行政许可72个 [1]
两部门发文加强光伏产业知识产权保护
新浪财经· 2026-01-06 02:44
政策核心目标 - 为破解“内卷式”竞争并促进光伏产业健康发展,国家知识产权局与工业和信息化部联合印发加强光伏产业知识产权保护的意见 [1] - 政策聚焦光伏产业链关键环节和重点领域,旨在激发知识产权对现代光伏产业体系建设的促进作用 [1] - 目标到2027年,使知识产权促进光伏产业健康发展取得明显成效 [1] 高质量专利布局重点任务 - 鼓励企业加大研发投入,加快TOPCon电池、背接触电池、异质结电池等技术进步,并加强高价值专利布局 [1] - 引导企业面向钙钛矿、叠层电池等前沿技术,靠前储备基础专利 [1] 知识产权转化与运用重点任务 - 依托高校和科研机构存量专利盘活系统,加快推进光伏领域专利供需对接和产业化应用 [1] - 充分发挥企业、行业协会、研究机构等作用,建设产业知识产权运营中心 [1] - 按照市场化、利益平衡、开放性、无歧视原则组建专利池,以促进产业链知识产权高效转化和协同运用 [1] 知识产权纠纷解决机制 - 充分发挥“总对总”诉调对接机制,靠前化解光伏产业知识产权纠纷 [2] - 鼓励有条件的地区依托知识产权保护中心等组织开展光伏产业知识产权调解工作 [2]
事关光伏,两部门发文!
中国能源报· 2026-01-02 18:33
政策核心目标 - 到2027年,知识产权促进光伏产业健康发展取得明显成效,产业知识产权储备更加丰富,培育布局一批具有竞争优势的高价值专利,保护力度、转化运用水平和风险应对能力均需提升 [1][2] 总体要求与原则 - 指导思想聚焦光伏产业链关键环节和重点领域,加强知识产权保护与风险应对,以激发知识产权对现代光伏产业体系建设的促进作用 [2] - 坚持有效市场与有为政府相结合、创新激励与质量提升相结合、严格保护与高效运用相结合三大原则 [2] 推动高质量专利布局 - 鼓励企业加大研发投入,加快TOPCon电池、背接触电池、异质结电池等技术进步,并加强高价值专利布局 [3] - 引导企业面向钙钛矿、叠层电池等前沿技术靠前储备基础专利 [3] - 引导企业在逆变器、关键原辅料、设备、系统部件等领域创新,并在光储融合、智能管理系统等上下游环节开展专利挖掘 [3] 优化专利审查与海外布局 - 发挥国家级知识产权保护中心作用,为光伏企业提供专业高效的专利预审服务 [3] - 畅通专利优先审查“绿色通道”,加快推动按需审查制度,利用延迟审查、集中审查等模式提升专利申请质量和效率 [3] - 支持有条件的企业利用专利审查高速路通道开展因地制宜的海外专利布局 [3] 加强知识产权风险监测与预警 - 推动建立从上游原材料制备到组件生产的全链条知识产权侵权风险监测机制 [4] - 加强对知识产权风险、诉讼、核心技术专利对外转让及舆情的监测,建立健全风险通报机制 [4] - 建设光伏产业知识产权数据库,提供主要国家和地区的法律法规等信息,定期发布风险预警报告 [4] 强化纠纷行政裁决与协同保护 - 指导光伏产业聚集地区建立专利纠纷解决专门机制,高效处理专利侵权纠纷行政裁决案件 [4] - 推动建立光伏专利侵权纠纷行政裁决跨区域联合审理机制,完善技术调查官制度和知识产权鉴定体系 [4] - 建立信息共享机制,知识产权管理部门定期将行政裁决案件信息抄送工信、国资、海关等部门,以规制故意侵权、重复侵权行为 [5] 规范行业管理与招投标行为 - 工业和信息化主管部门根据对企业核心专利的综合性评议及行政裁决裁定,加强光伏制造行业规范条件企业名单动态管理 [5] - 强化知识产权海关保护,依法禁止侵犯知识产权的光伏产品进出口 [5] - 要求中央企业和国有企业在招标文件中明确要求投标企业自主承诺产品不存在知识产权违法侵权情形,并将行政裁决或司法判决结果作为采购招标重要依据 [6] 引导多元化纠纷解决与促进转化运用 - 充分发挥“总对总”诉调对接机制,靠前化解纠纷,鼓励有条件的地区依托知识产权保护中心等组织开展调解工作 [6] - 依托高校和科研机构存量专利盘活系统,加快推进光伏领域专利供需对接和产业化应用 [6] - 建设产业知识产权运营中心,按照市场化等原则组建专利池,促进产业链知识产权高效转化和协同运用 [6] 加强海外知识产权风险应对 - 健全光伏产业知识产权海外维权援助机制,强化企业国际参展、产品出口、境外投资等活动中的风险防范 [6] - 充分发挥海外知识产权纠纷应对指导光伏产业分中心作用,引导企业加强海外信息沟通交流,提高纠纷应对能力 [6] - 支持企业设立光伏产业海外维权互助基金,助力降低知识产权风险应对成本 [6] 提升企业能力与加强商标品牌建设 - 引导光伏企业建立知识产权合规管理体系,加强对企业的专题培训,加快培育高水平复合型人才 [7] - 指导光伏企业提高品牌管理能力,提升商标品牌创造、运用和保护水平,打造具有国际影响力的知名品牌 [7] - 加大商标保护力度,严厉打击假冒知名商标品牌等行为,引导企业做好海外商标使用监测,降低被抢注风险 [7] 工作保障措施 - 知识产权管理部门与工业和信息化主管部门建立光伏产业知识产权发展协调会商制度,形成常态化沟通机制 [8] - 加大对光伏领域公共服务平台的扶持力度,对创新研发和知识产权管理运用能力突出的企业在项目申报、信用管理等工作中给予支持 [8] - 汇聚海外优质服务资源,组织行业协会建立涵盖多领域专家的特色智库,加强保护宣传工作,营造良好社会氛围 [8]
两部门:加强光伏产业知识产权保护 促进行业健康发展
新浪财经· 2025-12-31 17:37
政策核心观点 - 国家知识产权局与工业和信息化部联合发布意见,旨在通过加强知识产权保护,激发创新,破解光伏产业“内卷式”竞争,营造公平有序的市场环境,促进产业健康发展 [1] 推动技术创新与专利布局 - 鼓励企业加大研发投入,加快TOPCon电池、背接触电池、异质结电池等技术进步,并加强高价值专利布局 [2] - 引导企业面向钙钛矿、叠层电池等前沿技术,靠前储备基础专利 [2] - 引导企业在逆变器、关键原辅料、设备、系统部件等领域加大创新,并在光储融合、智能管理系统和集成运维等上下游环节开展专利挖掘和培育 [2] - 强化光伏产业专项中的知识产权布局要求,突出质量导向,形成与攻关目标相匹配的专利成果 [2] 优化专利申请与审查流程 - 发挥国家级知识产权保护中心作用,为光伏企业提供专业高效的专利预审服务 [3] - 畅通专利优先审查“绿色通道”,加快推动按需审查制度实施,利用延迟审查、集中审查等模式,助力企业提升专利申请质量和效率 [3] - 支持有条件的企业利用专利审查高速路(PPH)通道开展海外专利布局 [3] 建立风险监测与预警机制 - 推动建立从上游原材料制备到组件生产的全链条知识产权侵权风险监测机制 [4] - 加强对知识产权风险、诉讼、核心技术专利对外转让及舆情的监测,建立健全风险通报机制 [4] - 建设光伏产业知识产权数据库,提供主要国家和地区的法律法规等信息,定期发布风险预警报告 [4] 强化纠纷处理与行政裁决 - 指导光伏产业聚集地区建立专利纠纷解决专门机制,依法高效处理专利侵权纠纷行政裁决案件 [5] - 推动建立光伏专利侵权纠纷行政裁决跨区域联合审理机制 [5] - 完善技术调查官制度,加强知识产权鉴定体系建设,加大对行政裁决办案的技术支撑 [5] - 加强行政裁决与关联确权程序的高效协调,加快案件审理,提高维权效率 [5] 加强跨部门协同保护 - 建立信息共享机制,知识产权管理部门定期将行政裁决案件信息抄送工信、国资、海关等部门,有效规制故意侵权、重复侵权行为 [6] - 工信部门根据对企业核心专利的综合性评议及行政裁决结果,加强光伏制造行业规范条件企业名单动态管理 [6] - 强化知识产权海关保护,依法禁止侵犯知识产权的光伏产品进出口 [6] 规范招投标与采购行为 - 要求中央企业和国有企业发挥模范带头作用,杜绝制售、使用侵权商品,鼓励在招标文件中要求投标企业自主承诺产品无知识产权侵权情形 [7] - 将知识产权侵权纠纷的行政裁决或司法生效判决结果作为央国企采购招标过程中的重要依据 [7] 引导多元化纠纷解决 - 充分发挥“总对总”诉调对接机制,靠前化解光伏产业知识产权纠纷 [8] - 鼓励有条件的地区依托知识产权保护中心等组织开展光伏产业知识产权调解工作 [8] - 支持行业协会等社会团体组织积极参与纠纷调解,鼓励仲裁组织加强专业队伍建设 [8] - 充分发挥行业组织作用,发布尊重知识产权的自律倡议 [8] 促进知识产权转化运用 - 依托高校和科研机构存量专利盘活系统,加快推进光伏领域专利供需对接和产业化应用 [9] - 建设产业知识产权运营中心,按照市场化、利益平衡等原则组建专利池,促进产业链知识产权高效转化和协同运用 [9] 应对海外知识产权风险 - 健全光伏产业知识产权海外维权援助机制,强化企业在国际参展、产品出口、境外投资等活动中的风险防范 [10] - 充分发挥海外知识产权纠纷应对指导光伏产业分中心作用,引导企业加强海外信息沟通交流,提高纠纷应对能力 [10] - 用好高价值专利储备协同应对海外诉讼,支持企业设立海外维权互助基金,降低风险应对成本 [10] 提升企业知识产权能力 - 引导光伏企业建立知识产权合规管理体系,加强对企业的专题培训 [11] - 支持研究机构、保护中心等面向企业定期开展管理人员培训,培育高水平复合型人才 [11] - 充分发挥知识产权公共服务机构作用,加强面向企业核心技术攻关的公共服务支撑 [11] - 促进与共建“一带一路”国家及其他国家高水平光伏行业协会的交流合作 [11] 加强商标品牌建设与保护 - 指导光伏企业提高品牌管理能力,提升商标品牌创造、运用和保护水平,推动企业塑造中国品牌良好形象,打造具有国际影响力的知名品牌 [12] - 加大商标保护力度,严厉打击假冒知名商标品牌、恶意申请商标注册等行为 [12] - 引导企业做好海外商标使用监测,降低海外商标和域名被抢注风险,及时妥善处置海外知识产权纠纷 [12]
爱旭太阳能取得背接触电池、电池组件和光伏系统专利
搜狐财经· 2025-12-09 12:04
公司专利与技术动态 - 浙江爱旭太阳能科技有限公司、珠海富山爱旭太阳能科技有限公司、天津爱旭太阳能科技有限公司、广东爱旭科技有限公司共同取得一项名为“背接触电池、电池组件和光伏系统”的专利,授权公告号为CN119894163B,申请日期为2025年1月 [1] 公司基本情况与规模 - 浙江爱旭太阳能科技有限公司成立于2016年,位于金华市,从事电气机械和器材制造业,注册资本596374.3676万人民币,对外投资11家企业,参与招投标142次,拥有专利2069条,行政许可61个 [1] - 珠海富山爱旭太阳能科技有限公司成立于2021年,位于珠海市,从事电力、热力生产和供应业,注册资本450000万人民币,参与招投标115次,拥有专利1177条,行政许可315个 [1] - 天津爱旭太阳能科技有限公司成立于2018年,位于天津市,从事化学原料和化学制品制造业,注册资本130000万人民币,对外投资1家企业,参与招投标23次,拥有专利1319条,行政许可153个 [2] - 广东爱旭科技有限公司成立于2009年,位于佛山市,从事电气机械和器材制造业,注册资本282347.488万人民币,对外投资1家企业,参与招投标8次,拥有商标信息99条,专利1862条,行政许可46个 [2] 公司研发与知识产权实力 - 浙江爱旭太阳能科技有限公司拥有专利信息2069条 [1] - 珠海富山爱旭太阳能科技有限公司拥有专利信息1177条 [1] - 天津爱旭太阳能科技有限公司拥有专利信息1319条 [2] - 广东爱旭科技有限公司拥有专利信息1862条,商标信息99条 [2]
晶科能源取得背接触电池、背接触叠层电池及光伏组件专利
金融界· 2025-11-29 09:11
公司专利与技术进展 - 晶科能源(海宁)有限公司于2025年7月申请并获得一项名为“一种背接触电池、背接触叠层电池及光伏组件”的专利,授权公告号为CN120529697B [1] - 该专利涉及背接触电池及叠层电池技术,属于光伏组件领域的创新 [1] 公司基本信息 - 晶科能源(海宁)有限公司成立于2017年,位于浙江省嘉兴市 [1] - 公司主营业务为电力、热力生产和供应业 [1] - 公司注册资本为357,000万人民币 [1] 公司经营与资质 - 公司参与招投标项目56次 [1] - 公司拥有专利信息823条 [1] - 公司拥有行政许可72个 [1]
隆基绿能申请背接触电池及其制造方法专利,防止背接触电池中导电类型相反的掺杂半导体层之间产生漏电
金融界· 2025-05-03 19:23
文章核心观点 隆基绿能申请"一种背接触电池及其制造方法"专利,该专利可防止背接触电池中导电类型相反的掺杂半导体层之间产生漏电,同时介绍了公司基本信息 [1][2] 公司信息 - 隆基绿能成立于2000年,位于西安市,以从事批发业为主,注册资本757804.4598万人民币 [2] - 公司共对外投资34家企业,参与招投标项目325次 [2] - 公司有商标信息205条,专利信息1931条,拥有行政许可54个 [2] 专利信息 - 隆基绿能申请名为"一种背接触电池及其制造方法"的专利,公开号CN119907354A,申请日期为2023年10月 [1] - 该专利涉及光伏技术领域,可防止背接触电池中导电类型相反的掺杂半导体层之间产生漏电 [1] - 背接触电池包括半导体基底、第一掺杂半导体层、本征半导体层、第二掺杂半导体层和绝缘掩膜层 [1] - 第一掺杂半导体层位于第一区域上的部分为第一掺杂部,其余部分为第二掺杂部,第二掺杂部小于第一掺杂部内杂质的掺杂浓度 [1] - 本征半导体层形成在隔离区域的第二掺杂部之外的部分上、且与第一掺杂半导体层一体成型 [1] - 第二掺杂半导体层覆盖在第二区域、至少部分本征半导体层和至少部分第二掺杂部上,导电类型与第一掺杂半导体层相反,至少一者为掺杂晶硅层 [1]