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高频宽存储(HBM)
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英特尔陈立武:存储芯片还会缺两年
经济日报· 2026-02-05 06:59
行业动态:存储芯片短缺现状与前景 - 人工智能基础设施大规模扩张导致存储芯片供给紧张,传统电脑与智能手机的供给随之减少[1] - 存储芯片短缺现象已导致存储价格大涨,可能降低消费者购买电脑和智能手机的欲望[1] - 英特尔执行长转述大型存储业者观点,认为存储短缺完全没有改善,可能要到2028年才会缓解,即至少还会持续两年[1] 公司行动:英特尔重返存储市场 - 英特尔计划重返存储市场,已与软银子公司Saimemory签署新合作协议[1] - 合作将推动开发和生产名为Z-Angle Memory的新型垂直堆叠存储,旨在与用于最新AI数据中心的高频宽存储竞争[1] - Z-Angle Memory提供的容量大于高频宽存储,频宽也较大,且耗电量较低[1] 合作计划与时间表 - Saimemory和英特尔的目标是在截至2028年3月31日的年度内打造出Z-Angle Memory的原型[2] - 该产品的商业化目标定在2029年度[2] 市场影响与公司反应 - 存储价格飙涨已促使数个消费者电子品牌涨价或调整产品计划[2] - 任天堂公司社长表示,如果存储价格高涨持续时间比预期长,该公司明年度起获利能力可能承压[2] - 此言论导致任天堂股价在4日应声重挫近11%[2]
韩厂减产 NAND催动价格飙涨 群联、点序、威刚等受惠
经济日报· 2026-01-21 07:11
行业动态:NAND Flash市场供应与价格 - 三星与SK海力士将产能转向高端DRAM及高频宽存储(HBM),大幅排挤NAND Flash产出,导致全球NAND芯片市场持续供不应求,价格再度狂飙 [1] - 全球NAND芯片供给结构性缺口将因此扩大约3%至4%,在价格狂涨的背景下,两大厂产出不增反减使得供给更吃紧,价格涨势预计延续 [1] - AI推理应用扩大及数据中心对高容量SSD需求升温,推动NAND芯片从消费性零组件转变为AI基础建设的一环,业界正向看待报价继续走扬 [2] 主要厂商产能调整 - 三星今年NAND芯片产量预计由去年的490万片降至468万片,减幅约4.5%,产量甚至低于2024年市况不好时的水平 [1] - SK海力士今年NAND芯片产量预计由去年的190万片降至170万片,减幅达10.5% [1] - 两家公司今年NAND芯片总产出量预计由去年的680万片降至约638万片,年减约6.2% [1] - 三星与SK海力士合计占全球NAND芯片产能逾六成,其同步削减产能对市场供给影响重大 [1] 产能调整背后的商业逻辑 - 高端存储市场更火热且价格更好,在NAND芯片与DRAM产能可互相转换的前提下,厂商为追求利益最大化,将“相对赚得少”的NAND芯片产能转产高端DRAM [2] - 主要NAND芯片厂过去几年对扩产态度保守,即使启动新投资,新增产能最快也要到2027年后才可能逐步开出 [2] 供应链影响与潜在受益方 - 市场供给结构性缺口扩大及价格持续上涨,台湾NAND芯片应用厂商群联、点序被视为主要赢家,模组厂威刚、创见、十铨等也将受益 [1] - 群联指出,云端服务业者对企业级SSD与储存容量需求呈现结构性增长,目前市场供给仍偏紧,缺口约在一成以上,短期内难以缓解 [2] - 点序深耕NAND控制芯片,搭上价格上扬走势,运营动能获得挹注 [3]
存储大缺货,IDM也要找代工
半导体行业观察· 2025-12-22 09:49
行业供需与市场前景 - 存储行业正面临大缺货,价格飙涨,供给远远无法跟上客户需求,短期内难以缓解,在可预见的未来,整个产业供应仍将明显低于需求 [1] - 美光对部分关键客户仅能满足约50%至三分之二的供货量,对新产能需求殷切 [1] - 由于AI相关需求预期持续骤增,产能日益被视为竞争力的关键决定因素 [4] - 全球DRAM市场规模预估在2026年前达到1700亿美元,高于2024年的1000亿美元 [4] 主要厂商动态与产能扩张 - 美光计划将2026财年资本支出由原规划的180亿美元上调至200亿美元,以追加存储投资与建立新产能 [1] - 南韩三星电子正逐渐增加国内DRAM和NAND快闪存储产线的利用率,并扩大高频宽存储等高端产品的产量,其平泽五厂预定2028年开始量产 [4] - 南韩SK海力士位于淸州的新M15X厂准备投产,将聚焦于DRAM和其他AI导向的存储产品,并力图提前完成龙仁半导体园区内的首座晶圆厂 [4] 力积电铜锣新厂的战略价值 - 力积电铜锣新厂已完成厂房建设,厂区设计以存储制程为核心,成为少数可快速转换、立即放量的“即战力产能”,对急需新产能的国际大厂吸引力非常大 [2] - 该新厂最大月产能可达4万至5万片,目前仅建置约8000多片设备,装机率仅约20%,扩产弹性充裕 [2] - 美光与晟碟均希望在该厂导入其技术与机台生产存储,以在最短时间开出新产能,形成“双龙抢珠”态势 [1] 美光与力积电潜在合作模式 - 合作模式一为“纯代工”模式,美光将既有后里厂的1x纳米世代设备迁入力积电铜锣新厂生产,晶圆全数回销美光 [2] - 合作模式二为“技转加设备迁入”模式,力积电重新回归存储产品公司角色,量产晶圆回销技术母厂 [2] - 合作模式三为“分销制”,力积电产出的存储晶圆中可保留一定比重自行销售,在存储价格狂飙的环境下能直接认列产品毛利,被视为对力积电最有利的方案 [3]
大摩:AI引爆"存储超级循环",三星带头涨价或持续至明年
经济日报· 2025-09-24 07:34
存储产业前景与预测 - 人工智能发展推动存储产业进入超级循环周期 上行动能预计持续至明年下半年 [1] - 企业级固态硬盘订单激增 近期下单并于明年交付的eSSD订单量已与今年总量相当 [1] - 预计NAND闪存明年将出现供给短缺 短缺幅度达8% [1] 存储芯片价格走势 - NAND闪存价格预计连续三个季度上涨 第三季度上涨3% 第四季度上涨5% 明年第一季度再涨3% [1] - 第四季度DRAM平均价格较当前水准高出9% [2] - 三星电子计划第四季度调高DRAM价格15%-30% 并调高NAND价格5%-10% [2] 主要厂商动态与市场地位 - 三星电子与SK海力士在用于企业级固态硬盘的NAND闪存全球市场合计占有率超过60% [3] - 三星电子加入美光和Sandisk的涨价行列 反映出生成式AI对数据中心和AI推理系统芯片需求的推动 [2] - SK海力士正与客户协商随市况调涨价格的政策 [2] 特定存储产品需求 - 英伟达推出新一代AI GPU Rubin 预计将带动LPDDR5需求激增 [1] - 云端服务商从传统硬盘转向固态硬盘 推动作为SSD核心元件的NAND需求增长 [1] - 三星与SK海力士正接收大量高效能芯片订单 包括高频宽存储HBM、GDDR7与LPDDR5 [2] 投资评级与目标价调整 - 摩根士丹利看好韩国半导体产业 将当地芯片制造商投资评级由中立上调至具吸引力 [3] - 摩根士丹利调高三星电子目标价12%至9.6万韩元 [3] - 摩根士丹利将SK海力士评级由中立上调至加码 目标价调高至41万韩元 [3]