三星电子晶圆代工业务进展 - 三星晶圆代工部门获得中国加密货币挖矿公司比特微和嘉楠科技的2纳米ASIC订单 [2] - 这两家公司分别是全球矿机制造市场的第二和第三大厂商，排名第一的比特大陆与台积电合作 [2] - 由于台积电产能满载，比特微和嘉楠科技将订单转向三星，晶圆交付量约为每月2000片12吋晶圆，相当于三星2纳米总产能的10% [2] - 以每片晶圆约2万美元计算，该订单预计为三星带来年销售额4.8亿美元，约占其去年晶圆代工营收的4% [2] - 三星今年开始提供2纳米服务，并已成功拿下系统LSI部门和特斯拉等重要客户 [3] - 业界预期三星将通过降低单价吸引台积电客户，以缩小与台积电超过60个百分点的市占率差距 [3] 三星电子国内投资与产能扩张 - 三星电子宣布将在韩国平泽市的工厂增设一条芯片生产线（P5工厂），以满足全球人工智能发展带来的需求 [3][4] - 此次投资是其母公司未来五年在韩国国内投资450万亿韩元（约3107.9亿美元）计划的一部分 [3] - P5工厂是全球最大芯片综合体的一部分，原计划自2023年底以来被推迟，现计划于2028年开始量产 [5] - 公司表示将提前确保生产线供应，以应对中长期存储半导体需求的持续增长 [5] - 三星电子本月将某些内存芯片的价格较9月份上调了高达60% [4] 韩国产业投资背景 - 三星电子、现代汽车等韩国主要制造商在美国贸易协议最终敲定后公布了国内投资计划，以缓解国内投资可能减少的担忧 [3][4] - 韩国总统李在明要求企业更多考虑国内投资，并充分利用3500亿美元的海外投资计划 [4] - 现代汽车集团宣布2026年至2030年间在韩国国内投资125.2万亿韩元，韩华海洋和HD现代也公布了投资计划 [4]

台积电2纳米制程定价与客户影响 - 台积电2纳米晶圆代工价格预计为每片30,000美元 [1] - 2纳米制程相较于3纳米的溢价预期从早期报告的50%修正为10%至20% [1] - 溢价压力减轻的原因在于台积电计划对现有3纳米制程进行涨价，使得2纳米的相对成本增幅显得不那么剧烈 [1][2] 3纳米制程价格调整 - 台积电第二代3纳米制程N3E预计涨价后成本约为每片25,000美元 [2] - 第三代3纳米制程N3P预计涨价后成本约为每片27,000美元 [2] - 高通和联发科因转向使用N3P制程，已为其芯片产品支付了高达24%的溢价 [2] 客户采用2纳米制程的进展 - 高通计划在2026年将Snapdragon 8 Elite Gen 6 SoC转向台积电2纳米制程 [3] - 联发科首款采用台积电2纳米制程的SoC已成功投片，预计2026年底量产 [3] - AMD代号Venice的EPYC处理器已完成投片，成为业界首款采用台积电2纳米制程的高效能运算产品 [3] 2纳米制程市场需求与产能 - 市场传出台积电2纳米制程订单爆满，已有15家大厂准备采用 [5] - 业界预估明年2纳米制程售价涨幅将超过50% [5] - 台积电正加速在新竹、高雄科学园区及美国亚利桑那州筹建多座2纳米晶圆厂以应对市场需求 [6] 行业竞争格局 - 日本新创芯片制造商Rapidus规划在2027年量产2纳米制程，三星也在持续加码先进制程 [5] - 尽管竞争激烈，台积电在良率与客户基础上仍保有难以撼动的优势 [6]

文章核心观点 - 全球半导体行业正经历深刻经济转型，核心是台积电，标志着一个晶体管成本可预测下降时代的终结 [2] - 台积电决定对最先进逻辑芯片实施前所未有的价格上涨，此举措由巨额资本支出、地缘政治任务及物理限制所驱动 [2] - 台积电利用其技术优势为下一代创新提供资金，此举将永久性提高整个数字经济基础组件的成本基准 [2] 摩尔定律的脱钩 - 摩尔定律已达到拐点，制造成本增长速度现已超过仅靠密度缩放所能抵消的经济效益 [4] - 台积电将从2026年起对5纳米以下先进节点实施5-10%的价格上涨，最具战略意义的调整是向2纳米节点的代际飞跃 [4] - 2纳米节点生产的晶圆价格将比其前代产品飙升超过50%，单片晶圆价格将推高至30,000美元或更高 [4] - 在主要节点过渡中，每晶体管成本将首次上升，获得半导体技术巅峰成为一项高价服务 [4] 为"主权"买单 - 台积电成本结构上升的一个主要催化剂是全球多元化所需的巨额资本支出，深受地缘政治压力影响 [6] - 台积电在美国亚利桑那州工厂的总支出已飙升至1,650亿美元，是美国历史上最大的单笔外国直接投资 [6] - 海外工厂运营成本显著高于台湾晶圆厂，AMD证实亚利桑那晶圆厂生产的芯片贵5%到20%，行业报告显示4纳米生产溢价可能高达30% [6] - 台积电承认海外晶圆厂将使其合并毛利率稀释2-3%，提价被视为抵消更高运营和地缘政治成本的"不可避免"的必需品 [8] 半导体晶圆成本演变 - 7纳米节点（2018年）晶圆价格约为9,350美元 [7] - 5纳米节点（2020年）晶圆价格约为17,000美元，代际价格上涨约82% [7] - 3纳米节点（2022-2023年）晶圆价格约为20,000美元，代际价格上涨约18% [7] - 2纳米节点（预计2025年）晶圆价格预计为30,000美元以上，代际价格上涨超过50% [7] 用GAA挑战原子壁垒 - 价格飙升的第二个主要驱动力是保持领先地位所需的技术复杂性，行业正通过全环绕栅极晶体管在埃米尺度上突破物理边界 [10] - 从3纳米到2纳米节点的飞跃需要从FinFET架构过渡到GAA架构，这是十多年来晶体管设计中最重大的变化之一 [10] - GAA晶体管的制造比FinFET"复杂了一个数量级"，涉及多步骤工艺，引入了许多新的潜在故障模式和更高的开发成本 [14] - 最先进设施成本在150亿到200亿美元之间，极紫外线光刻机每台成本约为3.5亿美元 [14] - 行业正与随机缺陷作斗争，这代表着缩放的一个根本性障碍，并确保未来的进步将以结构性更高的成本为代价 [14] 客户反应 - 英伟达公开支持价格上涨，首席执行官认为台积电的价值没有在目前定价中得到充分体现，并称台积电为"人类历史上最伟大的公司之一" [16] - 苹果作为台积电最大的单一客户，面临晶圆成本上升和地缘政治关税的挑战，但确保获得最先进工艺技术对其产品路线图至关重要 [16] - 苹果承诺在美国制造业投入6,000亿美元以获得额外半导体关税豁免，其在2025年第三季度产生了8亿美元的关税相关成本，预计下一季度将上升至11亿美元 [17] - 高通和联发科面临直接的利润挤压，联发科在N3P工艺上的成本增长达24%，高通面临16%的增长 [17] - 高通首席执行官表示，英特尔代工技术目前还不是用于移动芯片的可靠、高良率替代品，这巩固了台积电的杠杆作用 [17] 对消费价格和数据中心的影响 - 安卓芯片巨头面临的利润挤压将"不可避免地转化为2026年起旗舰消费设备的价格上涨"，顶级产品逐步降价的时代已经结束 [19] - 在数据中心领域，30,000美元以上的2纳米晶圆成本为未来所有AI和高性能计算组件设定了明显更高的价格底线 [19] - 财务压力加速行业向小芯片架构转变，对组件使用更旧、更具成本效益的工艺，而只将昂贵的2纳米工艺保留给性能关键的逻辑部分，正从工程选择转变为经济必需 [19] - 台积电正在利用其技术主导地位和市场力量，实施新的定价范式，以确保其财务稳定并支持推进技术的挑战性工作 [19]

行业竞争态势 - 全球尖端芯片生产普遍处于满负荷状态，高科技公司如英伟达面临供应紧张 [5] - 尽管是卖方市场，芯片代工厂之间仍存在竞争，三星决定将其2纳米晶圆价格降至2万美元，比台积电的3万美元价格低了近三分之一 [5] - 台积电在2纳米领域占有最大份额，其2纳米晶圆厂已签约15个大客户，包括英特尔、AMD、联发科及英伟达 [6] 三星公司战略 - 三星降低2纳米晶圆价格旨在避免晶圆厂产能闲置并确保投资回报 [5] - 公司的2纳米计划曾面临阻力，在今年1月将晶圆厂投资削减了一半，并因缺乏客户而推迟了德州芯片厂建设 [5] - 三星与特斯拉达成一项价值165亿美元的巨额协议，为特斯拉生产AI6芯片，特斯拉要求良率达到60%到70% [5] - 三星的代工厂在价格竞争方面有良好记录，其2万美元的晶圆价格对不愿支付台积电溢价的客户是诱人选择 [5][6] 台积电市场地位 - 台积电由于需求旺盛最近提高了价格 [3] - 台积电采取了与三星相反的做法，未削减投资 [5] - 台积电现有和未来的晶圆厂都在满负荷运转，并要求相应的溢价 [6]

台积电市场占有率与技术优势 - 台积电晶圆代工市占率预计从2025年70%增至2026年75% [2] - 2纳米晶圆单价接近3万美元 3纳米晶圆单价约2万美元 [2] - 2024年Q4全球晶圆代工市场份额达67% 较2023年初增长10% [12] - 在AI数据中心逻辑半导体领域占据近100%市场份额 [4] - 预计2026年占据全球90%的CoWoS先进封装产能 [12] 先进制程与封装技术 - 拥有2纳米及以下制程技术路线图 仅英特尔和三星可竞争 [6] - 开发COUPE工艺用于先进封装中的光学引擎集成 [6] - 晶圆尺寸基板封装技术领先 满足多芯片系统需求 [10] - 先进封装中除DRAM外所有芯片均由台积电代工 [8] AI数据中心市场布局 - 生产Nvidia/AMD GPU及四大云服务商定制AI加速器 [4][16] - 数据中心AI加速器TAM预计年增60% 2028年超5000亿美元 [15] - 2030年半导体市场达1万亿美元 AI数据中心成主力 [15] - 六大客户将全部为数据中心AI提供商 [17] 产能与地域分布 - 美国亚利桑那州工厂将承担N2/A16节点约1/3产量 [12] - 先进制程先在台湾开发后转移至美国 [12] - 拥有全球最先进制程和封装产能 美国份额持续增长 [12] 财务与管理优势 - 市值近1万亿美元 客户均为万亿级科技巨头 [13] - 管理团队运营能力卓越 多国晶圆厂协同高效 [14] - 良率持续改进形成技术领先核心壁垒 [21] 行业竞争格局 - 成熟制程面临中国厂商价格竞争 但对台积电影响有限 [22] - 英特尔/三星短期内难以超越台积电多重优势 [18] - 摩尔定律极限后需布局系统代工应对技术挑战 [22]

半导体工艺技术进展 - 三星成立专门团队开发1nm工艺，目标2029年实现量产，但尚未购置关键的高数值孔径EUV曝光设备 [1][2] - 三星2nm GAA工艺试产良率达30%，较3nm GAA有所提升，但仍有改进空间 [1] - 台积电已开始接受2nm晶圆订单，并着手开发1.4nm节点，技术竞争加剧 [1] - 三星可能因资源集中至2nm技术而取消1.4nm制程开发 [2] 三星半导体业务调整 - 三星将晶圆代工部门人员调往HBM业务，以应对下一代HBM4开发需求，但引发代工部门人才流失担忧 [4][5] - HBM3E市场失利导致三星被SK海力士和美光超越，未能通过NVIDIA质量测试 [4] - SK海力士Q1 DRAM市场份额达36%，超越三星的34%，主要得益于HBM技术优势 [5] - 三星计划利用代工工艺能力实现HBM4逻辑芯片定制化生产，试图扭转竞争劣势 [5] 内部管理挑战 - 晶圆代工部门员工非正式调动至内存部门已持续半年，引发技术开发人才短缺风险 [6] - 部门间薪资差距和人员流动导致内部士气下降，可能激化业务冲突 [6] - 管理层面临平衡代工与存储器业务资源分配的困境，需防止市场份额进一步被台积电挤压 [6] 行业竞争格局 - 半导体行业技术竞赛聚焦1nm及以下先进制程，三星与台积电为关键竞争者 [1][2] - HBM技术成为DRAM市场关键变量，SK海力士凭借先发优势实现市场份额反超 [5]