台积电2纳米制程定价与客户影响 - 台积电2纳米晶圆代工价格预计为每片30,000美元 [1] - 2纳米制程相较于3纳米的溢价预期从早期报告的50%修正为10%至20% [1] - 溢价压力减轻的原因在于台积电计划对现有3纳米制程进行涨价，使得2纳米的相对成本增幅显得不那么剧烈 [1][2] 3纳米制程价格调整 - 台积电第二代3纳米制程N3E预计涨价后成本约为每片25,000美元 [2] - 第三代3纳米制程N3P预计涨价后成本约为每片27,000美元 [2] - 高通和联发科因转向使用N3P制程，已为其芯片产品支付了高达24%的溢价 [2] 客户采用2纳米制程的进展 - 高通计划在2026年将Snapdragon 8 Elite Gen 6 SoC转向台积电2纳米制程 [3] - 联发科首款采用台积电2纳米制程的SoC已成功投片，预计2026年底量产 [3] - AMD代号Venice的EPYC处理器已完成投片，成为业界首款采用台积电2纳米制程的高效能运算产品 [3] 2纳米制程市场需求与产能 - 市场传出台积电2纳米制程订单爆满，已有15家大厂准备采用 [5] - 业界预估明年2纳米制程售价涨幅将超过50% [5] - 台积电正加速在新竹、高雄科学园区及美国亚利桑那州筹建多座2纳米晶圆厂以应对市场需求 [6] 行业竞争格局 - 日本新创芯片制造商Rapidus规划在2027年量产2纳米制程，三星也在持续加码先进制程 [5] - 尽管竞争激烈，台积电在良率与客户基础上仍保有难以撼动的优势 [6]

公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 全球半导体行业正在经历一场深刻的经济转型，这场转型的核心是台积电（TSMC），它标志着一个 以晶体管成本可预测下降为特征的时代的终结。 处于这一结构性转变中心的是台积电决定对其最先进的逻辑芯片实施前所未有的价格上涨。这一举措 是由于天文数字般的资本支出、地缘政治任务，以及在埃米（angstrom）尺度下制造所面临的纯粹、 不可退让的物理学限制所必需的。 台积电作为全球先进逻辑制造领域无可争议的领导者，截至 2025 年第二季度，占据了所有晶圆代工 收入高达 70.2% 的市场份额。它正在利用其技术优势来为下一代创新提供资金。这一战略将整个数 字经济基础组件的成本基准永久性地提高了。 摩尔定律的脱钩 几十年来，摩尔定律承诺，由于每晶体管成本的下降，设备的性能将呈指数级增长，同时价格也会变 得更加实惠。然而，这一原则现已达到了一个拐点。 根据媒体报道，台积电很快将从 2026 年开始对其 5 纳米以下的先进节点实施 5-10% 的价格上涨。 然而，最具战略意义的调整将是向 2 纳米（2nm）节点的代际飞跃。 2 纳米节点生产的晶圆价格将比其前代产品飙升超过 50%。 ...

行业竞争态势 - 全球尖端芯片生产普遍处于满负荷状态，高科技公司如英伟达面临供应紧张 [5] - 尽管是卖方市场，芯片代工厂之间仍存在竞争，三星决定将其2纳米晶圆价格降至2万美元，比台积电的3万美元价格低了近三分之一 [5] - 台积电在2纳米领域占有最大份额，其2纳米晶圆厂已签约15个大客户，包括英特尔、AMD、联发科及英伟达 [6] 三星公司战略 - 三星降低2纳米晶圆价格旨在避免晶圆厂产能闲置并确保投资回报 [5] - 公司的2纳米计划曾面临阻力，在今年1月将晶圆厂投资削减了一半，并因缺乏客户而推迟了德州芯片厂建设 [5] - 三星与特斯拉达成一项价值165亿美元的巨额协议，为特斯拉生产AI6芯片，特斯拉要求良率达到60%到70% [5] - 三星的代工厂在价格竞争方面有良好记录，其2万美元的晶圆价格对不愿支付台积电溢价的客户是诱人选择 [5][6] 台积电市场地位 - 台积电由于需求旺盛最近提高了价格 [3] - 台积电采取了与三星相反的做法，未削减投资 [5] - 台积电现有和未来的晶圆厂都在满负荷运转，并要求相应的溢价 [6]

台积电市场占有率与技术优势 - 台积电晶圆代工市占率预计从2025年70%增至2026年75% [2] - 2纳米晶圆单价接近3万美元 3纳米晶圆单价约2万美元 [2] - 2024年Q4全球晶圆代工市场份额达67% 较2023年初增长10% [12] - 在AI数据中心逻辑半导体领域占据近100%市场份额 [4] - 预计2026年占据全球90%的CoWoS先进封装产能 [12] 先进制程与封装技术 - 拥有2纳米及以下制程技术路线图 仅英特尔和三星可竞争 [6] - 开发COUPE工艺用于先进封装中的光学引擎集成 [6] - 晶圆尺寸基板封装技术领先 满足多芯片系统需求 [10] - 先进封装中除DRAM外所有芯片均由台积电代工 [8] AI数据中心市场布局 - 生产Nvidia/AMD GPU及四大云服务商定制AI加速器 [4][16] - 数据中心AI加速器TAM预计年增60% 2028年超5000亿美元 [15] - 2030年半导体市场达1万亿美元 AI数据中心成主力 [15] - 六大客户将全部为数据中心AI提供商 [17] 产能与地域分布 - 美国亚利桑那州工厂将承担N2/A16节点约1/3产量 [12] - 先进制程先在台湾开发后转移至美国 [12] - 拥有全球最先进制程和封装产能 美国份额持续增长 [12] 财务与管理优势 - 市值近1万亿美元 客户均为万亿级科技巨头 [13] - 管理团队运营能力卓越 多国晶圆厂协同高效 [14] - 良率持续改进形成技术领先核心壁垒 [21] 行业竞争格局 - 成熟制程面临中国厂商价格竞争 但对台积电影响有限 [22] - 英特尔/三星短期内难以超越台积电多重优势 [18] - 摩尔定律极限后需布局系统代工应对技术挑战 [22]

半导体工艺技术进展 - 三星成立专门团队开发1nm工艺，目标2029年实现量产，但尚未购置关键的高数值孔径EUV曝光设备 [1][2] - 三星2nm GAA工艺试产良率达30%，较3nm GAA有所提升，但仍有改进空间 [1] - 台积电已开始接受2nm晶圆订单，并着手开发1.4nm节点，技术竞争加剧 [1] - 三星可能因资源集中至2nm技术而取消1.4nm制程开发 [2] 三星半导体业务调整 - 三星将晶圆代工部门人员调往HBM业务，以应对下一代HBM4开发需求，但引发代工部门人才流失担忧 [4][5] - HBM3E市场失利导致三星被SK海力士和美光超越，未能通过NVIDIA质量测试 [4] - SK海力士Q1 DRAM市场份额达36%，超越三星的34%，主要得益于HBM技术优势 [5] - 三星计划利用代工工艺能力实现HBM4逻辑芯片定制化生产，试图扭转竞争劣势 [5] 内部管理挑战 - 晶圆代工部门员工非正式调动至内存部门已持续半年，引发技术开发人才短缺风险 [6] - 部门间薪资差距和人员流动导致内部士气下降，可能激化业务冲突 [6] - 管理层面临平衡代工与存储器业务资源分配的困境，需防止市场份额进一步被台积电挤压 [6] 行业竞争格局 - 半导体行业技术竞赛聚焦1nm及以下先进制程，三星与台积电为关键竞争者 [1][2] - HBM技术成为DRAM市场关键变量，SK海力士凭借先发优势实现市场份额反超 [5]