台积电市场占有率与技术优势 - 台积电晶圆代工市占率预计从2025年70%增至2026年75% [2] - 2纳米晶圆单价接近3万美元 3纳米晶圆单价约2万美元 [2] - 2024年Q4全球晶圆代工市场份额达67% 较2023年初增长10% [12] - 在AI数据中心逻辑半导体领域占据近100%市场份额 [4] - 预计2026年占据全球90%的CoWoS先进封装产能 [12] 先进制程与封装技术 - 拥有2纳米及以下制程技术路线图 仅英特尔和三星可竞争 [6] - 开发COUPE工艺用于先进封装中的光学引擎集成 [6] - 晶圆尺寸基板封装技术领先 满足多芯片系统需求 [10] - 先进封装中除DRAM外所有芯片均由台积电代工 [8] AI数据中心市场布局 - 生产Nvidia/AMD GPU及四大云服务商定制AI加速器 [4][16] - 数据中心AI加速器TAM预计年增60% 2028年超5000亿美元 [15] - 2030年半导体市场达1万亿美元 AI数据中心成主力 [15] - 六大客户将全部为数据中心AI提供商 [17] 产能与地域分布 - 美国亚利桑那州工厂将承担N2/A16节点约1/3产量 [12] - 先进制程先在台湾开发后转移至美国 [12] - 拥有全球最先进制程和封装产能 美国份额持续增长 [12] 财务与管理优势 - 市值近1万亿美元 客户均为万亿级科技巨头 [13] - 管理团队运营能力卓越 多国晶圆厂协同高效 [14] - 良率持续改进形成技术领先核心壁垒 [21] 行业竞争格局 - 成熟制程面临中国厂商价格竞争 但对台积电影响有限 [22] - 英特尔/三星短期内难以超越台积电多重优势 [18] - 摩尔定律极限后需布局系统代工应对技术挑战 [22]

半导体工艺技术进展 - 三星成立专门团队开发1nm工艺，目标2029年实现量产，但尚未购置关键的高数值孔径EUV曝光设备 [1][2] - 三星2nm GAA工艺试产良率达30%，较3nm GAA有所提升，但仍有改进空间 [1] - 台积电已开始接受2nm晶圆订单，并着手开发1.4nm节点，技术竞争加剧 [1] - 三星可能因资源集中至2nm技术而取消1.4nm制程开发 [2] 三星半导体业务调整 - 三星将晶圆代工部门人员调往HBM业务，以应对下一代HBM4开发需求，但引发代工部门人才流失担忧 [4][5] - HBM3E市场失利导致三星被SK海力士和美光超越，未能通过NVIDIA质量测试 [4] - SK海力士Q1 DRAM市场份额达36%，超越三星的34%，主要得益于HBM技术优势 [5] - 三星计划利用代工工艺能力实现HBM4逻辑芯片定制化生产，试图扭转竞争劣势 [5] 内部管理挑战 - 晶圆代工部门员工非正式调动至内存部门已持续半年，引发技术开发人才短缺风险 [6] - 部门间薪资差距和人员流动导致内部士气下降，可能激化业务冲突 [6] - 管理层面临平衡代工与存储器业务资源分配的困境，需防止市场份额进一步被台积电挤压 [6] 行业竞争格局 - 半导体行业技术竞赛聚焦1nm及以下先进制程，三星与台积电为关键竞争者 [1][2] - HBM技术成为DRAM市场关键变量，SK海力士凭借先发优势实现市场份额反超 [5]