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3纳米制程
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台积电3nm,太猛了
半导体行业观察· 2025-06-25 09:56
半导体制程竞争格局 - 三星计划押注2纳米制程,最快明年在美国德州厂导入,试图弯道超车台积电 [1] - 半导体业界认为三星3纳米GAAFET仅相当于竞争对手4纳米FinFET水准,2纳米效能可能不如台积电最强3纳米FinFET [1] - 台积电持续发展3纳米家族成员(N3X/N3C/N3A),预计仍将是主流客户首选 [1] - 台积电严守最先进制程在台湾发展,海外厂以台湾母厂为目标 [2] 台积电技术进展与产能规划 - 台积电3纳米产能预计2025年成长超过60%,去年底N3P已进入量产阶段 [1][3] - 3纳米良率表现与5纳米相当,已具备车用芯片品质要求并开始出货 [3] - 2纳米采用纳米片晶体管架构,预计2025年下半年大规模量产,将在新竹与高雄建置产线 [3] - 3纳米家族包括N3E/N3P/N3X多样技术版本,满足客户多样化需求 [3] 供应链与客户表现 - 智能手机旗舰芯片多采用台积电第二代3纳米(N3E),仅三星Exynos 2500使用自家3纳米GAAFET [1] - 台积电制程在芯片表现上更优,如天玑9400频率达3.62GHz优于Exynos 2500的3.3GHz [2] - 供应链表示再生晶圆、钻石碟、特用化学品用量显著提升 [2] - 台积电亚利桑那州二厂加速建设,预计明年第三季机台Move-in [2] 全球扩张与AI驱动 - 台积电今年拟新增9座厂区(8座晶圆厂+1座先进封装厂) [3][4] - AI芯片出货量2021-2025年预计成长12倍,大面积芯片成长8倍 [4] - 美国亚利桑那州厂2024年底量产4纳米,日本熊本厂良率接近台湾 [4] - 德国德勒斯登特殊制程厂加速建置,配合欧洲供应链 [4] 封装技术发展 - 3D Fabric平台整合SYC与COAS技术,维持高良率 [4] - 2022-2026年SYC与COAS产能分别成长逾100%与80% [4] - 台中/嘉义/竹南/龙潭新封装厂支援AI与HPC需求,规划海外封装基地 [4] 生产效率提升 - 导入AI与大数据实现自动化管理,缩短生产周期逾30% [4] - 机台效能与初期良率接近模厂水准 [4]
三星3nm,太惨了
半导体芯闻· 2025-05-29 18:22
三星电子晶圆代工业务现状 - 三星电子晶圆代工部门近期获得包括任天堂在内的AI芯片设计公司7纳米和8纳米订单 产能利用率有所提升 [1] - 3纳米制程良率目前仅50%左右 量产已进入第三年仍维持低良率状态 远低于台积电90%以上的良率水平 [1] - 谷歌Tensor芯片原计划采用三星3纳米制程 现可能转向台积电 高通、AMD等大客户也将三星排除在代工名单外 [1] 台积电技术优势与客户动态 - 台积电3纳米制程(N3P)已获苹果、高通、NVIDIA、联发科等主要客户采用 这些厂商计划2026年过渡到2纳米工艺 [2] - 谷歌Tensor G5芯片将采用台积电第二代3纳米工艺生产 以提升SoC性能与能效 [2] - 多家原与三星洽谈先进制程的公司 在测试阶段发现问题后转向台积电 [2] 行业竞争格局变化 - 中芯国际在5纳米和7纳米领域接连获得订单 对三星电子传统优势领域形成竞争压力 [1] - 半导体行业客户更倾向于选择良率高、可靠性强的代工厂 台积电凭借技术稳定性巩固市场地位 [1][2] - 三星电子因高端制程良率问题面临客户信任危机 行业认为其恢复需要较长时间 [2]
2纳米争霸赛打响
半导体行业观察· 2025-03-23 12:03
文章核心观点 - 台积电、三星和英特尔今年将量产2纳米制程,竞争趋于白热化,依产品和制程规模,台积电有望在2纳米领先,持续独霸晶圆代工业 [1][3] 各公司情况 台积电 - 计划3月31日在高雄举办2纳米厂扩产典礼,2纳米技术在前2年产品设计定案数量将高于3纳米同期,扩大技术领先优势,受惠3纳米领先优势囊括AI商机,市占率不断扩增 [1][3] 三星 - 2纳米Exynos 2600处理器已投片,但目前客户以自家System LSI部门为主,首要工作是提升良率及客户服务;2纳米试产良率约30%,而台积电2纳米采用GAA架构良率是其1倍以上;以存储思维服务客户,与英伟达合作存在问题,应调整晶圆代工业务思维 [1][2] 英特尔 - 18A制程已为第3方客户做好准备,预计2025年上半年完成设计试产;生产自家CPU产品,产品数量少,应调整制程以生产更多不同产品,与联电合作具互利效益 [1][2]