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Micron Technology(MU) - 2025 Q4 - Earnings Call Transcript
2025-09-24 07:02
财务数据和关键指标变化 - 第四季度毛利率超过2022财年中期水平 DRAM毛利率高于2022财年中期 营业利润率创2018年11月以来最高水平 [42] - 预计第二季度毛利率将环比上升 [44] - 利息收入预计转为正值 主要由于资本化利息增加 债务减少和现金余额增加 [80] 各条业务线数据和关键指标变化 - NAND业务位元出货量在第四季度下降 主要由于产品组合变化和细分市场波动 [6][8] - HBM业务在2025年第三季度将达到与DRAM供应份额相当的水平 2026年全年份额将高于2025年 [17] - 数据中心SSD市场份额连续多年创纪录 公司在该市场具有强劲竞争地位 [9] - DDR4业务占比为低个位数百分比 由于客户极度短缺 UL时间线有所延长 [39] - 退出管理型NAND业务 将更多供应转向数据中心市场 [11][85] 各个市场数据和关键指标变化 - 超大规模云服务商因HDD市场短缺 需要显著增加AI服务器部署的存储能力 [8] - 数据中心SSD部署将在2026年增加 NAND行业状况预计开始改善 [8] - AI服务器倾向于使用最高容量驱动器 从60TB向120TB和245TB发展 [57] - 数据中心细分市场现在占整体市场的一半以上 并继续以高于其他市场的速度增长 [65] 公司战略和发展方向和行业竞争 - 资本支出从2025财年的138亿美元净额增加到2026财年约180亿美元净额 绝大部分用于DRAM建设和设备 [13] - 在爱达荷州建设首个晶圆厂 预计2027年下半年开始生产 [33][34] - HBM4产品具有最高性能 11Gbps引脚速度和28TB/s带宽 优于任何竞争产品 [25][78] - 退出移动NAND市场 专注于数据中心SSD等更高投资回报率的领域 [85][86] - 正在日本和台湾优化生产 利用可用洁净室空间 [35] 管理层对经营环境和未来前景的评论 - DRAM市场已经紧张 预计2026年将进一步收紧 [40] - NAND行业正在改善并变得更加紧张 但DRAM已经紧张且未来会更加紧张 [9] - 行业供应增长受到多种因素限制 包括库存水平低 DDR4/LP4寿命延长限制技术转型 HBM硅强度快速增加 [44] - AI从根本上改变了行业格局 数据中心成为更大且更高价值的机会 [65] 其他重要信息 - 一伽马(1-gamma)DRAM技术在本季度达到成熟良率 并向超大规模云服务商发货 [47] - 一伽马和一贝塔(1-beta)生产占位元输出的重要多数 2026财年将向一伽马转移 [47] - HBM3E产品具有最高性能和比任何竞争对手低30%的功耗 [23] - HBM4成本高于HBM3 HBM4价格将显著高于HBM3E价格 [49] - 2025财年成本下降情况: DRAM(不含HBM)高于高个位数百分比 HBM为低个位数百分比 NAND为中十位数百分比 [53] 问答环节所有提问和回答 问题: NAND行业状况和位元增长前景 - NAND位元下降主要是产品组合噪音 超大规模云服务商因HDD短缺需要更多存储能力 预计2026年数据中心SSD部署增加将推动NAND行业改善 [8] - 供应方面继续减少NAND晶圆产出 放缓节点转换速度 保持低资本支出水平并降低库存 [10][11] 问题: 资本支出构成和增量支出方向 - 资本支出从138亿美元增加到约180亿美元 绝大部分用于DRAM建设和设备 [13] 问题: HBM市场份额目标和盈利能力 - 预计2026年HBM份额将高于2025年 目标是在2025年第三季度达到DRAM供应份额水平 [17] - HBM业务具有长期订单可见性 定价提前锁定 预期全周期投资回报率更高 但非HBM DRAM也可能在某些时候盈利能力超过HBM [19][20] 问题: HBM4份额预期和竞争地位 - HBM4起步位置更好 具有最高性能 预计将获得客户强烈偏好 竞争格局变化可能主要发生在两个竞争对手之间 [24][25][26] 问题: 资本支出中设备与设施拆分 - 不提供具体拆分 但绝大部分支出用于DRAM建设和设备 包括在爱达荷州建厂和技术转型 [28][29][32] 问题: DRAM收入构成和毛利率贡献 - DDR4占比为低个位数百分比 由于客户短缺延长了UL时间线 [39] - 不评论HBM和非HBM DRAM之间的相对毛利率 因业务模式不同 HBM定价提前设定而非HBM部分基于季度趋势变动 [40] 问题: 毛利率提升驱动因素和限制条件 - 市场条件持续改善 价格继续上涨 NAND业务可继续改善 DRAM非常紧张 供应增长受限因素包括低库存 DDR4/LP4寿命延长限制技术转型 HBM硅强度增加 [42][44] - 一伽马DRAM技术 ramp是2026年供应解决方案的重要组成部分 [48] 问题: 一伽马与一贝塔技术混合比例 - 一伽马和一贝塔占位元输出重要多数 2026财年将向一伽马转移 [47] 问题: HBM4利润率预期 - HBM4成本高于HBM3 价格将显著高于HBM3E 预期HBM业务多年保持良好投资回报率 [49] 问题: 成本下降曲线和NAND高容量驱动器趋势 - 2025财年成本下降: DRAM(不含HBM)高于高个位数 HBM低个位数 NAND中十位数百分比 [53] - 平均容量将继续快速提升 预计高容量驱动器将有显著采用 超大规模云服务商HDD存储短缺将推动更多NAND使用 [55] 问题: HBM3E效率提升和毛利率结构变化 - HBM3E 12层堆叠良率提升速度快于8层堆叠 主要效益已在过去几个季度实现 [62] - 数据中心细分市场现在占销售额 mid-50% 相比过去峰值 around三分之一 结构性转变使整体组合盈利能力提高 [64][65] 问题: 2026财年成本下降目标和GDDR7对HBM市场影响 - 仅提供了2025财年成本下降数据 [70] - AI市场将多样化 需要优化架构 推理工作负载往往是内存密集型 将需要不同架构来增加内存容量和带宽 [72][73] 问题: HBM4规格提升原因和利息收入预期 - 客户寻求提高终端客户投资回报率 需要更高带宽来增加token数量或减少首次token时间 [78] - 预计利息将转为收入 因资本化利息增加 债务减少和现金余额增加 [80] 问题: 长期协议讨论和退出管理型NAND的影响 - 对长期协议持谨慎态度 考虑美国制造、关税变化和行业向数据中心转移等因素 [83][84] - 退出管理型NAND是基于投资回报率考虑 将资源集中在更高盈利领域 [85][86] - 客户对退出不满意 但DRAM业务对客户更为关键 公司继续在DRAM方面保持强劲供应关系 [89]
Micron Technology(MU) - 2025 Q4 - Earnings Call Transcript
2025-09-24 07:02
好的 我将为您总结美光科技2025财年第四季度财报电话会议的关键要点 财务数据和关键指标变化 - 第四季度毛利率达到50%以上 为2017-2018年以来最高水平 [42] - DRAM毛利率高于2022年中期水平 营业利润率为2018年11月以来最高 [42] - 预计第二季度毛利率将继续环比上升 [44] - 利息收入预计转为正值 因资本化利息增加 债务减少和现金余额增加 [79] 各条业务线数据和关键指标变化 - NAND位元出货量在第四季度下降 但管理层表示这只是各细分市场组合变动的噪音 [8] - 数据中心SSD市场份额连续多年创纪录 市场地位强劲 [9] - HBM业务在2025年第三季度达到DRAM供应份额水平 预计2026年份额将高于2025年 [17] - DDR4业务占比为低个位数百分比 已进入产品生命周期结束阶段但因客户极度短缺而延长 [39] - HBM和非HBM DRAM采用不同商业模式 HBM具有长期订单可见性和价格锁定特点 [19] - 退出管理型NAND业务 将更多供应集中于数据中心市场 [11] 各个市场数据和关键指标变化 - 超大规模企业因HDD市场短缺而需要显著更多存储容量来支持AI服务器部署 [8] - 数据中心SSD部署预计将在2026年增加 [8] - AI服务器倾向于使用最高容量驱动器 积极使用100TB 120TB和245TB驱动器 [57] - 数据中心细分市场现在占整体市场一半以上 并继续以高于其他市场的速度增长 [64] - HBM 高容量DIMM和用于数据中心的LPDRAM这三个类别在2025财年达到100亿美元收入 [65] 公司战略和发展方向和行业竞争 - 资本支出将从2025年的138亿美元净额增加到2026年的约180亿美元净额 绝大部分用于DRAM建设和设备 [13] - 正在爱达荷州建设新晶圆厂 预计2027年下半年开始生产 [34] - 在日本和台湾优化生产 利用可用洁净室空间 [35] - HBM3E产品具有最高性能和比任何竞争对手低30%的功耗 [23] - HBM4产品具有最高性能 超过11Gbps引脚速度和2.8TB/s带宽 [25][77] - 相信HBM4的竞争格局变化主要发生在两个竞争对手之间 不会对美光份额产生重大影响 [26] 管理层对经营环境和未来前景的评论 - DRAM市场已经紧张且将变得更加紧张 NAND市场正在改善并变得更加紧张 [9] - 行业供应增长受限因素包括:库存水平低于目标 DDR4/LP4延长生命周期限制技术转型 HBM硅强度增加 新晶圆厂建设时间长 [44] - AI已彻底改变格局 数据中心成为更大且更高价值的机会 [64] - 推理工作负载往往是内存密集型 随着推理成为AI市场更大组成部分 客户将寻求增加内存容量和带宽的架构 [72] - 正在考虑长期协议 但会慎重考虑美国制造 232条款半导体关税和行业结构变化等因素 [82] 其他重要信息 - 一伽马(1γ)DRAM技术在本季度达到成熟良率并首次向超大规模企业发货 [47] - 一伽马和一贝塔(1β)生产已占位元输出的重要多数 且混合比例将在2026财年继续向一伽马倾斜 [47] - HBM4成本高于HBM3 价格将显著高于HBM3E [49] - 2025财年成本降低情况:DRAM前端(不包括HBM)略高于高个位数 NAND为中十位数 包含HBM的DRAM为低个位数百分比 NAND为低十位数 [53] - 平均容量预计将继续快速提升 高容量驱动器将有显著需求 [55] 问答环节所有提问和回答 问题: NAND行业状况和位元增长前景 [6] - NAND位元下降主要是各细分市场组合变动的噪音 [8] - 超大规模企业因HDD短缺需要更多存储容量 数据中心SSD部署将在2026年增加 [8] - NAND供应方面结构性减少晶圆产出 继续减缓节点转换速度和新节点爬坡速度 [10] - 退出管理型NAND将释放更多供应专注于数据中心市场 [11] 问题: 资本支出构成和DRAM重点 [12] - 资本支出从138亿美元增加到约180亿美元 绝大部分用于DRAM建设和设备 [13] 问题: HBM市场份额目标和盈利能力 [17][19] - HBM份额在2025年第三季度达到DRAM供应份额水平 2026年全年份额将高于2025年 [17] - HBM业务具有长期订单可见性 价格锁定和更稳定的投资回报特点 [19] - HBM预计在整个周期内具有更高的投资回报率 但非HBM DRAM也可能在某些时候挑战甚至超过HBM盈利能力 [20] 问题: HBM4竞争地位和份额预期 [23] - HBM3E具有最佳性能和最低功耗 HBM4起始位置比HBM3E好得多 [23] - HBM4具有最高性能 相信客户会强烈偏好美光产品 [25] - HBM竞争格局变化可能主要发生在两个竞争对手之间 [26] 问题: 资本支出中设备与设施拆分 [27] - 不提供具体拆分 但绝大部分支出用于DRAM建设和设备 [28] - 正在多个地点扩张 包括爱达荷州新晶圆厂 [29] 问题: DRAM收入构成和毛利率贡献 [39] - DDR4占比为低个位数百分比 已延长产品生命周期结束时间 [39] - 不评论HBM和非HBM DRAM之间的相对利润率 [39] - DRAM行业紧张 预计2026年将进一步收紧 推动非HBM产品组合价格和利润率改善 [40] 问题: 毛利率改善驱动因素和极限 [41] - 市场条件持续改善 DRAM非常紧张 NAND继续改善 [42] - 供应约束 将位元转向最佳产品 持续良好的成本改进都提供扩大利润率的能力 [44] - 数据中心和高性能市场需求对业务有有利影响 [48] 问题: 一伽马与一贝塔技术混合比例 [47] - 一伽马和一贝塔已占位元输出的重要多数 混合比例将在2026财年继续向一伽马倾斜 [47] - 一伽马将是2026财年位元增长的主要来源 [47] 问题: HBM4与HBM3E利润率比较 [49] - HBM4成本更高 价格将显著高于HBM3E [49] - 不按产品线讨论利润率 但预计HBM将在多年内带来良好的投资回报能力 [49] 问题: 2026财年成本降低预期 [52] - 仅提供了2025财年成本降低数据 未给出2026财年目标 [53][69] 问题: SSD平均容量趋势和AI服务器影响 [54] - 平均容量预计将继续快速提升 高容量驱动器将有显著需求 [55] - AI服务器使用最高可用容量 从100TB 120TB到245TB驱动器 [57] 问题: HBM3E效率改进和封装良率 [61] - 对12层HBM3E良率提升速度感到满意 最大的效益提升已经发生 [62] 问题: 业务结构变化和毛利率改善 [63] - AI彻底改变了格局 数据中心现在占整体市场一半以上且继续更快增长 [64] - HBM 高容量DIMM和LPDRAM三个类别在2025财年达到100亿美元收入 [65] - 数据中心需求紧张正在推动整个市场价格上涨 帮助整个产品组合盈利能力 [66] 问题: 推理市场GDDR7架构对HBM影响 [70] - AI市场将发展出许多不同用例和优化架构 [71] - 推理工作负载往往是内存密集型 客户将寻求增加内存容量和带宽的架构 [72] - 美光在HBM GDDR7和LPDRAM方面都具有行业领先能力 [73] 问题: HBM4性能超出JEDEC标准原因 [76] - 客户寻求尽可能提高最终客户投资回报 [77] - 更高带宽可以增加token数量 减少首次token时间 降低每token成本 [77] 问题: 长期协议讨论情况 [82] - 对某些协议有兴趣 但会慎重考虑条款期限 美国制造 关税和行业结构变化等因素 [82] 问题: 退出智能手机管理型NAND原因 [84] - 基于投资回报考虑 移动NAND市场竞争激烈程度不利于强劲投资回报 [85] - 产品组合改善使公司能够更积极地将资源集中在盈利能力最高的部分 [86] - NAND业务已完成第二年正自由现金流 [87] 问题: 退出管理型NAND对客户关系影响 [88] - 客户对重要供应商离开细分市场不满意 但DRAM业务对客户至关重要且选择更少 [88] - 已支持客户向其他供应商过渡NAND产品 继续在DRAM方面保持强大供应关系 [88]