大摩增持天岳先进股份 - 摩根士丹利于8月21日增持天岳先进19.7361万股 每股作价43.6545港元 总金额约为861.57万港元 [1] - 增持后最新持股数目达292.19万股 持股比例升至6.11% [1]

公司股权变动 - 摩根士丹利于8月21日增持天岳先进19.7361万股 每股作价43.6545港元 总金额约为861.57万港元 [1] - 增持后最新持股数目达292.19万股 持股比例从原未披露值升至6.11% [1] 市场交易动态 - 本次增持通过香港联交所完成 涉及股份为港股证券代码02631 [1] - 单次增持金额超860万港元 反映机构投资者对公司的配置需求 [1]

减持情况 - 减持前国材基金持股38,673,994股，占总股本8.10%[7] - 拟减持不超9,549,134股，不超总股本2.00%[7] - 减持期限为2025年9月17日至12月16日[11] 减持方式 - 集中竞价拟减持不超4,774,567股，不超总股本1.00%[7] - 大宗交易拟减持不超4,774,567股，不超总股本1.00%[7] 其他要点 - 拟减持股份为IPO前取得，原因是内部决策及退出需求[11] - 本次减持对公司无重大不利影响，存在不确定性[15]

业务合作与技术实力 - 公司与东芝电子元件达成碳化硅功率半导体技术协作和商业合作 旨在提升特性与品质并扩大高品质稳定衬底供应 [1] - 公司荣获日本《电子器件产业新闻》颁发的"半导体电子材料"类金奖 为中国企业31年来首次获得该奖项 [3] - 公司与英飞凌签署衬底和晶棒供应协议 供应150毫米衬底和晶棒并协助向200毫米碳化硅晶圆过渡 供应量预计占英飞凌长期需求量的两位数份额 [5] - 英飞凌追加投资500亿元在马来西亚建设全球最大的200毫米碳化硅功率半导体工厂 公司作为重要供应商将迎来新订单机会 [5] - 公司与舜宇集团子公司舜宇奥来签署战略合作协议 围绕微纳光学领域和新材料领域开展合作 [9] 市场地位与客户基础 - 日本工业新闻头版报道公司向日本市场批量供应碳化硅衬底材料 日本住友等知名企业均为公司客户 [3] - 中国衬底厂商凭借质量和价格双重优势 吸引日本及欧洲半导体厂商改用中国产衬底材料 [3] - 全球前十大功率半导体器件制造商中一半以上与公司建立紧密业务合作 客户包括博世、安森美等国际半导体巨头 [5][6] - 公司产品通过功率半导体器件制造商广泛应用于特斯拉、华为、小米、蔚来、小鹏、理想等新能源汽车品牌的主驱逆变器模块 [6] - 英伟达800V直流电源架构的碳化硅供应商均为公司客户 凸显公司在数据中心领域的间接影响力 [9] 行业竞争与产业影响 - 日本制造商罗姆一季度营业利润骤降超80% 其业务负责人承认中国碳化硅衬底技术达顶级水平 并强调需在开发速度上超越中国竞争对手 [3] - 日本公司采用垂直整合模式 而中国公司集中资源于特定生产流程提高效率 公司为衬底领域杰出代表 [4] - 中国作为全球最大电动汽车市场 庞大且增长的需求为公司大规模生产和产品质量提升提供便利 [4] - 碳化硅被广泛应用于数据中心和AI眼镜等新兴领域 公司作为全球龙头企业有望与更多国际公司产生业务交集 [9]

业务合作拓展 - 公司与东芝电子元件达成技术协作和商业合作 聚焦碳化硅功率半导体特性提升与品质改善 并扩大高品质稳定衬底供应 [1] - 与德国英飞凌签署150毫米衬底和晶棒供应协议 供应量预计占英飞凌长期需求量的两位数份额 同时协助其向200毫米碳化硅晶圆过渡 [5] - 英飞凌在马来西亚追加投资500亿元建设全球最大200毫米碳化硅功率半导体工厂 公司作为重要供应商有望迎来新订单增长 [5] - 全球前十大功率半导体器件制造商中超半数与公司建立紧密业务合作 客户包括博世、安森美等国际半导体巨头 [6] 技术实力与行业认可 - 公司荣获日本《电子器件产业新闻》颁发的"半导体电子材料"类金奖 系中国企业31年来首次获得该奖项 [3] - 日本罗姆公司承认中国制造商的碳化硅衬底技术已达顶级水平 其一季度营业利润同比下降超80% [3] - 中国衬底厂商凭借质量与价格双重优势 获得日本及欧洲半导体厂商青睐 逐步替代当地供应商 [3] 市场应用与客户网络 - 产品已广泛应用于电动汽车行业 客户包括特斯拉、华为、小米、蔚来、小鹏、理想等新能源汽车品牌的主驱逆变器模块供应商 [6] - 碳化硅材料应用于数据中心800V直流电源架构 英伟达的碳化硅供应商均为公司客户 [9] - 切入AI眼镜供应链 与舜宇集团子公司舜宇奥来签署战略协议 合作微纳光学及新材料领域 [9] 国际化战略布局 - 日本市场为重点深耕区域 设有销售机构 并向日本市场批量供应碳化硅衬底材料 客户包括住友等知名企业 [3] - 中国电动汽车市场的庞大需求为公司提供大规模生产条件 并能及时根据客户反馈提升产品质量 [4] - 中国公司聚焦特定生产流程提升效率 日本公司采用垂直整合模式 效率差异导致合作成果分化 [4] 行业发展趋势 - 碳化硅作为高压高温场景下的半导体新材料 正广泛应用于数据中心、AI眼镜等新兴领域 [9] - 公司作为全球碳化硅衬底龙头企业 有望与更多国际知名公司产生业务交集 [9]

业绩相关 - 董事会2025年8月29日会议将考虑及批准2025年上半年未经审核综合中期业绩及刊发事宜[4] - 董事会将考虑建议派付中期股息（如有）[4] 人员相关 - 公告日期董事会成员含3名执行董事、3名非执行董事及3名独立非执行董事[5]

股价表现 - 天岳先进午后涨超4% 截至发稿时涨幅达3.19% 股价报44.6港元 成交额1.08亿港元 [1] 战略合作 - 公司与东芝电子元件就SiC功率半导体用衬底达成基本协议 涉及技术协作与商业合作 [1] - 合作内容包括针对SiC功率半导体特性提升与品质改善的技术协作 以及扩大高品质稳定衬底供应的商业合作 [1] 技术发展 - 东芝电子元件以铁路用SiC功率半导体开发制造为基础 正加速推进服务器电源用及车载用SiC器件开发 [1] - 未来将致力于进一步降低SiC功率半导体损耗 开发高可靠性高效率电力转换应用产品 [1] 行业地位 - 天岳先进在SiC衬底开发及量产技术领域具有全球领导地位 [1] - 此次合作有望为各应用场景提供最优解决方案 加速业务拓展 [1]

股价表现 - 天岳先进午后涨超4% 截至发稿涨3.19%报44.6港元 成交额达1.08亿港元 [1] 战略合作 - 公司与东芝电子元件就SiC功率半导体用衬底达成基本协议 涵盖技术协作与商业合作 [1] - 合作重点包括SiC功率半导体特性提升与品质改善的技术协作 以及扩大高品质稳定衬底供应的商业合作 [1] 技术协同 - 东芝电子元件在铁路用SiC功率半导体领域具有开发制造及供应实绩 正加速推进服务器电源用和车载用SiC器件开发 [1] - 东芝未来将致力于进一步降低SiC功率半导体损耗 开发高可靠性高效率产品 [1] - 与天岳先进的合作对SiC衬底技术改良至关重要 公司是全球SiC衬底开发及量产技术领域的领导者 [1] 市场前景 - 双方合作有望为各应用场景提供最优解决方案 加速业务拓展 [1]

公司股价表现 - 天岳先进午后股价上涨超4% 截至发稿时涨幅达3.19% 报44.6港元 [1] - 成交额达1.08亿港元 显示市场关注度较高 [1] 战略合作内容 - 与东芝电子元件就SiC功率半导体用衬底达成基本协议 涵盖技术协作与商业合作 [1] - 技术协作重点针对SiC功率半导体特性提升与品质改善 [1] - 商业合作旨在扩大高品质稳定衬底供应 [1] 合作方技术背景 - 东芝电子元件拥有铁路用SiC功率半导体的开发、制造及供应实绩 [1] - 正加速推进服务器电源用及车载用SiC器件开发 [1] - 未来致力于进一步降低SiC功率半导体损耗 开发高可靠性、高效率产品 [1] 行业协同效应 - 东芝电子元件认为与SiC衬底技术改良的紧密协作至关重要 [1] - 天岳先进在SiC衬底开发及量产技术领域具有全球领导地位 [1] - 合作有望为各应用场景提供最优解决方案并加速业务拓展 [1]

合作内容 - 天岳先进与东芝电子就SiC功率半导体用衬底达成基本协议 包括技术协作与商业合作 [1] - 技术协作针对SiC功率半导体特性提升与品质改善 [1] - 商业合作旨在扩大高品质稳定衬底供应 [1] 行业背景 - 功率半导体承担电力供应与控制功能 是实现电气设备节能化及碳中和不可或缺的半导体元件 [3] - 在设备电力使用效率提升等需求背景下 预计未来功率半导体市场需求将持续扩大 [3] - SiC衬底功率半导体应用于电动汽车 可再生能源系统等高效电力转换场景 [3] - 电力效率之外 可靠性与品质稳定性成为重要课题 [3] 东芝电子战略 - 以铁路用SiC功率半导体的开发 制造及供应实绩为基础 加速推进服务器电源用 车载用等SiC器件开发 [3] - 未来致力于进一步降低SiC功率半导体损耗 开发高可靠性 高效率产品 [3] - 除自主研发外 与SiC衬底技术改良的紧密协作至关重要 [3] - 与天岳先进合作有望为各应用场景提供最优解决方案 加速业务拓展 [3] 天岳先进技术实力 - 公司自2010年创立以来始终专注于单晶SiC衬底的开发生产 [4] - 将品质与技术研发作为核心经营理念 碳化硅衬底领域相关专利数量全球前五 [4] - 2022年作为中国首家SiC概念企业上市 实现全球化业务拓展与市场份额垂直增长 [4] - 2024年率先发布全球首款12英寸SiC衬底 [4] - 2025年实现n型 半绝缘型及p型全系产品12英寸衬底布局 [4] - 通过合作将把SiC功率半导体产品需求转化为衬底品质与可靠性提升 [4]