行业市场概况 - 碳化硅功率半导体器件市场高速增长，2024年全球销售额为26亿美元，2020至2024年复合年增长率高达45.4%，预计2029年市场容量将扩大至136亿美元 [1] - 碳化硅在全球功率半导体市场中的渗透率将从2024年的4.9%提升至2029年的17.1% [1] - 增长动力来源于新能源汽车、光伏储能、数据中心及AR眼镜等终端行业的需求 [1] - 碳化硅外延晶片作为关键中间环节，其制造价值约占整个碳化硅功率器件价值链的25% [4] - 全球碳化硅外延晶片市场2024年销售额为12亿美元，预计至2029年将以38.2%的复合年增长率增至58亿美元 [4] 公司市场地位与业务 - 瀚天天成是全球碳化硅外延行业领导者，2024年在全球市场销量和收入份额分别为31.6%和29.2%，均排名第一 [7] - 公司是国内首家实现商业化3英寸至8英寸碳化硅外延晶片批量供应的生产商，并率先在全球实现8英寸产品大批量外供 [7] - 公司牵头制定了全球首个及唯一的碳化硅外延国际SEMI标准 [7] - 收入主要来源于外延片销售，该业务占比从2022年的63%持续上升至2025年前5月的86.4% [7] - 外延片代工业务持续萎缩，至2025年前5月占比已不足7% [7] - 其他业务（包括碳化硅衬底销售）收入占比从2024年的低水平快速提升至2025年前5月的6.7% [8] 公司财务表现 - 公司总收入呈现波动，2022年至2024年收入分别为4.41亿元、11.43亿元、9.74亿元 [7] - 2025年前5月总收入为2.66亿元，低于上年同期的3.81亿元 [7] - 毛利及毛利率亦呈波动下降趋势，2022年至2025年前5月毛利分别为1.97亿元、4.45亿元、3.32亿元、4974.3万元，对应毛利率分别为44.7%、39%、34.1%、18.7% [10] - 同期净利润分别为1.43亿元、1.22亿元、1.66亿元、1414.7万元 [10] - 盈利能力波动主要受产品组合变化影响，表现为高利润率的外延片代工服务占比下降及其他收入占比上升 [10] 行业价格趋势与公司战略 - 碳化硅外延晶片价格持续下降，6英寸产品均价从2020年的每片11400元降至2024年的7300元，跌幅超过30% [11] - 预计至2029年，6英寸产品均价将进一步下跌至4400元/片，潜在降幅接近40% [11] - 公司通过发展8英寸碳化硅外延片技术应对行业挑战，8英寸晶片可增加裸芯片数量90%，并将边缘芯片比例从14%降至7%，从而大幅降低单位成本 [12] - 公司8英寸碳化硅外延片销量从2023年的285片大幅增加至2024年的7466片，2025年前5月销量为2914片，亦显著高于上年同期的988片 [13] - 截至2025年5月底，公司已与18家公司建立8英寸产品的合作伙伴关系 [12] - 扩大8英寸产品生产有助于公司获取更大市场份额并优化盈利能力 [13]

韩国芯片产业现状 - 韩国在存储芯片领域占据主导地位，SK海力士和三星电子在DRAM市场合计占据近70%份额，其中SK海力士占36%，三星电子占33.7% [1] - 在NAND闪存市场，三星电子和SK海力士分别占据31.9%和16.6%的份额，合计接近50% [1] - 存储芯片的强势表现推动韩国2024年半导体出口额预计达到创纪录的1420亿美元，占出口总额的五分之一 [1] 韩国政府AI与半导体发展战略 - 韩国政府公布大力发展人工智能、半导体等技术的计划，未来五年将筹集150万亿韩元（1080亿美元）的巨额投资基金 [3] - 该基金规模被确认为最初设定的100万亿韩元的1.5倍，预计为韩国经济创造高达125万亿韩元的附加值 [3] - 人工智能高速公路、数据中心、显示面板和半导体芯片等大型基础设施企业可能从该基金中受益 [3] 韩国AI芯片公司发展 - AI芯片公司Rebellions通过五轮融资筹集2.25亿美元，其Atom芯片系列已成为韩国数据中心的首选芯片 [4] - Rebellions与Sapeon Korea合并后估值达1.3万亿韩元（约10亿美元），成为韩国首个AI芯片独角兽公司和最大的AI芯片供应商 [4] - 无晶圆厂半导体公司FuriosaAI专注于AI推理芯片，其推出的RNGD芯片宣称比英伟达H100的每瓦性能提高三倍 [5][7] - 韩国其他AI芯片初创公司包括HyerAccel、Alsemy和Mobilint，分别专注于边缘AI芯片、大型语言模型芯片和EDA软件 [8] 韩国SiC功率半导体布局 - 韩国政府计划未来5年内将SiC功率半导体技术自给率从10%提高到20%，并投入902亿韩元用于核心技术开发 [9] - 到2028年，政府将追加投资200亿韩元建设SiC示范基础设施，并为相关企业提供资金支持 [10] - SK集团通过收购Yes Powertechnix（现SK Powertech）并与SK Siltron等子公司协同，意图与全球领先SiC制造商竞争 [11] - SK Siltron CSS与英飞凌签订长期供应合同，截至2023年底控制全球碳化硅晶圆市场6%的份额 [10] 韩国无晶圆厂芯片生态 - 韩国目前约有160家无晶圆厂公司，即使算上非设计专业公司，设计芯片的公司也不足200家 [16] - 作为对比，中国拥有超过3000家无晶圆厂公司，而美国虽数量较少但拥有英伟达、高通等大型无晶圆厂公司 [16][17] - 韩国在无晶圆厂设计领域进步明显，并通过与海外芯片厂商合作发展本土芯片产业 [16]

氮化镓产业白皮书 - 英诺赛科、能华半导体、致能半导体、京东方华灿光电、镓奥科技等企业确认参编《2024-2025氮化镓（GaN）产业调研白皮书》 [1] 碳化硅功率半导体行业动态 - 三菱电机、华润微电子、方正微电子、至信微电子、派恩杰半导体、纳微半导体近期密集推出创新碳化硅产品，推动技术升级与能效提升 [2] 三菱电机 - 发布两款新型空调及家电用SiC模块样品：全SiC SLIMDIP（PSF15SG1G6）和混合SiC SLIMDIP（PSH15SG1G6），4月22日开始供应 [3] - 全SiC模块功率损耗较硅基降低79%，混合SiC模块降低47%，显著提升家电能效 [5] - 新模块集成自研SiC MOSFET芯片，输出功率高于硅基RC-IGBT模块，适用于大容量家电逆变器电路 [5] - 冠名赞助"电动交通&数字能源SiC技术应用及供应链升级大会"，5月15日公布更多解决方案 [5] 华润微电子 - 推出1200V 450A/600A半桥DCM和全桥HPD共四款主驱模块，基于第二代车规SiC MOS平台 [7] - 模块具备低导通损耗、耐高温特性，采用Si3N4 AMB、银烧结等工艺，最高工作结温175℃ [9] 方正微电子 - 发布第二代车规主驱SiC MOS 1200V 13mΩ芯片，Die size缩小，FOM值提升，可靠性达行业标准的3倍 [9][11] - 第一代产品已大规模上车，预计2025年覆盖几十万辆乘用车主驱，应用延伸至光储充、AI服务器等领域 [11] 至信微电子 - 推出3300V 8Ω SiC MOSFET系列，具备低导通损耗、耐175℃高温、优异体二极管性能等特点 [12][14] - 适用于光伏逆变系统、工业电机等场景，开关效率提升且振荡减少 [15][16] 派恩杰半导体 - 发布SiC HPD模块PAAC12450CM，6并联设计实现与8并联竞品相近功率密度，均流效果更优 [17][18] - 下一代产品电流能力将从450A提升至600A，保持6并联架构 [19] 纳微半导体 - 推出SiCPAK™功率模块，采用"沟槽辅助平面栅"技术，损耗降低20%，目标市场包括电动汽车快充、光伏逆变器等 [20][23] - 模块通过环氧树脂灌封技术隔绝湿气，适应高湿度环境，热耐性更稳定 [23] 行业其他动态 - 行业关注焦点包括SiC芯片工厂投产、8英寸出货量增长及平面栅SiC芯片技术突破 [25]