行情速递 - 主板领涨个股包括奥瑞德(+10.09%)、中国电影(+10.04%)、兴森科技(+10.02%)、直真科技(+10.01%)、东信和平(+10.01%) [1] - 创业板领涨个股包括幸福蓝海(+20.00%)、硕贝德(+20.00%)、胜宏科技(+17.51%) [1] - 科创板领涨个股包括方邦股份(+20.01%)、南亚新材(+14.47%)、昀冢科技(+10.27%) [1] - 活跃子行业中SW印制电路板(+8.72%)、SW通信网络设备及器件(+2.66%)表现突出 [1] 国内新闻 - Rokid智能眼镜新品Rokid Glasses销量已达30万台，预计下半年上线打车功能 [1] - 晶镁半导体高端光罩项目落户高新区，总投资120亿元，一期投资65亿元，满产后月产能约3200片 [1] - 台积电美国先进封装厂AP1有望明年下半年动工，聚焦3D集成技术SoIC和2.5D集成技术CoWoS [1] - 2025年第二季度中国大陆智能手机市场同比下降4%，华为以1220万台出货量重夺市场第一，占据18%份额 [1] 公司公告 - 派瑞股份以总股本320,000,000股为基数，每10股派发现金红利0.3722元 [3] - 环旭电子2025年上半年营业收入272.14亿元(同比-0.63%)，归母净利润6.38亿元(同比-18.66%) [3] - 南极光获两项注塑技术发明专利，提升生产效率和能源利用率 [3] - 同洲电子2025H1营业收入5.40亿元(同比+606.52%)，归母净利润2.03亿元(同比+662.77%) [3] 海外新闻 - Lumien将投资5000亿韩元建设新工厂，生产半导体关键零部件 [3] - 韩美半导体将投入1000亿韩元研发混合键合技术，预计2026年下半年竣工 [3] - 2025年全球纯半导体晶圆代工行业收入预计同比增长17%至1650亿美元 [3] - 三星电子签订半导体代工生产合同，金额达22.7648万亿韩元(约1183亿元人民币) [3]

核心观点 - AI时代下数据中心从"算力至上"转向"带宽驱动"，HBM成为支撑大模型计算的核心基础设施[1] - HBM已成为半导体巨头战略制高点，SK海力士/三星/美光均将其视为未来营收增长关键引擎[2] - 定制化HBM和混合键合技术是未来两大发展方向[4][12] 行业竞争格局 - SK海力士目前HBM市占率约50%（HBM3E达70%），领先三星（30%）和美光（20%）[6] - SK海力士已锁定英伟达/微软/博通等定制HBM客户，计划2025年下半年推出HBM4E定制产品[4][5] - 三星正与AMD/博通协商HBM4供应，美光则采取更保守策略与客户AI平台进度协同[6] 定制化HBM技术 - 定制HBM通过集成基础芯片功能至逻辑芯片，实现功耗/性能/面积优化，减少中介层延迟30%以上[7][9] - SK海力士将与台积电合作，在HBM4基础裸片采用先进逻辑工艺[5] - 定制HBM需构建完整生态系统（IP提供商/DRAM厂商/SoC设计方/ATE公司）[10] 混合键合技术 - 混合键合通过铜-铜直接连接实现DRAM堆叠，接触密度达10K-1M/mm²，能效提升1倍以上[12][17] - 三星计划2025年在HBM4采用该技术，SK海力士可能在HBM4E引入[17] - 应用材料收购Besi 9%股份布局混合键合设备市场，韩美/韩华半导体加速研发相关设备[18] HBM技术路线图 - HBM4（2026年）：带宽2TB/s，容量48GB，采用微凸点键合和液冷技术[20][21] - HBM6（2032年）：四塔架构实现8TB/s带宽，L3缓存使HBM访问减少73%[24] - HBM8（2038年）：全3D集成架构达64TB/s带宽，双面中介层设计支持多种扩展方案[26][29] 技术创新路径 - 3D集成从微凸点键合过渡到无凸点Cu-Cu直接键合，TSV技术支撑垂直堆叠[29] - 冷却技术从液冷（HBM4）演进至嵌入式冷却（HBM7/HBM8），散热效率提升5倍[30] - HBM6四塔架构使LLaMA3-70B推理吞吐量提升126%，HBM7使GEMM功耗降低30%[30]

核心观点 - 2024年AI芯片需求爆发推动半导体行业结构性转型，台积电凭借技术领先、产能扩张和全球战略布局巩固行业领导地位 [2] - 公司全年营收达900亿美元（+30%），净利365亿美元（+35.9%），毛利率56.1%创历史新高，7nm以下先进制程营收占比提升至69% [3] - 技术研发投入占营收7.1%，在2nm及更先进节点取得突破，同时通过3D封装技术延伸摩尔定律极限 [12][13] - 全球产能布局形成"台湾中心+多点扩张"模式，美国N4厂/日本特殊制程厂相继投产，德国车用芯片厂启动建设 [11] 财务与市场表现 - 2024年合并营收900亿美元（同比+30%），税后净利365亿美元（同比+35.9%），毛利率56.1%和营业利益率45.7%均创新高 [3] - IDM 2.0市场份额从28%提升至34%，晶圆出货量达1,290万片12英寸当量（同比+7.5%） [3] - 北美市场贡献70%营收，高效能运算产品占比51%成为最大收入来源，智能手机占35% [3] - 7nm及以下先进制程营收占比从58%提升至69%，3nm制程单独贡献18%晶圆销售额 [3][7] 技术平台布局 逻辑制程 - 3nm平台形成N3E/N3P/N3X产品矩阵，N3X专为AI/服务器设计预计2025年量产 [7] - 4nm节点推出N4C精简版提升晶体管密度，5nm强化版(N5P)持续服务智能终端市场 [7] - 低功耗平台N6e/N12e优化物联网设备能效，22ULL技术支撑蓝牙/Wi-Fi芯片制造 [7] 特殊制程 - 车用领域推出N3A平台（基于N3E）和N5A车规制程，射频技术N4C RF支持5G毫米波需求 [8] - 嵌入式存储器N12e RRAM平衡成本与可靠性，COUPE光子堆叠平台实现三维光互连 [8] - 拓展GaN功率器件、OLED驱动等新兴技术，覆盖AR/VR和智能电源应用 [9] 全球制造能力 - 台湾四座GIGAFAB年产能达1,274万片12英寸晶圆，覆盖0.13μm至3nm全节点 [11] - 美国亚利桑那N4厂良率对标台湾基地，日本熊本特殊制程厂实现优异良率 [11] - 德国德勒斯登车用芯片厂启动建设，智能制造系统延伸至后段封装环节 [11] - SMP超级制造平台统一良率管控，AI/ML技术提升故障预测与制程调整效率 [11] 研发与前沿技术 - 2nm平台完成定义进入良率提升阶段，A16采用晶背供电+纳米片架构，A14兼顾HPC/移动需求 [12] - High NA EUV光刻技术取得突破，优化线宽均匀性至1nm以下节点 [12] - 3DFabric封装平台包含SoIC/CoWoS/InFO等技术，5nm芯片堆叠已量产，3nm方案2025年投产 [13] - 探索碳纳米管晶体管(CNFET)和二维材料MoS₂通道器件，展示p型SnO和n型IWO氧化物晶体管 [16] 战略定位 - 坚持纯代工模式，五大技术平台覆盖HPC/智能手机/物联网/车用/消费电子全领域 [3][4] - 通过开放创新平台和TSMC大同盟强化生态合作，不涉足自有品牌芯片 [14] - 研发投入聚焦逻辑微缩、材料创新和系统集成三大方向，布局5-10年技术储备 [16]