文章核心观点 - 半导体设备行业正迎来由AI算力爆发、国产替代深化与全球产能扩张三重因素驱动的确定性增长周期，行业从“传统周期股”向“新质生产力核心标的”价值重构，将进入3-5年的高增长周期 [1][14] 01 半导体设备为何持续“吸金” - **AI驱动存储需求激增**：生成式AI规模化应用重构存储需求，AI服务器的DRAM需求是普通服务器的8倍，NAND需求达3倍，单台AI服务器存储需求高达2TB [2] - **HBM成为核心增长引擎**：预计2024-2030年全球HBM市场收入年复合增长率达33%，到2030年其在DRAM市场份额将攀升至50% [2] - **全球存储大厂加码扩产**：三星2025年资本开支同比激增89%，SK海力士将全年资本开支上调至203亿美元，国内长鑫存储IPO计划募资295亿元攻坚DDR5和HBM [2] - **设备成为扩产最先受益环节**：3D NAND向1000层堆叠技术演进及DRAM制程结构升级为设备行业打开增量空间 [2] - **行业龙头业绩与订单印证高景气**：ASML 2025年全年净销售额327亿欧元同比增长16%，未交付订单达388亿欧元（其中EUV占255亿欧元），新增订单132亿欧元（EUV占74亿欧元），订单已排至2027年 [1][5] 国产设备厂商的“虎口夺食”契机 - **国产化率快速提升**：2024年中国半导体设备国产化率达35%，较2022年的16.4%实现翻倍，其中刻蚀设备国产化率23%、CMP设备达30%-40% [3] - **中国为全球最大设备市场**：中国大陆已连续五年稳居全球最大半导体设备市场，2024年销售额达495.4亿美元，占全球市场份额的42.34% [3] - **形成良性循环**：国内晶圆厂持续扩产为国产设备提供了量产验证场景，形成“技术突破-量产落地-份额提升”的良性循环 [3] 全球扩产潮与行业长期展望 - **全球资本开支持续增长**：据预测，2026年全球DRAM产业资本开支将达613亿美元同比增长14%，NAND Flash资本开支达222亿美元同比增长5% [5] - **行业规模长期增长**：2024年全球半导体设备市场规模达1170亿美元，预计2025-2033年行业年复合增长率为8.4%，到2033年市场规模将增至2249.3亿美元 [5] 02 核心赛道：这些环节“闷声赚大钱” - **刻蚀设备（前道核心）**：占据前道设备市场22%份额，2025年国内市场规模达486.7亿元，全球由泛林集团、应用材料主导，国产厂商中微公司、北方华创已实现关键突破 [7] - **薄膜沉积设备（前道核心）**：全球市场规模达126.8亿美元，国内拓荆科技PECVD设备实现成熟制程全覆盖，北方华创构建PVD、CVD、ALD全系列产品布局 [7] - **测试与封装设备**：持续受益于先进制程推广与产能扩张，长川科技、华峰测控测试设备覆盖多领域，Chiplet、3D封装等先进封装技术将提升封装设备价值量与技术门槛 [7] - **核心材料与零部件国产化提速**：2024年半导体设备核心零部件国产化率从10%提升至20%，安集科技CMP抛光液全球市占率达15%，鼎龙股份抛光垫突破海外垄断 [8] 03 2026展望：3大趋势锁定未来机会 - **先进制程竞赛深化，拉动高端设备需求**：全球巨头攻坚2nm及以下先进制程，中芯国际推进GAAFET研发，华虹半导体布局BCD-SOI工艺，拉动国产高端设备验证与导入 [10][11] - **政策与资本双轮驱动国产替代向高端延伸**：“十五五”规划聚焦集成电路关键核心技术攻关，地方对设备企业研发投入给予最高20%补贴，2020-2025年半导体设备领域累计发生359笔融资，2025年融资66起同比增长3.1%，其中A+轮融资增幅达300% [12] - **需求结构优化，新兴领域与海外市场双破局**：AI算力中心、新能源汽车、工业控制等新兴领域需求旺盛，HBM、3D NAND、功率半导体相关设备需求增速领先，国内设备企业如北方华创、中微公司凭借性价比优势加速拓展海外市场，形成“国内+海外”双轮驱动格局 [13]

全球存储市场行业景气度分析 - 存储芯片核心品类价格涨势强劲且预期持续上调 2026年第一季度一般型DRAM合约价从季增55%-60%上调至上涨90%-95% NAND闪存产品合约价预计从季增33%-38%上调至55%-60% [1] - 行业上行的核心驱动力来自AI需求爆发式增长 AI服务器内存需求是普通服务器的8-10倍 同时消费电子市场库存去化完成 个人电脑和智能手机出货量复苏 双重需求叠加放大产品缺口 [1] - 供给端结构性收缩加剧行业紧平衡 全球头部存储厂商如三星 SK海力士将80%以上先进产能转向高毛利率的HBM领域 导致成熟制程产能大幅缩减 [1] 国内存储产业链发展机遇 - 上游国内存储芯片厂商有望承接海外厂商成熟制程留下的市场空间 DDR4 3D NAND等产品有望抢占更多市场份额 设备和材料领域也将依托存储厂商扩产需求实现同步增长 [2] - 产业链传导效应凸显 上游芯片涨价红利持续向下渗透 中游存储器厂商迎来发展窗口期 [2] 时空科技收购嘉合劲威的战略布局 - 时空科技拟通过收购国内头部内存模组厂商嘉合劲威 深度切入高景气存储赛道 把握行业超级周期机遇 打造公司第二增长曲线 [2][3] - 嘉合劲威是国家高新技术企业 专精特新企业 深耕DRAM NAND模组领域 旗下拥有光威 阿斯加特 神可三大品牌 分别覆盖大众消费市场和游戏电竞赛道 [2] - 嘉合劲威在全球第三方内存模组厂商中市场占有率稳居全球第二 技术布局聚焦MRDIMM内存研发 以抢占AI存储技术高地 该产品能提升AI运算效率并降低硬件成本 适配服务器 工作站等AI应用场景 [2]

核心观点 - 全球存储市场自2025年三季度起进入由AI驱动的结构性涨价“超级周期”，预计持续2-3年，核心原因是AI引发的供需失衡、供给收缩及库存低位共振 [1][2] 涨价趋势与预测 - 2026年第一季度，NAND闪存产品合约价格预计环比上涨33%—38%，一般型DRAM（非HBM）合约价格预计环比上涨55%—60% [1][2] - 花旗预计2026年DRAM与闪存产品的平均售价或将分别上涨88%和74%，高于此前预测的53%和44% [2] - 业内判断此轮涨价为持续2-3年的“超级周期”，因产能释放滞后于需求增长 [2] 涨价核心原因 - **需求端**：AI服务器内存需求是普通服务器的8—10倍，挤压消费级产品供应；同时消费电子（个人电脑、智能手机）库存去化完成且出货量复苏，加剧需求压力 [1] - **供给端**：头部厂商（如三星、SK海力士）将80%以上先进产能转向高毛利率的HBM，导致成熟产能缩减 [1] - **库存状态**：2025年DRAM行业平均库存周期降至10周，其中原厂库存仅2—4周，处于极度紧张状态 [1] 对下游行业的影响 - **消费电子**：存储成本占终端产品BOM成本比例预计从20%升至30%以上；部分手机品牌涨价，联想、惠普、戴尔等PC厂商对笔记本电脑提价500—1500元人民币 [3] - **汽车电子**：车规级DDR4一季度价格涨幅或达50%；小米SU7单车内存成本预计增加数千元；蔚来称内存涨价为今年汽车行业最大成本压力；理想汽车供应链负责人预计2026年汽车行业存储芯片供应满足率或不足50% [3] - **云计算**：亚马逊、谷歌等云厂商开始上调产品价格，将成本转嫁给云服务用户 [4] 国产存储企业的机遇 - 海外厂商产能向高端（HBM）倾斜，为国产成熟制程产品（如长鑫科技的DDR4、长江存储的3D NAND）留出市场空间 [5] - 上游设备和材料环节受益于存储厂商的扩产需求 [5] - 佰维存储、德明利、江波龙等存储相关企业2025年业绩大幅预喜 [5] 对消费者与投资者的建议 - **消费者**：刚性需求建议“早买早享受”；非刚需可暂缓采购或选择存储容量适中的产品；需注意中低端消费电子产品可能出现“涨价+减配” [6] - **投资者**：可重点关注存储产业链的核心环节，包括上游设备材料、中游IDM厂商和高弹性模组厂，需结合企业技术实力与产能释放节奏布局 [6]

核心观点 - 全球存储市场自2025年三季度起进入由AI驱动的结构性涨价“超级周期”，预计持续2-3年，核心驱动力是AI引发的供需失衡、供给收缩及库存低位共振 [1][2][3] 市场趋势与价格预测 - 2026年第一季度，NAND闪存产品合约价格预计环比上涨33%—38%，一般型DRAM（非HBM）合约价格预计环比上涨55%—60% [1][3] - 花旗预计2026年DRAM与闪存产品的平均售价或将分别上涨88%、74%，高于此前预测的53%、44% [3] - 存储行业进入持续2-3年的“超级周期”，因产能释放滞后于需求增长 [3] 涨价核心驱动因素 - **需求端**：AI服务器内存需求是普通服务器的8—10倍，挤压消费级产品供应；同时消费电子（个人电脑、智能手机）库存去化完成并复苏，加剧需求压力 [2] - **供给端**：头部厂商（如三星、SK海力士）将80%以上先进产能转向高毛利率的HBM，导致成熟产能缩减 [2] - **库存状态**：2025年DRAM行业平均库存周期降至10周，其中原厂库存仅2—4周，处于极度紧张状态 [2] 对下游行业的影响 - **消费电子**：存储成本占终端产品BOM成本比例预计从20%升至30%以上；部分手机品牌涨价，联想、惠普、戴尔等PC厂商对笔记本电脑提价500—1500元 [4] - **汽车电子**：车规级DDR4一季度价格涨幅或达50%；小米SU7单车内存成本预计增加数千元；蔚来称内存涨价为今年汽车行业最大成本压力；理想汽车供应链负责人预计2026年汽车行业存储芯片供应满足率或不足50% [4] - **云计算**：亚马逊、谷歌等云厂商开始上调产品价格，将成本转嫁给用户 [4] 国产存储企业的机遇 - 海外厂商产能向高端倾斜，为国产成熟制程产品留出市场空间，长鑫科技、长江存储等企业的DDR4、3D NAND产品有望获得更多市场 [6] - 设备和材料环节受益于存储厂商扩产需求 [6] - 佰维存储、德明利、江波龙等存储相关企业2025年业绩大幅预喜 [6] 应对策略 - **消费者**：刚性需求建议“早买早享受”；非刚需可暂缓采购或选择存储容量适中产品；需注意中低端消费电子产品可能出现“涨价+减配” [7] - **投资者**：可重点关注存储产业链上游设备材料、中游IDM厂商和高弹性模组厂等核心环节的结构性机会，结合企业技术实力与产能释放节奏布局 [7]

市场整体表现 - 本周A股三大指数涨跌不一，上证指数周跌0.45%，深成指周涨1.14%，创业板指周涨1.00% [1] - 市场交易量放量明显，1月14号两市成交额逼近4万亿元 [1] 行业与概念板块表现 - 贵金属、半导体、电网设备板块涨幅居前 [1] - AI应用、存储芯片概念股表现活跃 [1] - 存储芯片概念涨幅居前，蓝箭电子周涨57.66%，佰维存储周涨45.85% [1] - AI应用概念股持续活跃，志特新材周涨65.84%，通达海涨39.73% [1] 存储芯片行业动态 - 三星、SK海力士、美光相继宣布2026年面向AI服务器的DRAM、HBM产品已“售罄” [1] - 行业库存降至8周以下，供需缺口短期无解 [1] - 国内封测龙头企业公告将全产品线扩产 [1] - 长江存储、长鑫存储新一轮3D NAND、DRAM产能招标启动 [1] AI应用行业动态 - 工信部等八部门1月初印发《“人工智能+制造”专项行动实施意见》 [1] - 政策提出到2026年重点行业AI应用渗透率超60% [1] - 政策明确财政贴息、应用券等支持措施 [1] 个股涨跌表现 - 区间涨幅前十的个股包括博雅股份（61.06%）、磁浮电子（58.66%）、蓝箭电子（57.66%）、亿晶光电（54.34%）、佰维存储（45.85%）等 [3] - 区间跌幅前十的个股包括美克家居（-37.48%）、星莱等（-33.66%）、华夏幸福（-33.33%）等 [3] 主力资金流向 - 主力资金净流入方面，兆易创新净流入23.79亿元，长电科技净流入20.79亿元，北方华创净流入19.2亿元 [1][3] - 主力资金净流出方面，金风科技净流出超百亿元，蓝色光标、特变电工、航天电子合计净流出超60亿元 [1]

**行业与公司概览** * **行业**: 半导体芯片制造，特别是先进逻辑芯片（如CFET、2D材料、互连技术）和存储芯片（3D NAND）领域 [1][5][6] * **涉及公司**: SK海力士、三星、美光、闪迪/铠侠、台积电、IMEC、Lam Research、东京电子、应用材料公司等 [5][33][42][66][111] **行业现状与挑战** * **超级周期与产能瓶颈**: 行业正经历有史以来最大的超级周期，先进逻辑芯片、DRAM、NAND需求旺盛，但产能扩张受限于洁净室空间和潜在的晶圆厂设备供应瓶颈 [2] * **技术演进放缓**: 制程微缩、功耗、成本等方面的技术进步已大幅放缓，海量研发投入仅带来微小的渐进式提升，摩尔定律面临“摩尔之墙”的挑战 [2] * **NAND行业的特殊挑战**: 在需求激增但洁净室空间受限的背景下，内存生产商无法新建产能，只能通过升级现有产线来增加供应，因此工艺密度（即单位晶圆存储容量）成为关键制约因素 [8] **3D NAND技术进展与竞争格局** * **SK海力士 321层 V9 NAND**: * **技术核心**: 相比前代238层V8，V9通过增加第三个“甲板层”（deck）和“插塞结构”（plug）来实现321层堆叠，这导致整体工艺步骤增加30%，蚀刻步骤增加20% [22][23][28] * **密度提升**: 321层工艺相比238层，每片晶圆存储容量提升44% [10] * **商业挑战**: 其存储密度为21 Gb/mm²，虽与美光2层结构的276L G9（21 Gb/mm²）相当，但美光的双层结构成本显著更低；同时，闪迪/铠侠即将推出的3层结构332L BiCS10密度更高（TLC 29 Gb/mm²，QLC >37 Gb/mm²）[33] * **三星钼（Mo）字线技术**: * **性能提升**: 在现有286层V9 NAND中，将字线金属从钨（W）改为钼（Mo），使接触电阻降低40%，读取时间缩短超过30%，寿命测试故障率降低94% [35][37][38] * **工艺难点**: 钼的原子层沉积工艺不成熟，易氧化，且沉积应力变化大，可能导致晶圆翘曲或破裂 [36] * **设备影响**: Lam Research在钼沉积设备领域占据主导地位，正从应用材料的钨设备中夺取份额 [42] * **SK海力士多址单元/每单元5比特技术**: * **创新架构**: 通过将每个存储通道精确分割为两个半圆柱形“位点”，使每个位点只需存储6个不同的阈值电压状态，两个位点组合即可实现36种状态，从而以更易实现的方式达到每单元5比特的存储目标 [48][49][52] * **制造挑战**: 该工艺需要在极高深宽比、非对称的孔洞中精确分割并沉积薄膜，制造复杂，目前不具备成本效益 [52][53] **先进逻辑技术：互连与材料** * **超越铜的互连金属——钌（Ru）**: * **三星的钌互连技术**: 通过晶粒取向工程，制备出（001）晶向占比达99%的高织构钌薄膜。在横截面积仅为300 nm²的超精细互连中，电阻降低46%。在GAA FET结构中，使用高织构钌M1线可实现26%的RC延迟缩减 [59][60][61] * **IMEC的路线图与16nm钌互连**: 根据IMEC路线图，A14至A10节点将从铜转向钌（至少从M0层开始）；A7节点将引入16nm间距，这可能是单次曝光High-NA EUV光刻的实用极限。IMEC已成功实现16nm间距的双层钌互连，良率超过80% [66][76] * **二维材料（2D TMDs）替代硅的潜力与挑战**: * **核心价值**: 在栅极长度进入10nm以下时，2D材料因其更大的带隙和更高的有效质量，能有效抑制源漏隧穿，从而控制关态漏电流，被视为延续摩尔定律的潜在路径 [78][79][94][95] * **主要挑战**: 1. **集成与制造**: 大规模量产是首要挑战。高质量2D薄膜的生长温度可能超过800°C，且存在前驱体安全问题。在300mm晶圆上直接生长是长期目标，但当前更可行的路径是低温转移集成 [80] 2. **接触电阻**: 在低电压操作（|VGS| < 1 V，|VDS| < 0.1 V）下实现接触电阻Rc < 100 Ω·µm是产品化的关键目标，目前仍具挑战 [82][83] 3. **P型性能瓶颈**: P型TMD FET性能远逊于N型，主要受费米能级钉扎和界面偶极子等物理效应影响，导致空穴注入困难，接触电阻高，这是实现CMOS功能的一阶瓶颈 [85][86][87] 4. **阈值控制与掺杂**: 缺乏可量产的替代掺杂技术。离子注入会损伤2D材料。当前主要依赖功函数工程、界面物理和栅介质电荷转移效应来调节阈值电压 [97] 5. **变异性与层控**: 薄膜质量、转移损伤、层数控制（单层vs多层）会引入显著的器件性能变异性 [90][91] 6. **物理建模**: 缺乏针对2D器件的、参数定义明确的专用TCAD模型，阻碍了从实验室到产品周期的快速迭代 [107][108] * **台积电进展**: 在2D FET研究中，通过在沟道与高k栅介质间插入中间层（IL）并优化表面处理，提升了p型器件性能，在单层WSe₂中实现了超过100 cm²/V·s的空穴迁移率 [98][99] **下一代晶体管架构：CFET** * **台积电CFET路线图**: 台积电在IEDM上宣布了CFET技术的目标时间表，计划在2030年代实现商业化量产，成为首家明确承诺CFET路线的晶圆代工厂 [111] * **CFET优势**: CFET（互补场效应晶体管）是GAA之后的下一个重大转折点，通过将NMOS层堆叠在PMOS层之上，结合背面供电，可将标准单元中的晶体管面积密度提升1.5至2倍 [111][112] **其他重要信息** * **NAND微缩路径**: 提升存储密度主要有四大途径：逻辑缩放（每单元比特数）、垂直缩放（堆叠层数）、横向缩放（单元尺寸/数量）、架构缩放（提升密度/降低损耗）[11][12][13] * **设备供应商动态**: 在3D NAND的高深宽比蚀刻设备领域，Lam Research传统上占据主导，但东京电子正在渗透；在钼沉积设备领域，Lam Research正从应用材料手中夺取份额 [27][42]

文章核心观点 - 存储芯片市场供应紧张，价格大幅上涨，供应商采取极端预付款条款，下游科技巨头为保障供应展开激烈争夺 [2][4][5] 存储芯片供应商策略与市场动态 - 闪迪向部分下游客户提出“前所未闻”的供应合同，要求客户支付**100%现金预付款**，以锁定未来**1至3年**的存储芯片配额 [2] - 闪迪用于企业级SSD的NAND报价，在**3月份期间可能环比上涨超过100%** [2] - 半导体供应链合作通常采用分期付款或信用账期模式，闪迪的“100%全额预付”制度彻底打破了行业惯例 [4] - 闪迪将此类合同谈判范围扩大到了PC、智能手机及模组厂商 [4] 下游客户需求与应对措施 - 在AI基础设施建设对存储设备产生“刚性需求”的背景下，部分急需扩充算力的云服务供应商不得不考虑接受闪迪的严苛条款 [4] - 谷歌、微软等美国企业正紧急派遣采购人员飞往首尔，不计成本地争夺日益紧缺的DRAM货源，业内人士戏称这些采购团队为“DRAM 乞丐团” [4] - 位于韩国板桥和平泽地区的酒店已被挤满，各大企业的采购团队扎堆于此，争相从三星和SK海力士的总部抢购DRAM货源 [4] - 科技巨头们的核心目标是抢在存储芯片价格进一步上涨前锁定更多货源 [5] 行业格局与厂商表现 - 三星和SK海力士合计掌控着全球绝大部分的DRAM供应链 [4] - 得益于DRAM销量的激增，三星电子创下了季度营业利润的历史新高，突破**20万亿韩元** [4] - 为满足全球不断增长的需求，包括SK海力士、美光以及三星在内的多家DRAM制造商正在扩大产能 [5] 价格传导与市场影响 - 由于智能手机和PC使用的3D NAND与企业级芯片产自同一晶圆厂，通常情况下，消费级产品价格会跟随企业级产品上涨 [4] - 目前尚不清楚企业级产品价格翻倍将在多大程度上波及消费级市场 [4]

市场表现综述 - 上周大型股表现强劲，主要由国防开支、人工智能基础设施交易和收购传闻等因素推动，市场领先地位因此重塑 [1] - 所列十只大型股为上周表现最佳者 [1] 个股表现及驱动因素 - Regencell Bioscience Holdings Limited (RGC) 股价本周上涨 89.45% [1] - Revolution Medicines, Inc. (RVMD) 股价本周上涨 51.38%，因有报道称默克公司正洽谈以 280 亿至 320 亿美元的价格收购该公司 [2] - Kratos Defense & Security Solutions, Inc. (KTOS) 股价本周上涨 36.12%，此前 B. Riley Securities 将其目标价从 105 美元上调至 128 美元，且前总统特朗普表示希望将 2027 年美国军费预算从 1 万亿美元增至 1.5 万亿美元 [3] - AeroVironment, Inc. (AVAV) 股价本周上涨 35.86%，因公司与 Parry Labs 建立合作伙伴关系，为美国陆军 P550 UAS 推进模块化任务系统 [3] - Karman Holdings Inc. (KRMN) 股价本周飙升 33.91%，因公司签署协议以 2.2 亿美元收购 Seemann Composites，且更广泛的国防股因特朗普建议增加国防预算而上涨 [4] - Sandisk Corporation (SNDK) 股价本周上涨 33.15%，因 Tom's Hardware 报道公司计划在 2026 年第一季度将用于企业固态硬盘的 3D NAND 价格提高一倍，且 Mizuho 分析师维持“跑赢大盘”评级并将目标价从 250 美元上调至 410 美元 [5] - Bloom Energy Corporation (BE) 股价本周上涨 30.55%，因公司最近宣布与富国银行达成新的信贷协议，建立一项 6 亿美元的高级担保多币种循环信贷额度，于 2030 年 12 月到期 [6] - Oklo Inc. (OKLO) 股价本周上涨 29.04%，因公司宣布与 Meta 达成协议，推进建设一个 1.2 吉瓦的电力园区以支持 Meta 数据中心的计划 [6] - Applied Digital Corporation (APLD) 股价本周上涨 29.48%，因公司报告的第二季度调整后收益和收入超出预期 [7] - Figure Technology Solutions, Inc. (FIGR) 股价本周飙升 29.33%，因 Keefe, Bruyette & Woods 将其目标价从 52 美元上调至 62 美元 [7]

美股芯片股集体大涨 - 当地时间周五，美股三大指数全线上涨，标普500指数收盘创新高，存储芯片、半导体板块集体大涨 [1] - 闪迪股价大涨12.81%，报收377.41美元/股，再创历史新高，总市值突破550亿美元 [2] - 自去年4月下旬以来，闪迪股价累计涨幅超过1100% [1] - 其他个股方面，英特尔涨超10%，拉姆研究涨近9%，应用材料、西部数据涨近7%，阿斯麦涨超6%，美光科技涨超5%，博通涨近4% [1] 闪迪股价上涨的驱动因素 - 野村证券分析师预计，为应对服务器级存储的强劲需求，闪迪可能在本季度将其面向企业级固态硬盘（SSD）的大容量3D NAND闪存价格上调一倍 [5] - 渠道调查显示，闪迪用于企业级SSD的NAND产品在本季度环比涨幅可能超过100% [5] - 涨价归因于短期供应短缺和受人工智能（AI）整体发展推动的中期需求增长，特别是AI存储架构的变化 [5] - 美国银行将闪迪的目标价从300美元上调至390美元，并给予“买入”评级 [6] - 供应链消息称，闪迪向客户提出需全额现金预付款以换取1至3年供应保障的新合同模式，部分云服务商因AI需求激增及原厂扩产周期长而考虑接受 [7] AI需求成为存储芯片核心驱动力 - 野村证券报告指出，英伟达是此轮闪存芯片涨价的主要推手，其推理上下文内存存储平台（ICMSP）是今年企业级存储需求的重要驱动因素之一 [6] - 以英伟达的VR NVL144机架为例，每个机架包含18颗DPU，对应9.216TB的3D NAND容量，假设英伟达每年出货5万套该机架，则需要从供应链中获得约0.439EB（艾字节）的3D NAND [6] - 英伟达首席执行官黄仁勋在2026年国际消费电子展（CES）上发布Vera Rubin平台，分析师们对该平台中NAND在AI基础设施中所扮演角色的看法愈发乐观 [6] - 英伟达下一代AI平台Rubin现已全面量产，其AI原生存储平台——推理上下文记忆存储平台可提升长上下文推理性能，实现每秒token数、单位总拥有成本（TCO）性能及能效均提升5倍 [8] - 三星电子和SK海力士计划在第一季度将服务器内存价格最高上调至70%，AI需求的激增正冲击全球供应链格局 [7] 存储行业进入“量价齐升”上行周期 - 据SIA数据，2025年10月全球半导体销售额创下727亿美元的历史新高，同比增速达27.2% [9] - 存储芯片作为核心驱动力，预计2025年全年实现28%的强劲增长 [9] - 本轮复苏呈现明显的“AI导向”特征，直接推动了高端HBM及高层数NAND持续放量，行业确立“量价齐升”格局 [9] - 国泰海通证券预计，2026年一季度NAND和DRAM合约价将分别环比增长33%—38%、55%—60% [8] 存储产业链国产化机遇 - 存储供不应求持续，同时海外存储巨头在通用存储方面的扩产进度可能有限，为国内存储厂商扩产、提升份额带来历史性机遇 [9] - 在DRAM领域，长鑫科技于2025年11月推出DDR5产品，在峰值速率等主流技术参数上达到国际一线水平 [9] - 在NAND领域，长江存储自主研发的Xtacking架构实现了3D NAND技术的跨越式发展 [9] - 长鑫科技IPO已获受理，长江存储的母公司长存集团于2025年9月完成股份制改革，未来推进融资后有望实现较大的扩产体量 [9]

美股市场表现 - 美东时间周五，美股三大指数集体收涨，标普500指数收于历史新高，主要受英特尔及其他芯片制造商股价上涨带动 [1] - 2026年首个完整交易周，美股三大股指显著上涨，道指一周累计上涨2.32%，标普500指数上涨1.57%，纳指上涨1.88% [1] - 美股存储概念股普涨，闪迪涨12.81%，美光科技涨5.53%，希捷涨6.87%，西部数据涨6.8% [1][2] - 芯片股大涨，英特尔股价上涨10.80%，甲骨文股价上涨4.95% [2][3] 半导体存储行业动态 - 野村证券研报指出，企业级SSD使用的大容量3D NAND需求持续火爆，闪迪本季度相关产品价格环比或暴涨逾100% [1] - 著名投资者迈克尔·伯里持有甲骨文股票的看跌期权，瑞银集团将甲骨文目标价从325美元下调至280美元 [2] 美国宏观经济与就业数据 - 美国劳工部数据显示，去年12月新增5万个非农就业岗位，低于市场预期的5.5万个，11月数据由6.4万个向下修订为5.6万个，10月数据从萎缩10.5万个修订为萎缩17.3万个 [4] - 去年12月美国失业率为4.4%，好于去年11月和预期值4.5% [4] - 12月劳动力参与率下滑至62.4%，整体劳动力规模正在收缩 [5] - 2025年全年，美国非农就业人数累计增加了58.4万人，为2020年就业锐减920万人以来的最弱年度增长 [5] - 根据CME数据，市场预计美联储在1月会议上降息的概率仅为5%，前一交易日为11%，首次降息时点推迟至6月，但市场整体仍预计美联储在今年至少会降息两次 [4] - 摩根士丹利预计，美联储将在6月和9月各降息25个基点，而此前的预测是今年1月和4月降息 [5] 美国经济前景与政策分析 - 亚特兰大联储GDPNow预测美国四季度GDP增速为5.4%，美国经济延续“无就业繁荣” [6] - 申万宏源证券首席经济学家赵伟表示，考虑到上半年减税对经济的提振，需关注美联储降息节奏“后置”的预期差 [6] - 展望2026年，美国劳动力供给或延续收缩，移民政策易紧难松，目标遣返非法移民百万人，AI对就业的“替代效应”依然存在，劳动力市场或呈现“低增长平衡” [6] - 短期内，美国失业率仍易上难下，关注再次触发“萨姆规则”的风险，其门槛约为4.7% [7] - 在美国劳动力市场“再平衡”之前，经济“K型”分化难改，增加了美联储风险平衡的难度 [7]