行情 - 市场呈现小V型走势 沪指涨0.39% 深成指涨0.11% 创业板指微跌0.24% 两市涨跌互半 [3] - 脑科学概念股表现强势 际华集团3连板 创新医疗2连板 翔宇医疗等集体冲高 [3] - 半导体板块早盘走强 旋极信息20CM涨停 好上好5连板 存储芯片概念华岭股份等集体走强 [3][12] - 军工板块活跃 长城军工10天8板 中船应急20CM涨停 [3] - 创新药午后大涨 前沿生物20CM涨停 板块收涨3.1% [3][24][25] 抛光液 - 半导体抛光液概念股集体走强 飞鹿股份 三超新材20CM涨停 金太阳等跟涨 [6] - 催化因素为网传CMP DSTI slurry断供消息 称存货仅剩5个月用量(267桶) [6] - 消息来源疑似中芯国际内部PPT截图 标注"SMIC confidential"但未获官方证实 [9][10] 半导体 - 板块早盘冲高1.5%后回落 最终收涨0.59% 旋极信息 好利科技等涨停 [12] - 存储芯片 光刻机概念共振走强 好上好5连板 张江高科等跟涨 [12] - 催化因素包括大基金三期策略调整传闻及抛光液断供消息 [12] 微晶纤维素 - 印度Sigachi Industries化工厂爆炸事件催化 该厂年产能22000公吨 全球前五 [15][16] - 山河药辅20CM涨停 九典制药涨6% 山东赫达因名称相似跟涨 [17][18] - 纤维素醚与微晶纤维素化学性质不同 但市场仍炒作替代概念 [19][20] 创新药 - 两部门印发支持创新药发展措施 涉及医保数据应用 商业保险扩容等政策 [25] - 板块收涨3.1% 前沿生物20CM涨停 科兴制药等涨超10% [24][25] - 政策利好昨日已预告 但市场反应滞后至今日 [25]

混合键合技术概述 - 混合键合技术成为晶圆代工、存储芯片和半导体设备巨头的重点发展方向，台积电、三星等公司均在其路线图中提及该技术[1] - 随着摩尔定律发展进入后半段，先进封装技术成为推动芯片性能飞跃的关键，而混合键合作为2.5D和3D封装的核心互联技术备受关注[2] - 传统互联技术（引线键合、倒装芯片键合、硅通孔）面临信号传输路径长、工艺复杂、成本高等局限性，混合键合技术可有效解决这些问题[2][3] 混合键合技术原理与优势 - 混合键合通过直接铜对铜连接取代传统凸点或焊球互连，实现超精细间距堆叠和三维集成[4] - 技术优势包括：1）直接互连存储器层和逻辑层，提高传输速度并降低功耗；2）缩短导线长度；3）1平方毫米面积可连接10,000-100,000个通孔；4）减少机械应力，提高可靠性[5] - 支持更高数据传输速度和更低能耗，芯片厚度可减至20µm，实现16hi甚至20hi堆叠[5][12] 混合键合在HBM领域的应用 - HBM5 20hi产品将大规模应用混合键合技术，三大存储厂商（SK海力士、三星、美光）已确定采用[10][12] - 在775µm模块高度限制下，混合键合无间隙结构优于微凸块技术（14.5µm凸块高度），支持24hi堆叠[12] - SK海力士已在HBM2E上测试混合键合并通过可靠性测试，计划在HBM4采用[20] - 三星使用混合键合设备制作16层HBM样品并验证正常运行[22] 主要厂商技术进展 台积电 - 3D封装SoIC采用混合键合技术，SoIC-X用于AMD CPU 3D V缓存和Instinct MI300系列AI产品[14] - 混合键合使芯片接点密度提升15倍，互联能效超过三倍，间距可低于10µm[14] - 计划2025年推出SoIC-P技术（25µm间距），2027年实现16µm间距的N2/N3芯片堆叠[15] 英特尔 - 2020年发布混合键合技术，3D Foveros立体封装中凸点间距从50µm缩小到10µm[17][19] - 每平方毫米凸点数量从400个增至1万个，提升25倍[19] 存储厂商 - 三星研发4F Square DRAM，芯片表面积减少30%，计划在16层及以上HBM采用混合键合[22] - 美光正在研究HBM4中应用混合键合技术[22] 市场前景 - 全球混合键合技术市场预计从2023年1.2349亿美元增长至2030年6.1842亿美元，CAGR 24.7%[22] - 亚太地区市场预计从2023年8140万美元增长至2030年4.2472亿美元，CAGR 26.05%[22]

半导体先进封装技术发展 - 混合键合技术是从焊料凸块转向铜-铜直接键合的先进互连工艺，通过无凸点键合实现纳米级精度互联，解决传统微凸点技术在高密度封装中的瓶颈问题 [2] - 2020年全球混合键合设备市场规模达3.2亿美元，预计2027年CoW(D2W)/WoW(W2W)市场规模将分别攀升至2.3亿/5.1亿美元，CAGR高达69%/16% [2] 中国半导体设备产业突破 - 艾科瑞思(ACCURACY)成为Yole报告中首个被收录的中国D2W设备供应商，拓荆科技(Piotech)的W2W设备亦被同步收录，标志中国企业在高端封装领域实现技术突破 [4] - 中国封装设备企业的技术突破为全球半导体封装产业链提供了多元化设备选项，推动行业技术竞争格局向更开放方向演进 [9] AI算力驱动混合键合渗透 - AI算力需求爆发推动混合键合在HBM、3D IC等高端封装场景渗透率提升，预计2028年混合键合在HBM市场渗透率将从2025年的1%跃升至36% [6] 国际巨头技术布局 - 三星计划2025年下半年量产采用长江存储W2W混合键合技术的V10 NAND闪存，实现420-430层堆叠 [8] - 美光加速推进HBM4量产计划，预计2026年推出采用混合键合技术的HBM4产品，2027-2028年量产带宽提高60%以上的HBM4E [8] - SK海力士计划2026年将混合键合技术引入HBM4生产流程，针对20层以上的HBM5明确采用该技术 [8] - 台积电N2节点支持12层HBM4集成，N2P节点互连密度达1000万/mm²；英特尔在CoW领域实现3μm间距突破 [8] - 应用材料收购混合键合D2W领头羊Besi 9%股份以强化合作 [8]

HBM技术概述 - HBM（高带宽内存）是一种通过垂直堆叠DRAM芯片并利用TSV技术连接的先进内存方案，其核心优势包括带宽达数TB/s（比DDR快20倍）、低功耗和高面积效率[1][5] - 在AI时代HBM至关重要，因Transformer模型的注意力机制使内存需求随序列长度呈二次方增长，推理阶段KV缓存消耗随token数量线性增加[4] - HBM技术迭代是AI芯片性能升级关键，例如NVIDIA GPU从H100到H200的HBM容量提升50%，Rubin到Rubin Ultra提升4倍[9] HBM市场格局 - SK海力士以超过60%市场份额主导HBM市场，其MR-MUF技术良率比竞争对手TC-NCF高20%，散热凸点数量达3倍[14][15] - 2024-2028年HBM行业CAGR预计达50%，NVIDIA消耗全球60%以上HBM份额，2025年将超70%[10][14] - HBM合约价格提前1年锁定，周期性弱于传统DRAM的短期定价模式[10] 技术演进路线 - HBM4将基底芯片转向FinFET逻辑工艺（如台积电3nm），支持2048位I/O（HBM3E两倍）和定制功能集成[23][26] - 混合键合技术可实现<10μm间距（当前微凸点40-55μm），使16-Hi堆叠高度降至775μm，但设备成本达300万美元（TCB仅100-200万）[34][36][38] - HBM5（20-Hi）预计2028年采用混合键合，与NVIDIA Rubin Ultra后GPU配套[38] 厂商竞争态势 - SK海力士持续10年投入HBM研发，2019年突破MR-MUF技术；三星同期解散HBM团队导致技术断层，当前4nm基底芯片良率不足90%[28][31][22] - 三星采用TC-NCF技术路线，前端1a nm工艺存在缺陷；SK海力士1b nm工艺成熟，美光外包台积电3nm基底芯片[20][25] - 设备供应链中韩国Hanmi主导TCB市场，Besi领跑混合键合机，中国厂商在计量/模塑设备环节参与[39][41] 中国HBM发展 - 长鑫存储2024年量产HBM2，计划2025年HBM3、2027年HBM3E，但技术落后国际龙头3-4年[44][47] - 中国HBM受限于设备禁令（如EUV光刻），长鑫存储1z nm DDR5裸片尺寸较大，1α nm开发面临挑战[45][46] - 混合键合成为中国厂商重点突破方向，2022年后相关专利申请量显著增加[48][49]

韩国设备断供传闻分析 - 韩国设备厂商韩美半导体通知中国厂商将停止供应TCB设备 该设备是热压键合工艺的关键设备 用于HBM及DDR5等高性能内存芯片生产 [1] - 中国内存企业合肥长鑫和封装企业长电科技均依赖韩国设备部件 在美国施压下韩国可能断供 [1] HBM芯片技术及设备市场格局 - HBM芯片通过垂直堆叠DRAM实现高带宽 热压键合设备在微米级对齐焊接中起关键作用 [2] - 韩美半导体为当前热压键合设备龙头 取代了日本新川和东丽的传统优势地位 [2] - SK海力士自2015年推出首代HBM后 2017年起与韩美半导体合作研发 推动其成为行业主导 [3] 中国HBM产业链应对策略 - 国内已提前囤积设备 合肥长鑫的设备库存可支持至2027年 [4] - 全球替代供应商包括日本新川 东丽及新加坡ASMPT 国内厂商普莱信已推出通过验证的热压键合机 [4] - 长江存储的Xtacking架构混合键合技术可能在未来HBM4工艺中占据优势 三星已与其展开专利合作 [5] 行业竞争趋势展望 - 美国对HBM设备的限制难以阻挡中国国产化进程 设备和材料突破难度低于芯片 [5] - HBM4技术可能转向混合键合工艺 中国厂商长江存储和武汉新芯已提前布局 [5]

中国HBM技术进展 - 中国在HBM3技术上落后全球领先者3-4年，目标在2027年生产HBM3/3E [1] - 中国DRAM技术差距从5年缩短至3年，长鑫存储已进入1z nm工艺生产DDR5 [1] - 长鑫存储HBM2客户送样进行中，预计2025年中启动小批量生产，2026年开发HBM3，2027年推出HBM3E [13] - 长鑫存储计划2025年底提供HBM3样品，2026年量产，预计2026年底HBM产能达每月1万片，2028年底扩充至每月4万片 [16] 中国半导体供应链竞争力 - 中国占全球前端半导体制造产能20%，后端制造产能40%，预计2027年全球37%晶圆制造产能集中在中国 [4] - 中国在混合键合封装时代占据强势地位，长江存储拥有119项混合键合相关专利，超过三星(83项)和SK海力士(11项) [22] - 中国已开发出具有竞争力的本土解决方案，包括射频芯片、基带、PCB、传感器、电池等多个领域 [3] - 长鑫存储2025年DRAM芯片产量可能占全球14%，实际市场份额约10% [18] GPU与HBM替代方案 - 英伟达计划推出基于GDDR7的降级版H20 GPU，预计售价6500-8000美元，2025年底前出货量100万片 [6] - GDDR7市场规模有望增加4亿美元(假设2025年出货量100万片)，主要受益方为三星 [2] - 游戏GPU可能替代HBM，若30-40%非超算客户采用工作站方案，中国游戏GPU市场CAGR有望从4%提升至10% [10] - 华为昇腾910C GPU配备8颗HBM2E，其他中国GPU厂商如壁仞科技、燧原科技也使用韩国HBM2和HBM2E [12] 技术比较与产能规划 - 长鑫存储16Gb DDR5芯片采用16纳米节点，比全球前三DRAM制造商的12-14纳米落后约3年 [17] - 长鑫存储计划2025年底将DDR5/LPDDR5产能提升至每月11万片(占全球DRAM产能6%) [18] - 在混合键合设备领域，中国玩家包括Hwatsing Technology(CMP)、Piotech和Naura(等离子激活)、Naura(退火设备)等 [25] - 混合键合技术将成为未来HBM关键，SK海力士和三星都在积极开发该技术，可能从2027年HBM4e开始采用 [26]

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：本文编译自tomshardware，谢谢。 三星在韩国首尔举行的人工智能半导体论坛上透露，该公司计划在其HBM4中采用混合键合技术， 以降低发热量并实现超宽内存接口。相比之下，据EBN报道，该公司的竞争对手SK海力士可能会 推迟采用混合键合技术。 高带宽存储器 (HBM) 将多个存储设备堆叠在一个基片上。目前，HBM 堆栈中的存储芯片通常使 用微凸块（用于在堆叠芯片之间传输数据、电源和控制信号）连接在一起，并使用诸如模压底部填 充 (MR-MUF) 或非导电薄膜热压 (TC-NCF) 等技术进行键合。 这些芯片也通过嵌入每个芯片内部的硅通孔 (TSV) 进行垂直互连（通过每个 DRAM 芯片传输数 据、时钟、控制信号、电源和地线）。然而，随着 HBM 速度的提升和 DRAM 设备数量的增加， 微凸块会变得效率低下，因为它们会限制性能和功率效率。 这正是混合键合发挥作用的地方。混合键合是一种 3D 集成技术，通过键合铜与铜以及氧化物与氧 化物表面直接连接芯片，无需使用微凸块。混合键合支持小于 10 µm 的互连间距，与传统的基于 凸块的堆叠相比，可提供更低的电阻和 ...

混合键合技术应用 - 三星电子和SK海力士计划将混合键合技术应用于下一代HBM产品，三星可能最早于2025年用于HBM4（第六代），SK海力士则可能用于第七代HBM4E [1] - 混合键合技术通过铜对铜直接键合替代传统凸块连接，可缩小芯片尺寸并将功率效率和性能提升一倍以上 [1] - 当前HBM生产依赖TC键合机，韩国设备商（如SEMES、韩美半导体、韩华光辉）占据全球80%以上市场份额，其中韩美半导体垄断HBM3E的TC键合机供应 [2] 供应链竞争格局 - 美国应用材料公司通过收购Besi公司9%股份进入混合键合市场，Besi是全球唯一量产混合键合设备的公司 [3] - 韩国HANMI Semiconductor和Hanwha Semitech加速开发无助焊剂键合系统作为替代方案，美光正评估该技术用于下一代HBM [3] - 当前TC键合机主要供应商包括SEMES（三星）、韩美半导体（SK海力士）、Shinkawa Electric（美光）和ASMPT [2] 技术迭代与市场影响 - HBM需求激增推动韩国本土设备商订单大幅增长，买家优先选择具备稳定量产能力的供应商 [2] - 混合键合技术若普及将成为未来HBM堆叠的主流方法，可能重塑半导体设备供应链格局 [2][3] - 传统TC键合工艺通过加热加压连接DRAM芯片，需使用凸块并固定间隔堆叠，而混合键合无需凸块且密度更高 [1][2]

财务表现 - 2025Q1实现收入7.09亿元，同比增长50.22%，归母净利润-1.47亿元，上年同期为0.10亿元，扣非归母净利润-1.80亿元，上年同期为-0.44亿元 [1] - 2024年实现收入41.03亿元，同比增长51.70%，归母净利润6.88亿元，同比增长3.86%，扣非归母净利润3.56亿元，同比增长14.10% [1] - 2024年毛利率41.69%，同比减少5.42pct，净利率16.75%，同比减少7.79pct [3] 业务分项 - 2024年半导体设备行业收入39.58亿元，同比增长50.25%，毛利率40.90%，同比减少9.86pct，其他业务收入1.45亿元，同比增长105.84%，毛利率63.02%，同比增长2.90pct [2][3] - 薄膜沉积设备收入38.63亿元，同比增长50.29%，先进键合设备及配套检测设备收入0.96亿元，同比增长48.78% [2] - 2025Q1新产品、新工艺设备收入占比近70%，客户验证成本较高导致毛利率同比下降 [2] 订单与费用 - 截至2024年末在手订单约94亿元，2025Q1末在手订单较2024年末增长，预收货款及销售回款同比大幅增长 [2][3] - 2024年期间费用率32.19%，同比减少2.15pct，销售费用2.90亿元（+64.40%），管理费用2.10亿元（+11.25%），研发费用7.56亿元（+31.26%），财务费用0.65亿元（上年同期-0.12亿元） [3] - 2025Q1发出商品同比增长94%，期间费用投入同比增加5975.79万元 [2] 产品与技术进展 - PECVD系列保持竞争优势，ALDSiCO/SiN/AlN工艺设备获重复订单并出货，HDPCVD逐步放量，SACVD扩大应用领域，FlowableCVD实现首台产业化应用 [4] - 晶圆/芯片键合设备获重复订单，新推出的键合检测设备通过客户验证 [4] - 半导体先进工艺装备研发项目基地2025年6月前投入使用，高端半导体设备产业化基地已取得土地使用权证 [4] 盈利预测 - 预计2025-2027年收入54.33/70.02/87.09亿元，归母净利润9.49/13.40/18.65亿元，对应EPS 3.39/4.79/6.67元 [5]