台积电2纳米制程技术外泄事件 - 台积电发现多名员工涉嫌在职期间试图取得2纳米制程关键专有资讯并已对涉案人员采取法律行动[2] - 涉案人员包括1名前工程师和2名现任工程师，其中3人已被声押禁见[3] - 案件由台积电内部监控机制发现档案接触异常后主动调查并移送司法[3][4] - 2纳米制程预计2024年下半年量产，将应用于智能手机和AI加速器等芯片[2] 2纳米制程技术细节 - N2节点采用环栅(GAA)纳米片晶体管，性能较N3E提升10%-15%，功耗降低25%-30%，晶体管密度提升15%[5] - 256Mb SRAM模块平均良率超过90%，显示制程已趋成熟[5] - 采用SHPMIM电容器使电容密度提升1倍以上，薄层电阻和过孔电阻均降低50%[6] - 客户采用速度显著加快，第一年新流片数量达N5同期的2倍，第二年达4倍[6] 2纳米技术路线图 - N2将于2024年下半年量产，A16和N2P将于2025年上市[4] - N2P为性能增强版，较N2性能提升5%-10%，功耗降低5%-10%[7] - A16支持背面供电网络(SPR)，制造成本更高但效率更优[7] - N2X作为终极版本将于2027年量产，适用于需要最高时钟速度的应用[8] 行业竞争格局 - 全球仅台积电、三星、英特尔和日本Rapidus等少数企业持续研发先进制程[2] - 台积电和三星每年资本支出均超过300亿美元[2] - 移动产品仍是N2主要应用，但HPC和AI客户加速采用该节点[7]