近日，研究机构桑迪亚国家实验室（Sandia National Laboratories）的一则报道引发了行业热议。 英特尔在上世纪70年代一度占据全球DRAM市场90%的份额，成为了无可争议的行业龙头。 报道指出，该实验室与英特尔在内存技术领域取得了重大进展，其共同开展的"先进内存技术"（AMT）项目成功将DRAM相关研发成果转化为新型内存 技术，旨在解决美国国家核安全管理局（NNSA）关键任务中的内存带宽与延迟难题。 这一消息让"英特尔是否会重返DRAM赛道"的猜想浮出水面。 虽然这则新闻并未明确宣告英特尔将大规模重返独立DRAM制造市场，但其中释放的信号却值得玩味。尤其是结合英特尔的历史积淀，且当前DRAM行业 正处于AI超级周期带动的上涨通道之中，这一动向更显微妙。 这个曾经的存储霸主，"重返"的可能性正变得愈发值得探讨。 存储巨头的浮沉 英特尔与DRAM的渊源可以追溯到行业起步之初。 1970年，英特尔推出1103芯片，这是全球首款商业成功的DRAM产品，凭借在价格、密度和逻辑兼容性上对磁芯存储器的全面超越，迅速改写了存储行业 的格局。 当时，1103芯片不仅赢得了HP、DEC、霍尼韦尔等主流计算机 ...

文章核心观点 - 英特尔正通过多项前沿技术合作与内部技术储备，在AI驱动的存储新周期背景下，积极探索并布局重返高端DRAM市场的可能性，但其形式可能并非传统的独立制造，而是侧重于架构创新与系统整合[1][23][24][25] 存储巨头的浮沉：英特尔与DRAM的历史渊源 - 英特尔是全球DRAM行业的开创者，1970年推出的1103芯片是全球首款商业成功的DRAM产品，曾一度占据全球DRAM市场90%的份额[3][6] - 由于80年代日本厂商的激烈竞争导致成本劣势和巨额亏损，英特尔于1985年战略性退出DRAM业务，转向CPU领域[6] - 此后数十年，DRAM行业整合为三星、SK海力士、美光三大巨头垄断95%以上市场份额的寡头格局[7] 行业背景：AI驱动DRAM进入超级周期 - 生成式AI的爆发彻底改变了DRAM需求格局，AI工作负载推动数据中心HBM和DRAM需求爆炸式增长[7][9] - 据TrendForce集邦咨询预测，2026年一季度一般型DRAM合约价将季增55-60%，Server DRAM价格季增逾60%[9] - 市场研究显示，2025年DRAM行业营收将恢复至千亿美元级别，2029年有望达到1500亿美元，数据中心和汽车应用的复合年增长率分别高达25%和38%[9] AMT项目：与桑迪亚国家实验室的前沿技术合作 - 桑迪亚国家实验室与英特尔合作的“先进内存技术”（AMT）项目已进入产品化阶段，旨在解决国家关键任务中的内存带宽与延迟难题[1][11] - 项目中的下一代DRAM键合（NGDB）计划采用全新的内存组织与堆叠方法，旨在显著提升性能、降低功耗与成本[11] - 该技术打破了HBM与DDR DRAM之间的性能权衡，解决了“以容量换带宽”的痛点，使高带宽内存应用更广泛[11] - 英特尔已开发出新型堆叠方法和DRAM组织结构，原型产品完成了功能性验证，证实了大规模生产的可行性[13] Saimemory合资公司：低功耗存储的商业化路径 - 2024年末，英特尔与日本软银成立合资公司Saimemory，致力于开发替代HBM的堆叠式DRAM解决方案[15] - 其技术通过垂直堆叠DRAM芯片并结合英特尔的EMIB桥接技术，目标实现单芯片512GB容量、功耗降低40%-50%，量产成本仅为HBM的60%[15] - 该项目总投资预计达100亿日元（约合7000万美元），软银初期注资30亿日元成为最大股东，日本政府计划提供超50亿日元补贴[16] - 按照规划，Saimemory将在2027年前完成原型设计与量产评估，力争2030年前实现商业化，优先供应软银的AI数据中心[16] 技术储备：eDRAM领域的深厚积累 - 嵌入式DRAM（eDRAM）因低延迟、高带宽特性，被视为解决“内存墙”的有效手段之一，正重新成为行业焦点[19][20] - 相较于SRAM，eDRAM在相同芯片面积下容量可达SRAM的6倍左右；相较于传统DRAM，其延迟和功耗优势显著[20] - 英特尔早在十多年前的Haswell、Broadwell处理器时代就集成过128MB eDRAM作为L4缓存，在高性能计算领域（如Xeon Phi）也有应用[20][21] - 随着AI时代对极致性能的需求，英特尔在eDRAM领域的技术储备成为其重返高端存储赛道的关键筹码[21] 综合布局与未来展望 - 英特尔在存储领域采取多点布局策略：通过国家实验室合作保持前沿技术参与，借合资项目探索替代产品路径，同时内部保留eDRAM等集成化方案[23] - 在AI驱动的异构计算时代，英特尔可能凭借架构创新与系统整合能力，在存储领域重新定义自己的角色，而非与现有巨头在产能上正面对抗[24][25] - 未来的存储竞争将是架构、功耗、生态乃至地缘策略的复合博弈[25]

全球DRAM市场格局变动 - 2025年第一季度SK海力士以36.9%市占率超越三星电子（34.4%）成为全球最大DRAM供应商[1] - 全球DRAM销售额环比减少9%至263.3亿美元，SK海力士营收达97.2亿美元，三星电子营收同比下滑19%至91亿美元[1] - 此次变动终结三星持续33年的市场垄断，标志AI驱动下的存储技术迭代重塑行业竞争逻辑[1] HBM技术成为竞争核心 - SK海力士HBM3E产品采用12层堆叠技术，带宽1.2TB/s，单颗容量36GB，主要供应英伟达H200/B200等AI加速卡[2] - SK海力士HBM3细分领域市占率超90%，三星因HBM3E技术未通过英伟达测试导致高单价产品出货骤减[3] - SK海力士通过自研MR-MUF技术将HBM3E堆叠层数从8层提升至12层，良率表现较好[5] 制程技术与产能布局 - SK海力士1b nm DDR5产品能效比提升20%，三星1a nm制程良率提升遇瓶颈导致高端DDR5供应不足[3] - SK海力士计划2025年底将1b nm产能提升至每月9万片，并启动1c nm工艺研发目标晶体管密度再提升20%[6] - 三星1a nm制程EUV导入率达40%但良率提升缓慢制约规模效应[6] AI驱动存储需求升级 - 英伟达H100 GPU需配置640GB HBM3E和2TB DDR5内存，GPT-5级别模型需EB级存储支持[4] - SK海力士AI服务器市场份额超70%，HBM3E产品被微软"星际之门"、谷歌Gemini等超大规模AI项目采用[4] - 生成式AI模型参数规模指数级扩张对存储带宽和容量提出严苛要求[4] 产业链协同与封装技术 - 台积电将CoWoS产能70%分配给SK海力士确保HBM3E稳定供应[5] - SK海力士60%的TSV刻蚀设备来自科林研发，Syndion系列设备满足HBM封装需求[5] - 三星12层HBM3E产品量产时间推迟至2025年Q3丧失市场先机[5] 下一代技术研发进展 - SK海力士计划2025年下半年推出HBM4样品，16层堆叠产品带宽达2.56TB/s，单颗容量64GB[6] - 三星押注混合键合技术试图在HBM4E阶段反超但存在NAND与DRAM联产工艺兼容性问题[6] - SK海力士推出LPCAMM2存储模块支持40TOPS+算力需求并与联想、戴尔合作推动量产[6] 行业竞争范式转变 - 2025年Q1 SK海力士、三星、美光合计DRAM市占率超95%，SK海力士HBM市场份额超60%[7] - 普通DRAM均价跌超10%但HBM3E价格仅环比微降3%，AI相关存储产品成为抗周期支点[7] - 行业竞争从规模扩张转向技术纵深，技术卡位能力与产业链协同效率成为长期竞争力关键[7]