行业会议 - "电动交通&数字能源SiC技术应用及供应链升级大会"将于5月15日在上海举办 三菱电机、Wolfspeed、三安半导体等企业将出席 [1] 士兰微碳化硅业务进展 - 2024年IGBT+SiC收入达22.61亿元 同比增长60%以上 [2][5] - 自主研发的Ⅱ代SiC-MOSFET芯片生产的主电机驱动模块已在4家车企累计出货5万只 6吋SiC芯片生产线实现大批量交付 [6] - 已完成第Ⅳ代平面栅SiC-MOSFET技术开发 性能接近沟槽栅水平 相关模块2025年将上量 [7] - 士兰明镓6吋SiC MOS芯片月产能达9000片 正在进行产线改造 预计2025年出货量显著增加 [8] - 士兰集宏主厂房已封顶 预计2025年Q4实现通线试生产 [10] 扬杰科技碳化硅业务进展 - 2024年营收60.33亿元(同比+11.53%) 净利润10.02亿元(同比+8.5%) [11] - SiC芯片工厂已完成建设 实现650V/1200V SiC SBD产品升级至第四代 SiC MOS产品升级至第三代 1200V SiC MOS比导通电阻降至3.33mΩ·cm以下 [13] - SiC MOS市场份额持续扩大 产品已应用于AI服务器电源、新能源汽车、光伏等领域 [14] - 计划2025年Q4开展全国产主驱碳化硅模块验证 [15] 晶盛机电碳化硅业务进展 - 2024年营收175.77亿元(同比-2.26%) 净利润25.1亿元(同比-44.93%) 未完成半导体装备合同超33亿元 [16] - 开发碳化硅长晶及加工设备 布局检测、离子注入等工艺环节 客户包括瀚天天成、东莞天域等行业头部企业 [18] - 已掌握8英寸光学级碳化硅晶体稳定工艺 积极推进12英寸衬底材料产业化 [19]

行业动态 - 一场以“电动交通&数字能源SiC技术应用及供应链升级”为主题的行业大会将于5月15日在上海举办，届时三菱电机、Wolfspeed、三安半导体、天科合达等多家产业链重要企业将出席 [1] 公司技术发布 - 清纯半导体于4月21日正式推出了其第3代碳化硅（SiC）MOSFET技术平台，并发布了首款主驱芯片，型号为S3M008120BK [2] - 该首款芯片的常温导通电阻低至8mΩ，其技术平台已达到国际先进水平 [2] 技术性能亮点 - 通过专利技术和工艺完善，第三代技术平台实现了领先国际同类产品的比导通电阻系数Rsp=2.1 mΩ·cm²，较第一代的3.3 mΩ·cm²和第二代的2.4 mΩ·cm²有显著提升 [4] - 芯片额定电压为1.2kV，额定电流超过220A，室温阈值电压典型值为2.7~2.8V [6] - 在等效芯片面积下，与上一代技术相比，第三代产品的导通损耗降低了约20% [6] - 在动态性能方面，芯片寄生电容降低，开关速度提高，且体二极管反向恢复特性显著改善，峰值电流Irrm降低了近30%，软度与电压过冲也得到优化 [7] - 新产品继承了前代在可靠性方面的优势，通过了加严可靠性测试，更适合主驱等多芯片并联应用场景，能确保系统长期使用后的均流特性 [8] 行业地位与对标 - 清纯半导体本次推出的第三代MOSFET技术平台的核心参数及各类可靠性，已实现与国际主流厂商最领先产品的对标 [8]

行业活动 - 5月15日将在上海举办"电动交通&数字能源SiC技术应用及供应链升级大会"，涉及碳化硅技术应用及供应链话题 [1] 致瞻科技动态 - 与欧洲头部企业签署长期供货协议，成为其超充领域核心供应商，未来数年将供应价值数亿元的碳化硅液冷超充模块 [2][5] - 自主研发的碳化硅全液冷超充解决方案将大规模应用于欧洲充电基础设施网络 [5] - 新一代全液冷超充模块效率>97%，通过EMC Class B认证，满足欧洲高性能需求 [6][7] - 国内市场中，岚图5C超充技术采用其大功率液冷超充SiC电源模组 [8] - 已推出SiCTeX™系列碳化硅电驱系统和ZiPACK™功率模块，客户包括小米汽车、华为、比亚迪、上汽集团等 [9] 碳化硅充电模块技术进展 - 长园能源DC600L全液冷智能充电桩采用SiC液冷模块，整机效率95.6% [13] - 中电华星CES600系列600W电源模块采用碳化硅器件，能耗降低15% [14] - 蜂芒能源7-40kW充电模块采用碳化硅器件，功率密度提升，支持800V高压快充系统 [16] - 闪充聚能60kW液冷模块转换效率>97%，待机功率<10W，支持150V-1000V超宽电压 [18] - 宇视科技充电桩采用碳化硅模块，恒功率输出范围300-1000Vdc [19] - Kempower充电桩采用碳化硅技术，适用于公交站、卡车停车场等场所 [21] 碳化硅在超充领域的优势 - 240kW充电桩采用碳化硅技术后，模块数量从12个（20kW）减少至4个（60kW） [22] - 单台240kW充电桩通常使用40余颗碳化硅器件 [22] - 行业趋势显示高压快充车型增加，推动碳化硅在超充桩的需求 [21] 行业观察 - 碳化硅在超充模块中展现出显著的功率密度和能效优势 [22] - 多家企业推出碳化硅充电模块，推动该技术在超充市场的规模化应用 [13][16][18][19][21]

氮化镓行业动态 - 国内外多家氮化镓企业宣布最新订单与合作进展，市场渗透速度加快，推动下游应用向高效能、低功耗方向转型升级 [2] - 英诺赛科、能华半导体、致能半导体、京东方华灿光电、镓奥科技等公司确认参编《2024-2025氮化镓产业调研白皮书》 [1] 芯干线 - 一季度在AI算力基础设施、消费电子快充、高端音响电源及商用储能领域获得多个全球一线品牌订单 [2] - AI服务器领域：自主研发700V增强型氮化镓功率器件及1200V碳化硅MOSFET通过全球一线AI服务器品牌验证，预计2025年Q2量产 [2] - 消费电子领域：为全球一线手机品牌定制45W氮化镓PD快充方案Q1实现量产，集成700V增强型氮化镓功率器件 [3] - 专业音频领域：高端音响功放氮化镓电源方案通过国际一线品牌认证并量产 [4] - 计划将研发投入提升至营收25%，重点突破车规级SIC MOSFET与800V高压快充方案 [5] - 储能领域：为国内头部商用储能企业定制1200V全碳化硅模块Q1投产 [8] 罗姆半导体 - EcoGaN™产品650V TOLL封装GaN HEMT被村田电源公司用于AI服务器电源 [6] - 村田电源5.5kW输出电源装置采用ROHM的GaN HEMT，实现低损耗运行和高速开关性能，预计2025年量产 [9] - GaN HEMT的高速开关操作、低寄生电容和零反向恢复特性可提高开关转换器工作频率并减小磁性元件尺寸 [10] 英诺赛科 - 与长城电源合作，在AI数据中心钛金级电源中采用InnoGaN技术，实现96%以上电源转换效率 [11] - 推出E-GaN功率IC（ISG612xTD SolidGaN），采用To-247-4封装，集成栅极驱动和短路保护，耐压700V [13] - 与长城服务器电源合作，轻中载电能损耗减少至少30%，20%-50%负载区间效率提升4个百分点 [14] - 与多家数据中心厂商合作，推动全链路氮化镓数据中心系统 [14] 纳微半导体 - 一季度公布多起氮化镓订单及合作 [15] - 进入戴尔供应链，为AI笔记本打造60W至360W电脑适配器 [15] - GaNFast™氮化镓功率芯片进入长城电源供应链，打造2.5kW模块电源 [15] - 与兆易创新达成战略合作，整合氮化镓技术与高算力MCU产品 [15] - GaNSafe™氮化镓功率芯片通过AEC-Q100和AEC-Q101车规认证 [17] IQE与X-FAB - 签署GaN Power联合开发协议，开发市场化GaN功率平台 [18] - 合作开发650V GaN器件，初始期限两年，面向汽车、数据中心和消费电子应用 [19] - 结合IQE的GaN外延专业知识和X-FAB的制造能力，提供外包选择 [20][21] 冠亚半导体 - 台亚半导体成立子公司冠亚半导体，生产8吋GaN产品 [24] - 与NTT集团子公司NTT-AT签署合作备忘录 [24] - 未来三年冠亚将提供氮化镓器件，NTT-AT提供高品质外延片 [25] 皇庭国际与芯茂微电子 - 达成战略合作，在电源芯片代理销售、大功率氮化镓器件联合开发领域建立深度合作 [27][29] - 皇庭国际依托德兴意发功率半导体公司，打造涵盖功率半导体器件设计、晶圆制造、先进封装的IDM公司 [32] Wevis - 获得印度最大国有国防工业公司高功率氮化镓半导体代工工艺订单 [33] - 芯片将用于主动多功能防空雷达系统 [34] - 曾获得印度铁路通信基础设施氮化镓射频半导体订单 [35] - 与木浦国立大学合作推出韩国首个基于GaN的多项目晶圆(MPW)服务 [36]