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碳化硅MOSFET
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1200亿灰飞烟灭,半导体鼻祖破产
商业洞察· 2025-07-07 17:21
公司背景与历史 - Wolfspeed前身为Cree Research,1987年由六位年轻人创立,专注于碳化硅材料在LED领域的商业化[8] - 1991年推出全球首片商业化硅碳化物晶圆,奠定碳化硅领域先驱地位[8] - 1993年成功登陆美股,为氮化镓领域发展筹备资金[11][12] - 2017年更名为Wolfspeed,全面转型第三代半导体[15] 技术优势与市场地位 - 拥有全球首家8英寸碳化硅晶圆厂,曾是全球最大SiC基板制造商[3] - 2018年碳化硅衬底全球市占率达62%,2024年在N型衬底领域降至33.7%[16] - 曾掌握全球60%碳化硅衬底市场[21] - 2011年发布世界首款碳化硅MOSFET,打破行业疑虑[13] 业务转型与战略失误 - 2016年起出售LED照明和LED产品业务,全面转向第三代半导体[15] - 2018年收购英飞凌射频功率业务,稳固射频碳化硅基氮化镓技术领导地位[15] - 坚持自产自用+部分外销模式,未能及时进行垂直整合[16] - 耗资50亿美元建设8英寸碳化硅晶圆厂,占据过半资本支出[18] 财务与经营困境 - 市值曾达165亿美元,股价较巅峰时期跌幅超99%[3][4] - 2024财年净亏损飙升至8.64亿美元,10年来持续亏损[21] - 截至3月拥有13.3亿美元现金及65亿美元债务[20] - 2025年5月21日股价单日暴跌57%,市值蒸发超10亿美元[21] 行业竞争与市场变化 - 中国天岳先进和天科合达分别占据17.1%和17.3%市场份额[16] - 新能源汽车占碳化硅需求超60%,但欧美市场需求放缓[20] - 8英寸晶圆厂产能利用率仅20%,固定成本激增[22][23] - 未能抓住中国市场机遇,导致技术滞后与成本高昂[3][24]
【国信电子胡剑团队|能源电子月报】碳化硅车型持续下沉,应用场景逐步铺开
剑道电子· 2025-07-04 11:43
新能源汽车市场表现 - 5月新能源汽车销量同比增长36.9%,达到131万辆,产量127万辆,渗透率为48.7% [7] - 比亚迪5月销量38万辆(YoY+13.6%),小鹏销量同比增速最快达230.4% [7] - 2025年1-5月200kW以上新能源汽车主驱占比从22年9%提升至25%,100kW以下车型占比从26%降至23% [12] 功率器件技术趋势 - 碳化硅(SiC)MOSFET模块电控搭载量占比从22年10.25%提升至25年1-5月18.6%,Si MOSFET占比从12.2%降至1.3% [14] - 800V车型中碳化硅渗透率从23年不到20%增至25年1-5月76% [19] - 主驱IGBT模块国产供应商占比约86.9%,比亚迪半导体占比24.2%,时代电气15.5%,士兰微14.9% [15] 充电基础设施 - 2025年1-5月充电基础设施增量158.3万台(YoY+19.2%),其中公共充电桩增量50.4万台(YoY+56%) [37] - 配置5台480kW充电桩的站点采用SiC模块可提高效率1.5%-2%,三年节省电费约21.2万元 [37] 光伏逆变器市场 - 2025年1-5月国内新增光伏装机197.85GW(YoY+150%),新增风电装机46.28GW(YoY+134%) [41] - 5月逆变器出口额59.7亿元(YoY+8.0%),对亚洲出口22.6亿元(YoY+30.1%) [41] 功率半导体供应链 - 除部分IGBT产品外,大部分功率器件交期保持稳定,低压/高压MOSFET产品供给端基本触底企稳 [47] - 海外品牌IGBT交期从22年26-52周延长至25年10-22周,价格呈现选择性调整趋势 [50][51] 数据中心应用 - 4Q24全球服务器出货量396万台(YoY+25%),高端企业服务器出货量3.31万台(YoY+310.3%) [36] - 预计2028年服务器整机市场规模2917亿美元,SiC/GaN加速渗透 [33]
这场深度对话,把新能源应用下的SiC痛点点破了!
行家说三代半· 2025-05-28 17:35
碳化硅行业最新进展 - 意法半导体2025年将推出第四代碳化硅MOSFET产品,专为中国本土车企定制,并聚焦汽车和工业领域应用[4][5] - 意法半导体与三安光电合资的重庆安意法8英寸碳化硅晶圆厂已投产,正推进8英寸量产目标[5] - 利普思专注于碳化硅模组封装,产品覆盖车载、电网、轨道交通和电动船舶等领域,近期在德国PCIM展会展出全系列产品[6] - 国扬电子已实现第三代碳化硅MOSFET技术,单芯片导通电阻低至9mΩ,产品电压覆盖650V-6500V,车规模块获重点车企量产定点[6][7] - 宏微科技已完成第一代SiC MOSFET客户端导入,正研发第二代和第三代产品,目标将平面栅RSP优化至2.0mΩ·cm²[8] - 士兰微2024年碳化硅模组实现多家车企量产出货,第二代产品大批量销售,计划今年推出第四代产品[9] - 士兰微厦门8英寸碳化硅生产线将于2025年投产,将成为国内首家实现6英寸向8英寸跨越的企业[9] 新兴应用领域前景 - eVTOL领域:碳化硅可减轻重量25%、缩小尺寸40%,提升续航15%,但需满足更高安全冗余要求[13][14] - 电动船舶领域:适合750V-1000V直流母线,但3300V以上器件成本高昂,目前市场规模有限[11][14] - AI服务器电源:被视为海量需求空间,将成为碳化硅重要增量市场[17][23] - 工业领域:随着碳化硅价格下降,伺服电机、变频器等传统IGBT市场可能迎来大规模替代[18] - 光储充领域:碳化硅渗透率加快,需关注芯片设计、应用方案和制造品质[26][27] 技术与市场趋势 - 碳化硅电压等级从1200V向400V下探,产品矩阵覆盖400V-2000V多档位,提升多样化应用能力[21][23] - 行业聚焦8英寸晶圆量产和沟槽栅技术发展,意法半导体、士兰微等企业已布局8英寸产线[5][9][21] - 成本优化是关键,需通过量产规模扩大和新型封装技术降低制造成本[27] - 产品需针对不同应用场景定制化设计,如区分10kHz与50kHz产品芯片设计逻辑[27] - 预计碳化硅市场规模将突破百亿美元,贯穿发电、输电、用电全链条能源应用[24] 行业生态建设 - 需加强产业链上下游协作,提升国产化比例和质量稳定性[28] - 建议企业加大应用端投入,包括专业团队建设、样机测试和驱动方案优化[26] - 行业需共同营造良性竞争环境,避免价格战,推动生态共建[27] - 创新是核心驱动力,需持续提升产品成熟度和性价比[25][28]
英飞凌、安森美等4家SiC企业公布新动向
行家说三代半· 2025-05-16 17:59
碳化硅行业动态 - 多家碳化硅企业参编《2025碳化硅衬底与外延产业调研白皮书》及《2025碳化硅器件与模块产业调研白皮书》,包括天科合达、天岳先进、同光股份等 [1] - 碳化硅衬底价格下降导致碳化硅价格动态演变,8英寸过渡的远期定价影响市场 [8] - 碳化硅在新能源汽车渗透率提升,光伏储能与电力电网成为新增长点,AI数据中心与AR眼镜领域潜力巨大 [16] - 碳化硅衬底制备技术壁垒高,全球能稳定量产8英寸衬底企业屈指可数,大尺寸衬底是未来趋势 [16] 英飞凌 - 2025财年Q2营收35.91亿欧元(约290亿人民币),利润6.01亿欧元(约48.4亿人民币),利润率16.7% [2] - 推出首款SiC沟槽型超结产品,碳化硅MOSFET在面积效率和性能系数领先竞争对手一到两代 [5][8] - 预计2025财年碳化硅收入年增长率有所放缓 [5][8] 安森美 - 2025年Q1收入14.457亿美元(约104亿人民币),GAAP毛利率20.3%,自由现金流4.55亿美元(约33亿人民币) [6][7] - 获得多个新车型SiC订单,预计2025年末量产,近50%中国新车型将采用其碳化硅器件 [5][9] - 第四代EliteSiC MOSFET器件巩固技术领先地位,预计插电式混合动力汽车将更多采用碳化硅 [9][10] Wolfspeed - 2025财年Q3营收1.85亿美元(约13.31亿人民币),电源产品收入1.075亿美元(约7.74亿人民币),材料产品收入7790万美元(约5.6亿人民币) [11][13] - 8英寸SiC器件厂莫霍克谷工厂贡献7800万美元(约5.6亿人民币)收入,环比增长50%,同比增长超175% [15] - 8英寸SiC材料厂The JP预计6月获入住许可证,将大幅提高产量 [15] 天岳先进 - 2025年Q1营收4.1亿元,净利润852万元,研发投入4494万元 [5][14] - 8英寸衬底已实现规模出货,12英寸全系产品已发布并实现销售 [16] - 碳化硅不会重蹈光伏"内卷"覆辙,技术壁垒促使行业技术分化 [16]
三安光电(600703):2024年年报、2025年一季报点评:多元产品高端化,增长趋势前路渐显
长江证券· 2025-05-08 18:12
报告公司投资评级 - 买入(维持)[8] 报告的核心观点 - 三安光电2024年营收161.06亿元同比+14.61%,归母净利润2.53亿元同比-31.02%;2025Q1营收43.12亿元同比+21.23%,归母净利润2.12亿元同比大幅提升78.46% [2][6] - 预计公司2025 - 2027年归母净利润分别为9.82、13.06、16.31亿元,对应PE为63X、47X、38X,给予“买入”评级 [11] 根据相关目录分别进行总结 财务表现 - 2024年公司毛利率同比+1.54pct回升至11.90%,扣非归母净利润亏损相比2023年减亏5.77亿元;2025Q1毛利率达16.33%,同比+1.49、环比+2.50pct,25Q1净利率、扣非净利率分别达5.04%、1.73%,环比大幅增加4.84、5.49pct,扣非归母净利润自2022Q3以来首次转正 [11] - 2024年存货周转天数、应收账款周转天数同比分别下滑13.11%、7.02% [11] 业务发展 - LED业务:2024年LED外延芯片主营业务收入同比+6.56%,传统LED外延芯片产品收入同比+4.05%,高端LED外延芯片产品同比+13.91%,2024年LED业务毛利率同比增加8.79pct;MicroLED芯片在核心技术上持续突破,与头部企业合作,产品应用多领域,中大型显示领域稳定出货,MiP产品获认可加速商业化落地 [11] - 集成电路业务:2024年集成电路业务收入同比增长23.86%,砷化镓射频代工及滤波器业务营收大幅增长;碳化硅围绕车规级应用,加快技术迭代,推进重庆8英寸碳化硅项目落地;光技术板块聚焦核心增长引擎,营业收入稳健增长 [11] 财务报表及预测指标 - 利润表:预计2025 - 2027年营业总收入分别为192.58亿、223.47亿、262.34亿元,归母净利润分别为9.82亿、13.06亿、16.31亿元等 [17] - 资产负债表:预计2025 - 2027年资产总计分别为587.91亿、619.73亿、654.06亿元等 [17] - 现金流量表:预计2025 - 2027年经营活动现金流净额分别为37.95亿、53.46亿、55.87亿元等 [17] - 基本指标:预计2025 - 2027年每股收益分别为0.20、0.26、0.33元,市盈率分别为62.91、47.28、37.88等 [17]
新增13起GaN订单/合作,Al应用成聚焦点
行家说三代半· 2025-04-18 18:07
氮化镓行业动态 - 国内外多家氮化镓企业宣布最新订单与合作进展,市场渗透速度加快,推动下游应用向高效能、低功耗方向转型升级 [2] - 英诺赛科、能华半导体、致能半导体、京东方华灿光电、镓奥科技等公司确认参编《2024-2025氮化镓产业调研白皮书》 [1] 芯干线 - 一季度在AI算力基础设施、消费电子快充、高端音响电源及商用储能领域获得多个全球一线品牌订单 [2] - AI服务器领域:自主研发700V增强型氮化镓功率器件及1200V碳化硅MOSFET通过全球一线AI服务器品牌验证,预计2025年Q2量产 [2] - 消费电子领域:为全球一线手机品牌定制45W氮化镓PD快充方案Q1实现量产,集成700V增强型氮化镓功率器件 [3] - 专业音频领域:高端音响功放氮化镓电源方案通过国际一线品牌认证并量产 [4] - 计划将研发投入提升至营收25%,重点突破车规级SIC MOSFET与800V高压快充方案 [5] - 储能领域:为国内头部商用储能企业定制1200V全碳化硅模块Q1投产 [8] 罗姆半导体 - EcoGaN™产品650V TOLL封装GaN HEMT被村田电源公司用于AI服务器电源 [6] - 村田电源5.5kW输出电源装置采用ROHM的GaN HEMT,实现低损耗运行和高速开关性能,预计2025年量产 [9] - GaN HEMT的高速开关操作、低寄生电容和零反向恢复特性可提高开关转换器工作频率并减小磁性元件尺寸 [10] 英诺赛科 - 与长城电源合作,在AI数据中心钛金级电源中采用InnoGaN技术,实现96%以上电源转换效率 [11] - 推出E-GaN功率IC(ISG612xTD SolidGaN),采用To-247-4封装,集成栅极驱动和短路保护,耐压700V [13] - 与长城服务器电源合作,轻中载电能损耗减少至少30%,20%-50%负载区间效率提升4个百分点 [14] - 与多家数据中心厂商合作,推动全链路氮化镓数据中心系统 [14] 纳微半导体 - 一季度公布多起氮化镓订单及合作 [15] - 进入戴尔供应链,为AI笔记本打造60W至360W电脑适配器 [15] - GaNFast™氮化镓功率芯片进入长城电源供应链,打造2.5kW模块电源 [15] - 与兆易创新达成战略合作,整合氮化镓技术与高算力MCU产品 [15] - GaNSafe™氮化镓功率芯片通过AEC-Q100和AEC-Q101车规认证 [17] IQE与X-FAB - 签署GaN Power联合开发协议,开发市场化GaN功率平台 [18] - 合作开发650V GaN器件,初始期限两年,面向汽车、数据中心和消费电子应用 [19] - 结合IQE的GaN外延专业知识和X-FAB的制造能力,提供外包选择 [20][21] 冠亚半导体 - 台亚半导体成立子公司冠亚半导体,生产8吋GaN产品 [24] - 与NTT集团子公司NTT-AT签署合作备忘录 [24] - 未来三年冠亚将提供氮化镓器件,NTT-AT提供高品质外延片 [25] 皇庭国际与芯茂微电子 - 达成战略合作,在电源芯片代理销售、大功率氮化镓器件联合开发领域建立深度合作 [27][29] - 皇庭国际依托德兴意发功率半导体公司,打造涵盖功率半导体器件设计、晶圆制造、先进封装的IDM公司 [32] Wevis - 获得印度最大国有国防工业公司高功率氮化镓半导体代工工艺订单 [33] - 芯片将用于主动多功能防空雷达系统 [34] - 曾获得印度铁路通信基础设施氮化镓射频半导体订单 [35] - 与木浦国立大学合作推出韩国首个基于GaN的多项目晶圆(MPW)服务 [36]