碳化硅行业动态 - 多家碳化硅企业参编《2025碳化硅衬底与外延产业调研白皮书》及《2025碳化硅器件与模块产业调研白皮书》，包括天科合达、天岳先进、同光股份等 [1] - 碳化硅衬底价格下降导致碳化硅价格动态演变，8英寸过渡的远期定价影响市场 [8] - 碳化硅在新能源汽车渗透率提升，光伏储能与电力电网成为新增长点，AI数据中心与AR眼镜领域潜力巨大 [16] - 碳化硅衬底制备技术壁垒高，全球能稳定量产8英寸衬底企业屈指可数，大尺寸衬底是未来趋势 [16] 英飞凌 - 2025财年Q2营收35.91亿欧元（约290亿人民币），利润6.01亿欧元（约48.4亿人民币），利润率16.7% [2] - 推出首款SiC沟槽型超结产品，碳化硅MOSFET在面积效率和性能系数领先竞争对手一到两代 [5][8] - 预计2025财年碳化硅收入年增长率有所放缓 [5][8] 安森美 - 2025年Q1收入14.457亿美元（约104亿人民币），GAAP毛利率20.3%，自由现金流4.55亿美元（约33亿人民币） [6][7] - 获得多个新车型SiC订单，预计2025年末量产，近50%中国新车型将采用其碳化硅器件 [5][9] - 第四代EliteSiC MOSFET器件巩固技术领先地位，预计插电式混合动力汽车将更多采用碳化硅 [9][10] Wolfspeed - 2025财年Q3营收1.85亿美元（约13.31亿人民币），电源产品收入1.075亿美元（约7.74亿人民币），材料产品收入7790万美元（约5.6亿人民币） [11][13] - 8英寸SiC器件厂莫霍克谷工厂贡献7800万美元（约5.6亿人民币）收入，环比增长50%，同比增长超175% [15] - 8英寸SiC材料厂The JP预计6月获入住许可证，将大幅提高产量 [15] 天岳先进 - 2025年Q1营收4.1亿元，净利润852万元，研发投入4494万元 [5][14] - 8英寸衬底已实现规模出货，12英寸全系产品已发布并实现销售 [16] - 碳化硅不会重蹈光伏"内卷"覆辙，技术壁垒促使行业技术分化 [16]

氮化镓（GaN）技术应用 - 古瑞瓦特推出NEXA 2000阳台光伏系统，采用氮化镓逆变器技术，成为2025年慕尼黑Intersolar展会高光产品之一 [1][3] - NEXA 2000系统通过GaN材料应用，逆变器性能显著提升，可承载20A组串电流，支持匹配650W高功率光伏组件，太阳能输入容量达2600W [3] - 与传统硅基逆变器相比，氮化镓技术使逆变器体积更小、效率更高，系统发热量降低，内置2kWh储能模块，可通过扩展电池组将总容量提升至8kWh [3] - 英诺赛科推出基于氮化镓技术的2kW微型逆变器方案，采用Flyback+H桥逆变器架构，搭配150V/650V GaN器件，在屋顶光伏等场景中实现更高功率密度与效率 [3] 氮化镓产业动态 - 《2024-2025氮化镓（GaN）产业调研白皮书》编撰工作推进中，英诺赛科、能华半导体、致能科技、京东方华灿光电、镓奥科技、鸿成半导体及中科无线半导体等企业已参编 [1][5] - 昱能科技、移族、大恒能源等十余家企业已实现GaN光储产品量产，覆盖从太阳能光伏到工业级储能全场景 [3] 市场与产品信息 - 古瑞瓦特NEXA 2000系统已在德国市场正式上市，售价约750欧元（约6000人民币） [3] - 全球能源转型加速，氮化镓在光储领域展现出独特优势，众多GaN企业积极通过旗下方案推动产业升级 [3]

碳化硅行业动态 - 国内新增3个SiC项目动态，包括浙江嘉善的碳化硅控制器项目、力冠微电子的SiC装备项目落户济南、同光半导体的SiC衬底项目通过验收 [2][4][9] 浙江嘉善碳化硅控制器项目 - 项目名称为智能物联产业园项目，年产碳化硅控制器及零部件1000万件，投资估算4.1亿元，总建筑面积10.5万平方米 [3] - 项目由嘉善姚庄电子产业园开发有限公司建设，地点在嘉善县姚庄镇 [3] - 嘉善县此前已落地多个碳化硅项目，包括致瞻科技的SiC器件项目 [3] 力冠微电子SiC装备项目 - 二期扩产能项目落户济南槐荫经济开发区，计划总投资数亿元，建设7万平方米智能化生产基地 [7] - 将新增12英寸SI-CVD设备、SiC-PVT设备等10条高端产线，预计年产值突破15亿元 [7] - 项目将带动本地就业超800人，吸引10家全球核心供应商落地 [7] - 自主研发的8英寸PVT碳化硅长晶炉已实现批量销售，涵盖感应加热与电阻加热两种技术路线 [8] - 12英寸PVT电阻加热长晶炉已完成首批两台设备交付，计划2025年实现批量供货 [8] - 8英寸/12英寸SiC-PVT设备获得国际知名客户验证，设备良率突破99.2% [7] 同光半导体SiC衬底项目 - 年产7万片碳化硅单晶衬底项目已通过竣工环保验收，总投资约3.89亿元 [9][10] - 项目完全投产后可实现年产7万片碳化硅单晶衬底，已于2025年3月开始试运行 [10] - 年产20万片8英寸碳化硅单晶衬底项目已启动，预计总投资8.82亿元，2027年全部投产 [10] - 成功研发出12英寸导电型碳化硅晶锭（20+mm）等重点产品 [10] 行业参编企业 - 天岳先进、天科合达、烁科晶体等多家企业参编《2025碳化硅衬底与外延产业调研白皮书》和《2025碳化硅器件与模块产业调研白皮书》 [1] 其他行业动态 - 30家SiC企业集结欧洲，英飞凌等发布创新产品 [13] - 华为、中建、安世博等加速布局SiC超充赛道 [13] - 浙江晶瑞、南砂晶圆实现12英寸SiC突破 [13]

行业活动与参与企业 - 第3届"电动交通&数字能源SiC技术应用及供应链升级大会"在上海举办，吸引超400位精英代表参会，包括比亚迪、吉利、丰田等车企及三菱电机、意法半导体等碳化硅产业链企业[4] - 三菱电机作为总冠名商展示车规级SiC模块解决方案，其半导体业务已有68年历史，产品覆盖变频家电、电动汽车等领域[62] - 天科合达、天岳先进、同光股份等18家企业确认参编《2025碳化硅衬底与外延产业调研白皮书》及《2025碳化硅器件与模块产业调研白皮书》[1][57] 技术突破与产业化进展 - 意法半导体重庆8英寸碳化硅晶圆厂创下20个月"奠基到通线"纪录，预计2025年四季度量产，8英寸晶圆综合成本较6英寸降低30%[17] - 天科合达8英寸导电型衬底实现小规模量产，厚度优化至350μm，同步启动12英寸衬底研发，外延参数达全球领先水平[37] - 大族半导体突破激光剥离技术，实现12英寸导电/半绝缘晶锭量产，砂轮损耗降低40%以上，剥离面粗糙度≤2μm[39] - 香港大学黄明欣教授开发铜烧结技术，材料成本仅为银烧结1/50，导热与机械性能提升2倍以上[21] 产品应用与市场趋势 - 三安半导体开发SAPKG-9L顶部散热封装技术，热阻降低50%以上，功率密度提升30%，已实现650V/750V/1200V全电压平台产品应用[45] - 芯长征碳化硅功率模块已应用于超100万套电驱系统，提升能源转化效率并降低能耗[68] - 2025年SiC行业将迎来结构性机遇，包括SiC镜片AR设备缓解产能、国际供应链重塑及A股IPO收紧倒逼资本路径创新[13] - 碳化硅技术应用向电动船舶、轨道交通、航空及数字能源领域延伸，驱动产业边界持续拓宽[52] 产业链协同与本土化发展 - 中电国基南方展示新能源汽车用SiC芯片及模块方案，强调加快核心技术攻关推动国产SiC量产上车[65] - 元山电子建成国内先进水平的高温高功率全碳化硅模组生产线，通过多物理场协同优化攻克超低杂感设计难题[24][71] - 国瓷功能材料展示氮化硅基板等产品，建成大陆规模最大全制程封装陶瓷基板工厂[79] - 季华恒一开发SiC单晶生长系统等装备，合盛新材料建成6/8英寸碳化硅衬底与外延片产线，共同推动国产宽禁带半导体发展[82][84]

碳化硅技术应用进展 - 华为数字能源发布兆瓦级全液冷超充解决方案，搭载自研SiC芯片，能量密度是传统硅基器件的3倍，最大功率1.44兆瓦，每分钟补能20度电，15分钟补能350度电，效率提升4倍[6] - 华为与物流企业合作部署5000辆适配兆瓦超充的电动重卡，并推动超充联盟2.0建设，计划2025年研发30-50款车型[6] - 中建科工研发600千瓦超级充电桩，采用SiC液冷散热技术，响应速度提升95%，枪线重量降低50%，功率密度提升25%，充电效率96.34%，5分钟续航300公里[7][9] 企业碳化硅产品动态 - 深圳科华40kW SiC电源模块充电效率达97%，工作温度范围-40~75℃，支持150-1000V超宽电压输出[11] - 永联科技40kW隔离单向DC/DC充电模块采用全SiC设计，功率密度51.4W/in³，适配光伏、储能等超高压场景[14] - 安世博50kW风冷高效模块采用全SiC设计，800V满载效率97.3%，峰值效率97.6%，功率密度50W/inch³[23] 超充站建设与效率提升 - 中建科工武汉超充站配备600kW液冷超充桩，占地2500平方米，65个充电车位，单日服务能力千辆次[9] - 英飞源测算显示，采用SiC模块的480kW充电站可提高效率1.5%-2%，三年节省电费21.2万元[3] - 永泰数能600kW液冷超充终端年省电近20000度，最大输出600kW，实现"一秒一公里"充电[26] 行业技术发展趋势 - 宇视科技AI视频充电桩采用SiC技术，峰值效率97%，支持600A/800A/1000A定制电流[17] - 蜂芒新能源SiC电源模块效率达97.5%，功率密度提升30%，体积缩减40%，适配兆瓦级充电系统[25] - 安易行兆瓦闪充产品采用SiC模块，单枪1MW功率，双枪1.2MW，5分钟续航400公里[20]

会议概况 - 会议汇聚三菱电机、意法半导体、Wolfspeed、三安半导体、天科合达等20余家行业头部企业及香港大学等机构，展示最新技术并探讨产业机遇[1] - 会议设两场专题论坛及全天展览，聚焦碳化硅(SiC)技术在电动交通、数字能源等领域的应用[5][6] - 现场将联合天岳先进、天科合达等18家企业启动《2025碳化硅衬底与外延产业调研白皮书》及《2025碳化硅器件与模块产业调研白皮书》调研项目[5] 参会企业及技术亮点 - **三菱电机**：将分享面向电动交通和数字能源的SiC功率半导体解决方案，其中国区技术总监宋高升参与圆桌论坛[6][11] - **天科合达**：CTO刘春俊将发表《第三代半导体SiC单晶衬底研究和产业进展》演讲，并参与圆桌讨论[6] - **大族半导体**：产品线总经理巫礼杰将展示激光剥离技术在8/12英寸SiC衬底制备中的最新成果[6] - **三安半导体**：应用技术总监姚晨将探讨顶部散热封装技术在功率半导体中的应用[6] - **中电国基南方**：应用主管倪朝辉将分析SiC MOSFET技术应用现状与研究进展[6] - **展览专区**：三菱电机、国基南方、芯长征等7家企业将展示最新产品技术，合盛新材料等2家参与资料赞助[8][9] 会议议程 - **上午场**： - 13:40-14:45 聚焦SiC衬底技术，涵盖产业趋势、单晶衬底研究及激光剥离技术突破[6] - 14:45-15:10 三菱电机提出电动交通与数字能源的SiC解决方案[6] - **下午场**： - 15:40-16:55 探讨顶部散热封装、SiC MOSFET技术及全球电动交通应用进展[6] - 16:55-17:30 圆桌论坛讨论2025年SiC产业趋势，参与方包括长飞先进副总裁、昕感科技副总经理等6位行业专家[6] 配套活动 - 全天展览区展示第三代半导体全产业链技术，包括衬底、外延、器件等环节[7] - 茶歇期间设置展区参观及抽奖仪式（红包雨）[6]

行业动态 - 国内SiC行业近期有2家企业实现12英寸技术突破，合计共8家企业展示了12英寸SiC晶锭和衬底 [2] - 行业即将举办"电动交通&数字能源SiC技术应用及供应链升级大会"，多家知名企业和机构参与 [1] 浙江晶瑞技术突破 - 成功研发12英寸导电型SiC晶体，直径达309mm，质量完好 [4][5] - 基于自主研发的SiC单晶生长炉和持续迭代的长晶工艺，攻克了温场不均、晶体开裂等核心难题 [7] - 今年3月已展示多晶12英寸碳化硅衬底，实现了6-12英寸全尺寸长晶技术的自主可控 [7] - 8英寸碳化硅衬底已实现批量生产 [7] 南砂晶圆技术进展 - 正式展示12英寸导电型SiC衬底，实现大尺寸碳化硅衬底突破 [5][9] - 拥有广州、中山、济南三大生产基地，形成完整碳化硅单晶生长和衬底制备生产线 [9] - 成功实现近"零螺位错"密度和低基平面位错密度的8英寸导电型4H-SiC单晶衬底制备 [10] 行业活动 - 多家SiC行业领先企业将参加上海举办的行业大会 [1][12] - 行业近期有超15亿的2个SiC项目开工/即将投产 [12]

大会概况 - 上海"电动交通&数字能源SiC技术应用及供应链升级大会"将于5月15日召开，聚焦碳化硅技术产业化进程中的核心挑战与创新突破 [2][3] - 大会设置"数字能源SiC技术应用研讨会"和"电动交通SiC技术应用研讨会"两大主题，并开设碳化硅与数字能源解决方案专题展区 [3] - 三菱电机作为总冠名商与技术引领者，将系统性展示其SiC技术战略与生态布局 [2] 三菱电机的SiC技术战略 - 双技术路线驱动性能跃迁：低压领域采用独创沟槽栅SiC MOSFET技术，第四代沟槽结构结合8英寸晶圆量产加速车规级芯片迭代；高压领域采用SBD嵌入式平面栅技术，突破3.3kV以上器件可靠性瓶颈 [2] - 全场景覆盖高增长市场：提供xEV（车规级J3-T-PM模块/HEXA系列）、eVTOL、轨道牵引（3.3kV全SiC模块）、新能源发电（98%效率UPS）等解决方案，实现"芯片-模块-系统"全链路技术闭环 [2] - 本土化战略提速产业赋能：针对中国新能源与工业市场专项供应SiC芯片及功率模块，通过供应链协同提升本土客户系统能效与可靠性 [3] 参会企业与展示内容 - 参会企业包括三菱电机、意法半导体、Wolfspeed、三安半导体、天科合达等20余家行业领军企业及机构 [1][3] - 三菱电机、中电国基南方、芯长征等企业将在现场展示最新产品与技术 [3] - 合盛新材料、季华恒一参与资料袋和资料派发赞助，为观众提供最新产品和技术信息 [3] 大会亮点 - 三菱电机半导体中国区技术总监宋高升将带来《面向电动交通和数字能源应用的SiC功率半导体解决方案》主题报告 [2] - 大会聚焦SiC技术在电动交通和数字能源领域的应用与供应链升级 [3] - 会议名额有限，采取先到先得报名方式 [4]

碳化硅行业动态 - 国内外新增2个碳化硅项目动态 包括扬杰科技SiC车规级功率半导体模块封装项目开工和EYEQ Lab 8英寸SiC晶圆厂即将投产 [2][4][6] - 扬杰科技SiC车规级模块项目总投资10亿元 占地62亩 规划建筑面积11.2万平米 聚焦车规级框架式 塑封式IGBT模块和SiC MOSFET模块 [4] - 扬杰科技计划2025年Q4开展全国产主驱碳化硅模块的工艺和可靠性验证 [4] - 扬杰科技SiC芯片工厂已完成厂房装修和设备搬入 实现650V/1200V SiC SBD产品从第二代升级到第四代 650V/1200V SiC MOS产品从第二代升级到第三代 [4] - 扬杰科技1200V SiC MOS平台的比导通电阻已做到3.33 mΩ·cm²以下 [5] - EYEQ Lab韩国首家8英寸碳化硅功率半导体制造工厂将于2024年9月竣工投产 [6] - EYEQ Lab开发出采用沟槽技术的8英寸SiC功率半导体器件 减小芯片面积同时提高电气稳定性和耐用性 [6] - EYEQ Lab 8英寸SiC晶圆厂初始投资约1000亿韩元(5.44亿人民币) 年产能14.4万片 [6] - EYEQ Lab从无晶圆厂公司转型为功率半导体领域的综合性半导体公司 [6] 行业活动 - 上海将举办"电动交通&数字能源SiC技术应用及供应链升级大会" 参会企业包括三菱电机 意法半导体 Wolfspeed 三安半导体等 [1] 行业技术进展 - 天科合达披露8英寸SiC衬底和外延技术进展 [8] - 2个GaN项目披露8英寸量产新进展 [8] - 30家SiC企业集结欧洲 英飞凌等发布创新产品 [8]

电动交通&数字能源SiC技术应用及供应链升级大会 - 大会将于5月15日在上海召开 聚焦碳化硅（SiC）技术产业化进程中的核心挑战与创新突破 [1][2] - 设置"数字能源SiC技术应用研讨会"与"电动交通SiC技术应用研讨会"两大主题 并开设碳化硅与数字能源解决方案专题展区 [2] - 中电国基南方应用主管倪朝辉将发表《SiC MOSFET技术应用现状与研究进展》主题报告 介绍SiC MOSFET应用领域 产品系列及应用案例 [1] 参会企业及机构 - 行业领军企业包括三菱电机 意法半导体 Wolfspeed 三安半导体 天科合达 元山电子 大族半导体 香港大学 长飞先进 宏微科技 利普思 昕感科技 国扬电子 国基南方 芯长征 合盛新材料 瀚天天成 芯研科 国瓷功能材料 季华恒一等 [1][2] 第三代半导体行业动态 - 长城汽车联手英诺赛科推进GaN技术创新 [4] - 3家SiC企业正在推进8英寸量产进程 [4] - 12英寸SiC布局加速 今年已有13家企业加快布局 [4]