插播： 英诺赛科、能华半导体、致能科技、 万年晶半导体、京东方华灿、镓奥科技、鸿成半导体及中科无线半导体等企业已参编《2024-2025 氮化镓 （GaN）产业调研白皮书》，参编咨询请联系许若冰（hangjiashuo999）。 最近，英伟达发起了数据中心的第二次电源架构革命，并与英飞凌和纳微达成了相关合作，意图进一步降低数 据中心电源能耗。 据"行家说三代半"了解，这次电源架构的革新将需要采用大量的碳化硅和氮化镓器件，规格包括6500V、 3300V、2300V、1200V和650V的碳化硅器件，以及650V和1200V的氮化镓器件。 5月20日，英伟达在其官网宣布，"从2027年开始，英伟达将率先向800V HVDC 数据中心电力基础设施过 渡。 同一天，英飞凌也宣布，他们正与英伟达合作，开发基于全新架构的800V高压直流（HVDC）系统，英飞凌将 该系统提供硅、碳化硅和氮化镓器件解决方案。 5月22日，纳微半导体也宣布，他们与英伟达合作开发下一代800V HVDC架构，以支持为英伟达GPU供电 的"Kyber"机架级系统，该系统由GaNFast和GeneSiC电源提供技术支持。 据英伟达披露，其800V ...

近期，"行家说三代半"关注到，国内外又将新增2条8英寸SiC产线： 株洲中车： 8英寸SiC晶圆线有望年底通线 5月21日， 据证券时报网报道， 科创板细分行业集体业绩说明会之先进轨道交通行业专场于上证路演 中心召开， 参会公司有 株洲中车等。 会上， 株洲中车 董事长、执行董事李东林向投资者透露， 株洲三期碳化硅产线 于2024年 11月份启动建设，2025年5月实现主体厂房封顶，预计2025年下半年启动设备搬入，2025年底有望实现产线拉 通，该项目为8英寸SiC晶圆。 此外， 株洲中车还 拥有一条6英寸SiC芯片产线，当前已具备年产2.5万片6英寸SiC芯片产能。 技术方面， 株洲中车 第三代精细 平面栅 SiC 产品已定型，技术水平行业主 流；第四代沟槽栅设计定型，达行业先进水平，并且对第五代SiC技术完成布局。目前SiC重点产品包括3300V高 压平面栅SiC MOSFET、1200V精细平面栅SiC MOSFET，1200V SBD等，1200V沟槽栅 SiC MOSFET性能指 标基本对标国际龙头企业。 产品及合作方面， 株洲中车研发制造的 SiC MOSFET覆盖650V-6500V电压等级， ...

插播： 英诺赛科、能华半导体、致能科技、 万年晶半导体、京东方华灿、镓奥科技、鸿成半导体及中科无线半导体等企业已参编《2024-2025 氮化镓 （GaN）产业调研白皮书》，参编咨询请联系许若冰（hangjiashuo999）。 在GaN功率器件场景化爆发的关键窗口期，京东方华灿以消费类GaN功率器件通过 1000H 可靠性为起点，正式开启"消费级普及、工业级深化、车规级突破"的三级跃迁战略。作为全球化合物半导体领域 的技术先驱，我们以标准化能力为根基，以 IDM 全链创新为引擎，为全球客户提供覆盖全场景的"中国 芯"解决方案。 。 外延 ：京东方华灿基于自主研发的GaN外延结构，器件的横向BV 从1400V 提升至2000V+ ，有效提高器件可靠性裕量；并已经开启 1200V GaN的产品技术储备 工艺线：随着流片通量提高，制造稳定性，产品良率不断提升，进一步保障批量出货能力。 京东方华灿致力于成为全球化合物半导体创新引领者，在GaN功率器件从"技术竞赛"转向"场景落地"的产业 转折点，京东方华灿以消费级器件的1000H可靠性通过为支点，持续突破技术边界与市场边界。未来，我们将 以"消费-工业-车用"三级跃 ...

氮化镓(GaN)产业白皮书参编企业 - 英诺赛科、能华半导体、致能科技、万年晶半导体、京东方华灿、镓奥科技、鸿成半导体及中科无线半导体等企业参与编制《2024-2025氮化镓产业调研白皮书》[1] SiC行业融资动态 - 2025年截至5月22日已有19家SiC企业完成融资 公开总金额超33亿元[2] - 臻驱科技完成6亿元银团贷款 资金将用于IGBT/SiC功率模块研发及产能爬坡[3] - 臻驱科技2月完成数亿元E轮股权融资 资金用于新一代功率模块量产及海外项目交付[5] - 衡封新材料完成数千万元Pre-B轮融资 资金用于半导体封装材料研发与产能扩张[6] - 衡封新材料研发的低粘度环氧灌封料已应用于SiC功率模块封装 解决高温失效问题并提升封装效率[7] - 衡封新材料专注于环氧塑封料(EMC)及底部填充胶(Underfill)等半导体封装关键材料[8] 半导体检测设备企业融资 - 昂坤视觉获国家大基金二期注资 注册资本增至1163万元 资金用于提升设备精度及开发AI检测系统[10] - 昂坤视觉光学测量设备可应用于SiC衬底缺陷检测 GaN外延片均匀性分析 其AI算法提升检测效率30%[12] - 国家大基金二期加速布局半导体检测设备产业链 通过资本赋能技术创新[12] SiC产业链企业融资概况 - 2025年19家获融资SiC企业覆盖设备(优睿谱、科瑞尔)、功率器件(派恩杰半导体、尊阳电子)、衬底/外延/模块(青禾晶元、百识电子、翠展微电子)等环节[13] - SiC行业融资总额超33亿元 资本注入助力企业技术迭代与市场扩张 推动国产化进程[14] - SiC作为高壁垒、长周期赛道 持续资本支持是企业规模化发展的必要条件[15]

插播： 天科合达、天岳先进、同光股份、烁科晶体、合盛新材料、三安半导体、东尼电子、中电 化合物、芯聚能、安海半导体、凌锐半导体、士兰微、泰坦未来、恒普技术、华卓精科、快克芯装备、京航特碳、奥亿达半导体及成都炭材等已确认参编 《2025碳化硅衬底与外延产业调研白皮书》及《2025碳化硅器件与 模块产业调研白皮》， 参编 咨询 请联系许若冰（hangjiashuo999）。 昨天美股盘后，Wolfspeed股价大跌60%引起行业关注。 最近，有2个破产大事件引起了轰动，一个是哪吒汽车"被"债权人申请破产，被媒体报道成了哪吒主动申请破产；另一个是Wolfspeed即将申请破产"保 护"，被媒体报道成了申请破产。 关于Wolfspeed"破产"的报道源于美国主流大媒体《华尔街日报》连续发布的2篇报道，引起行业内外的轰动，尤其是昨天的第二篇报道，直接预测 Wolfspeed即将申请破产保护，更是将这家头部碳化硅企业推向了风口浪尖。 由于《华尔街日报》的两篇报道都是属于付费报道，国内的大部分报道援引的是路透社的报道，由于该报道非常简短，并不能全面真实客观反映 Wolfspeed"破产"报道的全貌，为此，"行家说三代半"找 ...

插播： 英诺赛科、能华半导体、致能科技、万年晶半导 体、京东方华灿光电、镓奥科技、鸿成半导体及中科无线半导体等企业已参编《2024-2025 氮化镓（GaN）产业调研 白皮书》，参编咨询请联系许若冰（hangjiashuo999）。 "GaN的临界点已来！"此前，EPC公司CEO及创始人Alex Lidow在公开文章中直言，并进一步表示，GaN的应用临界 点之一的"人形机器人"具有重要意义。 近日，一国产人形机器人关节模组成功采用GaN，不仅为国产机器人核心部件的技术突破提供了关键范本，更标志着 GaN技术在机器人领域开始迈向规模化应用的实质性跨越。 国产机器人再次采用GaN GaN成为关键驱动力 5月17日，据中科阿尔法官微消息，其正式推出了具身机器人氮化镓驱动器关节模组。 该模组内置中科无线半导体自研AI ASIC具身机器人动力系统芯片家族关节系列"GaN阵列驱动器芯片"，具有250Hz高 频神经反射与5ms全链路时延，峰值扭矩<18Nm和长时间持续工作低温升特点，适用于工业机器人、具身机器人及特种宽 温机器人设备等智能传动领域。 技术特点方面，中科无线半导体自研的AI ASIC动力系统芯片采用阵列GaN ...

插播： 英诺赛科、能华半导体、致能科技、万年晶半导 体、京东方华灿光电、镓奥科技、鸿成半导体及中科无线半导体等企业已参编《2024-2025 氮化镓（GaN）产业调研 白皮书》，参编咨询请联系许若冰（hangjiashuo999）。 近期，碳化硅领域 动态不断 ，"行家说三代半"关注到，英飞凌、 利普思、 中宜创芯、纳设智能 等 众多国内外碳化硅厂商纷纷晒出最新订单与合作进展，详情请看： 英飞凌： 与汽车厂商 达成SiC合作 英飞凌& Rivian 近日，美国汽车制造商 Rivian 已与英飞凌签约，英飞凌将为"R2"汽车平台提供牵引逆变器电源模块、微控制器和 电源 IC，预计将于 2026 年开始。 其中，电源模块将采用英飞凌的 HybridPack Drive G2 格式（如图所示），包含硅和碳化硅组件。 该封装采用直接液冷，以针状翅片阵列作为散热界面， 热阻通常为0.129°C/W。 利普思半导体： 收获多个SiC订单 近日，据eeNEWS等媒体报道， 英飞凌相继与伟世通、Rivian达成SiC合作，将在车规级应用上搭载SiC技术： 英飞凌& 伟世通 5月，英飞凌已与美国一级供应商伟世通签署协议，共同开 ...

| 插播： | | 天科合达、天岳先进、同光股份、烁科晶 | | --- | --- | --- | | 体、合盛新材料、三安半导体、东尼电子、中电化合物、芯聚能、安海半导体、凌锐半导体、士兰微、泰 | | | | 坦未来、恒普技术、华卓精科、快克芯装备、京航特碳、奥亿达半导体及成都炭材等已确认参编《2025 | | | | 碳化硅衬底与外延产业调研白皮书》及《2025碳化硅器件与 模块产业调 | | | | 研白皮》， | 参编咨询 | 请联系许若冰 | | （hangjiashuo999）。 | | | 自2024年Meta宣布其AR眼镜采用碳化硅光波导镜片以来，这一动向迅速成为行业焦点，一场由材料革 新驱动的AR眼镜升级潮已然爆发。 值得关注的是，XREAL、雷鸟创新、慕德微纳、广纳四维等AR眼镜及硬件厂商已在加速碳化硅光波导布 局，与此同时，天岳先进、天科合达、烁科晶体、同光半导体、浙江晶瑞、山西天成、乾晶半导体等碳化硅 衬底企业也在迅速跟进，整个行业呈现出极高的技术热情与市场活力。 然而，碳化硅光波导的规模化应用仍面临关键掣肘——衬底成本。为破解这一难题，本期【产业透视】深 度对话 天岳先进、天科合 ...

| 插播： | 英诺赛科、能华半导体、致能科技、万年晶半导体、 | | --- | --- | | 京东方华灿光电、镓奥科技、鸿成半导体及 | 中科无线半导体 | | 等企业已参编《2024-2025 氮化镓（GaN）产业调研白皮书》， | | | 参编咨询请联系许若冰（hangjiashuo999）。 | | 5月18日，华润微电子在官微透露， 华润微电子功率器件事业群润新微电子在大连举办 氮化镓 亿颗芯片庆典暨外延生产基地通线仪式，华润微电子副总裁庄恒前，华润微电子功率器件事业群总经理李超， 润新微电子总经理梁辉南等领导及员工代表出席仪式。 在仪式现场，润新微 电子 展示了其最新的技术成果和系列产品，举行了亿颗芯片出货庆典，庆祝 GaN 芯片成功出货一亿颗。 与此同时， 华润微电子及功率器件事业群管理层、 润新微电子管理团队、大连高新区有关领导、 项目建设代表共同为外延生产基地通线剪彩。 据了解，润新微电子外延生产基地从立项到建成仅用九个月，采用了前沿的工艺技术和创新理念，致力于 打造国内一流、国际领先的外延片生产基地。 基地升级投产后，润新微将能够为市场提供更加优质、高效 的GaN芯片产品，满足国内日益 ...

插播： 天科合达、天岳先进、同光股 份、烁科晶体、合盛新材料、三安半导体、东尼电子、中电化合物、芯聚能、安海半导体、 凌锐半导体、 士兰微、 泰坦未来、恒普技术、华卓精 科、快克芯装备、京航特碳、奥亿达半导体及 成都炭材等 已确认参编《2025碳化硅衬底与外延产业调研白皮书》及《2025碳化硅器件与模块产业调研白皮》， 参 编咨询 请联系许若冰（hangjiashuo999） 回顾2024年，碳化硅和氮化镓行业在多个领域取得了显著进步，并经历了重要的变化。展望2025年，行业也将 面临新的机遇和挑战。为了更好地解读产业格局，探索未来的前进方向，行家说三代半与行家极光奖联合策划了 《第三代半导体产业-行家瞭望2025》 专题报道。 本期嘉宾是 安海半导体-运营总监-李熙 ， 他将 分享对 SiC 行业的深度洞察，并重点阐述 对 8 英寸 SiC 发展的看法及安海半导体的规划布局。 SiC行业仍在快速发展 中国厂商有望占据更大市场 行 家说三代半： 尽管2024年SiC行业进入了阶段性调整期，但也不乏发展亮点。您认为行业今年取得了哪些新的进 步？未来SiC行业的发展方向是什么？ 李熙 ： 2024年SiC行业虽然 ...