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三菱电机/意法/天科/三安等SiC大咖邀您齐聚上海!5大亮点不容错过
行家说三代半· 2025-05-12 18:20
会议概述 - 5月15日将在上海举办"电动交通&数字能源SiC技术应用及供应链升级大会",聚焦8英寸SiC量产技术及车规级芯片与模块制造难题,探讨技术降本与未来机遇 [2] - 会议吸引近20家SiC企业参与,包括三菱电机、意法半导体、Wolfspeed等国际厂商及三安半导体、天科合达等国内企业 [13] - 活动包含主题演讲、圆桌论坛、产品展示及白皮书调研启动仪式,覆盖衬底-器件-系统全产业链 [26][28] 技术焦点 - **8英寸SiC量产**:天科合达将分享8英寸导电型SiC衬底产业化进展及外延工艺突破,大族半导体展示激光剥离技术助力大尺寸衬底高效量产 [15][25] - **器件模块创新**:三菱电机展示高压快充与电驱系统解决方案,意法半导体解析8英寸晶圆技术及重庆工厂本土化布局 [13][23][24] - **封装技术**:三安半导体探讨顶部散热封装对高密度电力系统的革新,香港大学提出铜基烧结技术破解高压平台封装瓶颈 [23][24] 应用场景 - **数字能源**:Wolfspeed展示第四代SiC MOSFET在工业自动化与航空航天的应用,元山电子揭秘超低杂感模块技术推动光伏逆变升级 [23] - **电动交通**:中电国基南方分享SiC MOSFET应用案例,宏微科技等企业讨论车规模块降本路径与光储充场景渗透率 [24][28] 产业链协同 - 圆桌论坛聚集三菱电机、士兰微等企业,讨论新能源市场应用现状与2025年全球趋势 [18] - 展示区呈现瀚天天成、芯长征等企业最新技术,覆盖衬底、外延、器件全环节 [20][26] - 启动《2025碳化硅衬底与外延产业调研白皮书》及《2025碳化硅器件与模块产业调研白皮书》,联合天科合达、三安半导体等构建产业共识 [28] 企业动态 - 意法半导体重点解析重庆晶圆厂布局,加速车规器件普惠化 [23] - 天科合达与同光半导体等展示材料端降本路径,优化量产效率 [15] - 国瓷功能材料、季华恒一等企业参与全产业链精品展示 [27]
天科合达:8英寸SiC衬底和外延技术进展
行家说三代半· 2025-05-09 18:25
电动交通&数字能源SiC技术应用及供应链升级大会 - 大会将于5月15日在上海召开 聚焦碳化硅技术产业化进程中的核心挑战与创新突破 设置数字能源SiC技术应用研讨会和电动交通SiC技术应用研讨会两大主题 并开设碳化硅与数字能源解决方案专题展区 [3][4] - 会议邀请三菱电机 意法半导体 Wolfspeed 三安半导体 天科合达等20余家行业领军企业及机构参与 共论产业发展 [2][5] 天科合达技术进展 - 公司CTO刘春俊将带来《8英寸SiC衬底和外延技术进展》主题报告 分享碳化硅材料领域的产业化突破与技术前瞻 [3] - 2024年实现8英寸导电型衬底及外延小规模量产 衬底厚度优化至350μm 同步启动12英寸导电型衬底研发 [4] - 通过自主生长装备与工艺创新 攻克多型体缺陷 位错集群等行业难题 8英寸导电型外延参数指标领先 保障车规级器件可靠性 [4] 行业动态 - 三安半导体将分享顶部散热封装在SiC功率半导体中的应用 [6] - 行业媒体"行家说三代半"专注第三代半导体(碳化硅和氮化镓)行业观察 [5]
30家SiC企业集结欧洲,英飞凌等发布创新 “利器”
行家说三代半· 2025-05-09 18:25
插播: 倒计时6天! 三菱 电机、 意法半导体、Wolfspeed、三安半导体、天科合达、元山电子、 大族半导体、香港大学、长飞先进、宏微科技、利普思、昕感科技、国扬电子、国基南方、芯长征、合盛新材料、瀚天天成、芯研科、国瓷功能 材料、季华恒一等 邀您参加上海"电动交通&数字能源SiC技术应用及供应链升级大会",点击文章底部 "阅读原文" 即可报名参会。 5月15日,"行家说三代半"将在上海召开"电动交通&数字能源SiC技术应用及供应链升级大会",届时 三菱电机、意法半导体、Wolfspeed、三安半导 体 等众多领军企业也将在会议上公布最新成果,欢迎大家扫码参会: 英飞凌 英飞凌此次重点展示了多项碳化硅新 技术, 倍受业界瞩目: 5月6日至8日 , PCIM Europe 2025在德国顺利举办。"行家说三代半"发现,本次展会上汇聚了众多SiC行业领军企业,其中英飞凌、博世、 Wolfspeed、罗姆半导体等企业展示了多项创新技术,引起了业界的高度关注。 全新CoolSiC™ JFET 该系列产品拥有极低的导通损耗、出色的关断能力和高可靠性,可在各种工业和汽车应用中实现可靠且高效的系统性能,包括固态断路器( ...
碳化硅知识大闯关!答对10题赠送399元壕礼
行家说三代半· 2025-05-08 18:20
插播: 倒计时7天! 三菱电机、意法半导体、Wolfspeed、三安半导体、天科合达、元山电子、大 族半导体、香港大学、长飞先进、宏微科技、利普思、昕感科技、国扬电子、国基南方、芯长征、合 盛新材料、瀚天天成、芯研科、国瓷功能材料等邀您参加上海"电动交通&数字能源SiC技术应用及供 应链升级大会",点击文章底部 "阅读原文" 即可报名参会。 5月15日," 电动交通&数字能源SiC技术应用及供应链升级大会 "即将在上海召开, 为回馈广大行业同仁的关注与支 持, 助力产业交流,"行家说三代半"特别发起 答题赠票 活动→ 活动规则 欢迎扫码上方二维码答题,抢占最后席位! 机会难得,不容错过! 会议临近,"行家说三代半"在此简单地为大家介绍一下 大会亮点 : 会议同期,行家说还将重点打造"SiC半导体全产业链精品展示区",将广邀业内知名的企业,全面展示产业链 的最新技术,以期向观众呈现一场集行业交流、渠道联动、资源聚合于一体的行业顶尖盛会。 1. 答对 10 道碳化硅相关题目,即可获得 5 月 15 日上海碳化硅活动门票 1 张(价值 399 元),活动详情可点 击顶部活动海报查看。 2. 本次答题活动共设置 30 ...
8英寸量产!2个GaN项目披露新进展
行家说三代半· 2025-05-08 18:20
行业动态 - 上海即将举办"电动交通&数字能源SiC技术应用及供应链升级大会",三菱电机、意法半导体、Wolfspeed等多家行业领先企业参与 [1] - 行业观察发现近期有2个氮化镓项目正在加速推进 [1] APRO Semicon项目进展 - 韩国APRO Semicon龟尾新工厂已开始量产8英寸氮化镓外延片 [2][4] - 该工厂于去年12月竣工,生产用于650V功率半导体的硅基氮化镓外延片,年产能2万片 [2] - 预计半年内销售额将达到100亿韩元(约合人民币0.5亿) [2] - 2021年已开发出可应用于1200V GaN器件的外延片,能承受1600V击穿电压,生长厚度及均匀性达99% [2] - 公司正加速GaN业务布局:与DB HiTek等公司合作讨论供应计划,同时设立GaN功率半导体设计团队负责下一代器件开发 [2] - 公司目标是通过大规模设施投资和技术研发跃升为全球GaN功率半导体市场关键公司 [5] Polymatech项目进展 - 印度芯片制造商Polymatech将在恰蒂斯加尔邦投资1.3亿美元(约合人民币9.3亿)建设GaN芯片工厂 [6] - 该项目符合印度"印度制造"和"数字印度"计划,将获得政策支持、税收优惠等 [6] - 公司目标是提升印度半导体和电信制造技术实力,为全球5G和6G生态系统提供解决方案 [6] - 公司成立于2007年,是印度首家半导体芯片制造商 [6] - 2024年9月宣布向巴林投资1600万美元(约合人民币1.1亿)建立半导体制造厂 [6] 行业趋势 - 第三代半导体(碳化硅和氮化镓)行业持续发展 [7] - 行业关注点包括:GaN技术创新、8英寸SiC量产进程推进、12英寸SiC布局加速等 [8]
三安半导体:顶部散热封装在SiC功率半导体中的应用
行家说三代半· 2025-05-08 18:20
大会信息 - 5月15日将在上海召开"电动交通&数字能源SiC技术应用及供应链升级大会" [1][2] - 大会聚焦碳化硅技术产业化进程中的核心挑战与创新突破 [2] - 设置"数字能源SiC技术应用研讨会"与"电动交通SiC技术应用研讨会"两大主题 [2] - 开设碳化硅与数字能源解决方案专题展区 [2] - 会议名额有限 先到先得 [3] 参会企业 - 三安半导体已确认出席 其应用技术总监姚晨将作主题报告 [1][2] - 其他参会企业包括三菱电机、意法半导体、Wolfspeed等18家行业领军企业及机构 [1][2] 三安半导体技术 - 将分享《顶部散热封装在功率半导体中的应用》主题报告 [1] - 重点解析通过SiC材料开发的顶部散热封装(SAPKG-9L)技术 [2] - 该技术解决传统功率器件在汽车OBC及DC/DC等场景中的散热瓶颈 [2] - SAPKG-9L系列产品覆盖650V/750V/1200V电压平台 [2] - 碳化硅SBD与MOSFET器件已在车载电源、数字能源等领域形成规模化应用 [2] 行业动态 - 长城联手英诺赛科推进GaN技术创新 [4] - 3家SiC企业正在推进8英寸量产进程 [4] - 12英寸SiC加速发展 今年已有13家企业加快布局 [4]
3家SiC企业推进8英寸量产进程
行家说三代半· 2025-05-07 17:57
氮化镓(GaN)产业 - 英诺赛科、能华半导体、致能半导体、京东方、华灿光电、镓奥科技、鸿成半导体、中科无线半导体等公司确认参编《2024-2025氮化镓产业调研白皮书》[1] 碳化硅(SiC)产业进展 重投天科 - 6-8英寸碳化硅衬底和外延已推向市场 [2] - 仅用19个月实现产线投产,突破缺陷抑制、快速生长和籽晶处理等关键技术 [2] - 与鹏进高科技等合作攻关8英寸外延片的功率器件工艺开发 [2] - 技术来源于中国科学院物理研究所,股东包括北京天科合达和深重投集团 [2] 合盛硅业 - 8英寸碳化硅衬底开始小批量生产,将加速量产进程 [3][4] - 6英寸碳化硅衬底全面量产,晶体良率达95%以上,外延良率稳定在98%以上 [3] - 掌握全产业链核心工艺技术,突破关键材料和装备技术壁垒,良率国内领先 [5] 超芯星 - 开启8英寸碳化硅衬底量产,推动大规模量产 [4][6] - 突破低应力晶体生长、低缺陷晶体生长及低损耗晶片加工技术 [6] - 覆盖全产业链,2023年与下游客户签订8英寸碳化硅深度战略合作协议 [6] 行业动态 - 12英寸碳化硅加速布局,今年已有13家企业加快布局 [9] - 特斯拉专家希望车规级氮化镓供应商更丰富 [9]
长城为何联手英诺赛科?解密背后的GaN技术创新
行家说三代半· 2025-05-07 17:57
数据中心电源技术革新 - 全球数据中心正面临算力需求激增与能耗失控的矛盾,氮化镓(GaN)技术成为服务器电源的新基准 [4] - 国际能源署预测2030年数据中心电力消耗将达3000太瓦时,占全球总电力消耗的10%,而2025年仅为4% [4] - 数据中心电能消耗近一半来自IT设备,电源转换效率提升1%可节省百万级电费 [4] 传统硅基电源的局限性 - 传统硅基铂金电源在20%-50%负载区间转换效率仅为90%-94%,造成高达10%的电能损耗 [4] - 硅基MOSFET器件存在能效短板,导致智算中心关键电能转换环节效率低下 [4] 氮化镓技术的突破 - 氮化镓钛金电源在20%-50%典型负载区间转换效率稳定在95.5%-96%以上,打破硅基效率天花板 [5] - 长城电源采用英诺赛科合封芯片ISG6122TD和ISG6123TD,轻中载电能损耗减少30%,转换效率超96% [5] - 每万台服务器每年可节省电费超200万元,发热量减少50%,空调能耗降低18%,推动PUE向1.2以下突破 [7] 英诺赛科的技术创新 - ISG612XTD采用TO-247-4封装,耐压700V,功率密度提高一倍以上,兼容IGBT、Si MOSFET、SiC引脚 [9] - 该产品集成精密Vgs栅极驱动器,具备快速短路保护和出色热性能,为电力电子设定了全新标准 [9] AI服务器48V供电架构 - 英诺赛科推出2kW-8kW全功率段GaN方案矩阵和100V氮化镓新产品,支持AI服务器48V供电架构 [10] - 8kW多相降压方案采用16相交错式Buck拓扑,峰值效率达98.2%,功率密度260W/in³ [11][12] - 四相2kW降压电源方案峰值效率98.1%,功率密度3.2W/cm³,磁性元件体积缩减60% [14] 氮化镓器件性能优势 - INN100EA035A是全球首款双面散热100V氮化镓器件,导热率提升65%,功率密度提升20% [15][16] - 该器件导通电阻仅3.5mΩ,系统损耗降低超35%,兼容紧凑型设计 [15][17] - 100V半桥驱动器INS2002FQ支持1MHz开关频率,死区时间<10ns,转换效率超98% [18] 行业应用与前景 - 英诺赛科GaN技术方案优化电力系统架构,提升能效并降低使用成本,为数据中心可持续发展提供路径 [18] - 技术方案覆盖数据中心、人工智能、车载DC-DC等领域,满足高密度、高可靠性需求 [13][17]
12英寸SiC加速!今年已有13家企业加快布局
行家说三代半· 2025-05-06 17:59
行业动态 - 5月15日上海将举办"电动交通&数字能源SiC技术应用及供应链升级大会",三菱电机、意法半导体、Wolfspeed等多家企业参会 [1] - 12英寸碳化硅技术成为行业新趋势,2025Q1共有13家碳化硅企业公布12英寸技术进展 [1][3] 技术突破 - 7家SiC企业公布12英寸技术进展,聚焦激光切割、电阻法等工艺 [3] - 连城数控开发"8吋/12吋碳化硅电阻炉及工艺成套技术",加热功率下降35%至28Kw,技术达国际领先水平 [5][6][8] - 中国电科装备推出8至12英寸碳化硅材料加工智能解决方案,单片加工时间从90分钟缩短到25分钟,晶片损失从220微米减少到80微米 [9] 衬底发展 - 6家中国SiC企业展示12英寸SiC晶锭和衬底,包括天岳先进、烁科晶体、天科合达等 [3][10][12] - 12英寸SiC衬底分为5种类型:导电型(N型和P型)、半绝缘/光学级、热沉级、多晶型 [14] - 天科合达2025年H2将推出12英寸产品瞄准AR眼镜光波导镜片市场 [16] 应用前景 - 12英寸导电型衬底在功率半导体应用仍需时间,目前80%的12英寸晶圆用于逻辑芯片和存储芯片 [15] - 非导电型12英寸SiC晶圆预计未来2-3年将应用于AR眼镜、散热片、先进封装等领域 [17] - AR眼镜光波导镜片潜在规模达百万片级(8英寸),散热片基板衬底潜在规模达数万片(12英寸) [17]
元山电子:超低杂感SiC模块技术进展与挑战
行家说三代半· 2025-05-06 17:59
氮化镓产业白皮书参编企业 - 英诺赛科、能华半导体、致能半导体、京东方华灿光电、镓奥科技、鸿成半导体、中科无线半导体等企业确认参编《2024-2025氮化镓产业调研白皮书》[1] 元山电子碳化硅技术进展 - 元山电子应用工程总监李祥龙将在上海大会发表《碳化硅模块的技术进展与挑战》主题报告 聚焦电动交通与数字能源领域的前沿技术及产业化实践[2] - 公司研发优势包括:自主搭建多物理场协同设计平台 覆盖DOE快速工艺验证、测试数据库积累及快速原型优化 具备车规级碳化硅模组自主测试能力[3] - 济南一期碳化硅模块自动化产线已全面投产 覆盖750V-1700V电压等级及30Arms-1200Arms功率范围产品 二期项目加速建设中[3] - 碳化硅模块已应用于新能源汽车电驱、光伏逆变器、工业电源等领域 性能达国际先进水平[3] 行家说三代半上海大会 - 大会设置数字能源SiC技术应用研讨会与电动交通SiC技术应用研讨会两大主题 并开设碳化硅与数字能源解决方案专题展区[4] - 参会企业包括三菱电机、意法半导体、Wolfspeed、三安半导体、天科合达、威睿电动等产业链领军企业及机构[4] 行业动态 - 特斯拉专家呼吁丰富车规级GaN供应商[6] - 英诺赛科与美的厨热达成GaN战略合作[6]