会议概述 - 5月15日将在上海举办"电动交通&数字能源SiC技术应用及供应链升级大会"，聚焦8英寸SiC量产技术及车规级芯片与模块制造难题，探讨技术降本与未来机遇 [2] - 会议吸引近20家SiC企业参与，包括三菱电机、意法半导体、Wolfspeed等国际厂商及三安半导体、天科合达等国内企业 [13] - 活动包含主题演讲、圆桌论坛、产品展示及白皮书调研启动仪式，覆盖衬底-器件-系统全产业链 [26][28] 技术焦点 - **8英寸SiC量产**：天科合达将分享8英寸导电型SiC衬底产业化进展及外延工艺突破，大族半导体展示激光剥离技术助力大尺寸衬底高效量产 [15][25] - **器件模块创新**：三菱电机展示高压快充与电驱系统解决方案，意法半导体解析8英寸晶圆技术及重庆工厂本土化布局 [13][23][24] - **封装技术**：三安半导体探讨顶部散热封装对高密度电力系统的革新，香港大学提出铜基烧结技术破解高压平台封装瓶颈 [23][24] 应用场景 - **数字能源**：Wolfspeed展示第四代SiC MOSFET在工业自动化与航空航天的应用，元山电子揭秘超低杂感模块技术推动光伏逆变升级 [23] - **电动交通**：中电国基南方分享SiC MOSFET应用案例，宏微科技等企业讨论车规模块降本路径与光储充场景渗透率 [24][28] 产业链协同 - 圆桌论坛聚集三菱电机、士兰微等企业，讨论新能源市场应用现状与2025年全球趋势 [18] - 展示区呈现瀚天天成、芯长征等企业最新技术，覆盖衬底、外延、器件全环节 [20][26] - 启动《2025碳化硅衬底与外延产业调研白皮书》及《2025碳化硅器件与模块产业调研白皮书》，联合天科合达、三安半导体等构建产业共识 [28] 企业动态 - 意法半导体重点解析重庆晶圆厂布局，加速车规器件普惠化 [23] - 天科合达与同光半导体等展示材料端降本路径，优化量产效率 [15] - 国瓷功能材料、季华恒一等企业参与全产业链精品展示 [27]

电动交通&数字能源SiC技术应用及供应链升级大会 - 大会将于5月15日在上海召开 聚焦碳化硅技术产业化进程中的核心挑战与创新突破 设置数字能源SiC技术应用研讨会和电动交通SiC技术应用研讨会两大主题 并开设碳化硅与数字能源解决方案专题展区 [3][4] - 会议邀请三菱电机 意法半导体 Wolfspeed 三安半导体 天科合达等20余家行业领军企业及机构参与 共论产业发展 [2][5] 天科合达技术进展 - 公司CTO刘春俊将带来《8英寸SiC衬底和外延技术进展》主题报告 分享碳化硅材料领域的产业化突破与技术前瞻 [3] - 2024年实现8英寸导电型衬底及外延小规模量产 衬底厚度优化至350μm 同步启动12英寸导电型衬底研发 [4] - 通过自主生长装备与工艺创新 攻克多型体缺陷 位错集群等行业难题 8英寸导电型外延参数指标领先 保障车规级器件可靠性 [4] 行业动态 - 三安半导体将分享顶部散热封装在SiC功率半导体中的应用 [6] - 行业媒体"行家说三代半"专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察 [5]

行业技术趋势与展会动态 - PCIM Europe 2025展会在德国顺利举办，汇聚了英飞凌、博世、Wolfspeed、罗姆半导体等SiC行业领军企业[1] - “行家说三代半”将于5月15日在上海举办“电动交通&数字能源SiC技术应用及供应链升级大会”，三菱电机、意法半导体、Wolfspeed、三安半导体等企业将公布最新成果[1] 英飞凌技术创新 - 推出全新CoolSiC™ JFET系列，拥有极低的导通损耗，其第一代产品R DS(ON)最低值为1.5mΩ（750V）/2.3mΩ（1200V）[3] - 展示基于沟槽的SiC超结技术概念，可将导通电阻提高高达40%，使主逆变器电流容量提高高达25%[4] - 推出CoolSiC MOSFET 750V G2技术，R DS(on)值为4和7 mΩ，有助于降低硬开关和软开关拓扑中的开关损耗[5] - CoolSiC 750V G2技术符合汽车级AECQ101标准和工业级JEDEC标准，表现出优异的开关性能和可靠性[6] 意法半导体与博世产品进展 - 意法半导体展示了碳化硅分立器件及ACEPACK系列功率模块，其模块实现了极低的单位面积导通电阻和卓越的开关性能[7][9] - 博世带来750V&1200V SiC沟槽MOSFET等产品，其牵引逆变器冷却器上的SiC功率模块在400V时电流高达800 ARMS，在800V时电流高达700 ARMS[10][11] Wolfspeed与罗姆半导体技术展示 - Wolfspeed展示了第四代碳化硅技术平台及与NXP合作的800V电动汽车牵引逆变器，该逆变器采用YM3 Six-Pack电源模块，最高规格达1200V/650A[12][14] - 罗姆半导体重点展示与合作伙伴的参考项目，包括采用TRCDRIVE pack™的逆变器单元和适用于OBC的全新EcoSiC™模压功率模块[15][16] 三菱电机与芯联集成产品突破 - 三菱电机推出“全SiC SLIMDIP”和“混合SiC SLIMDIP”两款新品，与现有Si产品相比，“全SiC”可将功率损耗降低约79%，“混合SiC”可降低约47%[18][20] - 芯联集成成为亚洲SiC MOSFET出货量居前的制造基地，已实现平面型SiC MOSFET产品两年迭代3代，且8英寸SiC MOSFET已实现工程批下线，预计2025年下半年量产[21][23] 三安半导体与芯聚能业务进展 - 三安半导体8英寸车规级N型SiC衬底已完成研发并实现量产，已实现小批量出货；其SiC MOSFET推出第二代产品，Ronsp更低，效率更高[24] - 三安半导体SiC芯片/器件已累计出货超3亿颗，服务于全球超800家客户[26] - 芯聚能半导体V5系列模块已定点6家车厂10个项目，涵盖400V-1000V整车平台，年内出货将超1万个，预计各车型量产后全年订货量将超V2系列[27][29] 基本半导体与士兰微电子新品发布 - 基本半导体发布新一代碳化硅MOSFET系列新品，包括面向电动汽车主驱的1200V/13.5mΩ、750V/10.5mΩ系列，以及面向光伏储能的1200V/40mΩ系列[30][32] - 士兰微电子针对汽车领域推出B3G SiC模块，典型R DS(on)值为1.7mΩ @25℃，V DSS达1200V，具有高电流密度和高阻断电压等级[34][36] 威世科技与瞻芯电子解决方案 - 威世科技展示的参考设计中，其元器件占BOM的70%以上，包括22 kW双向800V至800V功率转换器等方案[37] - 瞻芯电子展示650V~3300V各种封装的SiC MOSFET和SiC SBD产品，以及20 KW三相PFC电路、11 KW三相EV空调压缩机逆变器等应用案例[38][40] 中车时代与扬杰科技合作与产品 - 中车时代半导体发布应用沟槽栅技术的SiC MOSFET晶圆（1200V/10mΩ），并与罗杰斯公司签署功率模块领域的战略合作协议[41][43] - 扬杰科技展示自主研发的IGBT、SiC、Mosfet及功率模块新品，可应用于新能源汽车主驱逆变器、充电桩DC/DC转换器、OBC等关键部件[44][46] 飞锃半导体与利普思半导体模块技术 - 飞锃半导体推出1200V/2mΩ SiC MOSFET DCM模块及1200V/7mΩ TPAK器件，其X2PAK顶部散热封装与SMPD半桥封装已通过客户验证[47][49][52] - 利普思半导体HPD SiC 1200V 400A-800A模块系列已批量应用于新能源乘用车800V高压平台电机控制器和商用车650A大功率电驱系统[53][55] 派恩杰与安世半导体技术规划 - 派恩杰半导体主营碳化硅MOSFET、SBD等产品，其碳化硅MOSFET与SBD产品均通过AEC-Q101车规级测试认证[56][58] - 安世半导体推出汽车级1200V碳化硅MOSFET，导通电阻分别为30、40和60mΩ，在25°C至175°C工作温度范围内RDS(on)标称值仅增加38%[60][62] - 安世半导体计划于2025年推出符合汽车标准的17mΩ和80mΩ SiC MOSFET版本[63] 瑞能半导体与悉智科技封装创新 - 瑞能半导体采用TSPAK封装的碳化硅MOSFET，其顶部冷却技术可将结至环境热阻降低高达16%，TSPAK MOSFET额定电压范围为650V至1700V[64][66] - 悉智科技SiC APM2主驱功率模块系统回路电感<15nH，模块回路电感<7nH，采用Rohm第四代SiC芯片，已量产交付国内某高端品牌超过6万颗模块[67][69] 材料与模块技术前沿 - 浙江晶瑞展示8英寸导电型碳化硅衬底，其微管密度<0.05ea/cm²，位错密度TSD<10ea/cm²，BPD<300ea/cm²[70][72] - Power Integrations发布适用于1700V InnoSwitch3-AQ反激式DC-DC转换器IC的五款800V汽车电源参考设计，可提供高达120W的功率[73][75] - Vincotech的SiC模块产品组合涵盖650V至2.xkV电压范围，针对1500 Vdc应用优化，可实现150V/ns以上的高dv/dt转换率[76][78] - Diamond Foundry推出世界上首个利用单晶金刚石作为热管理基板的SiC模块，电压等级1200V，典型导通电阻2.67mΩ，最高工作温度达200°C[89]

大会基本信息 - 电动交通&数字能源SiC技术应用及供应链升级大会将于5月15日在上海召开 [2] - 大会包含答题赠票活动以回馈行业同仁 [2] 大会核心议程与内容 - 大会设置两场技术研讨会和超过10场主题演讲 [4] - 主题演讲围绕数字能源SiC技术应用和电动交通SiC技术应用两大方向 [4] - 演讲嘉宾来自三菱电机、Wolfspeed、意法半导体、天科合达、三安半导体、国基南方、香港大学、元山电子、大族半导体等行业主流企业 [4] 行业交流与趋势研讨 - 大会设置两场圆桌论坛 议题包括碳化硅在新能源市场应用现状与挑战以及2025年SiC产业全球发展趋势 [5] - 圆桌论坛参与方包括三菱电机、意法半导体、天科合达、同光股份、长飞先进、宏微科技、利普思、香港大学、昕感科技、国扬电子及大族半导体等知名企业 [5] 产业链展示与技术发布 - 会议同期设置SiC半导体全产业链精品展示区 展示产业链最新技术 [6] - 展示企业包括瀚天天成、国基南方、芯长征、元山电子、国瓷功能材料、芯研科等 将展示最新技术和产品方案 [8] 行业研究与白皮书发布 - 行家说研究中心将在大会发布《SiC衬底与外延产业进展及趋势》演讲 [9] - 行家说三代半研究总监张文灵将对《全球SiC电动交通和数字能源应用进展》进行研判分析 揭示车规模块降本路径和光储充场景渗透率破局点 [9] - 大会将联合天科合达、天岳先进、同光股份、三安半导体、合盛新材料、中电化合物、东尼电子、芯聚能、恒普技术、华卓精科、京航特碳等企业 正式启动《2025碳化硅衬底与外延产业调研白皮书》和《2025碳化硅器件与模块产业调研白皮书》的调研工程 [9]

行业动态 - 上海即将举办"电动交通&数字能源SiC技术应用及供应链升级大会"，三菱电机、意法半导体、Wolfspeed等多家行业领先企业参与 [1] - 行业观察发现近期有2个氮化镓项目正在加速推进 [1] APRO Semicon项目进展 - 韩国APRO Semicon龟尾新工厂已开始量产8英寸氮化镓外延片 [2][4] - 该工厂于去年12月竣工，生产用于650V功率半导体的硅基氮化镓外延片，年产能2万片 [2] - 预计半年内销售额将达到100亿韩元（约合人民币0.5亿） [2] - 2021年已开发出可应用于1200V GaN器件的外延片，能承受1600V击穿电压，生长厚度及均匀性达99% [2] - 公司正加速GaN业务布局：与DB HiTek等公司合作讨论供应计划，同时设立GaN功率半导体设计团队负责下一代器件开发 [2] - 公司目标是通过大规模设施投资和技术研发跃升为全球GaN功率半导体市场关键公司 [5] Polymatech项目进展 - 印度芯片制造商Polymatech将在恰蒂斯加尔邦投资1.3亿美元（约合人民币9.3亿）建设GaN芯片工厂 [6] - 该项目符合印度"印度制造"和"数字印度"计划，将获得政策支持、税收优惠等 [6] - 公司目标是提升印度半导体和电信制造技术实力，为全球5G和6G生态系统提供解决方案 [6] - 公司成立于2007年，是印度首家半导体芯片制造商 [6] - 2024年9月宣布向巴林投资1600万美元（约合人民币1.1亿）建立半导体制造厂 [6] 行业趋势 - 第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业持续发展 [7] - 行业关注点包括：GaN技术创新、8英寸SiC量产进程推进、12英寸SiC布局加速等 [8]

大会信息 - 5月15日将在上海召开"电动交通&数字能源SiC技术应用及供应链升级大会" [1][2] - 大会聚焦碳化硅技术产业化进程中的核心挑战与创新突破 [2] - 设置"数字能源SiC技术应用研讨会"与"电动交通SiC技术应用研讨会"两大主题 [2] - 开设碳化硅与数字能源解决方案专题展区 [2] - 会议名额有限 先到先得 [3] 参会企业 - 三安半导体已确认出席 其应用技术总监姚晨将作主题报告 [1][2] - 其他参会企业包括三菱电机、意法半导体、Wolfspeed等18家行业领军企业及机构 [1][2] 三安半导体技术 - 将分享《顶部散热封装在功率半导体中的应用》主题报告 [1] - 重点解析通过SiC材料开发的顶部散热封装(SAPKG-9L)技术 [2] - 该技术解决传统功率器件在汽车OBC及DC/DC等场景中的散热瓶颈 [2] - SAPKG-9L系列产品覆盖650V/750V/1200V电压平台 [2] - 碳化硅SBD与MOSFET器件已在车载电源、数字能源等领域形成规模化应用 [2] 行业动态 - 长城联手英诺赛科推进GaN技术创新 [4] - 3家SiC企业正在推进8英寸量产进程 [4] - 12英寸SiC加速发展 今年已有13家企业加快布局 [4]

氮化镓(GaN)产业 - 英诺赛科、能华半导体、致能半导体、京东方、华灿光电、镓奥科技、鸿成半导体、中科无线半导体等公司确认参编《2024-2025氮化镓产业调研白皮书》[1] 碳化硅(SiC)产业进展 重投天科 - 6-8英寸碳化硅衬底和外延已推向市场 [2] - 仅用19个月实现产线投产，突破缺陷抑制、快速生长和籽晶处理等关键技术 [2] - 与鹏进高科技等合作攻关8英寸外延片的功率器件工艺开发 [2] - 技术来源于中国科学院物理研究所，股东包括北京天科合达和深重投集团 [2] 合盛硅业 - 8英寸碳化硅衬底开始小批量生产，将加速量产进程 [3][4] - 6英寸碳化硅衬底全面量产，晶体良率达95%以上，外延良率稳定在98%以上 [3] - 掌握全产业链核心工艺技术，突破关键材料和装备技术壁垒，良率国内领先 [5] 超芯星 - 开启8英寸碳化硅衬底量产，推动大规模量产 [4][6] - 突破低应力晶体生长、低缺陷晶体生长及低损耗晶片加工技术 [6] - 覆盖全产业链，2023年与下游客户签订8英寸碳化硅深度战略合作协议 [6] 行业动态 - 12英寸碳化硅加速布局，今年已有13家企业加快布局 [9] - 特斯拉专家希望车规级氮化镓供应商更丰富 [9]

数据中心电源技术革新 - 全球数据中心正面临算力需求激增与能耗失控的矛盾，氮化镓（GaN）技术成为服务器电源的新基准 [4] - 国际能源署预测2030年数据中心电力消耗将达3000太瓦时，占全球总电力消耗的10%，而2025年仅为4% [4] - 数据中心电能消耗近一半来自IT设备，电源转换效率提升1%可节省百万级电费 [4] 传统硅基电源的局限性 - 传统硅基铂金电源在20%-50%负载区间转换效率仅为90%-94%，造成高达10%的电能损耗 [4] - 硅基MOSFET器件存在能效短板，导致智算中心关键电能转换环节效率低下 [4] 氮化镓技术的突破 - 氮化镓钛金电源在20%-50%典型负载区间转换效率稳定在95.5%-96%以上，打破硅基效率天花板 [5] - 长城电源采用英诺赛科合封芯片ISG6122TD和ISG6123TD，轻中载电能损耗减少30%，转换效率超96% [5] - 每万台服务器每年可节省电费超200万元，发热量减少50%，空调能耗降低18%，推动PUE向1.2以下突破 [7] 英诺赛科的技术创新 - ISG612XTD采用TO-247-4封装，耐压700V，功率密度提高一倍以上，兼容IGBT、Si MOSFET、SiC引脚 [9] - 该产品集成精密Vgs栅极驱动器，具备快速短路保护和出色热性能，为电力电子设定了全新标准 [9] AI服务器48V供电架构 - 英诺赛科推出2kW-8kW全功率段GaN方案矩阵和100V氮化镓新产品，支持AI服务器48V供电架构 [10] - 8kW多相降压方案采用16相交错式Buck拓扑，峰值效率达98.2%，功率密度260W/in³ [11][12] - 四相2kW降压电源方案峰值效率98.1%，功率密度3.2W/cm³，磁性元件体积缩减60% [14] 氮化镓器件性能优势 - INN100EA035A是全球首款双面散热100V氮化镓器件，导热率提升65%，功率密度提升20% [15][16] - 该器件导通电阻仅3.5mΩ，系统损耗降低超35%，兼容紧凑型设计 [15][17] - 100V半桥驱动器INS2002FQ支持1MHz开关频率，死区时间<10ns，转换效率超98% [18] 行业应用与前景 - 英诺赛科GaN技术方案优化电力系统架构，提升能效并降低使用成本，为数据中心可持续发展提供路径 [18] - 技术方案覆盖数据中心、人工智能、车载DC-DC等领域，满足高密度、高可靠性需求 [13][17]

行业动态 - 5月15日上海将举办"电动交通&数字能源SiC技术应用及供应链升级大会"，三菱电机、意法半导体、Wolfspeed等多家企业参会 [1] - 12英寸碳化硅技术成为行业新趋势，2025Q1共有13家碳化硅企业公布12英寸技术进展 [1][3] 技术突破 - 7家SiC企业公布12英寸技术进展，聚焦激光切割、电阻法等工艺 [3] - 连城数控开发"8吋/12吋碳化硅电阻炉及工艺成套技术"，加热功率下降35%至28Kw，技术达国际领先水平 [5][6][8] - 中国电科装备推出8至12英寸碳化硅材料加工智能解决方案，单片加工时间从90分钟缩短到25分钟，晶片损失从220微米减少到80微米 [9] 衬底发展 - 6家中国SiC企业展示12英寸SiC晶锭和衬底，包括天岳先进、烁科晶体、天科合达等 [3][10][12] - 12英寸SiC衬底分为5种类型：导电型(N型和P型)、半绝缘/光学级、热沉级、多晶型 [14] - 天科合达2025年H2将推出12英寸产品瞄准AR眼镜光波导镜片市场 [16] 应用前景 - 12英寸导电型衬底在功率半导体应用仍需时间，目前80%的12英寸晶圆用于逻辑芯片和存储芯片 [15] - 非导电型12英寸SiC晶圆预计未来2-3年将应用于AR眼镜、散热片、先进封装等领域 [17] - AR眼镜光波导镜片潜在规模达百万片级(8英寸)，散热片基板衬底潜在规模达数万片(12英寸) [17]

氮化镓产业白皮书参编企业 - 英诺赛科、能华半导体、致能半导体、京东方华灿光电、镓奥科技、鸿成半导体、中科无线半导体等企业确认参编《2024-2025氮化镓产业调研白皮书》[1] 元山电子碳化硅技术进展 - 元山电子应用工程总监李祥龙将在上海大会发表《碳化硅模块的技术进展与挑战》主题报告 聚焦电动交通与数字能源领域的前沿技术及产业化实践[2] - 公司研发优势包括：自主搭建多物理场协同设计平台 覆盖DOE快速工艺验证、测试数据库积累及快速原型优化 具备车规级碳化硅模组自主测试能力[3] - 济南一期碳化硅模块自动化产线已全面投产 覆盖750V-1700V电压等级及30Arms-1200Arms功率范围产品 二期项目加速建设中[3] - 碳化硅模块已应用于新能源汽车电驱、光伏逆变器、工业电源等领域 性能达国际先进水平[3] 行家说三代半上海大会 - 大会设置数字能源SiC技术应用研讨会与电动交通SiC技术应用研讨会两大主题 并开设碳化硅与数字能源解决方案专题展区[4] - 参会企业包括三菱电机、意法半导体、Wolfspeed、三安半导体、天科合达、威睿电动等产业链领军企业及机构[4] 行业动态 - 特斯拉专家呼吁丰富车规级GaN供应商[6] - 英诺赛科与美的厨热达成GaN战略合作[6]