未 经 授 权 禁 止 转 载 ， 否 则 将 追 究 相 应 法 律 责 任 。 看券商中国 知天下财经 F 12月18日，商务部部长王文涛会见美国超威半导体公司（AMD）董事会主席兼首席执行官苏姿丰。双方 就公司在华业务发展、加强对华合作等进行了交流。 百万用户都在看 "黑天鹅"突袭！刚刚，全线大跌！ 利好突袭！A股盘中，集体异动！ 突发！停牌！A股巨头，刚刚公告 集体大涨！特朗普，刚刚签了！ A股，重要调整！ 违法和不良信息举报电话：0755-83514034 邮箱：bwb@stcn.com 券中社 × 券商中国 券 中 社 扫码下载券中社APP 扫码关注券商中国公众号 quanshangcn qzs.stcn.com 舞中 券中社APP 券 商 中 国 是 证 券 市 场 权 威 媒 体 《 证 券 时 报 》 旗 下 新 媒 体 , 券 商 中 国 对 该 平 台 所 刊 载 的 原 创 内 容 享 有 著 作 权 , 来源：商务部新闻办公室 责编：刘珺宇 校对：高源 ...

市场展望 - 分析师对2026年市场持乐观但谨慎的立场 部分原因与市场高度依赖少数股票有关 [1] 分析师背景与研究方法 - 分析师为股票研究分析师 在金融市场拥有广泛职业生涯 覆盖巴西及全球股票 [1] - 分析师为价值投资者 分析以基本面为主 专注于识别具有增长潜力的低估股票 [1] 分析师持仓披露 - 分析师通过持股、期权或其他衍生品 对亚马逊(AMZN)、谷歌(GOOGL)、超微半导体(AMD)、英伟达(NVDA)持有多头头寸 [1]

EnglishItalianoEspañolPortuguêsDeutschالعربيةFrançaisImportant DisclaimersFXEmpire is owned and operated by Empire Media Network LTD., Company Registration Number 514641786, registered at 7 Jabotinsky Road, Ramat Gan 5252007, Israel. The content provided on this website includes general news and publications, our personal analysis and opinions, and materials provided by third parties. This content is intended for educational and research purposes only. It does not constitute, and should not be interpreted a ...

公司动态 - 美国超威半导体公司董事会主席兼首席执行官苏姿丰于18日会见了中国商务部部长王文涛 [1] - 双方交流内容涉及公司在华业务发展以及加强对华合作 [1] 行业与政策环境 - 此次会面体现了中国商务部与美国半导体行业领先企业之间的高层沟通 [1] - 交流主题聚焦于跨国科技公司在中国的业务发展与深化合作 [1]

来源：商务部网站 12月18日，商务部部长王文涛会见美国超威半导体公司（AMD）董事会主席兼首席执行官苏姿丰。双 方就公司在华业务发展、加强对华合作等进行了交流。 转自：北京日报客户端 ...

Chinese Commerce Minister Wang Wentao met with U.S. computer processor manufacturer Advanced Micro Devices' CEO Lisa Su in Beijing on Thursday, according to a statement released by Wang's ministry on ... ...

核心事件 - 2023年12月18日，中国商务部部长王文涛会见了美国超威半导体公司（AMD）董事会主席兼首席执行官苏姿丰 [1][3] - 双方就AMD公司在华业务发展、加强对华合作等议题进行了交流 [1][3] 公司动态 - 此次会见表明AMD公司正积极与中国政府高层沟通，以推动其在华业务的发展 [1][3] - 公司寻求加强对华合作，显示出其对中国市场战略重要性的认可 [1][3]

核心事件 - 12月18日，中国商务部部长王文涛会见了美国超威半导体公司董事会主席兼首席执行官苏姿丰 [2] 会议交流内容 - 双方就公司在华业务发展进行了交流 [2] - 双方就加强对华合作进行了交流 [2]

Shares of Advanced Micro Devices ( NASDAQ:AMD )Â lost 12.69% over the past month after slipping 4.27% the month prior. ...

文章核心观点 - 高带宽内存是AI算力发展的关键基础设施，其性能直接决定了AI模型训练和推理的速度与效率[1] - 韩国KAIST大学发布的HBM技术路线图详细规划了从2026年HBM4到2038年HBM8的完整发展蓝图，揭示了未来十年HBM技术的演进方向[1] - HBM通过3D堆叠等核心技术，在带宽、功耗和体积上相比传统内存具有压倒性优势，已成为AI服务器的必需品[7][11][14] HBM技术定义与核心优势 - HBM是一种专为AI设计的“超级内存”，采用“三明治式”3D堆叠技术，将8-24层核心芯片垂直堆叠，通过硅通孔连接，解决了传统内存的“平面布局”缺陷和数据传输瓶颈[7][8] - HBM相比传统DDR5内存具有三大核心优势：带宽极高、功耗更低、体积迷你[11] - **带宽碾压**：HBM3带宽为819GB/s，HBM4将达2TB/s，HBM8更将飙升至64TB/s，是HBM3的78倍，能满足未来万亿参数AGI的需求[12][56] - **功耗减半**：传输1TB数据，HBM3功耗是DDR5的60%，HBM4能降至50%，可为数据中心节省巨额电费[13] - **体积小巧**：HBM直接集成在GPU封装旁，传输距离从厘米级缩短至毫米级，使AI服务器算力密度提升3倍[10][14] HBM技术发展路线图（2026-2038） - **2026年：HBM4——定制化首秀** - 核心创新在于定制化Base Die，可集成内存控制器并直接连接低成本、大容量的LPDDR内存，作为“备用仓库”[9][22] - 带宽从HBM3的819GB/s提升至2TB/s，单模块容量达36-48GB，是HBM3的2倍[22] - 采用直触液冷散热方案以应对75W的高功耗[24] - 主要面向中端AI服务器、高端游戏显卡等场景[26] - **2029年：HBM5——近内存计算崛起** - 核心创新是引入近内存计算，在内存堆叠中集成NMC处理器和L2缓存，使内存具备计算能力，可将LLM推理中GPU的工作量减少40%，速度提升1.5倍[27][28] - 带宽提升至4TB/s，单模块容量80GB，功率100W[27] - 采用浸没式冷却散热，并集成专用去耦电容芯片以稳定供电[28][29] - 主要面向超算中心、大模型训练集群等场景[31] - **2032年：HBM6——多塔架构优化高吞吐量** - 核心创新是“四塔”结构，在一个Base Die上放置两个独立的Core Die堆叠，使吞吐量比HBM5提升126%[36][38] - 带宽达8TB/s，数据速率提升至16Gbps，单模块容量96-120GB，功率120W[35][36] - 采用硅-玻璃混合中介层以降低成本20%，并集成L3缓存专门存储LLM推理中的KV缓存，减少HBM访问次数73%[38][40] - 主要面向LLM推理集群、实时AI翻译等高吞吐量场景[40] - **2035年：HBM7——内存与闪存融合** - 核心创新是整合高带宽闪存，形成“内存+闪存”协同方案，HBM存高频数据，HBF存低频大容量数据，使系统总容量可达17.6TB，成本比全用HBM降低60%[41][42][46] - 带宽提升至24TB/s，数据速率24Gbps，单模块容量160-192GB，功率160W[44][46] - 支持3D堆叠LPDDR以拓展边缘计算场景，并采用嵌入式液冷散热[46][47] - 主要面向多模态AI系统、自动驾驶中央计算单元等场景[48] - **2038年：HBM8——全3D集成终极形态** - 核心创新是全3D集成技术，通过铜-铜直接键合将GPU裸片垂直堆叠在HBM之上，使数据传输延迟突破1纳秒，I/O功耗降低70%[54] - 带宽达到64TB/s，数据速率32Gbps，单模块容量200-240GB，功率180W[36][56] - 采用双面中介层设计，使单GPU搭配的HBM容量再提升50%，并应用双面嵌入式冷却进行精准温控[56][57] - 专为未来AGI原型机设计，标志着计算架构进入“立体共生”时代[52][60] 支撑HBM性能的三大关键技术 - **硅通孔**：在芯片上制造垂直微孔道，让数据直接在堆叠层间穿梭，传输路径缩短90%以上，是实现3D堆叠的基础[59][67] - **混合键合**：采用铜-铜直接键合工艺替代早期的微凸点连接，使连接电阻降至原来的1/10，实现了更高密度（单片10万个连接点）和更可靠的芯片堆叠，支撑HBM8达到16384个I/O[68][70][71] - **AI辅助设计**：利用AI模型大幅提升HBM复杂结构的设计效率，如PDNFormer模型可在1毫秒内完成电源阻抗分析，Mamba-RL算法可在20分钟内优化去耦电容布局，将设计周期从半年缩短至两周[72][74][76][79] HBM产业格局与市场前景 - 全球HBM市场呈现寡头垄断格局，SK海力士、三星、美光三家公司垄断了90%以上的产能，订单已排至2026年[80][81] - SK海力士为行业龙头，HBM3E良率达90%，占据全球55%的HBM3E出货量，其M15X新工厂投产后月产能将从10万片提升至17.8万片[81] - 三星的HBM3E产能已被谷歌、博通、亚马逊等头部客户包圆，并与OpenAI签订了价值713亿美元的四年供应大单[84] - 美光增速最快，其HBM3E已通过英伟达认证，目标是在2026年将市场份额从7%提升至24%[85] - 2025年全球HBM市场规模已达300亿美元，预计2030年将突破980亿美元，占据整个DRAM市场的50%[80] HBM未来发展的主要挑战 - **成本挑战**：HBM3每GB成本约为DDR5的5倍，HBM4因工艺复杂成本预计再增30%，需通过提升良率（目标95%以上）、扩大产能、技术创新（如采用玻璃中介层）来构建降本体系[86] - **散热挑战**：未来HBM8功率可能突破200W，需研发新型高热导率冷却材料、采用芯片级冷却方案（如集成微型散热鳍片）以及智能温控系统来应对[87] - **生态协同挑战**：需要GPU/CPU厂商优化硬件接口，AI框架针对近内存计算特性优化算法，并推动行业制定统一标准，以降低应用门槛并实现性能最大化[87]