【文/观察者网专栏作者 心智观察所】 2025年11月于上海举办的第八届中国国际进口博览会上，全球半导体设备龙头ASML公开展示了其面向 主流芯片市场的全景光刻解决方案，其中两款先进的DUV（深紫外）光刻机台——TWINSCAN XT:260 和TWINSCAN NXT:870B 成为关注焦点。 其中最受关注的是即将推出的XT:260，这是一款基于双工作台技术、采用XT4平台的i-line光刻系统， 具有双倍视场曝光功能，主要用于先进封装领域。某科技大V之前曾在网络平台发文"光刻机是拿来用 的不是拿来展的"，这种选择性解读和逆向推理，恰恰反映出当前舆论场中一个危险的倾向：用民族情 绪和想象力代替技术理性，用"战略模糊"掩盖真实差距。 让我们回到技术本身。光刻机作为半导体制造的核心设备，其复杂程度远超一般人的想象。以ASML在 上一届进博会展示的NXT:1470光刻机为例，照明波长为193nm，分辨率≤57nm，套刻精度≤4.5nm，而中 国工信部推广的国产氟化氩光刻机，分辨率≤65nm，套刻精度≤8nm。表面上看，差距似乎不大，但这 位大V没有告诉读者的是，NXT:1470在ASML的产品序列中只是中端产品， ...

ASML进博会产品展示 - 在第八届中国国际进口博览会上公开展示面向主流芯片市场的全景光刻解决方案 [1] - 两款先进的深紫外光刻机台TWINSCAN XT:260和TWINSCAN NXT:870B成为关注焦点 [1] - 即将推出的XT:260是基于双工作台技术、采用XT4平台的i-line光刻系统，具有双倍视场曝光功能，主要用于先进封装领域 [3] 光刻机技术复杂度与差距 - 光刻机是集光学、机械、电子、软件、材料等多学科于一体的超精密系统工程 [4] - 以EUV光刻机为例，整机包含超过10万个零部件，涉及5000多家供应商，软件代码行数以亿计 [4] - ASML NXT:1470光刻机照明波长为193nm，分辨率≤57nm，套刻精度≤4.5nm [3] - 国产氟化氩光刻机分辨率≤65nm，套刻精度≤8nm [3] - ASML最新NXT:2100i分辨率达到38nm，套刻精度0.9-1.3nm，极紫外光刻机分辨率低至8nm [3] - 前道光刻机与后道封装光刻机存在技术层次差异，XT:260曝光区域为26x33毫米，采用两倍掩模缩小技术，与前道光刻机的四倍缩小完全不同 [5] 设备调试与产业生态 - 光刻机从组装完成到稳定量产通常需要6-12个月的调试期，工程师需对数千个参数进行优化 [6] - 设备性能发挥依赖真实生产线的大量运行数据，需要设备厂商与客户深度绑定的协同进化关系 [6] - ASML在北京设有全球6个维修中心之一，公司在中国的员工已超过2000人 [7] - 对于已交付的先进浸润式DUV系统，需要申请出口许可证才能为受出口管制的系统提供服务 [7] 市场动态与需求分析 - ASML在2024年第三季度新增订单为26亿欧元，其中14亿欧元为EUV光刻机订单 [10] - 过去几年中国地区销售额占比曾达46%，预计2025年将回归20%的历史正常水平 [8] - 中国出口增长20%的主要是成熟制程芯片，如电源管理芯片、显示驱动芯片、MCU等，使用28纳米以上工艺生产 [9] - 华为麒麟9000S采用7纳米工艺，很可能使用中芯国际现有的DUV多重曝光技术，该技术成本高、良率低 [8] 产业发展与竞争格局 - 上海芯上微装于今年8月成功交付第500台步进光刻机，主要用于后道封装 [13] - 技术追赶需要时间积累，ASML从1984年成立到2019年推出首台量产EUV光刻机用了35年时间 [10] - 在最先进的制程节点上，差距不是在缩小，而是在拉大 [10] - 半导体产业的未来属于能够直面现实、持续投入、踏实积累的国家和企业 [14]

中国HBM技术发展 - 中国HBM3技术落后全球领先者3-4年，但差距正通过AI芯片生产规模能力缩小 [2] - 长鑫存储计划2025年生产HBM2，2026年HBM3，2027年HBM3E，技术差距从4年缩短至3年 [14][16] - 中国在hybrid bonding封装技术专利领先，长江存储拥有119项相关专利，三星仅83项 [21][22] 中国DRAM行业进展 - 长鑫存储DRAM技术差距从5年缩短至3年，已进入1z nm DDR5生产阶段 [2] - 长鑫存储2025年DDR5/LPDDR5产能计划提升至11万片/月，占全球DRAM产能6% [19] - 公司计划2027年将总产能扩大至698千片/月（8英寸等效），合肥和北京工厂为主要基地 [20] 替代解决方案与市场影响 - 英伟达降级版6000D GPU采用96GB GDDR7，预计2025年出货100万台，带来3.84亿美元收入 [6][7] - 中国30-40%非超大规模客户可能采用游戏GPU进行AI推理，推动该市场CAGR从4%提升至10% [12] - H20 GPU禁令导致7.2亿GB HBM需求缺口，影响市场规模8.06亿美元 [9] 中国半导体供应链竞争力 - 中国前端半导体制造产能占全球20%，后端占40%，预计2027年37%成熟节点产能集中在中国 [5] - 本土企业在EDA、晶圆代工、存储、封装测试等领域已形成完整供应链，如华大九天、中芯国际、长江存储等 [6] - hybrid bonding设备国产化率提升，华海清科、中微公司等已覆盖关键工艺环节 [26] 技术路线与行业趋势 - hybrid bonding将成为16层以上HBM堆叠的关键技术，三星/SK海力士计划2027年HBM4e采用 [28][29] - 长鑫存储开发D1α节点面临EUV缺失挑战，可能复制美光非EUV工艺路线 [18] - 华为昇腾910C GPU采用8颗HBM2E，壁仞科技等厂商也依赖韩国HBM供应 [13]