英特尔转型与18A工艺进展 - 公司已投入超过900亿美元资本支出用于扩大晶圆代工业务 旨在缩小与台积电和三星的差距 [2] - 18A工艺(1.8纳米)已进入风险生产阶段 采用RibbonFET环绕栅极晶体管和PowerVia背面供电技术 可提升性能与能效 [4] - 该工艺目前正与OEM厂商进行笔记本电脑处理器样品测试 特别适合AI和高性能计算应用 [4] 半导体制造技术竞争格局 - 更小的纳米节点(如2nm)能集成更多晶体管 带来性能提升和能耗降低 但面临良率低和建厂成本高的挑战 [3] - 台积电2nm工艺良率达60% 计划2025年下半年量产 采用GAA架构可实现10-15%性能提升及30%功耗降低 [5] - 相比之下 英特尔18A工艺良率仅20-30% 三星同类技术良率为40% [5] 市场竞争态势分析 - 台积电占据晶圆代工市场超三分之二份额 苹果/AMD等大客户已承诺采用其2nm工艺 [5][6] - 英特尔部分Nova Lake桌面处理器将转用台积电代工 反映其多元化策略 [6] - 台积电预计2025年四季度实现2nm产能满载 而英特尔18A工艺已有客户在试产后退出 [6][7] 财务与市场表现 - 公司晶圆代工部门去年亏损近130亿美元 股价较2024年峰值下跌50% [2] - 2021-2024年股票回报率分别为6%/-47%/95%/-60% 波动显著大于标普500指数 [8]

公司动态 - 成都华微于6月18日接待十余家机构投资者现场参观并调研 [1] - 公司于2024年12月及近期分别发布了两款自主设计的AD转换器产品 [1] - 两款产品性能与国际同类型先进产品相当 [1] 产品技术 - 8位64G超高速AD转换器产品误码率低、支持DC输入、兼具抗辐照能力 [1] - 8位64G产品可应用于航天、航空、探测、感知、无线通信、激光通信、卫星通信、高端仪器仪表、6G通感一体化等领域 [1] - 4通道12位16G高速高精度射频直采ADC芯片配套有HWD6952时钟芯片 [1] - 4通道12位16G产品最多可支持8片HWD12B16GA4型ADC同步采样 [1] - 4通道12位16G产品可应用于雷达与电子对抗、6G无线通信、光通信、高端医疗设备、高端仪器仪表、无人机等领域 [1] 业务布局 - 公司在超大规模FPGA、高性能AD/DA转换芯片、嵌入式SoC与MCU三个方向齐头并进 [2] - 公司可提供一系列低价格、低功耗、小体积、高可靠性的SiP、模块、板级国产化系统解决方案 [2] - 公司致力于形成信号处理与控制的产品生态 [2]

公司上市表现 - 6月20日新恒汇登陆创业板 开盘股价涨至50元/股 较发行价上涨290 62% 截至发稿股价44 52元 涨幅247 11% [2] 主营业务结构 - 智能卡业务是传统核心业务 包括柔性引线框架研发生产及智能卡模块封装服务 报告期内为主要收入和利润来源 [2] - 智能卡业务合作客户包括紫光国微 中电华大 复旦微 大唐微电子等芯片设计厂商 以及恒宝股份 楚天龙 东信和平 IDEMIA等智能卡制造商 产品应用于通讯 金融 交通 身份识别领域 [2] - 蚀刻引线框架和物联网eSIM芯片封测业务近年成为新增长点 报告期销售收入分别为11,064 88万元 9,782 61万元 15,693 63万元和11,500 48万元 占主营业务收入比重从20 81%提升至28 71% [3] 技术研发成果 - 已掌握卷式无掩膜激光直写曝光技术 卷式连续蚀刻技术 高精准选择性电镀技术等核心技术 并实现批量生产销售 [3] - 截至2024年6月30日拥有59项授权专利 其中发明专利32项 [4] 股权与控制权 - 虞仁荣直接持股31 41% 通过冯源绘芯间接持股0 53% 合计31 94% 为第一大股东及董事 [4] - 任志军直接持股16 21% 通过共青城志林堂间接持股3 10% 合计19 31% 为第二大股东及董事长 [4] - 虞仁荣同时为韦尔股份实际控制人 2022年以950亿元身价位列中国芯片行业富豪榜首位 [5]

市场表现 - 中证半导体材料设备主题指数上涨1.02%，成分股晶瑞电材上涨6.21%，有研新材上涨4.24%，华海诚科上涨4.01%，三佳科技、神工股份等个股跟涨 [1] - 半导体材料ETF（562590）上涨0.95%，冲击3连涨，盘中收复20日均线，最新价报1.06元 [1] - 沪指低开翻红，锂电池、光刻机等概念发力带动盘面人气 [1] 行业分析 - 本土扩产需求不减，国产替代空间可观，半导体设备及材料增长动力与半导体行业需求同频共振 [1] - 半导体材料设备行业精选40只深度覆盖半导体材料与设备领域的上市公司证券作为样本 [1] - 指数成分股汇聚国产替代龙头企业：北方华创、中微公司在刻蚀设备领域实现技术突破，沪硅产业、南大光电在硅片、电子化学品等关键材料环节打破海外垄断 [1] 产品信息 - 半导体材料ETF（562590）紧密跟踪中证半导体材料设备主题指数 [1] - 场外联接基金包括华夏中证半导体材料设备主题ETF发起式联接A（020356）和联接C（020357） [2]

市场表现 - A股小幅低开，锂电电解液、固态电池等概念领涨，半导体材料设备高开[1] - 中证半导体材料设备主题指数（931743）上涨0.75%[1] - 成分股晶瑞电材上涨5.51%，三佳科技上涨4.66%，华海诚科上涨3.88%，有研新材上涨3.39%，神工股份上涨2.75%[1] - 半导体材料ETF（562590）上涨0.67%，冲击3连涨，最新价报1.06元[1] 行业动态 - 2025世界半导体博览会将于2025年6月20日—22日在南京国际博览中心举办[1] - 博览会聚焦IC设计、晶圆制造、封装测试、半导体设备与材料、半导体应用等尖端技术及前沿产品[1] - 行业热点话题包括EDA、先进制程、算力芯片、半导体材料、供应链安全等[1] 行业分析 - 本轮半导体周期核心需求是AI，2023-2024年AI需求集中在云端，大模型迭代拉动算力基础设施需求[2] - GPU、HBM几乎一年迭代一个代际，配套的网卡、光模块、散热、铜缆/PCB等同步迭代[2] - AI进入端侧后，手机、电脑、可穿戴、工业、汽车等AI化升级[2] - 上游硬件率先受益：GPU/SoC、存储、PCB、制造代工、设备材料等[2] - 人工智能算力需求与美国关税政策下国产替代进程形成共振[2] - 中国半导体产业或迎来新一轮增长周期[2] 指数与ETF - 半导体材料ETF（562590）紧密跟踪中证半导体材料设备主题指数[2] - 指数精选40只业务深度覆盖半导体材料与半导体设备领域的上市公司证券[2] - 指数囊括科创板中半导体设备和半导体材料细分领域的硬科技公司[2] - 半导体设备和材料行业国产化率较低，国产替代天花板较高[2] - 行业受益于人工智能革命下的半导体需求扩张和科技重组并购浪潮[2] - 半导体材料ETF（562590）场外联接包括华夏中证半导体材料设备主题ETF发起式联接A（020356）和联接C（020357）[3]

光计算技术突破 - 中国科学院上海光学精密机械研究所研制出超高并行光计算集成芯片"流星一号"，首次在50GHz光学主频下验证并行度>100的片上光信息交互与计算 [1] - 该芯片采用孤子微梳源和MZI网络驱动的并行光计算架构，单芯片理论峰值算力>2560TOPS，功耗比>3.2TOPS/W [7] - 研究团队解决了高密度宽谱数据信号色散误差、信道串扰等问题，将多波长并行计算一致性提升至90%以上 [3] 光计算技术背景 - 光子计算利用光子作为信息载体，具有低功耗、超高速、高并行度等优势，是突破电子芯片物理极限的关键技术之一 [10] - 光计算技术路线包括基于空间光学和片上集成光学两种，其中MZI干涉结构路线成熟度最高且已实现量产 [17] - 光计算可解决AI算力需求每4-6个月翻倍与摩尔定律放缓的矛盾，是后摩尔时代的重要技术方向 [9] 国内外光计算企业 - 国内领先企业包括曦智科技（128x128光子矩阵）、光本位科技（MRR+PCM方案）、芯算科技（100 TOPS板卡）和光子芯力（全波计算） [22][23][24] - 国际企业包括Lightmatter（光子计算平台Envise）、Luminous Computing（112Gbps光子链路芯片）和Optalysys（光计算安全加密系统） [26][27] - 全球光计算产业处于发展初期，预计2027年市场规模将达到56亿美元 [31] 技术实现路径 - "流星一号"采用90nm CMOS兼容工艺在SOI平台制造，MZI结构由分束器和相移器组成，驱动功率保持在毫瓦级 [7] - 光电融合是当前主流方案，光芯片负责整数运算，电芯片处理浮点运算，可突破晶体管密度限制 [29][30] - 并行光计算架构通过结合频率和空间自由度实现矩阵-矩阵计算，为发展超级光子计算机开辟新途径 [4]

AI网络建设浪潮 - AI推理和训练需求共振推动AI网络建设浪潮再次启动 [1] - ASIC芯片成熟加速AI网络建设进程 [1] - 光模块、铜缆等互联部件更新升级趋势更加明朗 [1] 产业链投资机会 - AI投资到AI收入再到AI投资的良性循环已经形成 [1] - 光模块产业链迎来高景气 [1] - 铜缆/AEC（Active Electric Cable有源铜缆）方向布局领先的厂商值得关注 [1]

文章核心观点 - 光掩膜技术和解决方案全球领先企业Photronics获维信诺颁发的杰出贡献奖，体现其对客户卓越服务的承诺及在交付、质量和本地服务支持方面提供的经济价值和客户支持 [1][2] 公司信息 - 公司是全球领先的集成电路和平面显示光掩膜制造商，光掩膜是制造过程关键元素 [2] - 公司成立于1969年，作为值得信赖的光掩膜供应商已有超56年历史 [2] - 公司在亚洲、欧洲和北美设有11个战略性制造工厂 [2] - 公司官网为www.photronics.com [2] 联系方式 - 投资者关系副总裁Ted Moreau，电话469.395.8175，邮箱tmoreau@photronics.com [3]

半导体制造技术演进 - 领先的晶圆代工厂和IDM厂商正朝着2纳米（或同等）技术节点量产迈进，环栅（GAA）纳米片晶体管将发挥核心作用，作为FinFET技术的后继者，旨在缩小SRAM和逻辑标准单元尺寸 [1] - GAA纳米片器件垂直堆叠两个或多个纳米片状导电沟道，每个逻辑标准单元包含p型和n型堆叠，允许缩小单元高度或加宽沟道以换取更大驱动电流，栅极全方位包围通道增强控制 [1] GAA纳米片技术发展 - 在过渡到CFET技术前，GAA纳米片预计持续至少三代技术，CFET因nMOS-pMOS垂直堆叠复杂度高，量产需从A7节点开始，GAA需延伸至A10节点（单元高度90纳米） [2] - 缩小GAA纳米片标准单元尺寸极具挑战性，forksheet架构作为非破坏性技术可提供更大扩展潜力 [4] Forksheet技术优势 - 内壁forksheet通过介电壁隔离n/p栅极沟槽，实现更紧密间距，单元高度可缩至90nm，性能提升，但介电壁需薄至8-10nm且面临工艺对准和栅极控制问题 [5][8] - 外壁forksheet将介电壁置于单元边界（厚度15nm），采用wall-last集成法，简化工艺并支持Ω栅极结构，驱动电流提升25%，同时实现全沟道应变 [9][16][18][19] 性能与面积优化 - 外壁forksheet在A10节点实现90nm单元高度（较A14纳米片115nm缩小22%），SRAM位单元面积减少22%，环形振荡器频率保持与A14/2nm节点一致 [14][25] - 全沟道应力在外壁forksheet中可实现，避免纳米片/内壁架构33%的驱动电流损失，进一步提升性能 [25] 技术路线图展望 - imec路线图显示纳米片时代延伸至A10节点，外壁forksheet作为过渡方案，后续将转向A7及更高节点的CFET技术 [11][27] - 外壁forksheet兼容性研究进行中，探索其与CFET架构结合的PPA效益潜力 [27]

随着政策的助力，科创板发展态势引人注目，研发投入上，2022至2024年呈稳健增长态势，2024年研发 费用超1亿元的上市公司达315家，超10亿元的有28家。多名采访对象认为，"科创板八条"等政策推动科 创板市场生态持续优化，助力企业创新与市场蓬勃壮大。未来，科创板有望通过优化制度、加强企业沟 通、推动市场互联互通等举措，为资本市场支持科技创新发展提供更有力支撑。 积极鼓励企业再融资 科创板自诞生以来，便积极为各类创新企业提供便捷的融资渠道，在科创企业成长的较早阶段，这一渠 道如同源源不断的"活水"，为其注入了强大的资本动力。目前，科创板共计有588家上市公司，2022年 至2024年，营业收入分别达到13489.92亿元、14204.62亿元和14260.71亿元，持续走高。 2024年6月19日，证监会对外发布了"科创板八条"，其主要内容包括：强化科创板"硬科技"定位；开展 深化发行承销制度试点；优化科创板上市公司股债融资制度；更大力度支持并购重组；完善股权激励制 度；完善交易机制，防范市场风险；加强科创板上市公司全链条监管；积极营造良好市场生态。 为助力科创企业进一步突破资金"瓶颈"，科创板上市公司股 ...