SK海力士HBM技术规划 - 公司计划通过及时供应HBM4E等下一代产品保持HBM市场的技术领先地位 [1] - 将于2024年开始量产第六代HBM4 12层产品 并计划下半年全面量产 [1] - 已提前数月向主要客户提供全球首批HBM4 12层样品 [1] - 第七代HBM4E产品开发将加速以满足AI市场需求 [2] HBM业务进展 - HBM占公司DRAM销售比重快速提升 2023年Q4超40% 预计2024年将突破50% [2] - 2024年HBM产能已全部售罄 2025年上半年产能极可能提前售罄 [2] - 2025年出货产品将包括第五代HBM3E 12层和第六代HBM4 12层 [2] 业务战略与团队 - 将通过定制化HBM解决方案响应客户特殊需求 [1] - 强调团队精神和挑战精神是HBM市场成功的关键因素 [1] - HBM业务负责人崔俊勇为SK海力士最年轻高管 主导技术路线图与客户战略合作 [1]

碳化硅行业现状 - 碳化硅（SiC）在高压高温环境下性能超越传统硅材料，广泛应用于新能源汽车电驱系统、充电桩、工业自动化和AI服务器电源领域，被认为是未来十年最具潜力的材料革新方向 [2] - 随着市场需求放缓、资本开支压力上升以及中资企业迅猛追赶，美国SiC巨头安森美与Wolfspeed正陷入生存与转型的十字路口 [2] 安森美的困境与转型 - 2024年第四季度营收17.2亿美元，同比下降近15%，电源解决方案和模拟信号领域收入分别下降16%和18% [4] - 预计2025年第一季度营收将下降至13.5亿至14.5亿美元，低于市场预期的16.9亿美元，股价年内暴跌超过37% [4] - 面临中国和欧洲SiC厂商的激烈竞争，特别是在电动汽车销量疲软的情况下增长动能大减 [7] - 采取战略收缩和并购进攻策略：裁员9%以削减成本，预计产生5000万至6000万美元费用；以1.15亿美元收购Qorvo的SiC JFET业务；计划以69亿美元现金收购Allegro Microsystems [7][8] - 制造布局转向Fab-lite模式，整合9座工厂、关闭低效产能、购入纽约DeWitt工厂，实现"有选择性的垂直整合" [8] Wolfspeed的生存危机 - 2024年全年营收不到9亿美元，净亏损超过6亿美元，净债务超过50亿美元，市值不足10亿美元 [10] - 2024年11月罢免CEO Gregg Lowe，2025年3月底任命Robert Feurle为新任CEO [13] - 大幅削减2026年资本支出预期，从12亿美元降至3亿美元，叫停德国30亿美元工厂项目 [13] - 与Apollo签署利率近10%的20亿美元融资安排，2025年1月以每股7美元发行2800万股，筹集2亿美元但导致股本稀释超过22% [18] - 最新股价跌至2.7美元，暴跌逾52%，创27年最低点 [18] 美国SiC行业的结构性挑战 - 安森美和Wolfspeed在2021-2023年高涨期进行激进投资，但2024年电动汽车需求下滑导致资本规划严重错配 [16] - 中国厂商如天科合达、斯达半导、比亚迪半导正快速赶上技术差距并以成本优势进行价格压制 [16] - 《芯片法案》政策不确定性高，拨款效率低，配套设施分布松散，商务部芯片计划办公室约80%员工被解雇或辞职 [17] - 两家公司在晶圆材料上仍依赖日欧设备与材料，缺乏"自主安全"完整保障 [17]

HBM技术发展趋势 - SK海力士强调下一代HBM商业化需多领域技术进步，尤其电源效率需与代工企业紧密合作[1] - HBM4的I/O数量相比HBM3E翻倍至2048个，客户需求最高达4000个I/O[3] - 功耗优化依赖逻辑工艺，HBM4开始逻辑芯片将由代工厂生产[3] - 容量扩展通过DRAM堆叠实现，当前12层将增至16层和20层[3] - 堆叠技术面临间距缩小挑战，16层堆叠需将DRAM间距减半[4] - 混合键合技术可减小芯片厚度并提升功率效率，但商业化存在技术难度[4][5] 三星HBM战略 - 已成功开发16层堆叠HBM3样品，计划用于HBM4量产[6] - 混合键合技术可提高信号传输速率30%，更适合AI计算需求[8] - 推行双重键合战略，同步开发混合键合和传统TC-NCF工艺[8] - HBM4模块高度限制增至775微米，TC-NCF工艺目标缩小晶圆间隙至7微米以内[10] - 计划采用4nm代工工艺量产逻辑芯片，核心芯片使用10nm第六代(1c)DRAM[16] 美光HBM布局 - HBM4按计划开发中，预计2026年量产，HBM4E同步推进[12] - HBM4采用1β DRAM技术，16层堆栈单芯片32GB容量，峰值带宽1.64TB/s[12] - HBM3E 12-Hi堆栈功耗比竞品8-Hi版本低20%，内存容量高50%[13] - HBM4E与台积电合作开发，提供定制基片增强数据传输速度[12][14] 行业竞争格局 - 韩国双雄均转向代工工艺，SK海力士拟采用台积电3nm工艺替代原5nm方案[16][17] - HBM4性能提升显著，SK海力士48GB堆栈速度8Gbps，三星目标9.2Gbps[19] - 美光称HBM4性能比HBM3E提升50%以上[19] - 下一代HBM4e瞄准更高密度，三星规划单层32Gb容量，SK海力士探索20层以上堆栈[20] - NVIDIA Rubin Ultra将采用16个HBM4e堆栈，单GPU内存达1TB[20] 技术演进方向 - HBM4成为下一代标准，在密度和带宽实现重大突破[19] - 混合键合技术可提升功率效率30%，但面临成熟度和成本挑战[8][5] - 三巨头均聚焦16层堆叠方案，12层36GB堆栈或成2026年主流[19] - 行业积极推动密度和带宽路线图，以支撑AI工作负载需求[22]

国家大基金减持中芯国际 - 国家大基金一期通过鑫芯香港减持中芯国际H股 持股比例从7 05%降至6 91% 为近四年首次减持 [2] - 大基金一期2015年通过鑫芯香港认购中芯国际47亿股 上市前持股15 76% 目前仅持有中芯国际和华虹半导体两家公司股份 [5] - 此次减持被部分市场人士解读为大基金一期正常资金回笼操作 可能将资金转向更具潜力的半导体细分领域或新兴企业 [6] 中芯国际股权及市场影响 - 鑫芯香港为国家大基金全资孙公司 持有中芯国际流通H股 2021年二季度后持股数量未变动 直至2024年一季度减持 [5] - 中芯国际作为国内半导体制造核心企业 面临国际技术封锁 设备原材料供应不确定性等挑战 市场关注减持对资金状况和研发进度的影响 [6] - 公司在先进制程研发和产能扩充方面取得显著进展 但全球半导体竞争加剧背景下 减持行为引发部分投资者对市场信心的担忧 [6] 大基金一期投资动态 - 大基金一期已进入回收期 近年来持续减持多家被投企业 此次中芯国际减持符合其阶段性退出策略 [6] - 减持后仍保留中芯国际和华虹半导体持股 显示对半导体制造环节的持续关注 [5]

英特尔18A工艺节点进展 - 公司宣布18A工艺节点已进入风险生产阶段 标志着该节点处于小批量测试生产运行的早期阶段 [1] - 风险生产是行业标准术语 表明技术已发展到可冻结程度 客户确认18A满足其产品需求 [2] - 该节点是公司"四年五个节点"计划的关键部分 旨在从台积电手中夺回半导体领先地位 [1] 风险生产细节 - 风险生产阶段需将日产量从数百单位逐步提升至数十万单位 以验证规模化生产能力 [2] - 该阶段已生产大量18A测试芯片/测试板 在单个晶圆上对多种设计进行原型设计 [2] - 客户通过风险生产可获得上市时间优势 但需承担产量和功能参数可能低于标准HVM节点的风险 [3] 技术特性与产品应用 - 18A节点将首次同时采用PowerVia背面供电和RibbonFET栅极环绕晶体管技术 提升性能与密度 [4] - 首款18A处理器Panther Lake预计2024年下半年投入量产 可能成为风险生产的主要对象 [3] - 后续14A节点将首次采用高NA EUV光刻技术 扩展代工服务产品组合 [4] 生产布局与行业影响 - 首批18A晶圆在亚利桑那州工厂生产 但俄亥俄州工厂建设已推迟至2030年 [4] - 18A节点进展标志着公司在半导体制造工艺竞赛中取得关键突破 [1][4] - 新节点技术将增强公司在高性能计算和先进制程领域的竞争力 [4]

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容来自自由财经，谢谢。 台积电在先进制程独霸全球，昔日半导体霸主英特尔却面临营运艰困挑战。台积电前研发大将蒋尚 义有感而发，他在台积电掌技术研发时，努力的目标就是打败英特尔，很遗憾退休前没有达成， 「我退休后，台积电同事帮我做到了！」他感到高兴、与有荣焉，也透露台积电与英特尔胜败的关 键。 蒋尚义说，2006年他首度从台积电退休，2009年再度被创办人张忠谋找回去，进行研发先进封装包 括CoWos、Transistor Leadership两专案，前者在他退休前开发出来，后者的技术在他退休后，台 积电才迎头赶上并超越英特尔。 遗憾退休前没达成「应该晚一点退休」 他指出，英特尔一直是半导体业技术领先者，「在我职业生涯中，曾非常努力想打败英特尔的霸主 地位，很遗憾退休前没有达成」，「退休以后，我的同事帮我做到了！」他开玩笑说：「当初应该 晚一点退休。」 END 半导体精品公众号推荐 ▲点击上方名片即可关注 专注半导体领域更多原创内容 ▲点击上方名片即可关注 关注全球半导体产业动向与趋势 *免责声明：本文由作者原创。文章内容系作者个人观点，半导体行业观察转载仅为了传 ...

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容 编译自 electronicsweekl ，谢谢。 Semiconductor Intelligence 称，2024 年半导体行业资本支出为 1550 亿美元，较 2023 年的 1680 亿美元下降 5%。对于 2025 年，SI 预测将增长 3%，达到 1600 亿美元。 2025 年的增长主要由两家公司推动。台积电计划将资本支出同比增长 34%，至 380 亿美元至 420 亿美元之间，而美光计划在截至 8 月的 2025 财年将资本支出同比增长 73%，至 140 亿美元。 除去这两家公司，2025 年半导体总资本支出将比 2024 年减少 120 亿美元，即 10%。 资本支出最大的三家公司中有两家计划在 2025 年大幅削减开支，其中英特尔削减 20%，三星削减 11%。 | Semiconductor Capital Expenditures, US$ Billion | | | | | | | --- | --- | --- | --- | --- | --- | | | | | | Change | | | | 2023 | 2024 ...

全球半导体供应链本土化趋势 - 美国已宣布对半导体制造产能的投资将超过4500亿美元，旨在建立自给自足的供应链 [1] - 到2030年，美国半导体市场规模预计从2024年的680亿美元增长至1400亿美元，相关化学品需求将从40亿美元增至130亿美元 [3] - 美国当前60%的半导体材料依赖进口，若按现有投资轨迹，2030年将面临重大供应缺口 [1][10] 半导体化学品供应的重要性与挑战 - 半导体制造需100多种高纯度化学品，部分材料纯度需达万亿分之一（如六氟化钨气体纯度超99.9999%） [8] - 关键材料如超高纯度氢氟酸几乎全部依赖亚洲进口，供应链集中化威胁生产弹性 [8] - 原材料成本仅占半导体工厂总成本的5%以下，但供应稳定性对投资回报至关重要 [8] 美国半导体材料供应缺口分类 - **类型1**：技术门槛高但原材料易获取，如化学机械抛光垫 [18] - **类型2**：经济性差但必需，如大宗气体（氮气、氦气等），需就近建厂以降低运输成本 [19][20] - **类型3**：成本劣势显著，如高纯氢氟酸，中国占据全球70%无水氢氟酸生产导致美国本土生产不经济 [21] - **类型4**：受环保法规限制，如氟碳化合物，替代技术尚不成熟 [22] - **类型5**：原材料获取困难，如钽溅射靶（60%钽矿石产自刚果和卢旺达）和六氟化钨（90%钨产自中俄） [23] - **类型6**：关键技术受限，如铈基CMP浆料，中国掌握分离净化技术 [24] - **类型7**：海外运营成本更低，如光刻抗反射涂层 [25] 投资与政策支持 - 美国通过补助金（325亿美元）、税收抵免和贷款（288亿美元）刺激私人投资，28个州已启动17个项目 [7] - 需90亿美元一次性资本支出弥补材料缺口，其中50亿美元可能由企业承担，剩余40亿美元需外部资金 [13] - 每年还需10亿美元运营支出以抵消美国较高成本 [13] 终端应用市场 - 半导体广泛应用于汽车电子（ADAS、电池管理）、计算（CPU、GPU）、消费电子（智能家居）、工业（机器人、医疗设备）及通信（5G基站、光纤）等领域 [6] 未来行动建议 - 企业需签订贸易协议、开发替代原材料来源，并降低本土生产成本差距 [27] - 晶圆厂应建立多元化供应商网络，技术所有者可通过合资合作获取关键知识产权 [27]

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容编译自 udn ，谢谢。 台积电研发六骑士之一的清华大学半导体研究学院院长林本坚今天表示，台积电有很多客户，是互 助团体，三星没有那么多客户，英特尔更没有，别人永远追不上台积电。 曾是台积电研究发展副总经理林本坚与鸿海集团半导体策略长、前台积电共同营运长蒋尚义，都名 列台积电研发六骑士，今天更是一同出席施惠「半导体科技一点都不难：有趣实验带你认识生活中 的半导体」新书发表会。 蒋尚义回顾台积电过去与联电竞争情况时表示，台积电能够赢，主要是联电犯错，联电当时与IBM 合作失败，台积电则坚持自主研发。 蒋尚义说，他过去很努力希望能够带领台积电打败英特尔，当时很遗憾未能达成目标，现在台积电 能够打败英特尔，感到很意外，也很高兴。 蒋尚义表示，英特尔过去是半导体业领导厂商，愿意冒险，不过，在10奈米遇到很多问题。三星 （Samsung）也有些问题，台积电则是几乎没有犯什么错，一路稳健发展。 蒋尚义说，英特尔以前主要追求技术领先，不能断供，台积电则是一直寻求怎么省钱，因此当英特 尔 技 术 不 再 领 先 ， 也 无 法 与 台 积 电 在 价 格 上 竞 争 ， 发 ...

国芯网[原:中国半导体论坛] 振兴国产半导体产业！ 不拘中国、 放眼世界 ！ 关注 世界半导体论坛 ↓ ↓ ↓ 3月27日消息，美光公司向渠道和合作伙伴发函，确认了该企业将调涨 DRAM 内存与 NAND 闪存产品价格， 此次涨价幅度将在 10%~15%！ 美光表示其定价一贯不仅基于产品可带来的价值，也将大规模投资所需的可持续回报率考虑 在内。美光在开发和维护领先 DRAM、NAND 产品组合，建设可满足市场需求的产能中消耗 了大量资金。 ***************END*************** 半导体公众号推荐 半导体论坛百万微信群 加群步骤： 第一步：扫描下方二维码，关注国芯网微信公众号。 第二步：在公众号里面回复"加群"，按照提示操作即可。 爆料｜投稿｜合作｜社群 文章内容整理自网络，如有侵权请联系沟通 投稿 或 商务合作 请 联系 iccountry 有偿新闻爆料 请添加 微信 iccountry 函件表示，最近的市场动态显示内存和存储市场已开始走入复苏轨道， 美光各个部门收到的 计划外需求都在增加，这导致了供应紧张，美光因此涨价 。 ...