中证新材料主题指数表现 - 5月15日中证新材料主题指数下跌1.58%报2886.44点 成交额210.47亿元 [1] - 近一个月上涨3.35% 近三个月下跌2.25% 年至今下跌1.24% [1] - 指数基日为2008年12月31日 基点1000.0点 [1] 指数构成与权重 - 选取50只涉及先进钢铁/有色金属/化工/无机非金属等新材料领域的上市公司证券 [1] - 前十大权重股合计占比52.98% 宁德时代(10.61%)/北方华创(9.86%)/万华化学(7.81%)位列前三 [1] - 行业分布:工业(43.54%)/原材料(33.04%)/信息技术(23.42%) [2] 市场板块分布 - 深交所占比54.72% 上交所占比44.74% 北交所占比0.54% [1] 指数维护规则 - 样本每半年调整一次(6月和12月第二个星期五的下个交易日) [2] - 权重因子随样本调整而调整 特殊情况会临时调整 [2] - 样本退市时从指数中剔除 并购分拆等情形按细则处理 [2] 相关公募基金 - 跟踪基金包括天弘中证新材料C/华夏中证新材料主题ETF等10只产品 [2]

会议概况 - 会议汇聚三菱电机、意法半导体、Wolfspeed、三安半导体、天科合达等20余家行业头部企业及香港大学等机构，展示最新技术并探讨产业机遇[1] - 会议设两场专题论坛及全天展览，聚焦碳化硅(SiC)技术在电动交通、数字能源等领域的应用[5][6] - 现场将联合天岳先进、天科合达等18家企业启动《2025碳化硅衬底与外延产业调研白皮书》及《2025碳化硅器件与模块产业调研白皮书》调研项目[5] 参会企业及技术亮点 - **三菱电机**：将分享面向电动交通和数字能源的SiC功率半导体解决方案，其中国区技术总监宋高升参与圆桌论坛[6][11] - **天科合达**：CTO刘春俊将发表《第三代半导体SiC单晶衬底研究和产业进展》演讲，并参与圆桌讨论[6] - **大族半导体**：产品线总经理巫礼杰将展示激光剥离技术在8/12英寸SiC衬底制备中的最新成果[6] - **三安半导体**：应用技术总监姚晨将探讨顶部散热封装技术在功率半导体中的应用[6] - **中电国基南方**：应用主管倪朝辉将分析SiC MOSFET技术应用现状与研究进展[6] - **展览专区**：三菱电机、国基南方、芯长征等7家企业将展示最新产品技术，合盛新材料等2家参与资料赞助[8][9] 会议议程 - **上午场**： - 13:40-14:45 聚焦SiC衬底技术，涵盖产业趋势、单晶衬底研究及激光剥离技术突破[6] - 14:45-15:10 三菱电机提出电动交通与数字能源的SiC解决方案[6] - **下午场**： - 15:40-16:55 探讨顶部散热封装、SiC MOSFET技术及全球电动交通应用进展[6] - 16:55-17:30 圆桌论坛讨论2025年SiC产业趋势，参与方包括长飞先进副总裁、昕感科技副总经理等6位行业专家[6] 配套活动 - 全天展览区展示第三代半导体全产业链技术，包括衬底、外延、器件等环节[7] - 茶歇期间设置展区参观及抽奖仪式（红包雨）[6]

员工持股计划情况 - 第三期员工持股计划总金额不超过16亿元，持有公司股票76,017,479股，占公司总股本的1.52% [1] - 第三期员工持股计划存续期延长至2025年11月10日，延期后不再设定锁定期，管理委员会可择机出售股票 [3] - 第四期员工持股计划总金额不超过16亿元，持有公司股票46,040,615股，占公司总股本的0.92% [4][5] - 第四期员工持股计划存续期延长至2025年12月20日，延期后不再设定锁定期，管理委员会可择机出售股票 [5] 控股股东股份质押及解除质押情况 - 三安集团持有公司股份256,633,542股，占总股本的5.14%，本次解除质押68,000,000股，累计质押股份占比49.95% [9] - 三安电子持有公司股份1,213,823,341股，占总股本的24.33%，本次解除质押85,000,000股，累计质押股份占比49.90% [9] - 三安集团与三安电子合计持有公司股份1,470,456,883股，占总股本的29.47%，累计质押股份占比49.91% [9] - 解除质押的股份已办理再质押，未来变动将及时披露 [11]

会议概述 - 5月15日将在上海举办"电动交通&数字能源SiC技术应用及供应链升级大会"，聚焦8英寸SiC量产技术及车规级芯片与模块制造难题，探讨技术降本与未来机遇 [2] - 会议吸引近20家SiC企业参与，包括三菱电机、意法半导体、Wolfspeed等国际厂商及三安半导体、天科合达等国内企业 [13] - 活动包含主题演讲、圆桌论坛、产品展示及白皮书调研启动仪式，覆盖衬底-器件-系统全产业链 [26][28] 技术焦点 - **8英寸SiC量产**：天科合达将分享8英寸导电型SiC衬底产业化进展及外延工艺突破，大族半导体展示激光剥离技术助力大尺寸衬底高效量产 [15][25] - **器件模块创新**：三菱电机展示高压快充与电驱系统解决方案，意法半导体解析8英寸晶圆技术及重庆工厂本土化布局 [13][23][24] - **封装技术**：三安半导体探讨顶部散热封装对高密度电力系统的革新，香港大学提出铜基烧结技术破解高压平台封装瓶颈 [23][24] 应用场景 - **数字能源**：Wolfspeed展示第四代SiC MOSFET在工业自动化与航空航天的应用，元山电子揭秘超低杂感模块技术推动光伏逆变升级 [23] - **电动交通**：中电国基南方分享SiC MOSFET应用案例，宏微科技等企业讨论车规模块降本路径与光储充场景渗透率 [24][28] 产业链协同 - 圆桌论坛聚集三菱电机、士兰微等企业，讨论新能源市场应用现状与2025年全球趋势 [18] - 展示区呈现瀚天天成、芯长征等企业最新技术，覆盖衬底、外延、器件全环节 [20][26] - 启动《2025碳化硅衬底与外延产业调研白皮书》及《2025碳化硅器件与模块产业调研白皮书》，联合天科合达、三安半导体等构建产业共识 [28] 企业动态 - 意法半导体重点解析重庆晶圆厂布局，加速车规器件普惠化 [23] - 天科合达与同光半导体等展示材料端降本路径，优化量产效率 [15] - 国瓷功能材料、季华恒一等企业参与全产业链精品展示 [27]

股权结构 - 三安集团持股256,633,542股，占总股本5.14%[1] - 三安电子持股1,213,823,341股，占总股本24.33%[1] - 二者合计持股1,470,456,883股，占总股本29.47%[1] 质押情况 - 二者累计质押733,950,000股，占所持股份49.91%[1] - 2025年5月9日合计质押156,000,000股，占3.13%[4] - 截至披露日，三安电子剩余质押占总股本10.38%[3]

员工持股计划金额 - 第三期和第四期员工持股计划总金额均不超过16.00亿元[1][4] 员工持股计划持股情况 - 截至2020年11月11日，第三期持公司股票76,017,479股，占总股本1.52%[1] - 截至2021年12月21日，第四期买入公司股票46,040,615股，占总股本0.92%[4] 员工持股计划存续期 - 第三期原存续期至2023年11月10日，延至2025年11月10日[2][3] - 第四期原存续期至2024年12月20日，延至2025年12月20日[4][5] 员工持股计划其他规定 - 延期后均不再设锁定期[3][5] - 存续期内管理委员会可择机售股，全售可提前终止[3][5] - 存续期届满前，经相关同意和审议可延长[3][6]

市场表现 - 受益于关税谈判进展 A股出海方向情绪回暖 光模块 消费电子 电子元器件 通信设备等板块活跃 [3] - 中证5G通信主题指数上涨2.68% 成分股剑桥科技涨6.59% 联特科技涨6.21% 立讯精密涨5.86% 东山精密 普天科技跟涨 [3] - 5G通信ETF上涨2.60% 最新价1.06元 成交1.46亿元 近1周累计上涨4.33% 近2周规模增长2.43亿元 新增规模位居可比基金第一 [3] 行业动态 - 中美经贸高层会谈在瑞士日内瓦举行 贸易谈判若缓和 A-PCB 苹果产业链及出口美国占比较大的细分行业有望迎来估值修复 [3] - 5G通信ETF深度绑定AI算力刚需环节及消费电子终端硬件龙头 跟踪中证5G通信主题指数 聚焦光模块 设备商等算力硬件核心标的 [4] 估值水平 - 中证5G通信主题指数最新市盈率25.65倍 处于近1年13.08%分位 估值低于近1年86.92%以上的时间 处于历史低位 [4] 基金表现 - 5G通信ETF近3年净值上涨28.59% 指数股票型基金排名233/1747 居于前13.34% [5] - 自成立以来最高单月回报24.50% 最长连涨月数4个月 最长连涨涨幅23.37% 涨跌月数比34/33 上涨月份平均收益率6.98% 年盈利百分比80.00% [5] - 成立以来超越基准年化收益1.14% 今年以来相对基准回撤0.15% 在可比基金中回撤最小 [5] - 管理费率0.50% 托管费率0.10% 费率在可比基金中最低 近半年跟踪误差0.018% 跟踪精度最高 [5] 指数成分 - 中证5G通信主题指数前十大权重股为立讯精密 中兴通讯 兆易创新 中际旭创 工业富联 新易盛 紫光股份 中航光电 歌尔股份 三安光电 合计占比51.99% [6] - 立讯精密权重10.08% 涨5.86% 中兴通讯权重7.09% 涨1.91% 中际旭创权重5.69% 涨2.22% 工业富联权重5.07% 涨2.94% 兆易创新权重4.99% 涨0.62% [8] - 新易盛权重4.47% 涨3.56% 歌尔股份权重4.09% 涨5.52% 紫光股份权重4.03% 涨1.63% 中航光电权重3.35% 涨3.16% 东山精密权重2.87% 涨5.69% [8]

行业技术趋势与展会动态 - PCIM Europe 2025展会在德国顺利举办，汇聚了英飞凌、博世、Wolfspeed、罗姆半导体等SiC行业领军企业[1] - “行家说三代半”将于5月15日在上海举办“电动交通&数字能源SiC技术应用及供应链升级大会”，三菱电机、意法半导体、Wolfspeed、三安半导体等企业将公布最新成果[1] 英飞凌技术创新 - 推出全新CoolSiC™ JFET系列，拥有极低的导通损耗，其第一代产品R DS(ON)最低值为1.5mΩ（750V）/2.3mΩ（1200V）[3] - 展示基于沟槽的SiC超结技术概念，可将导通电阻提高高达40%，使主逆变器电流容量提高高达25%[4] - 推出CoolSiC MOSFET 750V G2技术，R DS(on)值为4和7 mΩ，有助于降低硬开关和软开关拓扑中的开关损耗[5] - CoolSiC 750V G2技术符合汽车级AECQ101标准和工业级JEDEC标准，表现出优异的开关性能和可靠性[6] 意法半导体与博世产品进展 - 意法半导体展示了碳化硅分立器件及ACEPACK系列功率模块，其模块实现了极低的单位面积导通电阻和卓越的开关性能[7][9] - 博世带来750V&1200V SiC沟槽MOSFET等产品，其牵引逆变器冷却器上的SiC功率模块在400V时电流高达800 ARMS，在800V时电流高达700 ARMS[10][11] Wolfspeed与罗姆半导体技术展示 - Wolfspeed展示了第四代碳化硅技术平台及与NXP合作的800V电动汽车牵引逆变器，该逆变器采用YM3 Six-Pack电源模块，最高规格达1200V/650A[12][14] - 罗姆半导体重点展示与合作伙伴的参考项目，包括采用TRCDRIVE pack™的逆变器单元和适用于OBC的全新EcoSiC™模压功率模块[15][16] 三菱电机与芯联集成产品突破 - 三菱电机推出“全SiC SLIMDIP”和“混合SiC SLIMDIP”两款新品，与现有Si产品相比，“全SiC”可将功率损耗降低约79%，“混合SiC”可降低约47%[18][20] - 芯联集成成为亚洲SiC MOSFET出货量居前的制造基地，已实现平面型SiC MOSFET产品两年迭代3代，且8英寸SiC MOSFET已实现工程批下线，预计2025年下半年量产[21][23] 三安半导体与芯聚能业务进展 - 三安半导体8英寸车规级N型SiC衬底已完成研发并实现量产，已实现小批量出货；其SiC MOSFET推出第二代产品，Ronsp更低，效率更高[24] - 三安半导体SiC芯片/器件已累计出货超3亿颗，服务于全球超800家客户[26] - 芯聚能半导体V5系列模块已定点6家车厂10个项目，涵盖400V-1000V整车平台，年内出货将超1万个，预计各车型量产后全年订货量将超V2系列[27][29] 基本半导体与士兰微电子新品发布 - 基本半导体发布新一代碳化硅MOSFET系列新品，包括面向电动汽车主驱的1200V/13.5mΩ、750V/10.5mΩ系列，以及面向光伏储能的1200V/40mΩ系列[30][32] - 士兰微电子针对汽车领域推出B3G SiC模块，典型R DS(on)值为1.7mΩ @25℃，V DSS达1200V，具有高电流密度和高阻断电压等级[34][36] 威世科技与瞻芯电子解决方案 - 威世科技展示的参考设计中，其元器件占BOM的70%以上，包括22 kW双向800V至800V功率转换器等方案[37] - 瞻芯电子展示650V~3300V各种封装的SiC MOSFET和SiC SBD产品，以及20 KW三相PFC电路、11 KW三相EV空调压缩机逆变器等应用案例[38][40] 中车时代与扬杰科技合作与产品 - 中车时代半导体发布应用沟槽栅技术的SiC MOSFET晶圆（1200V/10mΩ），并与罗杰斯公司签署功率模块领域的战略合作协议[41][43] - 扬杰科技展示自主研发的IGBT、SiC、Mosfet及功率模块新品，可应用于新能源汽车主驱逆变器、充电桩DC/DC转换器、OBC等关键部件[44][46] 飞锃半导体与利普思半导体模块技术 - 飞锃半导体推出1200V/2mΩ SiC MOSFET DCM模块及1200V/7mΩ TPAK器件，其X2PAK顶部散热封装与SMPD半桥封装已通过客户验证[47][49][52] - 利普思半导体HPD SiC 1200V 400A-800A模块系列已批量应用于新能源乘用车800V高压平台电机控制器和商用车650A大功率电驱系统[53][55] 派恩杰与安世半导体技术规划 - 派恩杰半导体主营碳化硅MOSFET、SBD等产品，其碳化硅MOSFET与SBD产品均通过AEC-Q101车规级测试认证[56][58] - 安世半导体推出汽车级1200V碳化硅MOSFET，导通电阻分别为30、40和60mΩ，在25°C至175°C工作温度范围内RDS(on)标称值仅增加38%[60][62] - 安世半导体计划于2025年推出符合汽车标准的17mΩ和80mΩ SiC MOSFET版本[63] 瑞能半导体与悉智科技封装创新 - 瑞能半导体采用TSPAK封装的碳化硅MOSFET，其顶部冷却技术可将结至环境热阻降低高达16%，TSPAK MOSFET额定电压范围为650V至1700V[64][66] - 悉智科技SiC APM2主驱功率模块系统回路电感<15nH，模块回路电感<7nH，采用Rohm第四代SiC芯片，已量产交付国内某高端品牌超过6万颗模块[67][69] 材料与模块技术前沿 - 浙江晶瑞展示8英寸导电型碳化硅衬底，其微管密度<0.05ea/cm²，位错密度TSD<10ea/cm²，BPD<300ea/cm²[70][72] - Power Integrations发布适用于1700V InnoSwitch3-AQ反激式DC-DC转换器IC的五款800V汽车电源参考设计，可提供高达120W的功率[73][75] - Vincotech的SiC模块产品组合涵盖650V至2.xkV电压范围，针对1500 Vdc应用优化，可实现150V/ns以上的高dv/dt转换率[76][78] - Diamond Foundry推出世界上首个利用单晶金刚石作为热管理基板的SiC模块，电压等级1200V，典型导通电阻2.67mΩ，最高工作温度达200°C[89]

证券代码：600703 证券简称：三安光电 公告编号：临 2025-029 三安光电股份有限公司 关于召开 2024 年年度股东大会的提示公告 本次股东大会采用的网络投票系统：上海证券交易所股东大会网络投票系 统 三安光电股份有限公司（以下简称"公司"）于2025年4月26日在《上海证券 报》《中国证券报》《证券时报》和上海证券交易所网站披露了公司《关于召开2024 年年度股东大会的通知》。为进一步保护投资者的合法权益，现就召开本次股东大 会有关事项提示如下： 本公司董事会及全体董事保证本公告内容不存在任何虚假记载、误导性陈述或者重大 遗漏，并对其内容的真实性、准确性和完整性承担法律责任。 重要内容提示： 股东大会召开日期：2025年5月16日 (四) 现场会议召开的日期、时间和地点 召开的日期时间：2025 年 5 月 16 日 14 点 30 分 召开地点：厦门市思明区吕岭路 1721-1725 号公司一楼会议室 一、 召开会议的基本情况 (一) 股东大会类型和届次：2024 年年度股东大会 (二) 股东大会召集人：董事会 (三) 投票方式：本次股东大会所采用的表决方式是现场投票和网络投票相结 合的方式 ...

大会信息 - 5月15日将在上海召开"电动交通&数字能源SiC技术应用及供应链升级大会" [1][2] - 大会聚焦碳化硅技术产业化进程中的核心挑战与创新突破 [2] - 设置"数字能源SiC技术应用研讨会"与"电动交通SiC技术应用研讨会"两大主题 [2] - 开设碳化硅与数字能源解决方案专题展区 [2] - 会议名额有限 先到先得 [3] 参会企业 - 三安半导体已确认出席 其应用技术总监姚晨将作主题报告 [1][2] - 其他参会企业包括三菱电机、意法半导体、Wolfspeed等18家行业领军企业及机构 [1][2] 三安半导体技术 - 将分享《顶部散热封装在功率半导体中的应用》主题报告 [1] - 重点解析通过SiC材料开发的顶部散热封装(SAPKG-9L)技术 [2] - 该技术解决传统功率器件在汽车OBC及DC/DC等场景中的散热瓶颈 [2] - SAPKG-9L系列产品覆盖650V/750V/1200V电压平台 [2] - 碳化硅SBD与MOSFET器件已在车载电源、数字能源等领域形成规模化应用 [2] 行业动态 - 长城联手英诺赛科推进GaN技术创新 [4] - 3家SiC企业正在推进8英寸量产进程 [4] - 12英寸SiC加速发展 今年已有13家企业加快布局 [4]