海思进军碳化硅功率器件领域 - 华为旗下海思技术有限公司正式推出两款1200V工规SiC单管产品ASO1K2H035M1T4和ASO1K2H020M1T4，面向工业高温高压场景 [1] - 两款产品采用TO-247-4封装，具备优良导通和快速开关特性，最高结温均为175°C [3] - ASO1K2H035M1T4在25°C时导通电阻35mΩ，175°C时57mΩ - ASO1K2H020M1T4在25°C时导通电阻20mΩ，175°C时30mΩ 华为碳化硅产业链布局 - 自2019年通过哈勃科技投资全面布局碳化硅产业链 [3] - 衬底环节投资山东天岳先进(持股10%)和天科合达 [4] - 2024年天科合达全球导电型SiC衬底市场份额17.3%排名第二 - 天岳先进市场份额17.1%排名第三 - 天岳先进2025Q1营收4.1亿元，研发投入4494万元(占营收11.02%) - 外延片环节投资东莞天域半导体 [5] - 2025年前5个月营收2.57亿元，净利润951.5万元 - 2024年营收5.20亿元，净亏损5.00亿元 - 2023年营收11.71亿元，净利润9588.2万元 - 器件设计与制造环节投资东微半导体、瀚薪科技 [6] - 电力电子解决方案环节投资英飞源、杰华特微电子、易冲半导体 [6] 碳化硅技术应用成果 - 在DriveONE电驱平台中采用碳化硅器件，MCU效率突破99.5%行业上限 [7] - 截至2024年底高压碳化硅动力总成累计发货量超130万套 [8]

瑞萨电子SiC功率半导体战略调整 - 公司已放弃原定2025年初在日本群马县高崎工厂投产SiC功率半导体的计划[1] - 此前计划在该工厂实现SiC功率器件量产，但具体投资金额和生产规模未确定[1] - 公司此前与Wolfspeed签订10年供应协议，支付20亿美元定金确保碳化硅裸片和外延片供应[1] Wolfspeed合作细节 - 协议要求Wolfspeed自2025年起供应150mm碳化硅裸晶圆和外延片，后续将升级至200mm晶圆[2] - 200mm晶圆面积比150mm大1.7倍，可生产更多芯片从而降低成本[2] - 合作将支持Wolfspeed在北卡罗来纳州的JP制造中心建设，该中心计划生产200mm晶圆[2] 行业转型与市场前景 - 公司表示合作将为其提供稳定的高品质碳化硅晶圆供应基础，助力功率半导体业务扩张[2] - Wolfspeed指出碳化硅在汽车/工业/能源领域需求攀升，合作将推动硅向碳化硅的全球转型[2] - Wolfspeed拥有35年碳化硅制造经验，新工厂投资达数亿美元以扩大产能[2] 战略调整背景 - 近期Wolfspeed传出破产消息，可能影响公司SiC业务推进[3] - 日经新闻报道显示公司SiC生产计划已实质性终止[3]

公司上市申请 - 深圳基本半导体股份有限公司于5月27日向港交所递交上市申请 中信证券、国金证券（香港）有限公司、中银国际为联席保荐人 [1] - 公司成立于2016年 专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化 总部位于深圳 在北京、上海、无锡、香港及日本名古屋设有研发中心和制造基地 [1] 财务表现 - 2022-2024年收入分别为1.17亿元、2.21亿元、2.99亿元 年复合增长率为59.9% [2] - 同期亏损分别为2.42亿元、3.42亿元、2.37亿元 累计亏损8.21亿元 [2] - 2022-2023年毛利率为-48.5%和-59.6% 销售成本占收入比例从148.5%升至159.6% [3] - 研发开支占总收入比例从2022年50.8%降至2024年30.5% 但绝对值从5940万元增至9110万元 [7] 销售渠道 - 分销渠道收入占比约30% 2022-2024年分销收入分别为4180万元、6860万元、7580万元 [3][4] - 分销商数量从2022年169家降至2024年141家 呈下滑趋势 [4] - 前五大客户收入占比从2022年32.2%升至2024年63.1% 客户集中度显著提高 [5] 现金流与研发 - 经营活动现金净流出从2022年3.07亿元收窄至2024年2406.8万元 [6] - 2024年末现金及等价物为4537.1万元 [6] - 截至2024年底拥有163项专利 已提交122项专利申请 [7] 股权结构 - 控股股东为汪之涵、深圳青铜剑科技及雇员激励平台 汪之涵为创始人 拥有剑桥大学电力电子博士学位 [6] - 核心研发团队成员均毕业于清华大学 [6]

碳化硅行业动态 - 碳化硅在新能源领域应用加速，渗透率持续提高，尤其在充电模块领域需求与日俱增[3] - 国内近20家企业集中布局碳化硅电源模块，包括中申交营、蜂芒能源、闪充聚能等[10][11] - 碳化硅衬底与外延、器件与模块产业调研白皮书参编企业包括天科合达、天岳先进、同光股份等20余家[2] 优优绿能碳化硅布局 - 公司与英飞凌深化合作，采用CoolSiC™ MOSFET等解决方案，充电模块效率提升至97.5%以上[4] - 正在研发多款SiC电源模块，包括40KW液冷模块、22KW V2G模组等，部分产品已进入量产阶段[7] - 通过碳化硅技术实现更高功率平台拓展、电能转换效率提升及双向充放电技术成熟[6] 碳化硅技术优势 - 满足电源模块耐高压高温、大功率、小型化需求，单个模块功率由20KW发展至60KW，功率密度提升至60W/in³[14] - 可提高充电效率1.5%-2%，以480kW充电桩为例，三年可节省电费约21.2万元[17] - 160千瓦充电桩采用碳化硅技术后，单桩年省电1250度，20桩充电站年省电2.5万度，减碳12吨[17] 行业应用案例 - 超充桩领域：华为数字能源兆瓦级方案、中建科工600千瓦桩、永泰数能600kW终端均采用碳化硅技术[11] - 充电模块领域：闪充聚能60kW模块效率>97%，永联科技40KW模块功率密度达51.4W/in²[11] - 科士达、英可瑞等企业40kW模块采用SiC设计，峰值效率≥97%[11]

碳化硅行业动态 - 天科合达、天岳先进等20余家企业确认参编《2025碳化硅衬底与外延产业调研白皮书》及《2025碳化硅器件与模块产业调研白皮书》[1] - 丰田第六代RAV4插电混动车型首次采用碳化硅技术 实现PCU体积缩减80% 能效提升10%[2][3][4] - 丰田SiC技术应用历程：2015年首次在Prius试制车测试 2020年用于Mirai燃料电池车 2023年扩展至纯电车型RZ[8][10][11] 丰田SiC战略突破 - 新RAV4插混版采用SiC后 PCU功率密度提高19% 电池低温续航衰减减少26% 两驱版油耗降至4.2L/100km[4] - 丰田2024年全球销量1082万辆（同比-3.7%）连续5年全球第一 混动车型占比达45%（HEV 414万辆 PHEV 16.1万辆）[12] - 公司计划2026财年将PHEV销量提升至20.9万辆 中国区PHEV销量2.68万辆[12][13] 碳化硅市场前景 - 2024年Q1纯电SiC车型销量约100万辆 混动SiC车型8万辆 预计2025年混动+增程SiC车型销量达40万辆[18] - 当前5款插混SiC车型Q1销量1.92万辆 智界R7等16款800V混动SiC车型陆续上市[16][20] - 行业趋势呈现大电池纯电化+800V快充化 SiC技术可减少电池容量并提升充电效率[18][20] 车企技术布局 - 比亚迪、红旗等车企已在插混平台导入SiC技术 标志从硅基向碳化硅过渡[16] - 丰田从IGBT转向SiC的突破将推动整个混动汽车市场技术升级[8][13] - 雷克萨斯RZ采用电装开发的碳化硅逆变器 丰田bZ4X等纯电车型已批量应用SiC[10][11]

小米YU7车型发布 - 小米首款SUV车型YU7全系采用800V碳化硅高压平台，将于2025年7月上市[1][7] - YU7分为标准版、Pro版和Max版三个版本，均搭载800V碳化硅平台，续航里程分别为835km、770km和769km[9] - Max版本支持5.2℃最大充电倍率，10%-80%充电最快仅需12分钟，优于特斯拉Model Y Performance和保时捷Macan Electric Turbo[9] - 搭载V6s Plus超级电机，配备自研SiC电控，转换效率高达99.85%，最高转速22000rpm，峰值扭矩528N·m，峰值功率288kW[11] - 相比SU7的400V/800V混合平台，YU7实现全系800V碳化硅高压化，显示公司对碳化硅技术路线的坚定投入[13] 碳化硅供应链情况 - YU7主驱SiC供应商为汇川联合动力和联合汽车电子[16] - 汇川联合动力采用英飞凌、意法半导体和安森美的SiC MOSFET芯片[17] - 联合汽车电子采用博世的第二代沟槽型SiC芯片，最高运行温度200℃，单位面积Rdson缩减30%[22] - OBC供应商为富特科技，SiC MOSFET芯片来自Wolfspeed[22] - 空调压缩机控制器由致瞻科技提供，与意法半导体合作SiC MOSFET[23] - YU7的SiC MOSFET用量可能超过SU7的64颗(单电机)和112颗(双电机)[23] 行业动态 - 多家企业确认参编《2025碳化硅衬底与外延产业调研白皮书》和《2025碳化硅器件与模块产业调研白皮书》[1] - 国内厂商如芯联集成、林众电子、瞻芯电子等正在或即将进入小米供应链，有望实现国产替代[25] - 行业正加速碳化硅技术创新，需要产业链各环节协同推进技术成熟与落地应用[25]

公司财务状况 - 公司正准备在数周内申请破产，股价开盘暴跌超70%，市值从百亿美元缩水至个位数，年初至今累计下跌超90% [1] - 公司面临高达65亿美元的债务压力，其中包含一笔5.75亿美元、2026年5月到期的期末整付可转债，截至3月底现金储备仅为13亿美元 [3][4][6] - 2025财年第三财季营收同比下滑7%至1.85亿美元，净亏损28550万美元，未提供第四财季业绩指引，经调整后每股亏损72美分 [9] - 公司预计2026年营收为8.5亿美元，远低于分析师普遍预期的9.587亿美元 [10] 业务与市场环境 - 公司是全球领先的碳化硅功率器件和宽禁带半导体技术公司，长期占据碳化硅衬底市场领先地位 [4] - 财务困境源于工业和汽车市场需求疲软、关税不确定性以及与主要客户（如瑞萨电子）的供应协议压力 [4] - 特斯拉减少碳化硅芯片使用的技术调整对公司业务造成冲击 [5] 资本与战略调整 - 公司曾获得由Apollo Global Management牵头的7.5亿美元融资，并有望从2022年《芯片法案》中获得额外7.5亿美元资金，但债务再融资受阻导致资金未到位 [6] - 过去一年公司解雇了CEO，关闭一家工厂并裁员20%，以应对股价自疫情期间峰值暴跌90%以上的情况 [12] - 知名投资机构Jana Partners在股价崩盘前清仓抛售，此前曾推动公司考虑出售以提振股价，并在2024年底减持约19%股份 [11] 行业与竞争 - 公司因激进扩张和行业竞争加剧陷入债务危机 [4] - 华尔街分析师认为公司归宿基本只有破产或被收购两条路 [14]

行业活动与参与企业 - 第3届"电动交通&数字能源SiC技术应用及供应链升级大会"在上海举办，吸引超400位精英代表参会，包括比亚迪、吉利、丰田等车企及三菱电机、意法半导体等碳化硅产业链企业[4] - 三菱电机作为总冠名商展示车规级SiC模块解决方案，其半导体业务已有68年历史，产品覆盖变频家电、电动汽车等领域[62] - 天科合达、天岳先进、同光股份等18家企业确认参编《2025碳化硅衬底与外延产业调研白皮书》及《2025碳化硅器件与模块产业调研白皮书》[1][57] 技术突破与产业化进展 - 意法半导体重庆8英寸碳化硅晶圆厂创下20个月"奠基到通线"纪录，预计2025年四季度量产，8英寸晶圆综合成本较6英寸降低30%[17] - 天科合达8英寸导电型衬底实现小规模量产，厚度优化至350μm，同步启动12英寸衬底研发，外延参数达全球领先水平[37] - 大族半导体突破激光剥离技术，实现12英寸导电/半绝缘晶锭量产，砂轮损耗降低40%以上，剥离面粗糙度≤2μm[39] - 香港大学黄明欣教授开发铜烧结技术，材料成本仅为银烧结1/50，导热与机械性能提升2倍以上[21] 产品应用与市场趋势 - 三安半导体开发SAPKG-9L顶部散热封装技术，热阻降低50%以上，功率密度提升30%，已实现650V/750V/1200V全电压平台产品应用[45] - 芯长征碳化硅功率模块已应用于超100万套电驱系统，提升能源转化效率并降低能耗[68] - 2025年SiC行业将迎来结构性机遇，包括SiC镜片AR设备缓解产能、国际供应链重塑及A股IPO收紧倒逼资本路径创新[13] - 碳化硅技术应用向电动船舶、轨道交通、航空及数字能源领域延伸，驱动产业边界持续拓宽[52] 产业链协同与本土化发展 - 中电国基南方展示新能源汽车用SiC芯片及模块方案，强调加快核心技术攻关推动国产SiC量产上车[65] - 元山电子建成国内先进水平的高温高功率全碳化硅模组生产线，通过多物理场协同优化攻克超低杂感设计难题[24][71] - 国瓷功能材料展示氮化硅基板等产品，建成大陆规模最大全制程封装陶瓷基板工厂[79] - 季华恒一开发SiC单晶生长系统等装备，合盛新材料建成6/8英寸碳化硅衬底与外延片产线，共同推动国产宽禁带半导体发展[82][84]

碳化硅技术应用进展 - 华为数字能源发布兆瓦级全液冷超充解决方案，搭载自研SiC芯片，能量密度是传统硅基器件的3倍，最大功率1.44兆瓦，每分钟补能20度电，15分钟补能350度电，效率提升4倍[6] - 华为与物流企业合作部署5000辆适配兆瓦超充的电动重卡，并推动超充联盟2.0建设，计划2025年研发30-50款车型[6] - 中建科工研发600千瓦超级充电桩，采用SiC液冷散热技术，响应速度提升95%，枪线重量降低50%，功率密度提升25%，充电效率96.34%，5分钟续航300公里[7][9] 企业碳化硅产品动态 - 深圳科华40kW SiC电源模块充电效率达97%，工作温度范围-40~75℃，支持150-1000V超宽电压输出[11] - 永联科技40kW隔离单向DC/DC充电模块采用全SiC设计，功率密度51.4W/in³，适配光伏、储能等超高压场景[14] - 安世博50kW风冷高效模块采用全SiC设计，800V满载效率97.3%，峰值效率97.6%，功率密度50W/inch³[23] 超充站建设与效率提升 - 中建科工武汉超充站配备600kW液冷超充桩，占地2500平方米，65个充电车位，单日服务能力千辆次[9] - 英飞源测算显示，采用SiC模块的480kW充电站可提高效率1.5%-2%，三年节省电费21.2万元[3] - 永泰数能600kW液冷超充终端年省电近20000度，最大输出600kW，实现"一秒一公里"充电[26] 行业技术发展趋势 - 宇视科技AI视频充电桩采用SiC技术，峰值效率97%，支持600A/800A/1000A定制电流[17] - 蜂芒新能源SiC电源模块效率达97.5%，功率密度提升30%，体积缩减40%，适配兆瓦级充电系统[25] - 安易行兆瓦闪充产品采用SiC模块，单枪1MW功率，双枪1.2MW，5分钟续航400公里[20]

公司业绩表现 - 2024年实现营业收入17.68亿元，同比增长41.37% [2] - 归属于上市公司股东的净利润1.79亿元，扭亏为盈 [2] - 2025年一季度研发费用4493.77万元，同比增长101.67%，占营业收入比例从5.23%上升至11.02% [5] - 2025年一季度净利润下滑主要系大尺寸产品研发费用增加 [5] 碳化硅衬底市场动态 - 2024年以来中国碳化硅衬底市场经历显著价格调整，6英寸衬底价格持续下跌 [3] - 工规级衬底价格竞争激烈，车规级衬底及8英寸、12英寸大尺寸衬底供不应求 [3] - 天岳先进是全球排名第二的碳化硅衬底制造商，市场份额22.80% [3] 大尺寸衬底布局 - 量产衬底尺寸从2英寸迭代至8英寸，2024年推出业内首款12英寸碳化硅衬底 [4] - 展出半绝缘、导电N型、导电P型12英寸衬底，标志自主可控的大尺寸技术 [4] - N型衬底适用于电动汽车，P型衬底适用于电网，高纯半绝缘衬底适用于AI眼镜 [4] AI眼镜光学产品 - AI眼镜用高纯SiC晶体被视为最佳材料，此前仅用于高端市场 [5] - 2025年一季度已对多家客户形成销售，未来将加大布局 [6] - AI眼镜属于消费电子，注重消费者体验，改变人机互动模式 [6] 新能源汽车与产能扩张 - 新能源汽车领域碳化硅功率半导体器件2019-2023年全球收入年复合增长率66.7% [7] - 2024-2030年电动汽车领域复合年增长率预计36.1%，光伏储能、电网等领域增速超24% [7] - 2024年碳化硅衬底产量41.02万片，同比增长56.56%，上海工厂年产30万片产能提前达标 [8] - 赴港上市主要目的为扩大8英寸及更大尺寸衬底产能，包括国内扩张和海外基地建设 [8] 行业竞争与技术壁垒 - 全国碳化硅衬底企业超50家，但能批量供货的企业极少 [8] - 碳化硅衬底技术壁垒高，不会走上光伏产能过剩的老路 [8] - 头部制造商产能扩张带来规模效应，推动衬底价格下降并促进下游应用 [9]