公司产能与产值规划 - 公司临港厂区拥有两个生产工厂，厂A已经投产并接近满产状态 [1] - 厂B预计在今年开始进行装修 [1] - 厂A与厂B全部投产后，预计可实现年产值人民币200亿元 [1]

公司产能与产值规划 - 公司临港厂区共有两个生产工厂，其中厂A已经投产并接近满产 [2] - 预计今年厂B将开始装修，厂A及厂B全部投产后可以实现人民币200亿元的年产值 [2] - 后续若有扩产计划，将通过公司公开披露的公告发布 [2]

公司产能与产值规划 - 公司临港厂区共有两个生产工厂，其中厂A已经投产并接近满产 [1] - 预计今年厂B将开始装修 [1] - 厂A及厂B全部投产后可以实现人民币200亿元的年产值 [1] 公司信息披露 - 后续若有扩产计划，敬请关注公司公开披露的公告 [1]

公司战略与市场布局 - 公司坚持"客户全球化"战略，在服务好国内客户之外，同时积极开拓国际市场 [1] - 公司国际客户遍布美国、韩国、中国台湾和东南亚市场 [1] 客户关系与合作 - 经过多年努力，公司目前已与众多国内外半导体行业龙头企业形成了稳定的合作关系 [1] - 公司已与合肥长鑫在内的行业龙头企业形成合作 [1]

公司战略与市场布局 - 公司坚持"客户全球化"战略，在服务好国内客户之外，同时积极开拓国际市场 [1] - 公司国际客户遍布美国、韩国、中国台湾和东南亚市场 [1] 客户关系与合作 - 公司经过多年努力，目前已与众多国内外半导体行业龙头企业形成了稳定的合作关系 [1] - 公司已与合肥长鑫在内的行业龙头企业形成合作关系 [1]

公司股价与市场表现 - 1月14日，公司股价上涨5.39%，报收199.50元/股，成交额3.23亿元，换手率0.38%，总市值达到957.93亿元 [1] 公司基本情况 - 公司全称为盛美半导体设备（上海）股份有限公司，位于中国（上海）自由贸易试验区，成立于2005年5月17日，于2021年11月18日上市 [1] - 公司主营业务为半导体专用设备的研发、生产和销售，其主营业务收入构成为：销售商品占99.72%，提供服务占0.28% [1] 主要机构股东动态 - 诺安基金旗下的诺安成长混合A（基金代码：320007）位列公司十大流通股东 [2] - 该基金在三季度减持了75.41万股公司股份，截至三季度末持有246.86万股，占流通股比例为0.57% [2] - 基于1月14日股价上涨测算，该基金当日浮盈约2517.95万元 [2] 相关基金信息 - 诺安成长混合A成立于2009年3月10日，最新规模为184.68亿元 [2] - 该基金今年以来收益率为11.92%，近一年收益率为59.27%，成立以来收益率为219.18% [2] - 该基金的基金经理为刘慧影，累计任职时间3年166天，现任基金资产总规模236.34亿元，任职期间最佳基金回报为94.73%，最差基金回报为26.25% [2]

文章核心观点 - AI算力需求驱动半导体产业变革，半导体设备作为上游“卖铲子”的赛道迎来确定性爆发 [1] - 全球半导体设备销售额预计将持续创纪录增长，主要受AI相关投资、存储技术升级及厂商扩产推动 [2] - 存储芯片技术向3D堆叠演进，对刻蚀、薄膜沉积、混合键合等核心设备的需求激增，并带动国产设备厂商在多个细分领域取得进展 [5][6][13] 全球半导体设备市场增长趋势 - 预计2025年全球半导体制造设备总销售额将达到创纪录的1330亿美元，同比增长13.7% [2] - 预计2026年和2027年销售额将分别达到1450亿美元和1560亿美元，增长主要受AI相关投资推动 [2] - 晶圆制造设备（WFE）领域2025年预计增长11.0%，达到1157亿美元，较此前预测上调，反映DRAM和HBM领域投资超预期 [2] - 预计2026年韩国将重回全球芯片设备支出第二位，达到约296.6亿美元，较2025年预计的233.2亿美元增长27.2% [4] - 预计2026年中国大陆在半导体设备领域的投入将稳居全球首位，达到约392.5亿美元 [4] 存储市场与厂商扩产驱动设备需求 - 2025年存储市场涨价潮、HBM与DDR5需求爆发及全球巨头扩产，共同拉动半导体设备需求 [2] - 长鑫募集资金重点投向存储器技术升级等项目，拟投入205亿元人民币，直接带动设备市场需求 [3] - 三星电子提高DRAM和NAND生产线效率，专注HBM制造，并重启平泽第五工厂建设，计划2028年量产 [3] - SK海力士清州M15X新工厂准备投产，专注DRAM及AI存储方案，并计划在2027年前完成龙仁园区内大规模晶圆厂建设 [4] - 三星电子DRAM月产能为65万片晶圆，SK海力士月产能为50万片，加上M15X芯片后为55万片 [4] 存储技术升级驱动的核心设备需求 - 3D NAND层数突破400层并向1000层迈进，DRAM向垂直通道晶体管（VCT）演进，HBM通过硅通孔（TSV）技术实现垂直互联，对设备提出颠覆性要求 [5] - 3D NAND扩产和DRAM技术演进对刻蚀和沉积设备拉动最强，HBM扩产额外提升光刻、原子层沉积（ALD）、混合键合等设备需求 [6] - 刻蚀设备：在3D NAND制造中加工极深沟道孔洞、台阶等结构，层数增加使刻蚀设备用量占比从34.9%升至48.4%；单步刻蚀时间随深宽比提升而翻倍，设备数量需求增加；加工HBM的TSV（HBM4达2048个接口）使刻蚀工序增多 [8] - 薄膜沉积设备（含CVD、PVD、ALD等）：3D NAND层数增加使沉积步骤同步增加，设备需求翻倍；ALD设备在3D NAND产线资本开支占比从2D时代的18%升至26%；HBM堆叠层数增加需要更多ALD设备进行互联层沉积 [8] - 混合键合设备：HBM堆叠层数提升（未来向24+层迈进）推动需求；HBM3/3E（8~12层）已推动热压键合设备需求，未来HBM4+（16+层）需依赖混合键合技术；3D IC和先进封装技术普及及异质集成需求增长 [8] - SEMI预测2026-2028年间全球存储领域设备支出将达1360亿美元，其中3D NAND相关投资占比超40% [10] 关键设备技术细节与市场影响 - 3D NAND层数从32层提升到128层时，刻蚀设备使用量占比从34.9%上升到48.4% [10] - 随着堆叠层数升高，沟道通孔、狭缝和接触孔的刻蚀加工时间会变长甚至翻倍，导致工艺设备数量需求增加 [10] - 从24层到232层3D NAND，每层均需薄膜沉积工艺步骤，催生更多薄膜沉积设备需求 [11] - 东京电子披露，在Flash芯片产线资本开支占比中，薄膜沉积设备在2D时代占比为18%，在3D时代占比为26% [11] - HBM对光刻设备需求升级：DRAM第六代制程（D1c）规模化应用EUV光刻；HBM的TSV接口倍增与线路微米级间距推高EUV光刻需求优先级 [12] - 混合键合设备是HBM制造关键：现阶段HBM3/3E主要依赖热压键合设备；未来层数进一步增加及总高受限将推动混合键合技术成为关键 [12] 中国半导体设备国产化进展 - 刻蚀设备主要代表厂商有中微公司、北方华创、屹唐半导体等 [14] - 中微公司CCP设备覆盖28纳米以上大部分应用，在28纳米及以下节点取得进展，其3D NAND高深宽比刻蚀技术被全球顶级芯片制造商采用 [14] - 北方华创CCP设备在8英寸产线硅刻蚀、介质刻蚀中占主导地位，并成功应用于12英寸产线关键非核心步骤 [14] - 薄膜沉积设备厂商包括北方华创、拓荆科技、中微公司、微导纳米等 [15] - 拓荆科技形成PECVD、ALD、SACVD等薄膜设备系列产品，客户覆盖中芯国际、华虹集团等 [15] - 中微公司为先进存储器件和逻辑器件开发的LPCVD、ALD等多款薄膜设备已顺利进入市场 [15] - 北方华创是国内PVD龙头，在LPCVD、APCVD、ALD领域有布局 [15] - 微导纳米是国内首家将量产型High-k ALD应用于28nm节点前道生产线的国产设备公司 [15] - 键合设备方面，青禾晶元2025年发布全球首台独立研发C2W&W2W双模式混合键合设备SAB82CWW系列，并完成交付验证 [16] - 拓荆科技开发Dione 300系列晶圆对晶圆键合设备，其Dione 300 eX用于W2W高精度混合键合已发货验证；还推出芯片对晶圆混合键合设备Pleione 300，应用于HBM领域 [16] - 迈为股份成功开发晶圆混合键合、晶圆临时键合、D2W TCB键合等设备 [16] - 热压键合设备方面，青禾晶元SAB6310已成功导入头部客户CIS产线 [17] - 引线键合设备厂商如奥特维、新益昌、微宸科技等占据国内中小封测厂主要市场 [17] - 芯源微的临时键合机及解键合机专为Chiplet技术打造，可适配60μm及以上超大膜厚涂胶需求 [17]

公司治理与资本变动 - 公司于1月8日召开2026年第一次临时股东会并审议通过了多项议案 [2] - 通过的议案包括《关于变更注册资本及修订及其附件的议案》 [2] - 通过的议案包括《关于制定的议案》 [2] - 通过的议案包括《关于2025年度日常关联交易执行情况及2026年度日常关联交易预计的议案》 [2]

股东会安排 - 公司于2025年12月11日决定2026年1月8日召开2026年第一次临时股东会[4] - 2025年12月13日在上海证券交易所网站刊登召开股东会通知[2][5] 参会股东情况 - 现场出席7名，代表357,758,054股，占比74.5762%[7] - 网络投票187名，代表7,834,499股，占比1.6331%[7] - 中小投资者192人，代表7,852,016股，占比1.6368%[7] - 出席股东共194名，代表365,592,553股，占比76.2094%[7] 议案表决情况 - 《关于变更注册资本及修订<公司章程>及其附件的议案》同意362,249,677股，占比99.0856%[12] - 《关于变更注册资本及修订<公司章程>及其附件的议案》反对3,327,883股，占比0.9103%[12] - 《关于制定<董事和高级管理人员薪酬管理制度>的议案》同意365,558,385股，占比99.9907%[14] - 《关于制定<董事和高级管理人员薪酬管理制度>的议案》反对18,993股，占比0.0052%[14] - 关于2025年度日常关联交易执行情况及2026年度预计议案同意7874499股，占比99.6741%[15] - 关于该议案反对9571股，占比0.1211%[15] - 关于该议案弃权16175股，占比0.2047%[15] - 中小投资者对该议案同意7826270股，占比99.6721%[15] - 中小投资者对该议案反对9571股，占比0.1219%[15] - 中小投资者对该议案弃权16175股，占比0.2060%[15] 其他情况 - 出席会议关联股东ACM RESEARCH, INC.对议案回避表决[16] - 律师认为股东会表决、召集和召开程序符合规定，出席人员和召集人资格合法有效[16][17]

会议信息 - 2026年第一次临时股东会于1月8日在上海召开[2] - 出席会议股东和代理人194人，持表决权365,592,553，占76.2094%[2] - 公司7名在任董事全部出席，董事会秘书出席，其他高管列席[4] 议案表决 - 变更注册资本等议案同意票362,249,677，占99.0856%[5] - 薪酬管理制度议案同意票365,558,385，占99.9907%[5] - 日常关联交易议案同意票7,874,499，占99.6741%[5] - 5%以下股东相关议案同意票7,826,270，占99.6721%[6] 其他 - 议案1为特别决议议案，需三分之二以上表决通过[6] - 议案3对中小投资者单独计票，关联股东回避表决[6] - 律师见证股东会程序合法有效[7]