在半导体存储技术日新月异的今天，中国存储企业正以前所未有的速度崛起，不断推动着行业边界的拓 展。近日，存储上市公司江波龙以创新的"Office is Factory"灵活制造商业模式，推出了集成封装mSSD （Micro SSD），以卓越的性能和灵活的设计，重新定义了SSD的标准，为存储定制市场带来了革命性 的变化。 灵活扩展：满足多元需求的利器 mSSD在形态创新上同样不遗余力，其20×30mm的小尺寸设计使拓展安装更加灵活，同时可以兼容M.2 2230规格。产品提供512GB至4TB的多档容量选择，并创新性地配备卡扣式散热拓展卡，无需工具即可 灵活适配M.2 2280、M.2 2242、M.2 2230等主流规格，实现了SKU的多合一。这种设计极大地增强了客 户端的兼容性，降低了维护成本，使得存储定制变得更加简单高效。无论是AI、人形机器人、PC笔 电、游戏掌机扩容，还是无人机、VR设备等高负载应用场景，mSSD都能轻松应对，展现出强大的适应 性和灵活性。 绿色环保：可持续发展的承诺 在追求高性能的同时，mSSD也不忘对环境的责任。其生产流程直接避免了SMT环节中的高能耗工序， 显著降低了能源消耗与碳排放 ...

公司财务业绩 - 前三季度实现营业收入167.34亿元，同比增长26.12% [1] - 前三季度净利润为7.13亿元，同比增长27.95% [1] - 第三季度单季营业收入65.39亿元，同比增长54.60% [1] - 第三季度单季净利润6.98亿元，上年同期为亏损3683.8万元 [1] 业务运营与战略进展 - 业务拓展稳步推进，企业级存储业务依托自研技术积极参与大客户技术及新产品标案 [2] - 头部客户与战略客户覆盖范围持续扩大，带动客户结构不断优化 [2] - 海外业务延续高增长趋势，Lexar全球品牌影响力持续提升 [2] - 巴西子公司Zilia基于自研技术、综合存储产品和海外制造能力持续扩大海外市场份额 [2] - 公司拥有行业类存储品牌FORESEE、海外行业类存储品牌Zilia和国际高端消费类存储品牌Lexar [1] - 产品广泛应用于消费类智能移动终端、数据中心、汽车电子、物联网及个人消费类存储市场 [1] 技术研发与产品创新 - 自研主控芯片累计部署量突破1亿颗 [2] - 自主设计并成功流片首批UFS自研主控芯片，搭载自研主控的UFS4.1产品整体性能表现优秀 [2] - 已与国际知名存储原厂闪迪基于UFS4.1自研主控达成战略合作，共同面向移动及IoT市场推出定制化解决方案 [2] - 公司聚焦半导体存储应用产品全链条能力建设，形成芯片设计及固件算法开发、封装测试等核心能力 [1] 行业趋势与市场展望 - 存储价格展望乐观，大型云服务商对高容量DDR5和eSSD新增需求显著 [2] - 服务器客户新增订单需求已超过原厂原计划的预期供应量 [2] - 原厂产能转向服务器市场，导致消费级及嵌入式存储供应收紧 [2] - 存储晶圆价格上行对公司毛利率将产生正面影响 [3] - 公司认为原材料价格波动仅为业绩结果的部分因素，企业级存储、高端消费类存储、海外业务及自研芯片等内生性成长因素将更直接持续地驱动盈利能力提升 [3]

核心财务表现 - 上半年营收25.48亿元 同比增长27.44% [2][3] - 归母净利润1553.52万元 同比下降46.07% [2][3] - 扣非净利润1073.44万元 同比下降23.42% [2][3] - 经营活动现金流净额-6820万元 同比改善21.69% [3] - 基本每股收益0.02元 同比下降33.33% [3] - 总资产47.39亿元 同比下降1.14% [2][3] - 净资产15.53亿元 同比增长1.01% [2][3] LED业务发展 - 消费电子 汽车电子 消防安防光源器件市场持续发力 [4] - 中标青岛地铁8号线 天津轨道交通Z4线照明项目 [4] - LED车规生产专线扩产投入使用并导入行业头部客户 [4] - 成功开拓泰国 马来西亚等国际经销商网络 [4] - 推进泰国LED模组生产基地量产及COB产线投资 [4] - 照明工程中标广西北海生态铝园区 燕矶长江大桥等项目 [4] - 积极拓展境外工程项目并中标美的电柜智能监控项目 [4] 半导体存储器业务突破 - 万润半导体实现营收4.73亿元 同比增长444.58% [5] - 企业级PCIe 5.0 SSD ME14000研发项目完成立项 [5] - UFS产品进入新产品导入阶段 [5] - DDR5 4800内存条实现量产 [5] - LPDDR5X 6/8GB产品通过验证进入小批量试产 [5] - 布局存储介质分析 自动化测试等产业链关键环节 [5] - 申报取得多项发明及实用新型专利 [5]

公司概况 - 深圳大普微电子股份有限公司深交所创业板IPO已受理，成为创业板首家获受理的未盈利企业 [1] - 国泰海通证券为其保荐机构，拟募资18.7785亿元 [1] - 公司主要从事数据中心企业级SSD产品的研发和销售，具备"主控芯片+固件算法+模组"全栈自研能力并实现批量出货 [1] 产品与技术 - 公司产品代际覆盖PCIe 3.0到5.0，企业级SSD累计出货量达3,500PB以上，其中搭载自研主控芯片的出货比例达70%以上 [1] - PCIe SSD系列产品具备出色的读写速度、耐用性、低延时以及远低于JEDEC标准的平均故障率，性能处于国际先进水平 [2] - 公司是全球首批量产企业级PCIe 5.0 SSD和大容量QLC SSD的存储厂商，也是全球极少数拥有SCM SSD和可计算存储SSD两类前沿存储产品供应能力的厂商 [2] 市场地位 - 2023年度国内企业级SSD市场中公司排名第四，市场份额为6.4% [1] - 国际厂商仍占据国内市场主导地位 [1] 客户情况 - 下游客户包括Google、字节跳动、腾讯、阿里巴巴、京东、百度、美团、快手等国内外头部互联网企业 [2] - 覆盖新华三、超聚变、中兴、华鲲振宇、联想等国内头部服务器厂商，以及中国电信、中国移动、中国联通等三大通信运营商 [2] 募投项目 - 下一代主控芯片及企业级SSD研发及产业化项目拟投资95,828.37万元 [3] - 企业级SSD模组量产测试基地项目拟投资21,956.86万元 [3] - 补充流动资金拟投资70,000.00万元 [3] 财务数据 - 2022-2024年度营业收入分别为5.57亿元、5.19亿元、9.62亿元 [3] - 同期净利润分别为-5.34亿元、-6.17亿元、-1.91亿元 [3] - 2024年资产负债率(母公司)为50.69%，2023年为35.87%，2022年为53.30% [4] - 2024年研发投入占营业收入的比例为28.51%，2023年为51.72%，2022年为34.82% [4] 研发投入 - 公司拥有一支具备前沿存储技术和丰富行业经验的主控芯片和SSD模组研发团队 [2] - 持续投入研发资源，为产品保持市场竞争力提供了保障 [2]

DRAM技术演进 - 1990年代DRAM采用平面n沟道MOS FET作为单元晶体管标准结构，但21世纪面临短沟道效应和关断漏电流问题，促使开发横向微型化晶体管结构[1] - 2010年代DRAM单元阵列布局改进使单元面积从8F²缩小到6F²，面积减少25%，6F²布局成为大容量DRAM标准[1] - 10nm以下DRAM将转向4F²布局，采用垂直沟道晶体管(VCT)结构，位线、沟道和电容器垂直排列[3][4] - 三星开发S2CAT(自对准2间距单元阵列晶体管)和VS-CAT(垂直堆叠单元阵列晶体管)3D DRAM原型，通过晶圆键合技术堆叠存储单元阵列与外围电路[6][8] NAND闪存技术突破 - 平面NAND闪存在2010年代初达到小型化极限，3D化成为突破方向，单元串从水平转为垂直方向，电荷存储量增加且干扰减少[10][12] - 3D NAND实现多值存储标准(单单元存储3位数据)，堆叠层数从2010年代初32层发展到2020年代中期300多层，高度增加约10倍[12] - 采用CuA(CMOS under Array)布局减少硅片面积，但面临堆叠增加导致的蚀刻困难和相邻单元干扰问题[12] - 铁电薄膜技术替代传统ONO膜，通过极化方向决定逻辑值，支持3-4位/单元多值存储，降低编程电压并抑制阈值电压波动[13][14][16] 行业技术动态 - imec公布纯金属栅极技术可将3D NAND层间距缩小至30nm，铠侠展示实现高速随机存取的多级编码技术[18] - NEO Semiconductor开发类似3D NAND结构的3D X-DRAM技术，Macronix改进3D DRAM采用水平字线+垂直位线结构[18] - 美光科技开发高性能铁电存储器材料，佐治亚理工学院实现铁电电容器小信号无损读出工艺[19] - 清华大学展示兼容40nm工艺的3.75Mbit嵌入式电阻式存储器，旺宏国际优化交叉点存储器OTS选择器性能[20]

2025年IEEE国际存储器研讨会(IMW)技术亮点 核心观点 - 2025年IEEE国际存储器研讨会将集中展示全球领先存储技术研发成果 多家公司将在3D NAND架构创新 材料应用及制造工艺等方面发布突破性进展 [2] 3D NAND架构创新 - Kioxia将展示采用CBA(CMOS直接键合到阵列)结构的3D NAND闪存 其交叉位线(CBL)架构能优化晶圆键合后的位线布局 [2] - 三星披露第9代3D VNAND闪存的片上电容器技术 并开发双陷阱层技术以支持未来多位存储 [2] - 美光通过模拟通道孔椭圆度对读取窗口的影响 探索非圆形通道孔设计提升存储密度 [2] 制造工艺突破 - 应用材料公司实现共形MoS2在40:1高深宽比结构的应用 推进300mm晶圆3D NAND制造 [2] - Lam Research优化沉积与蚀刻工艺 集成3D NAND孔蚀刻和层间电介质接触 同时开发钼原子层沉积技术用于字线金属 [2] - 旺宏电子开发垂直通道高压晶体管 使1000层以上3D NAND的字线驱动器小型化 [2] 新型存储技术 - 东北大学研发SOT-MRAM单元技术 写入能耗低且无需外部磁场 写入时间缩短至亚纳秒级 [2][3] - Everspin Technologies推出基于STT-MRAM的反熔丝宏 目标嵌入存储器 SoC和FPGA等领域 [2] - 旺宏电子提出交叉点结构选择器存储器的可靠性提升方案 通过抑制尖峰电流延长读取寿命 [2]