公司概况 - 深圳大普微电子股份有限公司深交所创业板IPO已受理，成为创业板首家获受理的未盈利企业 [1] - 国泰海通证券为其保荐机构，拟募资18.7785亿元 [1] - 公司主要从事数据中心企业级SSD产品的研发和销售，具备"主控芯片+固件算法+模组"全栈自研能力并实现批量出货 [1] 产品与技术 - 公司产品代际覆盖PCIe 3.0到5.0，企业级SSD累计出货量达3,500PB以上，其中搭载自研主控芯片的出货比例达70%以上 [1] - PCIe SSD系列产品具备出色的读写速度、耐用性、低延时以及远低于JEDEC标准的平均故障率，性能处于国际先进水平 [2] - 公司是全球首批量产企业级PCIe 5.0 SSD和大容量QLC SSD的存储厂商，也是全球极少数拥有SCM SSD和可计算存储SSD两类前沿存储产品供应能力的厂商 [2] 市场地位 - 2023年度国内企业级SSD市场中公司排名第四，市场份额为6.4% [1] - 国际厂商仍占据国内市场主导地位 [1] 客户情况 - 下游客户包括Google、字节跳动、腾讯、阿里巴巴、京东、百度、美团、快手等国内外头部互联网企业 [2] - 覆盖新华三、超聚变、中兴、华鲲振宇、联想等国内头部服务器厂商，以及中国电信、中国移动、中国联通等三大通信运营商 [2] 募投项目 - 下一代主控芯片及企业级SSD研发及产业化项目拟投资95,828.37万元 [3] - 企业级SSD模组量产测试基地项目拟投资21,956.86万元 [3] - 补充流动资金拟投资70,000.00万元 [3] 财务数据 - 2022-2024年度营业收入分别为5.57亿元、5.19亿元、9.62亿元 [3] - 同期净利润分别为-5.34亿元、-6.17亿元、-1.91亿元 [3] - 2024年资产负债率(母公司)为50.69%，2023年为35.87%，2022年为53.30% [4] - 2024年研发投入占营业收入的比例为28.51%，2023年为51.72%，2022年为34.82% [4] 研发投入 - 公司拥有一支具备前沿存储技术和丰富行业经验的主控芯片和SSD模组研发团队 [2] - 持续投入研发资源，为产品保持市场竞争力提供了保障 [2]

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 在日前举办的"IMW 2025"上，三星电子关于下一代 DRAM 和下一代 NAND 闪存的演变。 10nm代（1X代及以后）的DRAM单元基本维持上述结构，但通过改进电容结构、字线材料等延续 了七代，依次称为"1X→1Y→1Z→1A→1B→1C→1D"代。不过，下一代"0A"代（10nm以下第一 代）将无法维持"6F2"布局，有很大机会转向"4F2"布局。 10nm 以下 DRAM ，如何实现 实现"4F2"布局的单元晶体管的基本结构是沟道垂直排列的结构。它被称为"VCT（垂直沟道晶体 管）"。位线、沟道（侧面有字线）和电容器从基板侧垂直排列。 在DRAM部分，三星首先回顾了DRAM单元多年来的演变。 在 1990 年代，平面 n 沟道 MOS FET 是单元选择晶体管（单元晶体管）的标准。然而，进入21 世纪，短沟道效应和关断漏电流已变得无法忽视。一种在不缩短沟道长度的情况下使横向（水平） 方向微型化的晶体管结构被设计出来并被用于DRAM单元晶体管。随着光刻技术的不断缩小， DRAM单元的面积可以不断缩小。 与此同时，DRAM 单元阵列布局在 2010 年代得到了 ...

来源：内 容 编译自 pcwatch ，谢谢。 如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 自旋轨道扭矩结构和磁各向异性的设计技术。 参考链接 https://pc.watch.impress.co.jp/docs/column/semicon/2010780.html 2025年的IEEE国际存储器研讨会（IMW）是半导体存储器技术研发的国际会议即将隆重召开。届 时，将会有很多领先的存储技术发布。 据介绍，Kioxia 将报告具有 CBA（CMOS 直接键合到阵列）结构的 3D NAND 闪存的交叉位线 (CBL) 架构。相信这可以解释为什么通过晶圆键合堆叠外围电路和存储单元阵列的CBA结构在位 线布局方面具有优势。 三星则描述了具有非圆形通道孔形状的多孔 VNAND 闪存架构的阈值电压建模。美光公司模拟了 椭圆度（想象"孔形"）对 3D NAND 读取窗口边缘的影响。在最新的研究中，人们尝试通过将通 道孔的横截面形状制成椭圆形或半圆形而不是圆形来提高密度。这些声明被视为这一努力的一部 分。 旺宏电子国际公司（MXIC）开发了一种用于3D堆叠外围电路的垂直通道高压晶体管，以使1,000 层和超多层3D NAN ...