**行业与公司** * 行业涉及AI算力产业、半导体制造、先进封装、硅光子技术、存储器等[1][2][5] * 核心公司包括英伟达、谷歌、台积电、ASML、Oracle、工业富联、软银、AMD、博通等[1][2][3][4][7][8][16][19][23] **核心观点与论据** * **行业前景与主导力量**：AI算力产业发展方向由英伟达和谷歌等系统厂商的采购决策主导[1][2] 台积电和ASML在技术平台供给上起关键作用 决定了全球半导体设备采购及技术演进方向[1][2][8] * **技术热点与演进**：硅光子技术成为2025年热点 旨在降低传输等非计算部分的能源消耗[1][2] 大规模商用预计在2027年 英伟达产业链可能率先采用 谷歌产业链商用时间表未明确[1][4][12] 台积电技术领先 2纳米工艺已于2025年量产 持续推进3纳米 增强了其定价能力[1][13] 存储器领域正从2.5D架构向3D堆叠架构转变[20] * **先进封装发展**：台积电提出Foundry 2.0概念 先进封装收入保持50%的同比增长[15] 现有六座厂房运行 规划四座新厂 CoWoS、SoIC、CoPoS等平台扩建 成为新增长引擎[1][15] 硅光子技术是先进封装的重要组成部分[9] * **能源消耗挑战**：AI发展显著增加能源消耗 单机柜能耗从2022年60千瓦增至2025年120千瓦 预计2027年达500千瓦[10] 通过先进工艺降低计算能耗成为关键 英伟达CPU方案使信号传输能耗从30瓦降至9瓦 下降70%[1][10] * **公司业绩与增长动力**：台积电未来收入增长主要依赖高性能计算客户群体 美国客户占比超过68%[3][16] 产品单价从2019年3000美元上涨至目前7000美元以上[13] 工业富联受益于AI相关资本开支周期 云计算业务增速快[23][24] Oracle资本开支显著增加 上个季度首次超过经营现金流 自由现金流转负 今年预测350亿美元 超出市场预期[19] * **资本开支与估值**：台积电2021年资本开支占收入比例达50% 为压力最大阶段 目前压力已减轻 设备折旧占收入比例预计逐步下降[21] 台积电台股市盈率21.3倍 美股ADR为26倍 存在折让[22] 工业富联A股市盈率约为24倍[24] **其他重要内容** * **中国市场表现**：台积电中国区收入自2021年以来保持30%年均增长 2023年绝对金额已超过2019-2020年高峰期 目前销售占比维持在10%以上[17][18] * **新兴架构与厂商**：市场上出现新的AI芯片架构 如黄邦殿推崇的Cube形式 Jim Keller公司基于RISC-V并提出无需HBM的新架构[11] Oracle若执行OpenAI的300亿至3000亿美元订单 将带来算力需求新增量[19] * **具体技术时间表**：Ruby Ultra代CPU预计2027年开始少量使用 2026年基本不会大规模应用[4] Chip on Wafer on PCB技术预计2030年后实现 Chip on Panel on Substrate技术原计划2027年 现推迟至2028-2029年[4] 英伟达CPU计划2027年商用 从Spectrum X以太网交换机开始小规模使用 大规模商用预计2028年[12] * **产业链差异**：谷歌采用9000多个TPU形成大型计算单元 其解决方案对光模块、PCB等零部件的需求与英伟达完全不同 产业链结构不一致[7] 预计到2026年 ASIC数量可能接近甚至达到英伟达和AMD GPU总量规模[7]

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来 源 ：内容 编译自 zdnet 。 在美国政府大力推进本土半导体供应链强化战略的背景下，主要晶圆代工厂台积电（TSMC） 正 积极在当地建设最先进的晶圆代工厂和封装厂。相比之下，三星电子虽然也在美国建设先进晶圆 厂，但在先进封装投资方面却显得谨慎，这使得业界对两家公司未来的动向格外关注。 据业内29日消息，TSMC 正在大力投资，以确保在美国建立起先进的封装产能。 此前，TSMC 已于今年3月宣布在美国追加 1000亿美元（约合138万亿韩元）的新投资项目，具体 包括新建3座晶圆代工厂、2座先进封装厂，以及一座大型研发中心。 据悉，TSMC 的两座先进封装厂将落地在亚利桑那州，命名为 AP1 和 AP2。两厂计划从明年下半 年开工建设，预计将在 2028年投入量产。 根据媒体报道，AP1 主要生产 SoIC（system-on-integrated-chips）。SoIC 属于一种3D堆叠封装 技术，通过将芯片垂直堆叠来实现互连，并且不使用传统的凸点（Bump），从而缩小芯片间距， 大幅提升数据传输速度和能效表现。 然而，三星在这一投资上显得有所顾虑。由于缺乏明确 ...

台积电美国扩产计划 - 公司在美国亚利桑那州规划两座先进封装厂AP1和AP2 目前处于整地阶段 预计2026年下半年开始建厂 目标2028年启用 [2] - 封装厂AP1将导入最先进SoIC及CoW技术 AP2则锁定CoPoS技术 以因应当地AI和HPC芯片封装需求 [2] - 公司同步规划第三至第六座晶圆厂 P3和P4采用N2和A16制程 P5和P6采用更先进技术 建设进度将依客户需求调整 [2] 技术布局与产能规划 - 美国第二座晶圆厂P2的B区计划提前导入2纳米制程 原定在P3厂实施 [2] - SoIC技术已用于AMD量产 苹果 英伟达 博通等客户也将在高端产品采用该技术 [3] - CoPoS技术预计2026年设立首条实验线 2028年底在嘉义厂AP7实现大规模量产 美国AP2厂将适时导入该技术 [4] 供应链与建厂挑战 - 先进封装需配套金属凸块产线及铜柱封装技术 材料与测试供应链需完整建立 建厂周期至少需4年 [7][8] - 若在美国建立完整封测产能 需与测试厂同步合作 可能影响台湾后段封测代工厂(OSAT)现有供应链 [8] - 公司决策基于客户实际需求评估 苹果可能需要InFO技术 英伟达和超微对CoWoS需求迫切 [7][8] 投资规模与客户基础 - 公司增加投资美国1000亿美元 包括新建3座晶圆厂 2座先进封装设施及1间研发中心 为美国史上最大外资直接投资案 [7] - 投资旨在支持苹果 英伟达 超微 博通和高通等美国AI与科技创新公司 [7]

CoWoP技术介绍 - CoWoP（Chip on Wafer on PCB）是辉达正在测试的新一代先进封装技术，计划与台积电CoWoS双线推进，预计2026年10月下一代Rubin GPU系列的GR150芯片同时采用两种封装技术 [1] - CoWoP技术先将裸芯片通过微凸点倒装到硅仲介层上，然后将整个芯片组件直接焊接在PCB主机板，省略CoWoS需要的封装基板工序，PCB不仅承担电连接还形成精细的重分布层 [2] - 与CoWoS相比，CoWoP实现封装基板与PCB一体化，设计更薄更轻，带宽更高，利用大尺寸PCB产线的高产能与成熟工艺，用成熟大面板PCB替代昂贵的ABF/BT载板，大幅降低材料与制造成本 [2] CoWoP技术优势 - CoWoP通过减少封装层级实现板卡一体化设计，在同一块板上完成多至10余层、30μm级线宽/线距的高速互连，兼具高带宽、低延迟与设计灵活性 [2] - 摩根大通指出CoWoP优势包括简化系统结构、提高资料传输效率、更好的热管理性能、更低的功耗、降低基板成本、潜在减少后端测试步骤 [3] - 摩根士丹利研究显示CoWoP可解决基板翘曲问题、增加NVLink覆盖范围、实现更高散热效率、消除某些封装材料的产能瓶颈 [4] 对产业链影响 - CoWoP对ABF基板厂商是负面消息，基板附加值可能大幅减少或完全消失，更复杂精细节距的信号路由将转移到RDL层，高端PCB层承担封装内路由步骤 [4] - CoWoP为PCB厂带来重大机遇，具备先进mSAP能力以及基板/封装技术的公司将更有优势，但mSAP目前25/25微米线/间距仍远低于ABF的亚10微米能力 [5] - IC载板厂认为先进封装如CoWoS结构仍将是未来五年市场主流，短期内不会被取代，新型CoWoP架构只是长期技术蓝图 [7] 技术挑战与商业化前景 - 目前只有苹果采用mSAP或SLP PCB技术，但节距尺寸更大、PCB板面积更小，将此技术扩展到大型GPU仍具技术与运营挑战，CoWoP中期商业化概率较低 [6] - 台积电CoWoS良率已接近100%，技术切换存在不必要风险，考虑到Rubin Ultra量产时程，推估其仍将沿用现有ABF基板技术而非转向CoWoP [6] - 台PCB厂对CoWoP取代CoWoS持保留态度，认为涉及整个产业链技术制程大幅提升，现阶段载板技术成熟价格合理，终端客户无急需改变理由 [7] 台积电CoPoS技术 - CoPoS是台积电为解决CoWoS量产瓶颈推出的下一代封装技术，结合CoWoS与FOPLP，以方形面板RDL层取代圆形硅仲介层，适合大规模量产 [3] - 台积电预计2026年在采钰建置首条CoPoS实验线，2028-2029年在嘉义投资量产厂，主要聚焦AI与高效能运算领域 [3] - 从商业化角度，CoPoS解决实际生产效率问题，优先顺序应高于CoWoP，一年内同时导入两个重大创新但未经实证的技术风险相当高 [7]

**行业与公司概述** - **行业**：半导体先进封装（CoWoS技术）及AI/HPC硬件供应链 [3][9][10] - **核心公司**：台积电（TSMC）、ASE（日月光）、KYEC（京元电子）[7][117][122] --- **核心观点与论据** **1. CoWoS产能扩张与需求驱动** - **产能目标**： - 2025年底达70k wpm（月产能），2026年底达100-105k wpm，2027年进一步扩至130k wpm [5][13] - 2024-2027年CoWoS年产能：300k → 675k → 1.08mn → 1.4mn，年增长率分别为125%、60%、32% [15][16] - **短期调整**： - 2025年3月因nVidia订单调整，CoWoS产能从80k下调至70k wpm [11] - 2026年上半年利用率（UTR）降至90%+，主因上下游生产不匹配，但2026年下半年新项目量产将恢复满载 [5][56] **2. 技术路线图与创新** - **CoWoS-L**： - 2025年主流技术，支持nVidia Blackwell GPU（8x HBM3e）和AMD MI400（12x HBM4）[44][80] - 2027年升级至CoWoS-XL，支持更大芯片尺寸（12x HBM4e）[44] - **CoPoS（面板级封装）**： - 2026年设试验线，2028年量产，成本高于CoWoS但效率更高（支持9-12颗芯片/面板）[35][37] - **WMCM（多芯片模组）**： - 苹果为首个客户，2026年产能达15k wpm，用于折叠手机（ASP $3-4k vs. InFO $1.5-1.8k）[30][31] **3. 客户与市场分配** - **nVidia**： - 2026年占TSMC CoWoS产能50.1%（2025年为51.4%），Rubin GPU延迟至2026Q3量产，功耗或增至2000W [6][72] - **AMD**： - 2026年份额升至9.2%，MI400（ASP $30k）和Venice CPU（ASP $6-7k）驱动增长 [80][82] - **Broadcom**： - 2026年产能增长71%至187k wpm，受益于Google TPU（Ironwood）和Meta V3 ASIC [93] **4. 供应链合作与外包** - **ASE/SPIL**： - 2026年承接TSMC 50% CoWoS后端订单，营收贡献达$765mn，2027年增至$1.98bn [40][117] - **Amkor**： - 与TSMC合作美国亚利桑那州封装厂，2028年聚焦SoIC和CoPoS [46] **5. 短期生产动态** - **nVidia Blackwell**： - 2025Q2产量1.2-1.3mn颗，2025Q4达1.6mn颗，但下游组装瓶颈或导致库存积压200k颗 [50][52] - **AI需求**： - CSP（云服务商）和主权需求超预期，TSMC预计AI收入占比从2025年25%升至2026年35% [108] --- **其他重要细节** - **设备成本**：CoPoS设备因设计复杂且兼容性低，成本高于CoWoS [5] - **地缘风险**：TSMC或豁免美国100%半导体关税，利好供应链稳定 [108] - **竞争格局**：GPU仍主导AI加速器市场（2026年占64%产能），但ASIC份额提升至36% [63][64] --- **投资建议** - **首选标的**：TSMC（技术领先）、ASE（后端外包受益）、KYEC（测试需求增长）[7][117][122] - **风险提示**：下游生产瓶颈、CoPoS量产延迟、地缘政治关税 [56][108]

CoWoS产能扩张 - 台积电CoWoS产能将从2025年底的70k wpm提升至2026年底的100-105k wpm，2027年进一步突破130k wpm [1] - 2025年全年产能预计为675k wafer，2026年达1.08mn wafer（同比增长60%），2027年增至1.43mn wafer（同比增长31%）[1] - 台南AP8工厂是产能扩张主力，2026年底将贡献约30k wpm产能，主要服务于英伟达Blackwell GPU和AMD MI355/400等高端芯片 [2] - 嘉义AP7工厂聚焦WMCM、CoWoS-L、SoIC及CoPoS等前沿技术，2027年后逐步释放产能 [2] 产能分配与客户结构 - 英伟达2026年仍将占据50.1%的CoWoS产能（2025年为51.4%），全年分配约541k wafer，主要用于Blackwell系列 [5] - AMD的CoWoS产能将从2025年的52k wafer增至2026年的99k wafer（占比9.2%），增长来自AI GPU和Zen 6 Venice CPU [5] - 博通2026年产能达187k wafer（同比增长71%），受益于Google TPU和Meta V3 ASIC的量产 [5] - 微软2026年预计仅分配8.7k wafer，主要用于Maia 200 [6] - 苹果聚焦WMCM技术，计划应用于折叠手机的A20 Pro芯片，2026年三季度产能达15k wpm [6] 技术迭代与创新 - CoPoS采用310x310mm矩形面板，支持9-12个光刻尺寸芯片，良率和基板利用率更高，成本更低，散热性能优于3D封装 [11] - 台积电计划2025下半年至2026上半年建立CoPoS迷你生产线，2028年底量产，首代产品可能用于英伟达Feynman系列 [11] - WMCM采用2-3层RDL，支持2-4个芯片集成，能应对更高功率（5-25W）和带宽需求，成本低于CoWoS [14] - 苹果计划将WMCM用于折叠手机，2026年二季度量产，预计全年出货15-18mn芯片 [14] 供应链与全球布局 - 台积电将CoWoS后端工序（OS环节）外包给ASE/SPIL，2026年这部分业务将为后者带来7.65亿美元收入，2027年增至19.8亿美元 [15] - ASE/SPIL的OS产能2026年底达65k wpm，2027年95k wpm [15] - 台积电与Amkor合作，在亚利桑那州布局封装产能，服务苹果等客户的智能手机芯片 [15] - 台积电在美国追加1000亿美元投资，总投资达1650亿美元，计划2028和2030年各投产一座先进封装厂，聚焦SoIC和CoPoS技术 [15] 市场趋势与业务贡献 - GPU主导AI加速器市场，2026年占CoWoS产能的64%（2025年为68%），收入占比达88% [15] - ASIC（如Meta V3、Google TPU）增速更快，产能占比升至36% [15] - AI相关收入占台积电总收入比例从2023年的6%升至2026年的35%，其中前端晶圆收入451.62亿美元，CoWoS后端收入62.73亿美元 [16] 英伟达Rubin项目 - 英伟达为应对AMD MI450显卡加速器，对Rubin芯片进行重新设计，可能导致量产延迟 [9] - 2026年Rubin芯片出货量预计较为有限，仅为72k wafer [9] - 英伟达官方否认延迟，强调Rubin项目仍按原计划推进 [10] - Rubin采用HBM4高带宽内存，搭载第六代NVLink互连总线，可实现3.6TB/s的超高带宽 [10]

台积电CoWoS产能现状与扩张计划 - 台积电CoWoS先进封装技术当前产能利用率仅为60%，存在供需失衡导致的供应链混乱[2] - 主要产能分布在台湾多家晶圆厂，南科园区AP8厂正扩建改造，嘉义AP7厂规划8个生产设施但非专注CoWoS（P1厂专供苹果WMCM，P2/P3厂专注SoIC，P4/P5厂暂定面板级封装CoPoS，目标2029H1量产）[2] - 当前超半数CoWoS产能分配给英伟达，AMD等ASIC客户增加投片量，预计2025年底月产能达6.5万-7.5万片，2026年底增至约10万片[2] 产能扩张驱动因素与技术战略 - 计划到2026年将CoWoS产能提升33%，由AI算力需求持续强劲驱动，扩张涉及AP8厂及美国AP9/AP10厂建设[2][4] - CoWoS技术对AI/ML等高算力应用至关重要，通过多芯片集成提升性能与散热效率，特别适配AI ASIC需求[4] - 扩张是对市场需求的前瞻性响应，旨在支持医疗、金融等行业对高效计算解决方案的增长需求[4] 供应链动态与设备采购趋势 - AI需求强劲但设备采购出现限制信号，现有订单周期6-12个月完成后新订单可能放缓[3] - 设备供应商订单滞后于需求波动（例：龙潭InFO线改造初期订单少，第二波需求才触发大额采购）[3] - 若60%产能利用率持续，先进封装设备采购可能放缓直至嘉义/美国新厂订单释放[3] 行业影响与竞争格局 - 产能扩张将保障英伟达等客户尖端芯片供应，加速AI解决方案开发与行业创新[5] - 顺应全球半导体制造业投资加大趋势，强化台积电在AI技术供应链的领导地位[6] - 扩张计划凸显半导体行业对高性能计算研发的持续投入，推动AI技术迭代[6]

CoWoS封装技术的挑战与演进 - CoWoS封装技术因高集成度优势成为行业核心，但面临工艺复杂、成本高昂及产能瓶颈等问题，制约行业发展[1] - 随着AI GPU芯片尺寸增大和HBM堆栈数量增加，CoWoS遇到光刻掩模尺寸限制单一模块最大封装面积的瓶颈[4] - 台积电正推动CoWoS从CoWoS-S/CoWoS-R向CoWoS-L升级，新版本在灵活性与经济性等核心指标上实现显著优化[2] CoPoS技术作为CoWoS的替代方案 - CoPoS将硅中介层替换为面板尺寸基板，突破现有技术瓶颈，实现更大封装尺寸和更优面积利用率[4] - CoPoS采用600mm×600mm等面板级封装规格，提高基板利用率至95%以上，单位面积成本降低20%以上[6] - 台积电计划2026年建立CoPoS实验线，2028-2029年实现量产，首家客户为英伟达[9] FOPLP技术的发展现状 - FOPLP继承FOWLP高I/O密度优势，采用面板载体使面积利用率超95%，成本比晶圆级封装节省20%以上[13] - 2022年FOPLP市场规模4100万美元，预计2028年达2.21亿美元，年复合增长率32.5%[14] - 日月光投入2亿美元建设FOPLP产线，计划2024年底试产600mm×600mm规格[18] - 三星已部署FOPLP技术，其Exynos W920处理器采用5nm EUV工艺与FOPLP封装方案[19] 行业巨头在FOPLP领域的布局 - 台积电计划2026年完成300×300mm FOPLP试产线建设，初期选择小尺寸面板切入[19] - 群创依托3.5代面板产线复用设备，计划2025年实现FOPLP量产，已通过客户验证[20] - 力成科技510×515mm规格FOPLP产品良率超预期，已获联发科订单并启动小量出货[22] CoWoP技术的优势与挑战 - CoWoP去除有机基板简化结构，信号路径缩短50%，散热效率提升30%，成本降低15-20%[27] - 技术要求PCB线宽/线距达10/10微米，当前高端PCB仅20/35微米，存在巨大技术难度[38] - 英伟达计划2025年测试CoWoP样板，2026年验证GR150平台，但短期内大规模应用可能性低[33] 先进封装技术未来格局 - 行业处于"成熟技术稳支撑、新兴技术谋突破"阶段，CoWoS仍居主导地位[36] - CoPoS定位为CoWoS长期演进方向，FOPLP凭借成本优势成为重要竞争者[36] - 技术成熟与标准统一将推动先进封装领域价值重构，支撑AI算力持续增长[36]

核心观点 - 随着AI算力需求爆发，CoWoS封装技术因工艺复杂、成本高昂及产能瓶颈等问题，推动业界加速探索替代方案 [2][39] - 台积电主导的CoPoS通过面板基板替代硅中介层，突破封装尺寸限制，计划2028年后量产，成为CoWoS的长期演进方向 [6][11][39] - FOPLP凭借成本低、灵活性强的特点，吸引日月光、三星、群创等巨头布局，虽因良率与标准缺失暂未放量，但在AI大尺寸封装需求驱动下潜力显著 [12][17][39] - 英伟达提出的CoWoP技术通过简化架构提升性能与成本优势，却因PCB技术壁垒、切换风险等短期内或难以落地，更多作为长期研发方向 [29][35][39] CoWoS封装技术的挑战 - CoWoS封装技术逐渐显露出工艺复杂性高、生产成本高、良率控制与测试环节难题、互连性能与电源完整性等电气特性方面的严峻考验 [2] - 台积电长期存在的产能瓶颈，已成为制约行业发展的不小困扰 [2] - 随着AI GPU芯片尺寸的增大以及HBM堆栈数量的增加，CoWoS遇到了光刻掩模尺寸限制了单一模块的最大封装面积的瓶颈 [6] CoPoS封装技术的优势 - CoPoS可以看作是CoWoS的面板化解決方案，核心差异在于将CoWoS中的硅中介层替换为面板尺寸基板 [6] - 这一关键升级使其得以突破现有技术瓶颈，实现更大的封装尺寸、更优的面积利用率和更大的生产灵活性与可扩展性 [6] - CoPoS采用600mm×600mm、700mm×700mm或310mm×310mm等面板级封装规格，提供了更多的封装空间、更高的I/O集成和改进的生产效率 [8][9] - 台积电已启动CoPoS试点线，计划2026年设立首条CoPoS封装技术实验线，目标是在2028年底至2029年间实现该技术的大规模量产 [11] FOPLP封装技术的发展 - FOPLP是扇出式封装与面板级封装的技术融合，兼具两类技术的核心优点 [16] - 其面积利用率超95%，显著高于传统晶圆级封装的85%，并具备批量生产能力强、成本低、周期短等特点 [17] - 市场分析机构Yole统计数据显示，2022年FOPLP市场规模约为4100万美元，预计未来五年将呈现32.5%的复合年增长率，到2028年增长到2.21亿美元 [18] - 日月光投入2亿美元采购设备，在高雄厂建立产线，计划今年年底试产FOPLP [22] - 三星已开始部署面向先进制程的FOPLP技术，其应用于可穿戴设备的Exynos W920 处理器便采用了5nm EUV工艺与FOPLP封装方案 [23] - 台积电初期将选择尺寸较小的300×300mm面板切入FOPLP领域，预计最快2026年完成小规模试产线的建设 [23][24] CoWoP封装技术的优势与挑战 - CoWoP的核心是通过将裸芯片直接通过微凸点倒装到硅中介层上，再与PCB基板键合，实现封装基板与PCB的一体化设计 [29] - 信号完整性提升：省去了传统封装中的有机基板层级，实现信号路径大幅缩短，信号传输损耗降低 [33] - 电源完整性强化：电压调节器可集成于更靠近GPU裸片的位置，大幅缩短供电路径，减少寄生电阻、电容和电感等参数 [33] - 热性能优化：采用"无盖设计"，散热器可直接接触GPU裸片，散热效率显著提升 [36] - PCB主板技术门坎大幅提高：Platform PCB 必须具 备封装等级的布线密度、平整度与材料控制 [36] - 返修与良率压力剧增：GPU裸晶直接焊接主板，失败即报废，制程容错空间低，良率提升难度大 [36] - 技术壁垒显著：CoWoP要求PCB线宽/线距（L/S）缩小至10/10微米以下，与ABF基板标准相当，但当前高密度互连（HDI）PCB的L/S为40/50微米 [37]

CoWoS技术回顾 - CoWoS封装流程分为三个阶段：裸片与中介层通过微凸块连接并填充保护[7] 中介层与封装基板连接[7] 切割晶圆形成芯片并连结至封装基板[7] - 最终结构包含保护环形框、盖板及热介面金属填补空隙[7] CoPoS技术分析 - 用面板级RDL层替代硅中介层 实现Base Die的板级放置[9] - 面板尺寸达510×515毫米 面积利用率显著提升 可容纳芯片数量为300毫米晶圆的数倍[11] - 目标替代CoWoS-R/L系列 但大尺寸面板面临曝光工艺挑战[11] CoWoP技术解析 结构创新 - 直接去除封装基板 通过uBump和C4 Bump连接Base Die与PCB[12] - 7nm以下工艺中C4 Bump直接连接Die存在技术难度[12] 核心优势 - 节省封装基板成本 减少工艺层级 材料费用压缩显著[14] - 信号路径缩短 提升PCIe 6 0/HBM3等效带宽利用率 延迟降低[15] - 无封装盖设计优化散热 支持液冷/热管等新型热管理技术[15] 技术瓶颈 - PCB需超高可靠性与精密度 焊接容错空间极小[16] - 无壳体保护导致热循环/机械应力下易出现裂纹[16] - 要求芯片封装厂与PCB制造商从设计阶段深度协同[16] 技术发展评估 - CoWoP属于激进方案 短期难以对PCB行业产生实质影响[17] - CoPoS尚未完全成熟 但面板化中介层是明确发展方向[11]