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200G EML芯片
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长光华芯(688048):IDM平台筑泛半导体生态 AI算力引领高端光芯片机遇
新浪财经· 2025-12-13 16:27
行业技术趋势 - 第二届光电合封CPO及硅光集成前瞻技术展示交流会于2025年12月11日至12日在无锡举办,行业机构及头部企业齐聚 [1] - 行业明确硅光与CPO技术已脱离“未来技术储备”范畴,成为破解800G/1.6T乃至3.2T超高速互连能耗与带宽瓶颈的必经之路 [1] - 在此趋势下,光芯片供应商长光华芯有望深度受益 [1] 公司业务模式与布局 - 公司是少数具备高功率半导体激光芯片量产能力的IDM企业,拥有覆盖芯片设计、外延生长、晶圆处理至封装测试的全流程工艺平台 [2] - 公司依托GaAs、InP、GaN三大材料体系及边发射、面发射两大核心工艺平台,形成多元化产品矩阵 [2] - 产品矩阵以高功率单管/巴条芯片为基石,横向拓展VCSEL及光通信芯片,纵向向下游延伸至器件、模块及直接半导体激光器 [2] - 垂直整合的业务模式巩固了其在光纤激光器泵浦源等传统领域的优势,并助力公司切入数据中心通讯、激光雷达、3D传感、智能制造等新兴赛道 [2] - 公司通过“自研+投资”双轮驱动,横向切入GaN蓝绿光激光器、硅光、薄膜铌酸锂等前沿领域,并增资惟清半导体进军高端功率器件市场 [3] - 此举将业务边界从单一激光芯片拓展至车载雷达、光计算、新能源等高成长赛道,打开了第二增长曲线 [3] 公司技术突破与产品进展 - 高功率单管芯片室温连续功率突破132W,50W产品实现大批量出货 [3] - VCSEL芯片效率升至74%并获车规认证 [3] - 光通信100G EML芯片实现量产,200G EML芯片开始送样 [3] - 公司发挥IDM平台在多材料体系与多技术路线上的优势,100G EML芯片自2025年第二季度起实现批量交付 [4] - 200G EML芯片进入客户验证阶段,100G VCSEL及大功率CW DFB均达到量产水平 [4] - 在GaN蓝绿光激光器领域,实现蓝光7.5W、绿光1.2W的突破 [3] 市场机遇与公司战略 - 公司紧抓AI算力建设爆发及日本友商产能切换带来的100G EML芯片供需缺口,有望快速抢占市场份额 [4] - 公司通过成立苏州星钥光子提前卡位硅光集成赛道,构建了从当前高端国产替代到未来光电共封装演进的技术竞争力 [4] 财务预测 - 基于行业100G EML光芯片的供需缺口及公司产品进展,将公司2025年归母净利润预测从1991万元上调至3680万元 [4] - 将公司2026年归母净利润预测从6815万元上调至7282万元 [4] - 新增2027年归母净利润预期为1.50亿元 [4] - 预计2025-2027年归母净利润同比增速分别为+136.9%、+97.88%、+106.57% [4]
硅光模块行业:AI驱动高成长,从物理结构和产业链视角拆解硅光投资机会
2025-12-08 08:41
涉及的行业与公司 * **行业**:硅光模块行业,特别是面向AI数据中心应用的高速光模块领域[1] * **公司**: * **光模块厂商**:中际旭创(文中简称旭创)、新易盛[26][36][37] * **上游芯片设计**:博通、Marvell[17] * **上游晶圆代工**:Tower Semiconductor(主导)、GlobalFoundries、台积电[2][25] * **上游材料与器件**: * **磷化铟材料**:住友电工、AXT(通过子公司北京通美晶体)[21][22] * **激光器/芯片**:源杰科技、世佳(可能涉及CW光源布局)[33] * **国内代工**:中芯国际[32] 核心观点与论据 * **核心趋势:AI驱动下,1.6T光模块与硅光技术渗透率将快速提升** * 预计2026年,1.6T和硅光技术的渗透率将从目前的约20%快速提升至50%以上[1][2] * 驱动因素:硅光方案的性价比优势、产能补充潜力、生产与封装良率显著提升[1][2] * **硅光方案 vs. 传统EML方案的核心优势在于成本与集成度** * **成本优势**: * 在1.6T光模块中,传统方案需升级至200G EML,价值量翻倍;硅光方案仍使用70毫瓦的CW光源,采用一拖二配比,价值量远低于EML方案[1][8] * 1.6T光模块中,硅光方案与传统EML方案的成本差距可达100-200美元[1][8] * 在800G光模块中,传统方案需8个100G EML芯片,而硅光方案仅需4个CW激光源,显著降低成本[1][5] * **集成度与材料优势**: * 硅基衬底可集成调制器、探测器、波导等器件,实现高集成度[1][5] * 硅材料价格便宜且供应充足,而磷化铟衬底的EML芯片工艺复杂[5][12] * **供给瓶颈是当前市场核心矛盾,上游物料供应是关键** * 市场核心关注点在于供给端,光模块厂商扩产容易(如旭创需2-3个月),实际交付能力取决于上游物料供应[19][31] * **最紧缺环节**:200G EML芯片,因工艺壁垒高、良率低、供应商有限[2][20][23] * **次紧缺环节**:CW光源,短期存在供给问题,但技术难度不高,扩产瓶颈主要在于MOCVD设备交付(6-9个月)和调试时间[20][24][33] * **供应充足环节**:磷化铟材料、100G EML芯片、DSP芯片(不涉及台积电特别先进制程)[2][20][21] * **技术演进路径明确,向更高集成度与新材料发展** * **集成路径**:当前主流是混合集成,未来趋势是单芯片集成,以降低损耗和空间占用[11] * **调制器材料**:当前硅光方案主要使用硅基马赫曾德尔调制器(MZM)[14];为满足3.2T时代单波400G需求,未来可能转向具有大带宽优势的薄膜铌酸锂调制器[10][15][32] * **激光器集成**:CW光源未来可能通过键合技术进一步集成到PIC上,但目前尚未商业化[13] * **产业链格局与投资关注点** * **产业链环节**: * **上游(核心)**:PIC设计(北美主导)、晶圆代工(Tower等主导)、光芯片(EML/CW)、材料[2][19][25] * **中游(封装)**:如旭创等,封装良率直接影响毛利率[26] * **下游**:系统集成商或终端客户(如NV),存在向二线厂商外包订单的机会[27] * **投资应关注两方面**: 1. **技术升级**:关注在传统方案向硅光方案切换中,能领先进入大批量生产的公司(如旭创、新易盛),有望享受高毛利并巩固市场份额[2][29][36] 2. **供需关系**:关注上游存在供给缺口并有补全机会的环节,如CW光源、法拉第旋光片等[2][37] 其他重要细节 * **性能与场景差异**:传统EML方案在2公里以上长距离传输性能优于硅光方案,因此不可能完全转向硅光[4] * **探测器方案**:接收端主流采用锗硅探测器,通过在PIC表面外延生长锗层实现[16] * **国产化现状**:PIC晶圆代工环节国内自主性较差;国产硅光设备应用有限,仅耦合环节有所涉及[25][26] * **业绩弹性**:在供不应求背景下,头部公司业绩有上调空间。例如,若按最低供应计算,旭创业绩可达300亿元;若供给问题更好解决,业绩可能进一步上调[36] * **配比变化影响**:目前CW光源与光模块配比为1:4,未来可能变为1:2,这将影响相关公司的盈利预测和估值[34] * **物料分配动态性**:不同季度,上游物料分配会因中游公司的需求压力或支付加急费等因素而有所不同[35]
长光华芯:100G EML芯片已量产 200G EML处于送样阶段
巨潮资讯· 2025-11-26 21:10
公司产品技术进展 - 100G EML芯片已实现量产出货 [1] - 200G EML芯片已进入客户送样阶段 [1] - 100G VCSEL、100mW连续波DFB及70mW CWDM4 DFB芯片均已达到量产出货水平 [3] 行业需求与产品应用 - AI、大数据等应用推动数据中心带宽需求快速提升 [3] - 高性能光芯片在云计算和骨干网传输中的重要性不断凸显 [3] - EML、VCSEL以及DFB等器件是实现高速、稳定光互联的关键核心器件 [3] - 相关产品主要面向高速光通信与数据中心等场景 [1]