台积电亚利桑那州晶圆厂建设挑战 - 美国财政部长贝森特警告台积电亚利桑那州400亿美元晶圆厂可能仅能满足美国7%的半导体需求，突显监管障碍问题[3] - 建设进度受当地建管人员干预，频繁变更计划导致停工，贝森特批评美国建设环境因法规过于复杂[3] - 台积电计划2027年前投产第二座亚利桑那州工厂，预计其2nm产能的30%将来自该厂区[3] - 环境法规被指导致美国去工业化，需降低监管障碍以加速建设[3] 台积电先进制程技术进展 - 2nm制程将于2024年下半年量产，预计产品设计定案数量将超过3nm和5nm同期表现[4] - 2nm较N3E制程性能提升显著：相同功耗下速度增加10%-15%，或相同速度下功耗降低25%-30%，芯片密度提升超15%[4] - N2P制程计划2026年下半年量产，针对智能手机和HPC应用优化效能与功耗[4] - A16制程计划2026年下半年量产，较N2P速度增快8%-10%或功耗降低15%-20%，芯片密度提升7%-10%[5] - A14制程开发进展顺利，预计2028年量产，2029年推出超级电轨方案[4]

台积电员工分红与薪酬 - 2024年台积电总计将发出1,405.9亿元新台币员工奖金及分红，年增幅逾4成，以7万员工计算平均每人可领超过200万元新台币（约合人民币50万）[1] - 分红分为四季分红和年分红两部分发放，其中半数（702.96亿元新台币）已每季发放，另半数（702.96亿元新台币）将于7月发放[2] - 具体案例：33职等、年资6年员工可领180万元新台币，32职等、年资5年、考绩S+员工可领116万元新台币[1] - 6年资历以上工程师全年薪资结构上看500万元新台币[3] 台积电财务与业绩表现 - 2024年总营收达2兆8,943亿元新台币，税后净利1兆1,732亿元新台币，均创新高[1] - EPS达45.25元新台币[1] - 业绩增长主要受高效能运算（HPC）和智能手机平台带动[1] 半导体行业技术竞争格局 - 台积电技术领先：预计2024下半年量产2纳米制程，2026下半年量产A16制程，2028年推出A14制程[5] - 台积电2纳米制程良率已突破60%，首批客户包括苹果、高通和联发科[5] - 三星推迟1.4纳米制程至2029年，转向改善2纳米以上成熟制程[4] - 三星2纳米良率不足40%，但高通有意委托其生产[5] - 英特尔18A制程面临客户兴趣缺失问题，可能认列数亿美元费用[4] 行业人才竞争与企业文化 - 台积电分红制度不再与在职状态直接挂钩，导致创新低离职率[3] - 高薪资与分红政策使台积电在半导体业抢人才大战中强化竞争力[3] - 晶圆代工业者薪资直逼一线IC设计厂[3]

英特尔晶圆代工策略调整 - 英特尔新任执行长陈立武考虑对晶圆代工策略进行重大调整，可能放弃Intel 18A制程，集中资源发展下一代14A制程 [1] - 最快7月董事会讨论是否停止向新客户推销18A，但可能延至秋天定案，因涉及金额庞大且情况复杂 [1] - 公司看好14A制程有机会在部分技术超越台积电，目标是吸引苹果及英伟达等大客户转单 [1] - 英特尔18A制程已进入风险试产阶段，今年将达量产规模，但可能被搁置 [1][2] 制程技术对比与规划 - 英特尔18A制程大致等于台积电2022年底量产的N3制程 [1] - 台积电2纳米制程预计2024年下半年量产，英特尔14A与14A-E制程规划2027年进入风险试产 [1] - 业界认为英特尔14A制程对标台积电的埃米级A16制程 [1] - 台积电表示其2纳米和A16制程在节能运算方面领先业界，N2P制程规划2026下半年量产 [3] 财务与客户影响 - 若放弃18A制程，英特尔可能需提列数亿至数十亿美元的帐面损失 [2] - 18A主要客户为英特尔自身，规划下半年量产Panther Lake笔电芯片 [2] - 公司已向亚马逊与微软保证用18A制程生产芯片并定下交货期限 [2] - 吸引外部客户使用代工服务仍是未来发展关键 [2] 管理层决策背景 - 陈立武上任后积极寻找振兴途径，上个月对前任力推的18A制程提出质疑 [2] - 认为18A制程对新客户吸引力正在减弱 [2] - 公司正针对关键客户需求量身打造14A制程技术 [2] - 最终可能维持既定18A计划，因14A研发进度与客户接受度仍存不确定性 [2]

市场展望 - 2030年全球半导体市场将突破1万亿美元，高性能计算（HPC）占比达45%，智能手机占25%，汽车占15%，物联网占10% [4][5] - 边缘计算场景对高能效处理的迫切需求驱动半导体市场长期增长，AI功能深度集成是主要推动力 [4] - 汽车产业快速成长推动台积电N4、N3及N6RF工艺在自动驾驶领域加速应用，数据中心市场指数级成长推动5nm和3nm设计及CoWoS®、SoIC®先进封装技术发展 [5] 先进制程技术 3nm家族 - N3P已于2024年Q4量产，在相同漏电率下性能提升5%或功耗降低5-10%，晶体管密度提升约4% [6][8] - N3X支持1.2V电压，相同功耗下性能提升5%或功耗降低7%，预计2024年下半年量产，但漏电功耗可能增加250% [9] - 3nm家族已收到超过70个NTOS，预计成为高容量、长时间运行的节点 [6][10] 2nm及以下制程 - N2（2nm）制程256Mb SRAM良率>90%，预计2024年下半年量产，N2P将于2026年下半年量产，相比N3E性能提升18%或功耗降低36%，密度提高1.2倍 [11][13] - A16制程融合NanoFLEX晶体管架构、超级电轨和DTCO技术，2026年下半年量产，相比N2P性能提升8-10%或功耗降低15-20%，逻辑密度提升7-10% [14][16][18][19] - A14制程基于第二代GAA晶体管技术，2028年量产，相比N2性能提升15%或功耗降低30%，逻辑密度增加20% [20][21][22] 先进封装技术 - TSMC 3DFabric®技术包括SoIC-P和SoIC-X，N3-on-N4堆叠方案将于2025年量产，A14-on-N2方案2029年就绪 [23][25][26] - CoWoS技术支持硅中介层和有机中介层，InFO技术扩展至汽车应用 [26] - SoW-X基于CoWoS技术，运算能力比现有方案高40倍，2027年量产 [29][30] 特殊制程技术 汽车技术 - N7A、N5A、N3A满足L2-L4级ADAS需求，每代技术性能提升20%或功耗降低30-40%，N3A预计2024年底通过汽车认证 [32] - 28nm RRAM已通过汽车认证，22nm MRAM已量产，16nm MRAM准备就绪 [36][37] 物联网与射频技术 - N4C RF相比N6RF+功耗和面积减少30%，2026年Q1试产，支持Wi-Fi 8和AI功能 [39][40] - 16HV FinFET高压平台相比28HV功耗降低28%，逻辑密度提升41%，适用于OLED和AR眼镜 [41][42] 制造与产能规划 - 2025年AI相关晶圆出货量达2021年12倍，大尺寸芯片出货量达8倍 [44][45] - 2022-2026年SoIC产能CAGR超100%，CoWoS产能CAGR超80% [45] - 2025年新增9座设施，包括6座中国台湾晶圆厂和1座先进封装厂 [45] 可持续发展 - 2040年实现RE100，2050年净零排放，加入SBTi设定减碳目标 [46] - 2030年供应链碳排放降低50%，资源回收率98%，工业用水循环利用率97%以上 [46][47]

财报表现 - 25Q1收入255 3亿美元 同比+35 3%/环比-5 1% 符合指引预期(250-258亿美元) 环比下降主要受智能手机季节性因素影响 部分被AI需求增长抵消 [2] - 25Q1毛利率58 8% 同比+5 7pcts/环比-0 2pcts 位于指引上限(57-59%) 主要受地震及海外产能扩张稀释 部分被成本改善措施抵消 [2] - 25Q1 EPS为13 94新台币 ROE为32 7% ASP 3482美元/环比-0 4% [2] - 25Q2收入指引284-292亿美元 中值同比+38%/环比+13% 主要受3/5nm技术强劲增长驱动 [4] 业务结构 - 按技术节点: 25Q1 3/5/7nm收入占比分别为22%/36%/15% 7nm及以下先进制程合计占比73% [2] - 按平台划分: HPC收入150 6亿美元 环比+7% 占比59%/环比+6pcts 智能手机收入71 5亿美元 环比-22% 占比28%/环比-7pcts [2] - 按地区划分: 北美收入占比77% 环比+2pcts 中国大陆占比7% 环比-2pcts [2] 资本支出与产能规划 - 25Q1资本支出100 6亿美元 2025全年指引380-420亿美元 其中70-80%用于先进制程 10-20%用于特色工艺 10-20%用于先进封装/测试/光罩等 [2] - 美国亚利桑那州追加1000亿美元投资 计划再建设3座晶圆厂+3座先进封装厂+1个研发中心 叠加此前规划总投资达1650亿美元 [15] - 日本熊本第一座特色晶圆厂2024年底量产 第二座预计2025年底建设 德国德累斯顿晶圆厂按计划推进 中国台湾地区未来几年将建设11座晶圆厂+4座先进封装厂 [15] 技术进展 - N2制程预计25H2量产 产能爬坡节奏与N3E类似 前两年新流片数量将高于N3和N5同期水平 [17] - N2P制程作为N2延伸 计划26H2量产 A16制程针对高性能计算产品 计划26H2量产 [17] - N2相比N3E在相同功耗下速度提升10-15% 或相同速度下功耗降低20-30% 芯片密度提升超15% [17] AI业务展望 - 维持2025年AI加速芯片收入翻倍指引 相关产能也将翻倍 未来五年AI加速芯片营收CAGR预计接近45% [14] - DeepSeek等推理模型将提高效率并降低AI发展门槛 促进领先芯片使用 [14] - AI GPU、AI ASIC、HBM等产品需求持续强劲 公司正与客户密切合作规划产能 [14] 海外扩张影响 - 海外工厂成本较高 预计2025年毛利率稀释2-3pcts 未来五年初期每年稀释2-3pcts 后期扩大至3-4pcts 但长期仍维持53%以上毛利率目标 [11] - 亚利桑那州2nm及以下先进制程产能占比将达30% 形成独立半导体制造集群 [15] - 海外扩张主要响应客户需求 特别是美国客户如苹果、英伟达、AMD等对AI芯片的强劲需求 [19]