公司财务表现 - 2025年上半年营业收入19.36亿元，同比增长26.25% [2] - 归属于上市公司股东的净利润2.75亿元，同比微增0.26% [2] - 扣除非经常性损益的净利润同比下降2.68% [2] - 经营活动产生的现金流量净额3.64亿元，同比下降30.06% [2] 业务结构 - 新能源行业收入12.13亿元，同比增长25.80% [6][7] - 新能源汽车行业收入保持快速增长 [6] - 新能源发电行业收入同比增长200%以上 [7] - 工业控制及电源行业收入5.06亿元，同比下降13.20% [9] - 家电及其他行业收入2.15亿元，同比增长63.31% [9] 技术产品进展 - 第七代微沟槽Trench Field Stop技术的Plus版本芯片在多个800V双电控平台实现批量交付 [7] - 自建6英寸SiC芯片产线良率达到国际领先水平 [8] - 开发出全球组串式光伏逆变器最大功率模块解决方案 [9] - 车规级SiC MOSFET模块获得载人电动商用飞行器定点，首次进入商业航空领域 [10] 市场拓展 - 通过国内外Tier1配套欧洲、印度、北美等地区OEM厂商，海外市场份额迅速增长 [8] - 新增多个IGBT和SiC MOSFET主电机控制器项目平台定点 [8] - 战略控股美的集团旗下美垦半导体80%股权，加速白色家电市场拓展 [9] - 在AI服务器电源、数据中心、机器人等新兴行业取得突破性进展 [10] 研发投入 - 2025年上半年研发费用2.30亿元，占营业收入比重11.87% [16][18] - 在德国纽伦堡和瑞士苏黎世设有海外研发中心 [12][14] - 形成"脑-心-神经"协同架构，提供MCU、功率半导体与栅极驱动IC完整解决方案 [3] 行业背景 - 2023年全球功率半导体市场规模503亿美元，预计2027年达596亿美元 [5] - 2024年中国功率半导体市场规模1752.55亿元，同比增长15.3% [5] - 2023年全球IGBT市场规模90亿美元，预计2026年达121亿美元 [6] - 碳化硅功率器件市场规模预计2027年超过100亿美元，年复合增速近40% [6] 生产能力 - 形成年产6万片6英寸车规级SiC MOSFET芯片生产能力 [3] - 具备年产30万片6英寸3300V以上高压特色功率芯片生产能力 [3] - 采用"Fabless+IDM双轮驱动"混合业务模式 [15] 资产状况 - 总资产103.91亿元，较上年度末增长7.73% [2] - 固定资产39.98亿元，较上年度末增长59.82% [16] - 商誉5159.70万元，系收购美垦半导体80%股权所致 [16]

氮化镓技术背景与材料特性 - 世界氮化镓日定为每年7月31日，源于氮（N）和镓（Ga）在元素周期表中的排序（第7号和第31号元素），彰显其战略科技地位 [1] - 氮化镓（GaN）与碳化硅（SiC）同属化合物半导体，材料性能直接影响电子器件特性，SiC MOSFET优势在于更大功率，GaN HEMT优势在于更高频率 [2][3] - 氮化镓HEMT器件结构复杂，需在硅衬底上生长多层外延（如NL成核层、SRL超晶格层等），材料工艺比晶圆加工更关键 [6][7] 氮化镓应用市场分析 汽车领域 - 主驱动逆变器中SiC因耐高压、高温及短路保护能力（>3微秒）占据优势，GaN目前短路能力低于500ns，短期内难以替代 [10] - 车载充电器（OBC）和DC-DC转换器是GaN重点方向，已有厂商推出11kW/800V方案，650V以下电压区间具备成本和体积优势 [10] - 车规级可靠性是GaN主要障碍，异质外延工艺缺陷需通过器件设计和测试标准完善解决 [11] 消费电子与AI服务器 - GaN在消费电子快充市场快速普及，英诺赛科出货量达6.6亿颗，2024年营收8.28亿元，全球份额第一 [12][13] - AI服务器电源需求功率密度达100 W/in³，GaN高频特性显著提升效率（如纳微半导体方案峰值效率96.52%） [18] 人形机器人与光储充系统 - 人形机器人关节电机需0.1秒内完成500rpm转速切换，GaN器件开关速度优于硅基MOSFET，上海智元已在3个关键关节应用GaN芯片 [21][23] - 光伏和储能场景中GaN无需短路保护能力，英诺赛科2kW微型逆变器方案功率密度40W/in³，充电效率提升2倍 [24] 技术挑战与成本结构 - 硅基GaN外延面临晶格/热失配问题，高压器件需更厚外延层，缺陷抑制难度大 [25] - GaN成本优势在于硅衬底成本低，但需平衡衬底、晶圆制造、封装、良率等环节，与SiC竞争关键在产业链协同 [25] 行业动态与IPF 2025大会 - IPF 2025为国内宽禁带半导体最高规格会议，聚焦GaN与SiC产业链交锋，郝跃院士将报告宽禁带器件进展，英诺赛科董事长骆薇薇等重磅嘉宾出席 [34][35] - 大会议程涵盖材料、器件设计、应用创新（如AI数据中心、车用模块等），设置GaN与SiC协同发展圆桌论坛 [36][38][40][42]