业绩总结 - 2025年上半年公司实现营业收入7.94亿元，归属上市公司股东净利润1088.02万元，扣非净利润为 -1094.47万元[24] - 本报告期基本每股收益为0.03元／股，上年同期为0.24元／股，同比减少87.50%[24] - 本报告期加权平均净资产收益率为0.21%，上年同期为1.95%，减少1.74个百分点[24] - 本报告期研发投入占营业收入的比例为9.55%，上年同期为6.16%，增加3.39个百分点[24] - 本报告期营业收入同比减少12.98%，利润总额同比减少92.62%[26] 用户数据 - 截至报告期末，公司与全球前十大功率半导体器件制造商中一半以上建立业务合作关系[45] 未来展望 - 公司拟发行不超过87206050股境外上市普通股并在香港联合交易所上市[53] 新产品和新技术研发 - 2024年11月公司推出业内首款12英寸碳化硅衬底[37] - 截至2025年半年度末，公司及下属子公司累计获得发明专利授权197项，实用新型专利授权305项，境外发明专利授权14项[49] - 公司结合人工智能数字化仿真及大数据技术使碳化硅衬底生产流程自动化[40] 市场扩张和并购 - 2025年公司分别与舜宇奥来、东芝电子元件达成合作[46][47] 其他新策略 - 公司采用层级管理的项目制运作研发工作[39] - 公司与最大供应商建长期合作关系确保稳定获得资源[39] - 公司采用直销模式，有经验丰富且训练有素的销售及营销团队[41]

核心财务表现 - 2025年上半年营业收入7.94亿元，同比下降12.98% [3] - 归属于上市公司股东的净利润1088.02万元，同比下降89.32% [3] - 扣除非经常性损益的净利润为-1094.47万元，同比下降111.37% [3] - 研发费用7584.67万元，同比增长34.93%，占营业收入比例9.55% [3][32] 产能与生产布局 - 山东济南和上海临港两大生产基地设计年产能超40万片碳化硅衬底 [4][9] - 上海临港工厂2024年年中提前达到年产30万片导电型衬底产能规划 [9] - 已实现8英寸碳化硅衬底量产，2024年推出业内首款12英寸碳化硅衬底 [4][5][12] 技术研发创新 - 累计获得发明专利授权197项，实用新型专利授权305项，其中境外发明专利14项 [12][20][32] - 研发重点包括12英寸衬底、P型衬底及光学领域用衬底技术开发 [12][32] - 首创使用液相法制备无宏观缺陷的8英寸碳化硅衬底 [5][12] - 开发出高质量低阻P型碳化硅衬底，推动高性能SiC-IGBT发展 [12] 市场地位与客户拓展 - 2024年全球导电型碳化硅衬底市场占有率22.8%，稳居全球前三 [4][11] - 与全球前十大功率半导体器件制造商中过半企业建立业务合作关系 [4][10][11] - 客户包括英飞凌、博世、安森美等国际知名企业 [4] - 开拓光学领域新客户，已获得多个订单并实现销售 [10] 产品与应用领域 - 产品矩阵涵盖6/8/12英寸碳化硅衬底，包括高纯半绝缘型和导电型 [12] - 主要应用领域包括电动汽车、光伏储能、电力电网、轨道交通、通信、AI眼镜等 [4][17] - 碳化硅材料在AI数据中心、电力基础设施与终端应用具有巨大潜力 [8][17] 战略合作与荣誉 - 2025年与舜宇奥来达成战略合作，开拓微纳米光学领域 [11] - 2025年与东芝电子元件签署SiC功率半导体衬底合作基本协议 [11] - 获得2024年日本半导体创新大奖"半导体电子材料"类金奖 [13] - 入选2025年"山东知名品牌"榜单 [13] H股上市与资本运作 - 2025年8月20日成功在香港联交所主板挂牌上市，股票代码02631 [14][15] - H股发行47,745,700股（行使超额配售权前） [15] - 本次上市有助于加快国际化战略及海外业务布局 [14] 行业发展趋势 - 碳化硅材料具有耐高压、耐高频、高热导性等特性，是宽禁带半导体重要发展方向 [4] - 在电动汽车、光伏等高性能应用领域具有显著优势 [4] - 下游应用需求呈现爆发式增长，行业前景广阔 [4][8]

技术突破 - 华为与山东大学合作开发1200V全垂直GaN-on-Si沟槽MOSFET 采用氟注入终端技术 击穿电压从567V提升至1277V [2] - 新型FIT-MOS器件实现3.3V阈值电压 开关比达10^7 比导通电阻低至5.6mΩ·cm² 导通电流密度达8kA/cm² [2][7] - 氟注入终端取代传统台面刻蚀终端 通过固定负电荷形成高电阻区 消除电场拥挤效应 [2][7] 行业背景 - 650V-1200V电压区间成为GaN与SiC竞争焦点 SiC因衬底成本高昂在性价比方面受限 [4] - GaN-on-Si异质外延技术突破为低成本高性能晶体管制造提供可能 [4] - 横向HEMT架构受限于可扩展性 垂直拓扑通过增加漂移层厚度实现kV级阻断能力 [5] 技术细节 - 器件采用N-P-N外延结构 包含20nm n⁺⁺-GaN层/200nm n⁺-GaN源极层/400nm p-GaN通道层/7μm n⁻-GaN漂移层 [14] - 基于6英寸硅衬底 穿通位错密度为3.0×10⁸cm⁻² 阴极发光测量结果为1.4×10⁸cm⁻² [17] - 制造工艺采用三能级氟离子注入(240keV/4×10¹⁴cm⁻²、140keV/2×10¹⁴cm⁻²、80keV/1.2×10¹⁴cm⁻²) [12] 性能对比 - TCAD仿真显示MET结构在400V时台面拐角电场达2.7MV/cm 而FIT结构在1200V时有效抑制电场拥挤 [20] - 相比同类产品 7μm漂移层实现1277V击穿电压 性能媲美需要10μm以上漂移层的GaN-on-GaN器件 [24] - Baliga优值(BFOM)达291MW/cm² 与原生GaN衬底器件相当 [24] 应用前景 - 该技术为kV级电力电子系统发展奠定基础 特别适用于1200V高压应用场景 [7] - 全垂直结构配合导电缓冲层 避免复杂衬底工程工艺 提升制造可行性 [15] - 氟注入终端技术展现垂直GaN沟槽MOSFET在高压系统中的巨大应用潜力 [25]

股价表现 - 2025年8月20日收盘价66.26元 较前日下跌0.61元[1] - 当日开盘价66.88元 最高价66.88元 最低价63.55元[1] - 成交量122756手 成交额8亿元[1] 港股上市表现 - 8月20日港交所挂牌上市 发行价42.80港元[1] - 港股收盘价45.54港元 较发行价上涨6.4%[1] 财务数据 - 2024年营收17.68亿元 净利润1.79亿元[1] - 海外收入占比57.03%[1] 资金流向 - 8月20日主力资金净流出10597.78万元 占流通市值0.37%[1] - 近五日主力资金累计净流出16927.95万元 占流通市值0.59%[1] 公司业务 - 专注于宽禁带半导体碳化硅衬底材料研发生产[1] - 全球碳化硅衬底制造商排名前三 市场份额16.7%[1] - 产品应用于电动汽车 AI数据中心 光伏系统等领域[1] 公司背景 - 成立于2010年[1] - 所属半导体板块[1]

大会概况 - 第三届功率器件制造测试与应用大会(IPF 2025)将于2025年8月21-22日在江苏无锡梁鸿湿地丽笙度假酒店举办，主办方为宽禁带半导体国家工程研究中心，联合多家行业协会及企业承办[2][7] - 会议规模预计800-1000人，参与对象覆盖半导体全产业链，包括衬底/外延厂商、设计/制造企业、光伏/储能/汽车整机厂商、Tier 1/2供应商等[7] - 赞助企业包括意法半导体、杭州芯研科半导体材料、优尼康科技等12家产业链企业[12][13] 大会议程 产业领袖峰会 - 首日上午聚焦宽禁带半导体前沿技术： - 中国科学院院士那跃将分享宽禁带半导体功率器件研究进展[3] - 武汉大学刘胜院士探讨功率半导体多场跨尺度建模仿真与数字孪生技术[3] - 复旦大学张清纯教授分析碳化硅缺陷对器件性能影响及技术发展趋势[3] - 圆桌论坛由张清纯主持，讨论GaN与SiC在电力电子应用中的挑战，参与方包括新微半导体、晶湛半导体、富士康研究院等企业高管[3] 分论坛技术议题 - **材料与制造**：天岳先进研发中心主任朱灿将介绍液相法P型碳化硅衬底在高压领域应用，厦门福茂科技郭政煌博士探讨大尺寸碳化硅外延设备关键技术[3] - **器件与系统集成**：中车科学家刘国友分享功率半导体与集成技术，九峰山实验室袁俊研究员展示JFS新型碳化硅沟槽器件技术[3] - **测试与封装**：积塔半导体刘新杰解析助力SiC功率器件上主驱的测试技术，采埃孚徐青介绍芯片内嵌技术实现车规级可靠性[4] - **新兴技术**：中国科学技术大学龙世兵教授发表氧化镓半导体功率电子器件研究，化合积电谢娜娜探讨超宽禁带金刚石半导体材料进展[4] 参会信息 - 门票分为三档：原价票1,398元/人、早鸟票1,298元(2025年7月15日前)、三人团购票1,230元/人，终端用户(整车厂/Tier1等)可申请免费票[16] - 协议酒店价格为380元/晚(含早餐)，距离无锡硕放机场11公里，无锡东站15公里[20] - 注册方式支持银行汇款至互动芯科技公司或移动支付[17]

公司招股信息 - 天岳先进于2025年8月11日-8月14日招股 拟全球发售4774 57万股H股 其中香港发售占5% 国际发售占95% [1] - 发售价不高于42 80港元 每手100股H股 预期H股将于2025年8月19日在联交所开始买卖 [1] - 基石投资者国能环保 未来资产证券等已同意认购总金额7 40亿港元发售股份 按最高发售价42 80港元计算 将认购1729 52万股 [2] 公司行业地位 - 公司专注于碳化硅衬底研发与产业化 按2024年碳化硅衬底销售收入计 公司为全球前三制造商 市场份额达16 7% [1] 公司财务表现 - 收入从2022年4 17亿元增长199 9%至2023年12 51亿元 2024年进一步增长41 4%至17 68亿元 [2] - 2025年第一季度收入同比减少4 2%至4 08亿元 2024年实现扭亏为盈 净利润达1 79亿元 [2] - 2025年第一季度净利润同比下降至850万元 [2] 募资用途 - 假设发售价42 80港元且超额配股权未行使 预计募资净额19 38亿港元 [3] - 70%募资额(13 57亿港元)用于扩张8英寸及以上碳化硅衬底产能 [3] - 20%募资额(3 88亿港元)用于加强研发能力 [3] - 10%募资额(1 94亿港元)用于营运资金及一般企业用途 [3] - 若超额配股权悉数行使 将额外募资2 96亿港元并按比例分配至上述用途 [3]

公司招股信息 - 天岳先进拟全球发售4774.57万股H股，香港发售占5%，国际发售占95% [1] - 发售价不高于42.80港元，每手100股H股，预期2025年8月19日在联交所开始买卖 [1] - 按最高发售价42.80港元计算，基石投资者将认购1729.52万股发售股份，总金额7.40亿港元 [2] 行业地位与业务 - 公司专注于碳化硅衬底的研发与产业化，是全球排名前三的碳化硅衬底制造商 [1] - 2024年碳化硅衬底销售收入市场份额为16.7% [1] 财务表现 - 收入从2022年4.17亿元增长199.9%至2023年12.51亿元，2024年进一步增长41.4%至17.68亿元 [2] - 2025年第一季度收入4.08亿元，较2024年同期4.26亿元下降4.2% [2] - 2022年亏损1.76亿元，2023年亏损4570万元，2024年实现利润1.79亿元 [2] - 2024年第一季度利润4610万元，2025年同期利润850万元 [2] 募集资金用途 - 预计全球发售所得款项净额约19.38亿港元 [3] - 70%或13.57亿港元用于扩张8英寸及更大尺寸碳化硅衬底产能 [3] - 20%或3.88亿港元用于加强研发能力 [3] - 10%或1.94亿港元用于营运资金及其他一般企业用途 [3] - 若超额配股权悉数行使，将额外获得2.96亿港元，并按比例用于上述用途 [3]

氮化镓技术背景与材料特性 - 世界氮化镓日定为每年7月31日，源于氮（N）和镓（Ga）在元素周期表中的排序（第7号和第31号元素），彰显其战略科技地位 [1] - 氮化镓（GaN）与碳化硅（SiC）同属化合物半导体，材料性能直接影响电子器件特性，SiC MOSFET优势在于更大功率，GaN HEMT优势在于更高频率 [2][3] - 氮化镓HEMT器件结构复杂，需在硅衬底上生长多层外延（如NL成核层、SRL超晶格层等），材料工艺比晶圆加工更关键 [6][7] 氮化镓应用市场分析 汽车领域 - 主驱动逆变器中SiC因耐高压、高温及短路保护能力（>3微秒）占据优势，GaN目前短路能力低于500ns，短期内难以替代 [10] - 车载充电器（OBC）和DC-DC转换器是GaN重点方向，已有厂商推出11kW/800V方案，650V以下电压区间具备成本和体积优势 [10] - 车规级可靠性是GaN主要障碍，异质外延工艺缺陷需通过器件设计和测试标准完善解决 [11] 消费电子与AI服务器 - GaN在消费电子快充市场快速普及，英诺赛科出货量达6.6亿颗，2024年营收8.28亿元，全球份额第一 [12][13] - AI服务器电源需求功率密度达100 W/in³，GaN高频特性显著提升效率（如纳微半导体方案峰值效率96.52%） [18] 人形机器人与光储充系统 - 人形机器人关节电机需0.1秒内完成500rpm转速切换，GaN器件开关速度优于硅基MOSFET，上海智元已在3个关键关节应用GaN芯片 [21][23] - 光伏和储能场景中GaN无需短路保护能力，英诺赛科2kW微型逆变器方案功率密度40W/in³，充电效率提升2倍 [24] 技术挑战与成本结构 - 硅基GaN外延面临晶格/热失配问题，高压器件需更厚外延层，缺陷抑制难度大 [25] - GaN成本优势在于硅衬底成本低，但需平衡衬底、晶圆制造、封装、良率等环节，与SiC竞争关键在产业链协同 [25] 行业动态与IPF 2025大会 - IPF 2025为国内宽禁带半导体最高规格会议，聚焦GaN与SiC产业链交锋，郝跃院士将报告宽禁带器件进展，英诺赛科董事长骆薇薇等重磅嘉宾出席 [34][35] - 大会议程涵盖材料、器件设计、应用创新（如AI数据中心、车用模块等），设置GaN与SiC协同发展圆桌论坛 [36][38][40][42]

β-氧化镓单晶片行业分析 行业概述 - β-氧化镓单晶片是一种基于β-Ga2O3材料制成的半导体单晶片，具有4.9 eV的禁带宽度、8 MV/cm的高击穿电场强度和高紫外透过率等优异电气性能 [1] - 与传统材料如Si、SiC和GaN相比，β-氧化镓在制造超高功率元器件时表现出更低的损耗和更强的耐压性能 [1] - 预计2031年全球市场规模将达到4.3亿美元，未来几年年复合增长率为27.6% [1] 市场格局 - 2023年全球前三大厂商占有约94.0%的市场份额，主要生产商包括Novel Crystal Technology、杭州镓仁、北京铭镓等 [6] - 按产品类型细分，4英寸产品占据主导地位，市场份额约为54.8% [8] - 按应用细分，教育科研是最大下游市场，占据约53.2%的份额 [9] 技术特性 - 宽禁带性质：禁带宽度约4.8 eV，具有优异的高温、高电场耐受性和高击穿电压 [14] - 高击穿场强：达8-10 MV/cm，优于传统硅和氮化镓材料 [14] - 较好的电子迁移率和可调电导性，为高效电子器件提供基础 [15] - 在开关、整流、紫外探测等领域具有节能和高效亮点 [16] 驱动因素 - 在紫外光发射、紫外探测、功率电子器件、激光等领域有广泛应用前景 [17] - 单晶生长技术逐渐成熟，如CZ法等，支持高质量单晶片的规模生产 [17] - 生产工艺优化和规模化使成本逐步降低 [18] - 国家和地区对新型宽禁带半导体材料的政策支持 [18] 发展障碍 - 晶体缺陷控制难度高，影响器件性能的稳定性和可靠性 [19] - 高品质晶体生长技术仍在发展中，限制大规模生产能力 [19] - p型掺杂技术尚未成熟，限制器件设计的灵活性 [19] - 缺乏专门针对β-Ga2O3的产业链配套设备 [19] - 界面质量和缺陷控制仍是技术难题 [20] - 导热能力较差导致散热设计困难 [20] - 高品质单晶制造成本较高 [21] - 产业链尚未完全成熟 [21] - 面临硅和氮化镓等成熟材料的市场竞争压力 [22] 发展机遇 - 高功率与高电压器件市场需求增长，如电源管理、变频器和电动车驱动系统 [23][24] - 紫外光电子与传感器应用，如紫外传感和紫外LED等高端应用领域 [25] - 新能源汽车和智能电网发展带动高效能半导体器件需求 [26] - 太空科技、军事防务、激光器件等新兴应用场景 [27] - 产业链逐步完善和成本降低将加快应用普及 [28] - 政策扶持和资金支持为产业化提供良好环境 [29] - 全球能源转型推动高效电力电子器件需求 [30] 研究机构 - QYResearch成立于2007年，是全球知名的细分行业调研服务咨询机构 [38] - 业务遍及160多个国家，在全球30多个国家有固定营销合作伙伴 [38] - 服务领域涵盖电子半导体、化工原料、先进材料、机械设备制造、新能源汽车、光伏等多个产业链 [38]

Wolfspeed的困境与破产原因 - Wolfspeed面临65亿美元债务压力，现金储备仅13亿美元，偿债压力巨大导致股价暴跌超50% [3] - 公司激进扩张策略导致财务危机，包括投资数十亿美元建设8英寸晶圆厂和30亿美元德国碳化硅工厂 [9] - 大客户特斯拉减少碳化硅芯片使用，终端市场复苏不及预期，莫霍克谷工厂产能利用率仅25% [9] - 8英寸晶圆良率长期低于30%，远低于行业70%的基准水平 [9] - 中国厂商崛起导致市占率从60%以上降至30%，2024年天岳先进和天科合达合计市占率达34.4% [10] 碳化硅与氮化镓技术特性 - 碳化硅禁带宽度3.26 eV（硅1.12 eV），击穿场强是硅的10倍，可降低导通损耗 [5] - 碳化硅可使新能源汽车续航提升10%，光伏逆变器效率从96%提升至99% [8] - 氮化镓电子迁移率1800 cm²/V·s，开关频率达MHz级，适用于高频场景 [5][8] - 氮化镓快充可使消费电子电源体积缩小75%，5G基站射频效率提升30% [8] - 第三代半导体与硅基半导体将长期共存，分别适用于高压高频和传统场景 [6] 中国化合物半导体行业发展 - 2024年中国占全球化合物半导体市场36%，增速最快 [12] - 天岳先进和天科合达8英寸衬底价格仅为国际水平的30%，交货周期缩短30% [10][15] - 比亚迪新建碳化硅工厂产能规模全球第一，是第二名十倍 [10] - 英诺赛科是全球最大8英寸氮化镓晶圆制造商，苏州晶湛实现12英寸氮化镓外延片量产 [16] - 国内企业在衬底、外延、器件等环节加速突破，整体份额已超40% [16] 行业政策与市场前景 - 十四五规划将碳化硅、氮化镓列为重点发展方向 [13] - 2024年全球化合物半导体市场规模230.5亿美元，2024-2030年CAGR超10% [12] - 新能源汽车（35%）、通信（28%）、消费电子（18%）为前三大应用领域 [18] - 2030年第三代半导体预计占功率器件市场40%，SiC/GaN协同互补 [8] - 6G商用将催生数百亿美元氮化镓市场，太赫兹频段依赖化合物半导体 [17] 行业投融资趋势 - 2025年化合物半导体领域出现多起十亿元以上融资，如瞻芯电子近10亿人民币C轮融资 [23] - 融资多分布于A轮以后，显示资本对赛道的长期布局 [22] - 大基金二期参与投资江苏神州半导体和昂坤视觉等企业 [23] - 行业呈现"低端过剩、高端紧缺"格局，6英寸衬底价格跌破500美元/片 [21] - 2025年全球化合物半导体市场规模预计达250亿美元，电力电子领域CAGR超13% [21]