从通算到智算，AIDC的电力需求激增，高压、高效成为重要趋势。现有供电链路包含多级AC/DC与 DC/DC转换，层层损耗让效率降低，增加了故障点与维护负担。随着单机柜功耗的不断提升，继续采 用传统交流配电方案将推高下一代数据中心部署的资本支出和运营成本。因此，更高效、更紧凑、更智 能的供电架构已成为迫切需求。基于提升数据中心供电效率的要求，英伟达联合产业链伙伴提出使用 800VHVDC供电架构，有望大幅提升供电效率、节省电费。进一步地，SST固态变压器有望成为未来主 流的供电系统变压方案。SST通过电力电子技术实现能量传递和电力变换，与传统变压器比，SST具有 效率更高、电力品质更好、模块化程度高、性能稳定等优点，能大幅提升空间利用率和供电效率。SST 长期有望成为数据中心直流供电变压方案的最佳选择，英伟达在AIDC白皮书中指出将SST方案作为远 期供电架构主流技术方案。 智通财经APP获悉，东方证券发布研报称，SST长期有望成为数据中心直流供电变压方案的最佳选择， 英伟达(NVDA.US)在AIDC白皮书中指出将SST方案作为远期供电架构主流技术方案。HVDC、SST等供 电新方案方向明确，AI服务器及数据 ...

行业投资评级 - 电子行业评级为“看好”（维持）[6] 核心观点 - AI数据中心（AIDC）供电新方案（如800V HVDC、SST）方向明确，其发展有望为碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率器件打开新的成长空间[2][3][9] - 区别于部分投资者认为SiC/GaN行业成长空间有限的看法，报告认为AI算力设施的需求将驱动SiC/GaN市场持续增长，预计到2030年，应用于800V HVDC数据中心供电系统的SiC/GaN市场规模可达27亿美元[9][11][78] 行业趋势与驱动力 - 从通用计算到智能计算，AIDC的单机柜功率需求显著提升，从传统的5-8kW增至20-50kW甚至100kW以上，英伟达Kyber代单机柜功率预计在2027年将达到1MW以上，高压、高效成为重要趋势[19][20] - 传统交流配电方案因多级转换导致效率低、系统复杂，已难以满足高功耗需求，更高效、紧凑、智能的供电架构成为迫切需求[9][21][24] - 英伟达推动的800V HVDC架构采用“交流一次转换、直流全程传输”思路，预计2027年全面落地，该架构可支持单柜功率突破1MW，相比415V交流电可使相同线径导线传输功率提升157%，并能显著节省电费，一座30MW的智算中心每年可节省电费超1220万元[26][28][32][33] - 固态变压器（SST）通过电力电子技术实现能量传递，与传统变压器相比具有效率更高、电力品质更好、模块化程度高、体积重量小等优点，台达SST方案效率达98.3%，功率密度达476kW/m²，英伟达将其作为远期主流技术方案[9][37][38][45][47][53] 技术应用与市场机会 - 宽禁带半导体SiC和GaN材料在耐压性、耐热性、开关频率等方面性能优于传统硅基材料，能提高电源功率密度，减小变压器体积，例如GaN器件可将LLC谐振变换器开关频率提升至300kHz，使主变压器体积缩小约14%[56][57][59] - 未来HVDC供电架构中的SST、DC-DC电源等环节对SiC/GaN有较强确定性需求，SST需要大量6500V至650V的碳化硅器件，DC-DC电源将采用650V和1200V的氮化镓器件，英伟达已与纳微半导体、英诺赛科、英飞凌等多家SiC/GaN厂商合作[9][65] - 当前SiC/GaN渗透率仍低，2024年碳化硅在全球功率半导体中渗透率为4.9%，2023年氮化镓渗透率为0.5%，AI算力设施需求有望成为新的增长引擎，助力其加速渗透[68][69][71] 产业链相关标的 - 报告列出了受益于HVDC、SST等供电新方案发展的产业链相关公司，涵盖SiC/GaN功率器件、衬底材料、晶圆代工、被动器件及设备等多个环节[3][14][81] - 具体标的包括：GaN行业龙头英诺赛科；碳化硅衬底领军者天岳先进；布局SiC/GaN功率器件的华润微、新洁能、斯达半导；布局SiC功率器件代工的芯联集成-U；功率被动器件公司法拉电子、江海股份；宽禁带半导体设备商中微公司等[3][14][81] - 此外，服务器电源厂商如为英伟达800V HVDC架构提供电源系统组件的比亚迪电子、布局高功率服务器电源业务的领益智造等也有望受益于市场空间打开[3][14][81]

SST当前为何成为产业焦点?SST的技术优势集中体现在高效率、小型化两大维度 1)在效率方面，SST通过高频电力电子变换取代传统工频变压器，将系统效率提升至98%以上，较传统 HVDC的95.1%和巴拿马电源的97.5%有显著进步，而对年耗电量巨大的吉瓦级数据中心而言，每提升 1%效率意味着每年节省数千万元电费。2)在小型化方面，SST采用高频磁材和模块化设计，其磁芯体积 与工作频率成反比，使得同等功率下的变压器体积大幅缩小，同时通过输入级-隔离级-输出级的三级结 构高度集成隔离、整流、逆变等功能，极大节约了机房空间。 SST如同电路路由器，主动灵活、适配绿电要求，为其长期发展打开更大想象空间 1)主动灵活性：SST本质上是一个"软件定义"的电能路由器，通过数字信号处理器(DSP)或现场可编程门 阵列(FPGA)实现实时调控，能够无缝并网、动态补偿无功功率、抑制谐波，并具备故障自愈能力，从 根本上提升了供电系统的智能性和韧性。2)绿电适配性：我国要求国家枢纽节点新建数据中心绿电比例 超过80%，如何经济高效地接入可再生能源成为关键挑战。SST凭借宽电压输入和多端口兼容性，可直 接接入光伏、风电等直流绿电，避免 ...

公司业绩概览 - 2025年前三季度营业收入297.69亿元，同比下降44% [1] - 2025年前三季度归母净利润15.13亿元，同比激增265.09% [1] - 第三季度营业收入44.27亿元，同比下滑77.38%，归母净利润10.4亿元，同比增幅达279.29% [1] - 公司业绩呈现显著的"营收下滑、利润高增"分化特征 [1] 业务结构战略调整 - 公司加速剥离低毛利的产品集成业务，聚焦高附加值半导体赛道 [1] - 截至第三季度，产品集成业务收入仅剩1.10亿元，占总营收比重降至2.50% [1] - 半导体业务收入占比已超97%，成为绝对营收支柱 [1] 安世半导体业绩表现 - 安世半导体第三季度贡献营收43.00亿元，同比增长12.20% [3] - 业务毛利率高达34.56%，实现净利润7.24亿元 [3] - 营收规模超越2022年"缺芯潮"时期的单季峰值 [3] - 推动公司前三季度销售净利率从2024年的-3.88%跃升至5.05% [3] 区域市场表现 - 中国市场第三季度收入创历史新高，同比增长约14%，占全球总收入比重达49.29% [5] - 中国市场汽车业务收入同比增幅超26%，AI服务器、AI PC等计算设备相关业务增长显著 [5] - 欧洲市场延续补库存趋势，同比增长超10% [5] - 美洲市场在汽车与工业需求驱动下增长14% [5] - 韩国等亚洲其他地区实现中个位数增长 [5] 产品与技术进展 - MOSFET产品收入同比增长超13%，全新一代80V、100V产品已实现量产交付 [6] - 逻辑芯片及模拟芯片收入增幅超15%，多款AI电源及汽车应用相关新品陆续推出 [6] - 宽禁带半导体成为新增长点，SiC MOS与GaN FET等产品收入较去年同期增长约三倍 [6] - 安世半导体在全球功率分立器件市场排名已升至第三位，车规级市场份额达12% [6] 战略转型成效与挑战 - 公司成功实现从"规模导向"向"盈利导向"的转变，半导体毛利率34.56%较原产品集成业务的个位数水平实现质的飞跃 [7] - 公司面临核心资产控制权的不确定性，若2025年末前无法恢复对安世半导体的控制权，可能面临收入、利润及现金流阶段性下调风险 [6] - 公司已完成大部分产品集成业务资产交割，仅剩香港闻泰等少数主体的股权交割待完成 [7]

行业投资评级 - 电子行业评级为强于大市（维持）[1] 核心观点总结 - 英伟达发布白皮书指出，能耗是影响当前及下一代AI数据中心发展的核心变量，GPU机架功率密度接近Web服务器的100倍且呈指数级增长[3] - 为满足AI数据中心能耗需求，800VDC架构通过简化电源路径、提升传输电压可有效提升整体能量效率和密度，其性能表现依赖GaN及SiC功率半导体[3] - GaN功率器件市场规模预计从2024年的3.9亿美元攀升至2030年的35.1亿美元，年复合增长率达44%，增长近10倍[3] - 投资建议关注氮化镓及碳化硅产业链相关公司[3] 智能手机市场动态 - 2025年第三季度中国大陆智能手机市场出货量6720万台，同比下降3%[6][9] - vivo以1180万台出货量重夺榜首，市场份额18%；华为出货1050万台，份额16%；苹果出货1010万台，排名升至第三[6][9] - 2025年7月国内手机出货量2809.3万部，同比增长16.1%，其中5G手机出货2262.1万部，占比80.5%[11] - 2025年1-7月国内手机累计出货1.69亿部，同比下降1.1%，5G手机出货1.43亿部，占比84.7%[11] 半导体与存储芯片市场 - 三星电子第三季度存储芯片销售额达194亿美元，环比增长25%，重夺全球第一；SK海力士销售额175亿美元，同比增长13%[15][17] - 美国费城半导体指数本周（截至10月17日）报6777.98点，较10月13日上涨0.81%；中国台湾半导体指数报845.62点，上涨2.41%[22] 可穿戴设备市场 - 2025年第二季度全球可穿戴腕带设备出货量5020万台，同比增长13%[20] - 小米第二季度出货950万台，同比暴增61%，增幅最大；华为出货880万台，同比增长47%[20] 电子行业市场表现 - 本周申万半导体指数下跌6.53%，电子行业及细分领域指数均下跌，光学光电子板块跌幅最小为6.23%[23] - 电子行业485只A股成分股中，46只上涨，2只持平，437只下跌；雅创电子涨幅24.47%，艾比森涨幅21.89%[25]

股东减持计划 - 哈勃科技创业投资有限公司计划减持天岳先进股份不超过387.69万股 占公司总股本0.8% [2][4] - 减持实施期限为2025年10月27日至2026年1月26日 通过集中竞价方式进行 [4] - 此为哈勃投资自天岳先进上市以来首次发布减持计划 [5] 股东持股情况 - 哈勃投资当前持股2726.25万股 持股比例5.63% 均为IPO前取得 [4][7] - 完成减持后持股比例将低于5% [2][9][14] - 哈勃投资2019年8月以1.11亿元认购新增注册资本908.75万元 对应投前估值10亿元 [7][8] 公司股价表现 - 今年以来公司A股股价累计涨幅达68.61% [2] - 截至9月26日收盘价为86.33元/股 总市值400.2亿元 [2] 其他股东减持情况 - 股东国材股权投资基金近期持股比例从7.88%减少至7.00% [10] 公司经营状况 - 2025年上半年营业收入同比下降12.98%至7.94亿元 [21][22] - 归母净利润同比下降89.32%至1088.02万元 [21][22] - 扣非净利润同比下降111.37%至-1094.47万元 [21][22] - 业绩下滑因产品销售价格下降及研发投入增加 [22] 公司业务背景 - 公司专注于碳化硅单晶衬底材料研发、生产和销售 [21] - 碳化硅为宽禁带半导体材料 在电力电子和微波电子领域有广泛应用前景 [21] 监管要求 - 持股5%以上股东减持需提前15个交易日披露计划 [18] - 持股比例低于5%后90日内继续减持仍须遵守大股东减持规定 [18]

金刚石材料特性与应用潜力 - 金刚石具备超高硬度、极高热导率、宽禁带半导体特性和良好生物兼容性 在工业和科技领域有不可替代地位 [4] - 传统应用集中于切削工具如光伏硅片切割和航空航天复合材料加工 新兴应用扩展至半导体、新能源、量子科技及生物医疗领域 [4] - 被称为"终极半导体材料" 因出色导热性和载流子迁移率 可突破硅和碳化硅物理极限 适用于5G通信、高效能芯片及数据中心 [4] 产业发展挑战 - 大尺寸单晶衬底制备及高效切割抛光工艺尚未成熟 制约产业化进程 [5] - 当前全球产能约90%集中于磨具磨料领域 高附加值半导体、光学和生物应用未实现规模化 [5][6] - 产业链上下游存在性能与需求脱节问题 需协同突破以释放材料潜力 [5] 产业链协同与升级路径 - 材料企业需推动合成工艺提升、探索绿色低碳路径并拓展新兴应用 加工与装备企业需通过工艺创新转化材料特性为生产力 [6] - 中国占据全球约90%人造金刚石产能 河南形成完整产业集群 需将产能优势转化为技术优势 [6] - 半导体功率器件研发及金刚石项目为产业升级关键路径 展会与行业大会成为聚合产业链的重要平台 [6][7] 行业展会与企业参与 - 第九届国际碳材料大会（Carbontech 2025）涵盖2大主题展馆、20000+平方米展出面积、800+展商 聚焦半导体碳材料与能源装备 [57][59] - 展会包括4大应用端会议、7大同期活动及3场巡回地推 预计吸引50000+专业观众、3000+终端用户及1000+行业CEO [57][62][63] - 参展企业覆盖金刚石全产业链 包括衬底、外延、热沉、光学窗口、培育钻石及半导体器件等领域 [8]-[52] 代表性企业技术布局 - 安徽尤品新材料专注第四代宽禁带半导体金刚石 产品涵盖衬底、外延、热沉及光学窗口 [11] - 宁波晶钻科技CVD单晶金刚石产能与技术居世界前列 可产业化生产大尺寸低缺陷单晶 [30] - 河北普莱斯曼掌握直流喷射与大功率微波技术 散热产品与微波光学窗口实现国内替代并应用于核聚变项目 [18] - 西安英特斯克自研10KW/15KW微波电源及MPCVD控制系统 定位高附加值电子级片材及散热器件市场 [46]

业绩总结 - 2025年上半年公司实现营业收入7.94亿元，归属上市公司股东净利润1088.02万元，扣非净利润为 -1094.47万元[24] - 本报告期基本每股收益为0.03元／股，上年同期为0.24元／股，同比减少87.50%[24] - 本报告期加权平均净资产收益率为0.21%，上年同期为1.95%，减少1.74个百分点[24] - 本报告期研发投入占营业收入的比例为9.55%，上年同期为6.16%，增加3.39个百分点[24] - 本报告期营业收入同比减少12.98%，利润总额同比减少92.62%[26] 用户数据 - 截至报告期末，公司与全球前十大功率半导体器件制造商中一半以上建立业务合作关系[45] 未来展望 - 公司拟发行不超过87206050股境外上市普通股并在香港联合交易所上市[53] 新产品和新技术研发 - 2024年11月公司推出业内首款12英寸碳化硅衬底[37] - 截至2025年半年度末，公司及下属子公司累计获得发明专利授权197项，实用新型专利授权305项，境外发明专利授权14项[49] - 公司结合人工智能数字化仿真及大数据技术使碳化硅衬底生产流程自动化[40] 市场扩张和并购 - 2025年公司分别与舜宇奥来、东芝电子元件达成合作[46][47] 其他新策略 - 公司采用层级管理的项目制运作研发工作[39] - 公司与最大供应商建长期合作关系确保稳定获得资源[39] - 公司采用直销模式，有经验丰富且训练有素的销售及营销团队[41]

核心财务表现 - 2025年上半年营业收入7.94亿元，同比下降12.98% [3] - 归属于上市公司股东的净利润1088.02万元，同比下降89.32% [3] - 扣除非经常性损益的净利润为-1094.47万元，同比下降111.37% [3] - 研发费用7584.67万元，同比增长34.93%，占营业收入比例9.55% [3][32] 产能与生产布局 - 山东济南和上海临港两大生产基地设计年产能超40万片碳化硅衬底 [4][9] - 上海临港工厂2024年年中提前达到年产30万片导电型衬底产能规划 [9] - 已实现8英寸碳化硅衬底量产，2024年推出业内首款12英寸碳化硅衬底 [4][5][12] 技术研发创新 - 累计获得发明专利授权197项，实用新型专利授权305项，其中境外发明专利14项 [12][20][32] - 研发重点包括12英寸衬底、P型衬底及光学领域用衬底技术开发 [12][32] - 首创使用液相法制备无宏观缺陷的8英寸碳化硅衬底 [5][12] - 开发出高质量低阻P型碳化硅衬底，推动高性能SiC-IGBT发展 [12] 市场地位与客户拓展 - 2024年全球导电型碳化硅衬底市场占有率22.8%，稳居全球前三 [4][11] - 与全球前十大功率半导体器件制造商中过半企业建立业务合作关系 [4][10][11] - 客户包括英飞凌、博世、安森美等国际知名企业 [4] - 开拓光学领域新客户，已获得多个订单并实现销售 [10] 产品与应用领域 - 产品矩阵涵盖6/8/12英寸碳化硅衬底，包括高纯半绝缘型和导电型 [12] - 主要应用领域包括电动汽车、光伏储能、电力电网、轨道交通、通信、AI眼镜等 [4][17] - 碳化硅材料在AI数据中心、电力基础设施与终端应用具有巨大潜力 [8][17] 战略合作与荣誉 - 2025年与舜宇奥来达成战略合作，开拓微纳米光学领域 [11] - 2025年与东芝电子元件签署SiC功率半导体衬底合作基本协议 [11] - 获得2024年日本半导体创新大奖"半导体电子材料"类金奖 [13] - 入选2025年"山东知名品牌"榜单 [13] H股上市与资本运作 - 2025年8月20日成功在香港联交所主板挂牌上市，股票代码02631 [14][15] - H股发行47,745,700股（行使超额配售权前） [15] - 本次上市有助于加快国际化战略及海外业务布局 [14] 行业发展趋势 - 碳化硅材料具有耐高压、耐高频、高热导性等特性，是宽禁带半导体重要发展方向 [4] - 在电动汽车、光伏等高性能应用领域具有显著优势 [4] - 下游应用需求呈现爆发式增长，行业前景广阔 [4][8]

技术突破 - 华为与山东大学合作开发1200V全垂直GaN-on-Si沟槽MOSFET 采用氟注入终端技术 击穿电压从567V提升至1277V [2] - 新型FIT-MOS器件实现3.3V阈值电压 开关比达10^7 比导通电阻低至5.6mΩ·cm² 导通电流密度达8kA/cm² [2][7] - 氟注入终端取代传统台面刻蚀终端 通过固定负电荷形成高电阻区 消除电场拥挤效应 [2][7] 行业背景 - 650V-1200V电压区间成为GaN与SiC竞争焦点 SiC因衬底成本高昂在性价比方面受限 [4] - GaN-on-Si异质外延技术突破为低成本高性能晶体管制造提供可能 [4] - 横向HEMT架构受限于可扩展性 垂直拓扑通过增加漂移层厚度实现kV级阻断能力 [5] 技术细节 - 器件采用N-P-N外延结构 包含20nm n⁺⁺-GaN层/200nm n⁺-GaN源极层/400nm p-GaN通道层/7μm n⁻-GaN漂移层 [14] - 基于6英寸硅衬底 穿通位错密度为3.0×10⁸cm⁻² 阴极发光测量结果为1.4×10⁸cm⁻² [17] - 制造工艺采用三能级氟离子注入(240keV/4×10¹⁴cm⁻²、140keV/2×10¹⁴cm⁻²、80keV/1.2×10¹⁴cm⁻²) [12] 性能对比 - TCAD仿真显示MET结构在400V时台面拐角电场达2.7MV/cm 而FIT结构在1200V时有效抑制电场拥挤 [20] - 相比同类产品 7μm漂移层实现1277V击穿电压 性能媲美需要10μm以上漂移层的GaN-on-GaN器件 [24] - Baliga优值(BFOM)达291MW/cm² 与原生GaN衬底器件相当 [24] 应用前景 - 该技术为kV级电力电子系统发展奠定基础 特别适用于1200V高压应用场景 [7] - 全垂直结构配合导电缓冲层 避免复杂衬底工程工艺 提升制造可行性 [15] - 氟注入终端技术展现垂直GaN沟槽MOSFET在高压系统中的巨大应用潜力 [25]