作者丨欧雪 编辑丨袁斯来 硬氪获悉，宽禁带电力电子零部件供应商「悉智科技」近日完成2.5亿元Pre-A轮融资。我们总结了本轮融资信息和该公司几大亮点： 融资金额及领投机构 融资轮次：Pre-A轮 融资规模：2.5亿元人民币 投资方：安芯资本、浙江省新能源汽车基金、交银国际等 融资用途：新产品研发、新厂房建设和AIDC事业部扩充 公司基本信息 成立时间：2022年 成立地点：苏州 技术亮点：「悉智科技」是国内少数在宽禁带半导体（SiC/GaN）领域，同时掌握MHz级高频设计、车规级塑封/嵌埋封装工艺并实现塑封模块大规模量产 的公司。其核心产品包括车规级主驱碳化硅功率模块与高频电源模块两大系列。 碳化硅主驱功率模块DCM（图源/企业） 碳化硅HVDC高压电源模块（图源/企业） 硬氪了解到，功率模块就像是电动汽车的"动力心脏"，负责将电池的直流电高效地转换成驱动电机所需的交流电，其性能直接决定了车辆的加速、能效与 续航。 目前，一方面在汽车领域，「悉智科技」专注主驱碳化硅模块塑封路线，通过自主创新设计，实现了回路电感比国际竞品下降50%，均流性提升45%，助 力客户提升系统性能，同时还在研发下一代车规级SiC和Ga ...

当前，随着人工智能的快速发展，计算芯片对供电系统在效率与功率密度方面提出了更高要求。传统硅 基功率器件在性能提升上已逐渐接近物理极限，而作为宽禁带半导体代表之一的GaN器件，凭借其高电 子迁移率、高速开关等特性，被视为下一代高效功率转换的核心。然而，在低压应用场景中，GaN器件 的成本与性能优势尚未完全显现，成为制约其大规模应用的关键瓶颈。 为计算芯片供电提供全新方案 【深圳商报讯】(首席记者王海荣通讯员平信)12月16日，记者从深圳平湖实验室获悉，该实验室研发团 队在低压(15V-40V)氮化镓(GaN)功率器件领域取得突破性进展，成功研制出高性能低压GaN E- HEMT(增强型高电子迁移率晶体管)器件，关键性能达到国际先进水平，为高效、高功率密度计算芯片 供电提供全新解决方案。 面对这一挑战，深圳平湖实验室低压氮化镓研发团队依托实验室先进的8英寸硅基GaN科研中试平台， 先后攻克了一系列关键技术难题，成功研制出高性能15V-40V GaN E-HEMT器件。其中代表性的25V器 件的关键参数达到国际先进水平，大幅突破传统硅基技术的性能极限。 ...

文章核心观点 - 硅外延片是半导体制造核心材料，通过外延生长技术实现晶格匹配与参数精准调控，为集成电路、功率器件提供性能支撑 [1] - 下游应用市场呈现强劲增长态势，带动大尺寸硅外延片需求爆发，行业处于规模扩张与质量升级关键期 [1] - 行业竞争格局为国际巨头主导高端市场，本土企业梯队化追赶，未来将向高端化、自主化、多元化发展 [1] 硅外延片行业概述 - 硅外延片是通过外延生长技术在硅衬底材料表面生长单晶半导体薄膜形成的核心半导体材料，核心特征在于外延层与硅衬底保持晶格匹配的单晶结构 [2] - 核心价值在于解决了衬底材料与器件功能需求的适配矛盾，通过在低成本硅衬底上生长高性能外延层，为集成电路、功率器件等产品的高性能化提供核心支撑 [3] - 按尺寸规格可分为300mm（12英寸）、200mm（8英寸）及150mm（6英寸及以下），分别对应高端先进制程、中端通用场景及传统分立器件需求 [3] 行业发展历程与产业链 - 行业经历了从技术依赖到逐步实现自主可控的崛起历程，早期以引进消化国外技术为主，2000年后步入自主突破期，2016年以来加速向12英寸大尺寸高端产品转型 [5] - 产业链上游以多晶硅、高纯气体等原材料及单晶炉、外延设备等核心装备为支撑，国内多晶硅产能居全球主导但高端材料及部分关键设备仍存进口依赖 [5] - 中游由沪硅产业、TCL中环等龙头企业主导生产，在6-12英寸硅外延片领域实现规模化量产，下游广泛应用于集成电路、功率半导体、光伏等领域 [5] 下游应用市场需求 - 半导体集成电路是硅外延片最重要应用市场，2024年全国集成电路产量达4514.2亿块，同比增长14.38%，2025年1-9月产量达3818.9亿块，同比增长8.6% [7] - 中国是全球功率半导体最大消费国，占据全球约40%市场份额，2024年中国功率半导体市场规模增至1752.55亿元，同比提升15.3% [8] - 新能源汽车渗透率突破40%、光伏逆变器升级及5G通信基站建设，驱动车规级IGBT模块、光伏专用功率器件等对8英寸及以上外延片需求爆发式增长 [8] 行业发展现状 - 半导体材料市场规模2024年达134.6亿美元，同比增长2.85%，硅外延片作为关键材料持续受益 [9] - 2024年行业市场规模达124.4亿元人民币，同比增长10.58%，需求结构不断向高端化演进 [10] - 全球半导体硅片市场以12英寸和8英寸产品为主导，2024年全球300mm硅片出货面积达92.94亿平方英寸，同比增长6.49%，200mm硅片出货面积为24.12亿平方英寸，增长1.94% [11] 企业竞争格局 - 形成"国际巨头主导高端、本土企业梯队化追赶"的竞争格局，日本信越、SUMCO、Siltronic等国际企业在12英寸高端市场占据主导地位 [12] - 本土阵营中，沪硅产业、TCL中环等龙头专注12英寸技术突破，立昂微、南京国盛在8英寸功率器件领域建立优势 [13] - 竞争焦点已从产能扩张转向"技术+产业链协同"的综合较量，本土企业正加速缩小与国际差距 [13] 行业未来发展趋势 - 技术将持续向12英寸大尺寸、低缺陷密度等高端工艺迭代，并突破选择性外延等先进技术，推动产业从规模扩张向质量提升转型 [13] - 产业链上下游协同将更加紧密，通过设备材料国产化与垂直整合，构建安全可控的产业生态 [14] - 应用领域呈现多元化拓展，除巩固传统功率器件市场外，将聚焦新能源汽车、人工智能等新兴场景，并在碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体赛道构建差异化竞争力 [15]

AIDC供电新方案趋势 - 从通算到智算，AIDC电力需求激增，高压、高效成为重要趋势[1] - 现有供电链路包含多级AC/DC与DC/DC转换，层层损耗导致效率降低，增加故障点与维护负担[1] - 单机柜功耗不断提升，继续采用传统交流配电方案将推高下一代数据中心部署的资本支出和运营成本[1] - 更高效、更紧凑、更智能的供电架构已成为迫切需求[1] HVDC与SST技术方案 - 英伟达联合产业链伙伴提出使用800V HVDC供电架构，有望大幅提升供电效率、节省电费[1] - SST固态变压器通过电力电子技术实现能量传递和电力变换，与传统变压器相比具有效率更高、电力品质更好、模块化程度高、性能稳定等优点[1] - SST能大幅提升空间利用率和供电效率，长期有望成为数据中心直流供电变压方案的最佳选择[1] - 英伟达在AIDC白皮书中指出将SST方案作为远期供电架构主流技术方案[1] SiC/GaN功率器件市场现状 - 2024年碳化硅在全球功率半导体中的渗透率为4.9%[2] - 2023年氮化镓在功率半导体中的渗透率为0.5%[2] - 由于碳化硅车型在新能源车领域的渗透率逐步迈向较高水平，部分投资者认为宽禁带半导体未来需求成长空间可能有限[2] AIDC供电新方案对SiC/GaN的拉动作用 - 宽禁带半导体器件能提高电源功率密度，减小变压器体积，相比传统硅基器件具有优势[3] - 未来HVDC供电架构中，SST、DC-DC电源等环节对SiC/GaN均具有较强确定性需求[3] - 英伟达已宣布与纳微半导体、英诺赛科、英飞凌等多家SiC/GaN厂商合作[3] - 到2030年应用于800V HVDC数据中心供电系统的SiC/GaN市场规模可达27亿美元[3] - AI算力设施SiC/GaN器件需求有望持续提升，打开产业成长空间[3]

行业投资评级 - 电子行业评级为“看好”（维持）[6] 核心观点 - AI数据中心（AIDC）供电新方案（如800V HVDC、SST）方向明确，其发展有望为碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率器件打开新的成长空间[2][3][9] - 区别于部分投资者认为SiC/GaN行业成长空间有限的看法，报告认为AI算力设施的需求将驱动SiC/GaN市场持续增长，预计到2030年，应用于800V HVDC数据中心供电系统的SiC/GaN市场规模可达27亿美元[9][11][78] 行业趋势与驱动力 - 从通用计算到智能计算，AIDC的单机柜功率需求显著提升，从传统的5-8kW增至20-50kW甚至100kW以上，英伟达Kyber代单机柜功率预计在2027年将达到1MW以上，高压、高效成为重要趋势[19][20] - 传统交流配电方案因多级转换导致效率低、系统复杂，已难以满足高功耗需求，更高效、紧凑、智能的供电架构成为迫切需求[9][21][24] - 英伟达推动的800V HVDC架构采用“交流一次转换、直流全程传输”思路，预计2027年全面落地，该架构可支持单柜功率突破1MW，相比415V交流电可使相同线径导线传输功率提升157%，并能显著节省电费，一座30MW的智算中心每年可节省电费超1220万元[26][28][32][33] - 固态变压器（SST）通过电力电子技术实现能量传递，与传统变压器相比具有效率更高、电力品质更好、模块化程度高、体积重量小等优点，台达SST方案效率达98.3%，功率密度达476kW/m²，英伟达将其作为远期主流技术方案[9][37][38][45][47][53] 技术应用与市场机会 - 宽禁带半导体SiC和GaN材料在耐压性、耐热性、开关频率等方面性能优于传统硅基材料，能提高电源功率密度，减小变压器体积，例如GaN器件可将LLC谐振变换器开关频率提升至300kHz，使主变压器体积缩小约14%[56][57][59] - 未来HVDC供电架构中的SST、DC-DC电源等环节对SiC/GaN有较强确定性需求，SST需要大量6500V至650V的碳化硅器件，DC-DC电源将采用650V和1200V的氮化镓器件，英伟达已与纳微半导体、英诺赛科、英飞凌等多家SiC/GaN厂商合作[9][65] - 当前SiC/GaN渗透率仍低，2024年碳化硅在全球功率半导体中渗透率为4.9%，2023年氮化镓渗透率为0.5%，AI算力设施需求有望成为新的增长引擎，助力其加速渗透[68][69][71] 产业链相关标的 - 报告列出了受益于HVDC、SST等供电新方案发展的产业链相关公司，涵盖SiC/GaN功率器件、衬底材料、晶圆代工、被动器件及设备等多个环节[3][14][81] - 具体标的包括：GaN行业龙头英诺赛科；碳化硅衬底领军者天岳先进；布局SiC/GaN功率器件的华润微、新洁能、斯达半导；布局SiC功率器件代工的芯联集成-U；功率被动器件公司法拉电子、江海股份；宽禁带半导体设备商中微公司等[3][14][81] - 此外，服务器电源厂商如为英伟达800V HVDC架构提供电源系统组件的比亚迪电子、布局高功率服务器电源业务的领益智造等也有望受益于市场空间打开[3][14][81]

文章核心观点 - 固态变压器（SST）凭借高效率、小型化、主动灵活性及绿电适配性等优势，正从技术概念走向产业应用，有望成为满足高功率密度AI数据中心供电需求的核心解决方案，并带动上游碳化硅、氮化镓及高性能软磁材料的需求 [1][2][3] 数据中心供电系统变革 - AI算力爆发推动单机柜功率密度从传统的不足60kW向150kW乃至更高等级迈进，对供电系统效率、可靠性和空间利用率提出前所未有的要求 [1] - 在典型AI数据中心项目中，供电侧设施的价值量占比接近50%，是不可忽视的战略投资方向 [1] - 当前主流的UPS和HVDC方案存在效率瓶颈和占地面积大的问题，难以满足未来高密度AI数据中心需求 [1] 固态变压器的技术优势 - SST通过高频电力电子变换将系统效率提升至98%以上，显著高于传统HVDC的95.1%和巴拿马电源的97.5%，对年耗电量巨大的吉瓦级数据中心而言，每提升1%效率意味着每年节省数千万元电费 [2] - SST采用高频磁材和模块化设计，使得同等功率下变压器体积大幅缩小，其占地面积不足传统方案的50%，通过三级结构高度集成隔离、整流、逆变等功能，极大节约机房空间 [1][2] 固态变压器的功能与长期潜力 - SST本质上是一个“软件定义”的电能路由器，通过数字信号处理器或现场可编程门阵列实现实时调控，具备无缝并网、动态补偿无功功率、抑制谐波及故障自愈能力，提升供电系统智能性和韧性 [3] - SST凭借宽电压输入和多端口兼容性，可直接接入光伏、风电等直流绿电，避免传统AC-DC转换损耗，研究表明采用SST架构的新型电网对可再生能源的接纳能力较传统方案提升50%以上 [3] - SST采用的双有源桥拓扑支持双向能量流动，未来可在用电低谷时储存电能、高峰时向电网反馈电力赚取价差，降低数据中心运营成本 [3] 关键产业链与受益环节 - SST的普及将带动碳化硅和氮化镓等宽禁带半导体需求，其中碳化硅凭借高耐压和优良热管理能力主要应用于输入端，氮化镓则凭借极高电子迁移率主要应用于输出端 [1] - 纳米晶/非晶等高性能软磁材料因具备高磁导率、低磁滞损耗等特性，成为SST磁芯的理想选择 [1] - 据非晶中国大数据中心预测，全球固态变压器市场在未来5-10年内将以年均复合增长率25%~35%的速度高速增长，磁性材料与功率半导体将同步受益 [1] 相关公司进展 - SST系统领域关注四方股份（SST整机效率提升至98.5%，应用于多个国家级示范工程）、中国西电（子公司2.4MW SST已顺利投运）、金盘科技（已完成10kV/2.4MW样机开发）、新特电气（正在布局SST配套用变压器的研发） [4] - SST材料领域关注横店东磁（全球最大铁氧体材料企业）、铂科新材（新一代软磁材料频率可达10MHz以上）、云路股份（产品覆盖50Hz-100MHz宽频段，非晶合金全球龙头） [4]

公司业绩概览 - 2025年前三季度营业收入297.69亿元，同比下降44% [1] - 2025年前三季度归母净利润15.13亿元，同比激增265.09% [1] - 第三季度营业收入44.27亿元，同比下滑77.38%，归母净利润10.4亿元，同比增幅达279.29% [1] - 公司业绩呈现显著的"营收下滑、利润高增"分化特征 [1] 业务结构战略调整 - 公司加速剥离低毛利的产品集成业务，聚焦高附加值半导体赛道 [1] - 截至第三季度，产品集成业务收入仅剩1.10亿元，占总营收比重降至2.50% [1] - 半导体业务收入占比已超97%，成为绝对营收支柱 [1] 安世半导体业绩表现 - 安世半导体第三季度贡献营收43.00亿元，同比增长12.20% [3] - 业务毛利率高达34.56%，实现净利润7.24亿元 [3] - 营收规模超越2022年"缺芯潮"时期的单季峰值 [3] - 推动公司前三季度销售净利率从2024年的-3.88%跃升至5.05% [3] 区域市场表现 - 中国市场第三季度收入创历史新高，同比增长约14%，占全球总收入比重达49.29% [5] - 中国市场汽车业务收入同比增幅超26%，AI服务器、AI PC等计算设备相关业务增长显著 [5] - 欧洲市场延续补库存趋势，同比增长超10% [5] - 美洲市场在汽车与工业需求驱动下增长14% [5] - 韩国等亚洲其他地区实现中个位数增长 [5] 产品与技术进展 - MOSFET产品收入同比增长超13%，全新一代80V、100V产品已实现量产交付 [6] - 逻辑芯片及模拟芯片收入增幅超15%，多款AI电源及汽车应用相关新品陆续推出 [6] - 宽禁带半导体成为新增长点，SiC MOS与GaN FET等产品收入较去年同期增长约三倍 [6] - 安世半导体在全球功率分立器件市场排名已升至第三位，车规级市场份额达12% [6] 战略转型成效与挑战 - 公司成功实现从"规模导向"向"盈利导向"的转变，半导体毛利率34.56%较原产品集成业务的个位数水平实现质的飞跃 [7] - 公司面临核心资产控制权的不确定性，若2025年末前无法恢复对安世半导体的控制权，可能面临收入、利润及现金流阶段性下调风险 [6] - 公司已完成大部分产品集成业务资产交割，仅剩香港闻泰等少数主体的股权交割待完成 [7]

行业投资评级 - 电子行业评级为强于大市（维持）[1] 核心观点总结 - 英伟达发布白皮书指出，能耗是影响当前及下一代AI数据中心发展的核心变量，GPU机架功率密度接近Web服务器的100倍且呈指数级增长[3] - 为满足AI数据中心能耗需求，800VDC架构通过简化电源路径、提升传输电压可有效提升整体能量效率和密度，其性能表现依赖GaN及SiC功率半导体[3] - GaN功率器件市场规模预计从2024年的3.9亿美元攀升至2030年的35.1亿美元，年复合增长率达44%，增长近10倍[3] - 投资建议关注氮化镓及碳化硅产业链相关公司[3] 智能手机市场动态 - 2025年第三季度中国大陆智能手机市场出货量6720万台，同比下降3%[6][9] - vivo以1180万台出货量重夺榜首，市场份额18%；华为出货1050万台，份额16%；苹果出货1010万台，排名升至第三[6][9] - 2025年7月国内手机出货量2809.3万部，同比增长16.1%，其中5G手机出货2262.1万部，占比80.5%[11] - 2025年1-7月国内手机累计出货1.69亿部，同比下降1.1%，5G手机出货1.43亿部，占比84.7%[11] 半导体与存储芯片市场 - 三星电子第三季度存储芯片销售额达194亿美元，环比增长25%，重夺全球第一；SK海力士销售额175亿美元，同比增长13%[15][17] - 美国费城半导体指数本周（截至10月17日）报6777.98点，较10月13日上涨0.81%；中国台湾半导体指数报845.62点，上涨2.41%[22] 可穿戴设备市场 - 2025年第二季度全球可穿戴腕带设备出货量5020万台，同比增长13%[20] - 小米第二季度出货950万台，同比暴增61%，增幅最大；华为出货880万台，同比增长47%[20] 电子行业市场表现 - 本周申万半导体指数下跌6.53%，电子行业及细分领域指数均下跌，光学光电子板块跌幅最小为6.23%[23] - 电子行业485只A股成分股中，46只上涨，2只持平，437只下跌；雅创电子涨幅24.47%，艾比森涨幅21.89%[25]

股东减持计划 - 哈勃科技创业投资有限公司计划减持天岳先进股份不超过387.69万股 占公司总股本0.8% [2][4] - 减持实施期限为2025年10月27日至2026年1月26日 通过集中竞价方式进行 [4] - 此为哈勃投资自天岳先进上市以来首次发布减持计划 [5] 股东持股情况 - 哈勃投资当前持股2726.25万股 持股比例5.63% 均为IPO前取得 [4][7] - 完成减持后持股比例将低于5% [2][9][14] - 哈勃投资2019年8月以1.11亿元认购新增注册资本908.75万元 对应投前估值10亿元 [7][8] 公司股价表现 - 今年以来公司A股股价累计涨幅达68.61% [2] - 截至9月26日收盘价为86.33元/股 总市值400.2亿元 [2] 其他股东减持情况 - 股东国材股权投资基金近期持股比例从7.88%减少至7.00% [10] 公司经营状况 - 2025年上半年营业收入同比下降12.98%至7.94亿元 [21][22] - 归母净利润同比下降89.32%至1088.02万元 [21][22] - 扣非净利润同比下降111.37%至-1094.47万元 [21][22] - 业绩下滑因产品销售价格下降及研发投入增加 [22] 公司业务背景 - 公司专注于碳化硅单晶衬底材料研发、生产和销售 [21] - 碳化硅为宽禁带半导体材料 在电力电子和微波电子领域有广泛应用前景 [21] 监管要求 - 持股5%以上股东减持需提前15个交易日披露计划 [18] - 持股比例低于5%后90日内继续减持仍须遵守大股东减持规定 [18]

金刚石材料特性与应用潜力 - 金刚石具备超高硬度、极高热导率、宽禁带半导体特性和良好生物兼容性 在工业和科技领域有不可替代地位 [4] - 传统应用集中于切削工具如光伏硅片切割和航空航天复合材料加工 新兴应用扩展至半导体、新能源、量子科技及生物医疗领域 [4] - 被称为"终极半导体材料" 因出色导热性和载流子迁移率 可突破硅和碳化硅物理极限 适用于5G通信、高效能芯片及数据中心 [4] 产业发展挑战 - 大尺寸单晶衬底制备及高效切割抛光工艺尚未成熟 制约产业化进程 [5] - 当前全球产能约90%集中于磨具磨料领域 高附加值半导体、光学和生物应用未实现规模化 [5][6] - 产业链上下游存在性能与需求脱节问题 需协同突破以释放材料潜力 [5] 产业链协同与升级路径 - 材料企业需推动合成工艺提升、探索绿色低碳路径并拓展新兴应用 加工与装备企业需通过工艺创新转化材料特性为生产力 [6] - 中国占据全球约90%人造金刚石产能 河南形成完整产业集群 需将产能优势转化为技术优势 [6] - 半导体功率器件研发及金刚石项目为产业升级关键路径 展会与行业大会成为聚合产业链的重要平台 [6][7] 行业展会与企业参与 - 第九届国际碳材料大会（Carbontech 2025）涵盖2大主题展馆、20000+平方米展出面积、800+展商 聚焦半导体碳材料与能源装备 [57][59] - 展会包括4大应用端会议、7大同期活动及3场巡回地推 预计吸引50000+专业观众、3000+终端用户及1000+行业CEO [57][62][63] - 参展企业覆盖金刚石全产业链 包括衬底、外延、热沉、光学窗口、培育钻石及半导体器件等领域 [8]-[52] 代表性企业技术布局 - 安徽尤品新材料专注第四代宽禁带半导体金刚石 产品涵盖衬底、外延、热沉及光学窗口 [11] - 宁波晶钻科技CVD单晶金刚石产能与技术居世界前列 可产业化生产大尺寸低缺陷单晶 [30] - 河北普莱斯曼掌握直流喷射与大功率微波技术 散热产品与微波光学窗口实现国内替代并应用于核聚变项目 [18] - 西安英特斯克自研10KW/15KW微波电源及MPCVD控制系统 定位高附加值电子级片材及散热器件市场 [46]