碳化硅功率器件
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AI电源行业专家交流
2025-10-21 23:00
行业与公司 * SST(固态变压器)行业,主要应用于数据中心、新能源并网、园区微网、直流充电桩等场景 [1] * 涉及公司包括海外企业伊顿、台达、维谛、施耐德、ABB、西门子等,以及国内企业金盘、阳光电源、西电、特变、中恒电气、科华数据、伊戈尔、良信、正泰等 [12][16][18][21][22] 核心观点与论据 SST系统成本构成与当前价格 * SST系统成本构成中,整流模块占比最高达40%-50%,高频变压器占比约25%,控制配电、储能和结构散热分别占比15%、11%和8% [1][2] * 当前处于样机阶段,单瓦成本约5元人民币,一套2.4兆瓦系统总成本高达800万-1,000万人民币 [1][3] * 对于2.4兆瓦IT负载的数据中心,通常需配置两台SST设备以实现2N冗余设计 [7] 未来价格趋势与规模化应用时间 * 预计到2028年大规模应用时,SST系统成本有望降至每瓦1元以下,整套系统约200万元 [1][3] * 真正规模化应用预计要到2030年才能实现 [1][4] * 海外市场(尤其是北美)因供应链、关税及竞争格局,到2027-2028年单瓦价格仍维持在4-5元,降幅仅20%-30% [5] * 国内市场竞争激烈,预计2030年单瓦价格可能降至1元以下 [1][5] 国内外市场与技术路线差异 * 北美市场倾向采用更高输入电压(35千伏或20千伏)的技术路线,提升了新能源并网效率但增加了成本,国内标准通常为10千伏 [5][6][8] * 北美常用3.5兆瓦作为SST标准,而国内常用2.4兆瓦,导致技术路线和元器件成本不同 [8] * 北美企业在系统集成和应用阶段有先发优势,并与英伟达共同形成相关标准,国内企业整体集成能力及产品定义能力相对较弱 [15][17] * 国内企业可通过出口高频变压器、整流模块等元器件进入SST供应链,抓住增量机会 [1][9] 关键技术环节与竞争格局 * 高频变压器价格昂贵,因体积小、功率密度高,核心材料需采用成本较高的非晶纳米晶材料,且工艺难度大 [10][11] * 在HVDC整流模块技术,尤其是新型功率器件(如碳化硅、氮化镓)应用方面,国内企业稍弱于海外企业 [3][18][20] * 对于800伏及以上HVDC整流模块,需使用碳化硅或氮化镓功率器件,但成本较高,目前国内样机多使用IGBT [3][20] * 海外企业中,伊顿在中压高频变压器领域进展最快,已商业化应用;台达和维谛在HVDC领域表现良好;施耐德已开始布局更大容量产品 [12][20] * 英伟达通过发布800伏白皮书和显卡路线图,在SST标准制定中占据主导地位 [3][17] * 国内企业中,金盘和阳光电源因具备全面系统集成能力,更有机会进入主流供应链 [3][16][22] 其他应用场景与市场前景 * SMT交直流混联系统在园区微网及直连充电桩项目上的起量速度预计快于数据中心,因其对电能连续性和稳定性要求相对较低,成本敏感度更高 [24] * 在微网应用中,IGBT功率器件足以支撑,更多挑战在于系统集成,整体售价比数据中心便宜至少30% [25] * 碳化硅更适用于新能源、充电桩等中压应用,其生产工艺涉及约2500度高温处理,资本支出高,产能和良品率可能影响供需及价格 [26][27] 其他重要内容 国内企业的机会与挑战 * 国内机架功率上升速度不如北美紧急,因国内顶级显卡供应不足,更多关注腾讯和阿里等需求,但这不影响国内企业进行研发和开拓海外市场 [9] * 国内企业在固态开关技术上有重要机会,良信、正泰等公司已有前期研究 [21] * 国内SST产品价格低与市场成熟度及需求量有关,例如高压变频器国内售价约20万人民币,海外主流价格在80万-100万之间,相差4-5倍 [23] * 伊顿、施耐德等海外公司在技术成熟后,可能通过贴牌和分包方式与国内企业在代工环节合作 [13] 产业链利润分布 * 国内市场利润主要集中在产品端(如变压器、配电开关等),头部企业掌握核心利润约占40%-50%,集成商和设计院利润较低 [25] * 北美市场系统集成商议价能力强,供应商可通过全流程服务(从元器件到运维)提高溢价空间 [25]
机构:国内充电基础设施有望迎来新一轮加速建设周期
证券时报网· 2025-10-20 14:35
行业总体数据 - 截至2025年9月底,中国电动汽车充电基础设施总数达到1806.3万个,同比增长54.5% [1] 行业发展趋势 - 充电桩市场正从追求速度与规模转向高质量发展新阶段 [1] - 行业政策聚焦于大功率充电设施建设,政策驱动下大功率超充有望加速推广 [1] - 在政策引导下,国内充电基础设施有望迎来新一轮加速建设周期 [1] 技术发展方向 - 大功率趋势下,核心器件与整桩设备迎来升级,对充电桩及其核心器件技术要求显著提高 [1] - 高电压要求充电模块耐压等级提高,需采用碳化硅功率器件替代传统IGBT [1] - 能够提供高功率密度、高转换效率、高可靠性充电模块的企业有望显著受益 [1] 市场需求与投资机会 - 政策强调补强快速充电网络,对大功率快充设备的需求有望形成显著拉动 [1] - 相关充电桩设备企业料将受益,建议关注充电桩相关设备企业的投资机会 [1]
完成10亿融资!碳化硅破解先进封装散热难题,英伟达也要用
DT新材料· 2025-09-25 00:04
公司融资动态 - 瞻芯电子完成C轮融资 总金额超过10亿元人民币 累计融资规模已接近三十亿元 [2] - 融资由国开制造业转型升级基金领投 中金资本 北京市绿色能源和低碳产业基金 国际国方 国投IC基金 金石投资 海望资本 芯鑫共同跟投 [2] - 融资资金将投入碳化硅产能扩张 产品研发 运营与市场推广三大核心板块 [11] 公司业务与技术优势 - 公司是中国第一家自主开发并掌握6英寸SiC MOSFET产品及工艺平台的企业 建成车规级标准SiC晶圆厂 [10] - 已成功量产三代碳化硅功率器件产品 核心技术指标达到行业领先水平 [10] - 产品覆盖碳化硅功率器件 驱动控制芯片 功率模块 提供一站式芯片解决方案 [9] 市场应用与客户合作 - 向多家知名新能源汽车厂商及Tier1供货商规模出货 产品应用于车载电源(OBC/DCDC) 空调压缩机 电驱动等关键领域 [10] - 与光伏 储能 充电桩 工业电源等行业知名客户建立稳定供货关系 [10] 行业技术挑战 - 先进封装领域面临热挑战 2.5D/3D封装和Chiplet技术使热流密度急剧攀升 部分场景超过1000 W/cm² [3] - 3D堆叠结构中热传导路径延长 热阻增加 易形成局部过热现象 [3] - 不同材料热膨胀系数差异导致高温循环应力 影响产品可靠性和使用寿命 [3] 碳化硅散热解决方案 - 碳化硅导热系数达270-490 W/m·K 远高于氧化铝(约20 W/m·K)和氮化铝(约180 W/m·K) [8] - 热膨胀系数与硅芯片接近 减少温度变化时的应力 提高封装可靠性和寿命 [8] - 具备优异机械强度和电绝缘性 可作为理想电路衬底 [8] 碳化硅在先进封装的应用形式 - 作为高导热封装衬底:芯片直接贴装在SiC衬底上 热量通过衬底横向扩散传递至散热系统 [8] - 作为微通道液冷基板:在SiC衬底制造微米级冷却流道 实现贴身液冷 热阻极低 [8] - 作为热扩散片:在3D堆叠中将薄层SiC插入芯粒之间 将热量导向边缘散热结构 [7] 行业前沿动态 - 英伟达计划在新一代GPU芯片采用12英寸碳化硅衬底 解决AI芯片散热难题 相关技术或于2027年导入应用 [4] - 碳化硅颗粒增强金属基复合材料(如SiC/Al SiC/Cu)发展 兼顾高导热与可加工性 [8]
机构:充电桩行业转向高质量发展
证券时报· 2025-09-19 09:47
充电基础设施增量数据 - 2025年1-8月充电基础设施总增量达453万个 同比增长88.5% [1] - 公共充电设施增量73.7万个 同比增长37.2% [1] - 私人充电设施增量379.3万个 同比增长103.3% [1] 行业发展趋势 - 充电桩市场从追求速度规模转向高质量发展阶段 [1] - 大功率趋势推动核心器件与整桩设备技术升级 [1] - 高电压要求充电模块耐压等级提升 需采用碳化硅功率器件替代传统IGBT [1] 技术升级方向 - 大功率充电需要高电压与大电流结合 对充电桩技术要求显著提高 [1] - 具备高功率密度 高转换效率 高可靠性的充电模块企业将显著受益 [1] 政策驱动影响 - 近期行业政策聚焦大功率充电设施建设 [1] - 政策驱动下大功率超充有望加速推广 [1]
碳化硅高速渗透,新需求打开新空间
2025-09-15 09:49
行业与公司 * 纪要涉及的行业为碳化硅功率器件产业链 重点关注衬底、外延、晶圆制造及封装环节[1][4] * 纪要提及中国国内厂商如天岳、天科等市占率大幅提升 占比达到四分之一到三分之一[1][6] * 纪要推荐关注衬底龙头企业及专注于外延和器件制造的公司 如拉法尔、宏微科技、东微、文泰、扬杰和华润等[13] 核心观点与论据 **市场规模与主要驱动力** * 全球碳化硅市场规模约为250亿元 其中新能源车是主要应用领域 占比70%(约200亿元)[1][5] * 新能源汽车渗透率快速上升 预计2025年新能源汽车渗透率已超过50%[1][5] * 800伏纯电动车中碳化硅渗透率达到15%左右[5] * 碳化硅在汽车行业市场潜力巨大 预计未来3至4年内市场规模将增长两到三倍 主要受益于800伏纯电车型渗透率提升(从15%提高到80%以上)和电机功率提升(从主流200多千瓦提升至550千瓦)[3][10] * 混动车型开始尝试使用碳化硅 其价格下降使其性价比更高[10] **产业链价值分配与成本结构** * 碳化硅功率器件产业链中 制造端占据主要价值 占比达60% 晶圆端占48% 封装占12%[1][4] * 以最终产品芯片为100元计算 整个功率器件产业链能产生36.28元净利润[4] * 碳化硅MOSFET约40%的成本集中在衬底 15%-20%在外延[1][4] * 衬底和外延环节相较于传统硅基器件体现出更高的价值量[1][4] **价格趋势与产能** * 自2021年以来 碳化硅价格因产能扩张和良率提升而下降 6英寸衬底价格已从2021年的接近万元降至2000多元[1][6] **新兴应用领域需求** * 数据中心升级(AIGC相关)推动碳化硅市场发展 电源方案转向HVDC直流电体系 使得5.5千瓦以上PSU解决方案中采用碳化镓加氮化镓成为必选项[1][7] * 数据中心采用HVDC解决方案后 碳化镓MOSFET价值量从0.2元/瓦提升至0.3-0.4元/瓦 以100GW数据中心建设计算 对应30-40亿元市场规模[3][8] * 固态变压器SST方案普及后 每瓦价值量可达0.5至0.6元 市场空间将新增50-60亿元[3][8] * 预计到2030年 每T1瓦的数据中心将使用碳化硅的成本达到0.8元每瓦 按100G网计算 市场空间将新增约80亿元[9] * AR眼镜对碧石衬底材料需求显著增加 Meta新款AR眼镜采用衍射波导材料解决方案 一副成熟量产阶段AR眼镜需要800至1,000元的碧石衬底 按1,000万部计算 将带来百亿级别市场[3][12] * 商用车领域碳化硅需求增长迅速 尽管数量仅为乘用车的1/5至1/6 但单车功率是乘用车的2到3倍 目前碳化硅渗透率已达30% 较去年10%的水平有显著提升[11] 其他重要内容 * 碳化硅在功率器件中的应用优势显著 其替代宽度是硅的3倍 导热率是硅的4到5倍 在600伏以上高压场景中逐渐替代传统硅基方案[2] * 碳化硅产业链与传统半导体生产制造环节相似 包括从碳化硅粉末到晶锭 再通过氢氟酸抛光成衬底 然后进行外延生长形成外延片 再经过晶圆制造和封装成为分立器件或功率模块[2] * 光伏领域主要使用碳化硅二极管[5] * 以台积电为首的一些厂商探索使用Intersil材料 这种材料具有更好的散热能力 在供电和光电融合方面具有优势 目前处于早期研发阶段[12] * 2025年被视为开启碧石行业新一轮周期的一年 终端价格已恢复正常年降阶段[13]
首次单季盈利!芯联集成为何又要花59亿买亏损资产?
市值风云· 2025-08-18 18:08
公司业绩与财务表现 - 2025年上半年归母净利润为-1.70亿,同比大幅减亏63.8%,二季度首次实现单季度盈利0.12亿元 [4] - 2024年EBITDA为21.46亿,EBITDA利润率31.7%,毛利率1.0%首次转正 [9] - 2025年上半年毛利率提升至3.7%,较2024年全年提升2.64pct,管理层预计2026年毛利率将进一步改善 [9] - 2021-2024年总营收从20.24亿增至65.09亿,3年增长超3倍 [13] - 2024年产能利用率达94.4%,折旧摊销占比从64.8%降至62.0% [13] - 2025年上半年经营现金流净流入9.81亿,创历史新高,自由现金流净流出7.60亿为近年新低 [24] 业务结构与增长动力 - 代工业务贡献超8成收入,车规领域收入占比从2022年12亿增至2024年34亿,占比达50% [8][18] - 消费电子收入占比从2022年45.6%降至2025年上半年约28% [17] - 2025年上半年AI领域收入占比约6%,产品包括AI服务器电源管理芯片等,预计2026年占比达两位数 [22][23] - 2024年碳化硅收入超10亿,同比增长超100%,占总营收15%,SiC MOSFET出货量居亚洲前列 [42] - 预计2026年总营收达百亿级别,2025-2026年复合增长率24% [23] 产能与资本开支 - 2024年末月产能17.8万片,全年晶圆产量201.54万片 [13] - 2022-2023年资本开支均超百亿,2024年降至35.58亿 [27] - 芯联先锋项目总投资222亿,建设10万片/月12英寸产线,芯联集成承担约99亿支出 [30][33] 碳化硅业务布局 - 芯联越州拥有7万片/月硅基功率器件产能(占芯联集成总产能近4成)及8000片/月6英寸SiC MOSFET产能 [37][39] - 国内首条8英寸SiC MOSFET产线已于2025年上半年量产 [39] - 全球碳化硅功率器件市场预计从2024年30亿美元增至2030年103亿美元,CAGR 20.7% [40] - 芯联越州2024年收入22.64亿,亏损10.52亿,管理层预计2026年营收近40亿并实现盈利 [43][45] 客户与市场定位 - 车规级客户覆盖比亚迪及"蔚小理"等头部厂商,2024年单车配套价值2000元,预计2029年升至4500元 [20] - 国内第三大车载功率器件供应商,最大车规级IGBT生产基地之一 [19]
基本半导体拟港股IPO 证监会要求补充说明国有股东股份标识办理进展等事项
智通财经· 2025-08-15 21:13
公司上市进展 - 中国证监会要求基本半导体补充说明国有股东办理国有股标识进展情况、股权激励计划的设立背景及价格公允性,是否存在利益输送情形等 [1] - 基本半导体于5月27日向港交所主板递交上市申请,联席保荐人为中信证券、国金证券(香港)有限公司、中银国际 [1] 证监会补充材料要求 - 要求说明备案材料对控股股东认定结果不一致的原因及认定标准,并就控股股东的认定情况出具明确结论性意见 [1] - 要求说明最近12个月内新增股东入股价格的合理性,是否存在入股对价异常、利益输送等情形 [2] - 要求说明股权激励计划的设立背景及价格公允性,是否存在利益输送情形 [3] - 要求具体说明上市方案,包括发行股数(含超额配售)、占发行后总股本比例、预计募集资金量,并列出发行及"全流通"前后股权结构的变化情况 [3] - 要求说明本次拟参与"全流通"股东所持股份是否存在被质押、冻结或其他权利瑕疵的情形 [4] 公司业务及行业地位 - 基本半导体是中国第三代半导体功率器件行业的企业,专注于碳化硅功率器件的研发、制造及销售 [4] - 公司是中国唯一一家整合了碳化硅芯片设计、晶圆制造、模块封装及栅极驱动设计与测试能力的企业 [4] - 为国内首批大规模生产和交付应用于新能源汽车的碳化硅解决方案的企业之一,新能源汽车为碳化硅半导体最大的终端应用市场 [4] - 碳化硅是领先的第三代半导体材料,具备卓越性能,使其成为功率器件行业未来发展的关键材料 [4]
新股消息 | 基本半导体拟港股IPO 证监会要求补充说明国有股东股份标识办理进展等事项
智通财经网· 2025-08-15 21:09
公司上市进展 - 中国证监会要求基本半导体补充说明国有股东办理国有股标识进展情况、股权激励计划的设立背景及价格公允性,是否存在利益输送情形等 [1] - 基本半导体于5月27日向港交所主板递交上市申请,中信证券、国金证券(香港)有限公司、中银国际为其联席保荐人 [1] 证监会补充材料要求 - 要求说明备案材料对控股股东认定结果不一致的原因及认定标准,并就控股股东的认定情况出具明确结论性意见 [1] - 要求说明国有股东办理国有股标识进展情况 [2] - 要求说明最近12个月内新增股东入股价格的合理性,该等入股价格之间存在差异的原因,是否存在入股对价异常、利益输送等情形 [2] - 要求说明股权激励计划的设立背景及价格公允性,是否存在利益输送情形 [3] - 要求具体说明上市方案,包括发行股数(含超额配售)、占发行后总股本比例、预计募集资金量,并列表明发行及"全流通"前后股权结构的变化情况 [3] - 要求说明本次拟参与"全流通"股东所持股份是否存在被质押、冻结或其他权利瑕疵的情形 [4] 公司业务与行业地位 - 基本半导体是中国第三代半导体功率器件行业的企业,专注于碳化硅功率器件的研发、制造及销售 [4] - 公司是中国唯一一家整合了碳化硅芯片设计、晶圆制造、模块封装及栅极驱动设计与测试能力的企业 [4] - 为国内首批大规模生产和交付应用于新能源汽车的碳化硅解决方案的企业之一,新能源汽车为碳化硅半导体最大的终端应用市场 [4] - 碳化硅是领先的第三代半导体材料,具备卓越性能,使其成为功率器件行业未来发展的关键材料 [4]
国产碳化硅封测厂再添一员,瀚薪科技12亿投资封测项目主结构封顶
搜狐财经· 2025-06-27 10:27
半导体产业链环节 - 晶圆厂负责芯片从设计图纸到实体的基础制造并将整片晶圆切割成独立的裸片 [1] - 封测厂侧重于后续的封装与测试环节经过封测的芯片方可交付给客户使用 [1] - 全国多地逐步启动第三代半导体封测厂建设项目以满足日益增长的功率器件市场需求 [1] 瀚薪科技封测厂项目 - 公司在浙江总投资12亿用于建设封测厂并于5月27日实现主体结构封顶 [1] - 项目全面达产可实现年产30万台碳化硅功率模块和5000万颗碳化硅功率器件 [1][4] - 项目位于浙江丽水市莲都区碧湖新城黄塘窑村距离丽水站约25km温州龙湾机场约163km [4] - 项目将提升公司碳化硅器件年出货量满足高压碳化硅需求缺口缓解市场供需压力 [1] - 项目标志公司在第三代半导体产业化方面取得重要进展产品生产自主可控程度将提高 [3] - 项目将加速研发技术迭代为客户提供更全面优质的碳化硅解决方案 [3] 公司背景与技术实力 - 上海瀚薪科技有限公司成立于2019年10月12日致力于研发与生产第三代宽禁带半导体功率器件及功率模块 [4] - 公司在碳化硅领域产品覆盖650V1200V1700V到3300V电压平台技术处于国际领先水平 [4] - 公司是国内极少数能够大规模量产车规级碳化硅MOSFET二极管并规模出货给全球知名客户的本土公司 [4] 行业影响与发展前景 - 项目将助力"双碳"目标推进与新能源产业升级 [3] - 项目将满足多领域多场景碳化硅器件市场缺口 [4]
融到D轮的深圳明星公司,要IPO了
投中网· 2025-06-23 10:23
公司概况 - 基本半导体是中国唯一一家拥有碳化硅芯片设计、晶圆制造、模块封装及栅极驱动设计与测试综合能力的企业 [4] - 公司由剑桥博士汪之涵创立,团队核心成员毕业于清华大学和剑桥大学 [5][6] - 公司估值达到51.6亿元,已获得D轮融资 [4][13] 业务与产品 - 聚焦碳化硅功率器件,产品包括碳化硅分立器件、车规级和工业级碳化硅功率模块及功率半导体栅极驱动 [9] - 解决方案服务于新能源汽车、可再生能源系统、储能系统、工业控制等领域 [9] - 已获得10多家汽车制造商超50款车型的design-in,新能源汽车产品累计出货量超过9万件 [9] 财务表现 - 2022年收入1.17亿元,2023年增至2.21亿元,2024年达到近3亿元,三年总收入超6亿元 [3][9] - 2022年至2024年净亏损分别为2.42亿元、3.42亿元和2.37亿元 [10] - 三年累计研发投入超过2亿元,拥有163项专利和122项专利申请 [10] 市场地位 - 按2024年收入计算,公司在全球碳化硅功率模块市场排名第七,在中国市场排名第六,在中国公司中排名第三 [10] - 全球碳化硅功率器件市场规模从2020年的45亿元增至2024年的227亿元,预计2029年将达到1106亿元 [10] 融资与扩张 - 获得力合科创、涌铧投资、闻泰科技、深投控、博世创投、松禾资本等多家机构投资 [4][12] - 在中山火炬高新区建设碳化硅模块封装产线,建成后年产可达100万只碳化硅功率模块 [13] - 运营三个生产基地,晶圆厂位于深圳,封装产线位于无锡,计划在深圳及中山扩大封装产能 [10][13] 创始人背景 - 创始人汪之涵以广东省高考物理满分成绩考入清华大学,25岁获剑桥大学博士学位 [6] - 创业初期获得深圳"留学人员来深创业前期费用补贴"30万元扶持资金 [6] - 早期创立科技公司"青铜剑",成功研发中国首款自主知识产权的大功率IGBT驱动芯片 [7]