行业市场动态 - 2026年以来内存市场迎来快速上涨行情，2026年第一季度内存价格较2025年第四季度末已上涨80%—90% [1] - DRAM、NAND及HBM全品类价格均创历史新高，通用服务器DRAM成为本轮涨价核心推手 [1] - AI数据中心建设所带来的结构性需求，将持续强化Memory产业链的景气度与议价能力 [1] 行业供给与需求展望 - 瑞银分析师预计，全球存储行业出现"有意义的供给缓解"最早也要到2028年前后 [1] - 在供给缓解之前，由AI数据中心建设驱动的结构性需求将持续存在 [1] 公司表现与投资关注点 - 存储概念股盘前普涨，美光科技(MU.US)涨逾5%，西部数据(WDC.US)、闪迪(SNDK.US)、希捷科技(STX.US)涨逾4% [1] - 瑞银建议短期聚焦两大几近垄断的HDD厂商——希捷与西部数据 [1]

内存价格走势与市场态势 - 截至2026年第一季度，内存价格环比上涨80%-90%，迎来前所未有的创纪录暴涨 [1] - 市场正呈现全品类、全板块全面加速上涨态势 [1] 价格上涨的主要驱动因素 - 本轮上涨的主要推手是通用服务器DRAM价格大幅攀升 [1] - 第四季度表现相对平稳的NAND闪存在第一季度也同步上涨80%-90% [1] - 叠加部分HBM 3e产品价格走高 [1] 具体产品价格变化示例 - 以服务器级内存为例，64GB RDIMM合约价已从第四季度的450美元飙升至第一季度的900美元以上 [1] - 该产品二季度价格有望突破1000美元关口 [1]

市场表现与资金流向 - 两市窄幅震荡，芯片设计概念上涨，相关ETF标的指数盘中上涨2.52% [1] - 科创芯片设计ETF天弘（589070）成交额达2985.97万元，近5日获资金净流入4384万元 [1] - 该基金最新规模为6.54亿元，再创上市以来新高 [1] 成分股与指数构成 - ETF成分股中，芯原股份、盛科通信-U、海光信息、灿芯股份涨幅超过5% [1] - 翱捷科技-U、寒武纪-U、东芯股份等多股跟涨 [1] - 该ETF跟踪上证科创板芯片设计主题指数，成分股聚焦科创板芯片设计领域上市公司 [1] - 指数在数字芯片设计、模拟芯片设计行业的权重占比超过95%，高度聚焦半导体产业链核心设计环节 [1] 行业动态与市场趋势 - 内存市场已步入“超级牛市”，预计2026年第一季度价格将实现环比80%-90%的创纪录涨幅，通用服务器DRAM是主要推动力 [2] - 2025年全球半导体销售额同比增长25.6%，行业迈入高景气周期 [2] - 包括英飞凌在内的多家半导体企业近期陆续宣布调涨产品价格，功率半导体等多类芯片迎来涨价潮 [2] 机构观点 - 广发证券指出，科创芯片属于当前趋势强劲且赔率合适的板块之一，波动率适中，在产业主线中具备较好的投资性价比和趋势持续性 [2]

市场表现 - 2026年2月9日A股主要指数全线上涨，沪指涨1.41%报4123.09点，深成指涨2.17%报14208.44点，创业板指涨2.98%报3332.77点，半导体主题ETF表现强劲，科创半导体ETF涨2.25%，半导体设备ETF华夏涨2.24% [1] - 同日美股主要指数收涨，纳斯达克综合指数涨0.90%，费城半导体指数涨1.42%，半导体个股中恩智浦半导体涨2.05%，应用材料涨2.50%，美光科技跌2.84%，微芯科技跌2.10% [1] 半导体行业动态 - 2026年第一季度内存价格出现创纪录暴涨，DRAM和NAND闪存价格环比均上涨80%–90%，市场呈现全品类全面加速上涨态势 [2] - 服务器级内存价格飙升，64GB RDIMM合约价从2025年第四季度的450美元飙升至2026年第一季度的900美元以上，且第二季度有望突破1000美元关口 [2] - 本轮内存价格上涨的主要推手是通用服务器DRAM价格大幅攀升，同时部分HBM3e产品价格走高也推动了市场上涨 [2] AI基础设施投资与需求 - 英伟达CEO黄仁勋表示，科技行业在AI基础设施方面不断增长的资本支出是合理、适当且可持续的，背后动力是对算力的“极度旺盛”需求 [2] - 包括微软、亚马逊、Meta、甲骨文公司和Alphabet在内的科技巨头，正计划在2026年总计投入超过6000亿美元的资本支出，黄仁勋称此为“人类历史上规模最大的基础设施建设” [2] - 2026年，美国四大云服务提供商资本支出合计预计超过6700亿美元，同比大幅增长超60%，AI基础设施建设仍处于大规模投入阶段 [3] - 随着AI向终端渗透、AIAgent技术演进，未来对算力的需求预计将呈现爆发式增长 [3] 企业融资与市场情绪 - 谷歌母公司Alphabet Inc.计划通过发行美元债券筹集200亿美元，超过了此前预期的150亿美元规模，此次发行吸引了超过1000亿美元的认购，成为企业债发行史上需求最强劲的案例之一，反映了投资者对人工智能相关债券的激增需求 [3] - 此次债券发行中期限最长的部分（2066年到期）定价从早前的较美债收益率高出1.2个百分点调整至高出0.95个百分点 [3] 相关投资产品聚焦 - 科创半导体ETF（588170）及其联接基金跟踪上证科创板半导体材料设备主题指数，指数成分中半导体设备占比60%，半导体材料占比25%，聚焦半导体材料设备领域的硬科技公司 [3] - 半导体设备ETF华夏（562590）及其联接基金的指数成分中，半导体设备占比63%，半导体材料占比24%，充分聚焦半导体上游 [4] - 半导体设备和材料行业是重要的国产替代领域，具备国产化率较低、国产替代天花板较高的属性，受益于人工智能革命下的半导体需求扩张、科技重组并购浪潮及光刻机技术进展 [3]

市场行情表现 - 2026年2月9日A股主要指数全线上涨，沪指涨1.41%报4123.09点，深成指涨2.17%报14208.44点，创业板指涨2.98%报3332.77点 [1] - 半导体主题ETF表现强劲，科创半导体ETF涨2.25%，半导体设备ETF华夏涨2.24% [1] - 隔夜美股费城半导体指数涨1.42%，成分股中恩智浦半导体涨2.05%，应用材料涨2.50%，但美光科技跌2.84%，微芯科技跌2.10% [1] 半导体存储市场动态 - 2026年第一季度内存价格环比暴涨80%–90%，创下前所未有的纪录 [2] - 本轮上涨主要推手是通用服务器DRAM价格大幅攀升，同时NAND闪存价格也同步上涨80%–90% [2] - 以服务器级内存为例，64GB RDIMM合约价已从2025年第四季度的450美元飙升至2026年第一季度的900美元以上，且第二季度有望突破1000美元关口 [2] - 市场呈现全品类、全板块全面加速上涨态势，部分HBM3e产品价格也同步走高 [2] AI基础设施投资与需求 - 英伟达CEO黄仁勋表示，科技行业在AI基础设施方面不断增长的资本支出是合理、适当且可持续的 [2] - 包括微软、亚马逊、Meta、甲骨文和Alphabet在内的科技巨头，正计划在2026年总计投入超过6000亿美元的资本支出 [2] - 黄仁勋强调这是“人类历史上规模最大的基础设施建设”，其背后动力是对算力的“极度旺盛”的需求 [2] - 东海证券指出，2026年美国四大CSP资本支出合计预计超过6700亿美元，同比大幅增长超60% [3] - 随着AI向终端渗透、AIAgent技术演进，未来对算力的需求预计将呈现爆发式增长 [3] 企业融资与行业趋势 - 谷歌母公司Alphabet Inc.计划通过发行美元债券筹集200亿美元，超过了此前预期的150亿美元规模 [3] - 此次债券发行吸引了超过1000亿美元的认购，成为企业债发行史上需求最强劲的案例之一，反映了投资者对人工智能相关债券的激增需求 [3] - 半导体设备与材料行业是重要的国产替代领域，具备国产化率较低、国产替代天花板较高的属性 [3] - 行业受益于人工智能革命下的半导体需求扩张、科技重组并购浪潮以及光刻机技术进展 [3] 相关投资产品概况 - 科创半导体ETF及其联接基金跟踪上证科创板半导体材料设备主题指数，该指数囊括科创板中半导体设备（60%）和半导体材料（25%）细分领域的公司 [3] - 半导体设备ETF华夏及其联接基金的指数成分中，半导体设备（63%）、半导体材料（24%）占比靠前，充分聚焦半导体上游产业链 [4]

核心观点 - 2026年第一季度内存价格预计将环比上涨80%-90%，创历史暴涨纪录，主要由通用服务器DRAM价格大幅攀升驱动，NAND闪存价格也同步上涨80%-90%，市场呈现全品类加速上涨态势 [1] - 本轮价格暴涨的核心逻辑是AI推理驱动存储需求成倍增长，叠加供给端有效产能释放滞后，AI服务器推动存储架构向"HBM+DRAM+NAND"三级演进 [1] - 通用服务器DRAM涨价的核心催化是GPU迭代带动存储容量与产能需求激增，而供给端新增产能集中在2027年及以后释放，2026年行业供需结构性错配将持续 [1] 价格与市场趋势 - 2026年第一季度内存价格预计环比上涨80%-90% [1] - 同期NAND闪存价格同步上涨80%-90% [1] - 服务器级64GB RDIMM合约价从去年第四季度的450美元飙升至900美元以上，二季度有望突破1000美元关口 [1] - 部分HBM3e产品价格走高，市场呈现全品类加速上涨态势 [1] 需求驱动因素 - AI推理驱动存储需求成倍增长 [1] - AI服务器推动存储架构向"HBM+DRAM+NAND"三级演进 [1] - 数据中心成为最大单一市场，2026年服务器DRAM占比将突破50% [1] - 中长期需求复合年增长率维持20%高位 [1] - GPU迭代带动存储容量与产能需求激增，B200、B300等新一代GPU对应的DRAM等效产能消耗同比增长20%-171% [1] 供给与产能状况 - 供给端有效产能释放滞后 [1] - 供给端新增产能集中在2027年及以后释放 [1] - 2026年行业供需结构性错配将持续，AI驱动的紧缺态势难缓解 [1] 产业链概况 - 存储产业链上游涵盖设备与材料环节 [2] - 中游包括存储芯片设计、制造与封测 [2] - 下游聚焦服务器、数据中心等应用领域 [2] - 各环节均受益于量价齐升趋势 [2] 相关公司业务动态 - 大为股份全资子公司大为创芯主要产品有NAND、DRAM存储两大系列 [3] - 大为创芯在稳定核心客户基础上，成功导入超越科技、四川九洲、广东朝歌等重量级新客户 [3] - 大为创芯实现在通信和消费电子领域的市场突破 [3] - 大为股份目前正在推进探矿权转采矿权工作进程 [3] - 东芯股份研发的DRAM产品主要包括DDR3(L)以及LPDDR1/2/4X [4]