内存行业动态 - 内存巨头逐步减少DDR4产量导致DRAM价格持续攀升 NAND价格随之上涨 [1] - 业内人士预测第三季度NAND价格将上涨 其中512Gb以下产品涨幅最大 [1] - TrendForce预计第三季度NAND Flash平均合约价格涨幅达5%至10% [1] NAND供应与减产 - 美光和闪迪等主要制造商从2024年下半年开始减产导致价格飙升 [1] - 全球五大NAND闪存制造商（三星/SK海力士/美光/铠侠/西部数据）2025年上半年启动10%至15%减产计划 [1] - NAND供应短缺预计持续至2025年下半年 可能延续到2026年 [1] 产品价格分化 - 512Gb以下低容量NAND产品因优先减产而涨幅最大 [2] - 低容量产品在模组和分销市场库存水平低 过去两年价格跌幅最大 反弹空间显著 [2] - 第三季3D NAND（TLC & QLC）晶圆价格预计上涨8%至13% [2] 技术转型趋势 - 供应商将资源转向高容量QLC产品开发 导致低容量晶圆供应趋紧 [2] - 行业重点从成熟TLC工艺逐渐转移 [2]

DDR4价格飙升现象 - 上一代DDR4内存价格首次飙升至当前DDR5的两倍以上，部分DDR4套件价格单周涨幅达40% [1] - 三星/SK海力士3200 MHz DDR4 16Gb现货均价涨至12.50美元，最高达24美元，而DDR5 2x8G模块价格仅6-9美元 [1] - 价格异动源于美光宣布6-9个月内逐步停产DDR4，推动交易额快速上升 [1] 行业产能调整动态 - 美光、三星已明确DDR4停产计划，转向DDR5和HBM生产 [2] - 长鑫存储DDR4产量刚达峰值即面临停产暗示 [2] - 南亚科技凭借376亿新台币（12亿美元）DDR4库存成为最大受益方，已暂停现货报价待高价出售 [2] 市场供需与贸易环境影响 - 关税担忧引发恐慌性抢购，三大DRAM厂商（三星/SK海力士/美光）正提高最后批次DDR4报价 [2] - 投机者预期美国可能对中国DDR4征收报复性关税，或使DDR4价格达DDR5三倍以上 [3] - 60%新款笔记本仍采用DDR5，但OEM厂商因英特尔Raptor Lake芯片畅销持续采购DDR4 [3] 技术迭代与消费端矛盾 - DDR5技术渗透率受限于笔记本消费者对成熟DDR4的偏好，后者因价格低、可靠性高长期占据市场 [3] - DDR4笔记本可能因供应链变动面临涨价，打破原有成本优势 [3]

DDR4内存价格走势 - DDR4内存价格在5月整体涨幅达50%，其中8GB模块涨幅最大为56%，16GB模块上涨45% [2] - 8GB和16GB芯片的合约价上涨22%至25%，预计第三季度还将上涨10%至20% [2] - 当前DDR4与DDR5的价格差距缩小至7%，创历史新低 [3] 市场供需动态 - DDR4供给紧张源于制造商逐步停产，转向利润更高的DDR5和高带宽内存产品 [2] - 系统集成商、OEM厂商批量采购导致单价从1.75美元涨至2.73美元，显著推高运营成本 [2] - 嵌入式与工业平台需求支撑DDR4小规模持续供应，类似软盘和卡带的长期市场现象 [3] 行业技术转型 - DDR4自2014年主导市场后，2020年起被DDR5以更快速度、更高能效替代 [2] - 全球主要DRAM厂商正加速淘汰DDR3/DDR4，资源向DDR5倾斜 [2] - 制造商切换新技术的速度将决定DDR4价格波动周期 [3]