通用DRAM内存
搜索文档
三星芯片,利润飙升
半导体芯闻· 2026-01-05 18:13
三星电子2023年第四季度业绩预期与驱动因素 - 公司即将于1月8日公布2023年第四季度初步业绩,市场关注其季度营业利润能否首次突破20万亿韩元 [1] - 根据FnGuide数据,市场普遍预期公司第四季度营收为89.217万亿韩元,营业利润为16.455万亿韩元,分别同比增长17.7%和153.4% [1] - 多家证券公司近期上调预期,预测公司将创下史上最高季度业绩,其中IBK证券预测营业利润达21.746万亿韩元,Daol投资证券预测为20.4万亿韩元,均超过2018年第三季度创下的17.570万亿韩元纪录 [1] 存储半导体业务表现强劲 - 通用DRAM内存价格上涨是公司业绩提升的最大驱动力,2023年底PC DRAM通用产品(DDR4 8Gb 1Gx8)平均合约价格为9.3美元,较2024年底预期价格(1.35美元)一年内上涨近7倍 [2] - 公司在全球三大内存厂商中拥有最大产能,将从通用内存价格上涨中获益最多 [2] - 通用存储器因AI基础设施投资导致需求持续增长,但尖端工艺产能集中于HBM领域,供应受限,供不应求现象将持续 [2] - Hana Securities研究员预计,公司第四季度DRAM业务营业利润率将超过50%,NAND业务营业利润率将达到20% [2] AI半导体与下一代技术进展 - 包括HBM在内的下一代AI半导体业务发展势头良好,为2024年业绩增长奠定基础 [2] - 公司的第六代高带宽内存HBM4近期获得NVIDIA、博通高度评价,预计2024年供货将保持稳定 [2] - 公司抢先于竞争对手提供了SOCAM2样品,这是一款基于LPDDR DRAM的下一代DRAM模块,NVIDIA正在独立推广其作为标准 [2] - 预计公司全球HBM市场份额将从2023年的10%左右增长到2024年的30% [2] 系统半导体与晶圆代工业务利好 - 系统级芯片(LSI)和晶圆代工业务预计迎来利好,此前这两个业务部门因巨额亏损备受诟病 [3] - 公司2024年与特斯拉签署了一份价值23万亿韩元的晶圆代工合同,并且也接近拿下AMD的2纳米芯片代工订单 [3] - 公司董事长李在镕赴美出差期间,与特斯拉、AMD、Meta、英特尔、高通和Verizon等多家大型科技公司CEO举行会晤 [3] - 芯片设计业务近期取得一系列佳绩,例如Exynos 2600处理器被应用于Galaxy S系列手机,以及Exynos Auto芯片被供应给宝马 [3] 行业前景与业绩展望 - 行业分析师预计,如果系统半导体在存储半导体明显复苏之后站稳脚跟,公司2025年业绩将超过其巅峰时期 [3] - KB证券研究部负责人预测,由于DRAM价格上涨和HBM出货量增加,公司2024年营业利润将接近100万亿韩元,比上年增长129% [3]
破解AI泡沫论:存储器指数回暖背后的风向标
21世纪经济报道· 2025-12-02 10:02
存储器市场近期表现 - 万得存储器指数于12月1日收盘报3416.39点,当日涨幅达1.99%,已连续四个交易日上涨,板块年初至今涨幅达到97.7%(流通市值加权平均)[1] - 东芯股份、德明利、江波龙年初至今涨幅分别达382.73%、244.60%、189.63%,领涨板块[1] - 存储器指数39家成分股中有12家来自广东,显示出珠三角强大的产业聚集力[1] AI驱动的产业变革与市场逻辑 - AI应用(如输入语音、文字、图片及获取回馈)产生大量数据,催生存储需求,该逻辑不会因短期股价波动而改变[3] - AI配套的高带宽存储需求旺盛,导致原厂(如三星、海力士)高端产能被英伟达、OpenAI等企业包掉,进而挤压消费级NAND Flash和DRAM产能[3] - 今年10月,OpenAI启动"星际之门"项目,与三星、SK海力士豪掷710亿美元采购高带宽内存芯片,其月产能目标一度是全球HBM产能的两倍多[3] 存储产业链供需格局与价格趋势 - 三季度以来,存储产业链呈现"上游控货、中游惜售、下游承压"格局,DDR4内存条渠道价累计翻倍,DDR5及SSD因供应困境暂停报价[5] - 需求侧持续升级,例如手机存储从iPhone 4的16G发展到当前128G、256G起步,甚至1T、2T[5] - 原厂扩产周期较长,最快需十个月,加上基建设备调试及人员培训,存储旺盛需求预计最快2026年底才可能缓解[5] - 成本上涨影响动态随机存取存储器、闪存、硬盘和前沿半导体制程节点,AI带来的超级周期预计将持续较长时间[5] 原厂战略调整与产能布局 - SK海力士为满足英伟达等大型科技公司订单需求进行扩产,战略调整应对成本效益更高的通用DRAM需求激增[4] - 除积极扩产HBM内存外,SK海力士明年将充分利用晶圆厂空间,全力扩充通用DRAM内存产能[4] 广东地区产业格局与发展模式 - 广东存储器产业布局呈现多极化、纵深化特征,形成从存储芯片设计、晶圆制造、封装测试到终端应用的完整产业链[7][8] - 江波龙实践"深圳研发+中山制造"发展模式,朗科科技将产业布局延伸至粤北韶关,佰维存储在东莞松山湖布局晶圆级先进封测制造项目,总投资超30.9亿元[7][8] - 深圳集中承载研发设计、营销等核心环节,东莞、中山承接封装测试、智能制造等中端环节,韶关、惠州等地承担产能扩张、基础设施配套等支撑环节[8] - 广东拥有华为、OPPO、vivo、荣耀、中兴等手机厂商,以及比亚迪、广汽埃安、小鹏汽车等车企和腾讯等互联网巨头,形成丰富多样的市场需求[9] - 利用粤港澳大湾区深港跨境物流通道,广东企业能以最快速度完成全球采购和出口,国际原厂办事处(如SK海力士、美光中国)落户深圳,降低了沟通成本并提高效率[9][10]
SK海力士计划2026年扩充非HBM通用DRAM产能
巨潮资讯· 2025-12-01 17:57
公司产能扩张计划 - SK海力士计划在积极扩产HBM内存的同时,全力扩充非HBM通用DRAM内存的产能,并计划充分利用现有晶圆厂空间 [1] - 新增HBM DRAM产能集中在本季度竣工的清州M15X晶圆厂,通用DRAM新产能将来自清州M8、利川M10、利川M14和利川M16等现有生产基地 [3] - 通过对现有产线进行调整和优化,公司希望在不大幅新增资本开支的前提下实现整体产能结构的再平衡 [3] 具体产能提升策略 - 计划最大限度利用相对老旧的清州M8和利川M10厂区空间,同时对利川M14进行制程升级改造,并启用利川M16的剩余产能 [3] - 韩媒预计SK海力士的通用DRAM产能在2026年有望扩大至每月7万片晶圆,部分业内消息人士认为通过进一步扩产有机会提前实现月投片量达到10万片的中期目标 [3] 战略布局与行业背景 - 公司正试图在AI相关应用带动存储需求上行的背景下,在高附加值HBM与通用DRAM之间寻找新的产能平衡点 [3] - 扩产计划反映出存储厂商在AI时代的产能布局思路,既要抓住HBM带来的结构性机遇,又需防范单一产品线波动带来的经营风险 [4] - 通过充分利用老旧厂房与升级产线,公司有望提升整体产能灵活性和成本效率,以兼顾传统DRAM业务维护与PC、移动及企业级客户的长期合作关系 [4]
三星重夺存储芯片市场霸主之位!
国芯网· 2025-10-15 12:49
三星电子存储业务表现与预测 - 分析机构Counterpoint预计,三星电子2025年第三季度营收将达到194亿美元,超越SK海力士的175亿美元,重夺全球最大存储厂商地位[2] - 三星电子2025年第三季度存储营收环比增长25%,得益于通用DRAM内存和NAND闪存领域的良好表现[4][6] - SK海力士第三季度销售额为175亿美元,较上年同期增长13%[6] 三星电子增长驱动力与未来展望 - 三星电子第三季度强劲业绩归因于市场对DRAM和NAND闪存的强劲需求[6] - 机构预测,凭借新一代高带宽存储(HBM)芯片,三星电子明年有望实现全面复苏[6] - 通用DRAM内存与HBM业务的持续复苏将支持三星电子在2025年第四季度稳住第一宝座[6] - 公司存储部门业绩在2026年有望在HBM3E和HBM4的推动下实现显著成长[6] 行业活动信息 - 2025湾区半导体产业生态博览会将于10月15日至10月17日在深圳会展中心举行[7] - 该博览会展览面积达60000平方米,参展企业超过100家,预计专业观众超过60000人次,将举办20多场峰会论坛[7]