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GaN(氮化镓)
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英诺赛科尾盘涨近15% 恩智浦及台积电计划关闭GaN产能 英伟达引领供电架构革命
智通财经· 2025-12-30 15:19
公司股价表现 - 英诺赛科(02577)股价尾盘大幅上涨,截至发稿涨幅达14.39%,报77.5港元,成交额为7.29亿港元 [1] 行业竞争格局变化 - 恩智浦确认将关闭其位于美国亚利桑那州钱德勒的“Echo”晶圆厂,该厂计划在2027年第一季度生产最后一批晶圆后关闭 [1] - 台积电已决定逐步退出氮化镓(GaN)代工业务,将在2027年中前完全停止GaN代工服务 [1] 公司市场机遇与合作伙伴关系 - 英伟达近期宣布了包括CoreWeave、甲骨文在内的十余家合作伙伴,旨在为800伏直流电源架构和单机柜功率密度达到1兆瓦的超高密度计算环境做准备 [1] - 英诺赛科已于今年8月作为唯一一家中国芯片企业,跻身英伟达800V直流电源架构合作伙伴名录 [1] - 英诺赛科将为英伟达的AI数据中心提供全链路氮化镓解决方案,助力其单机柜功率密度突破300kW [1]
特斯拉Optimus定型在即,产业链公司新增量
Robot猎场备忘录· 2025-12-21 08:02
文章核心观点 - 特斯拉Optimus产业链正同时经历“缩圈”与“扩圈”过程 “缩圈”指核心供应商标的范围逐渐收窄 最终接近获得定点或量产订单的决赛圈 “扩圈”指伴随技术迭代和新工艺引入 新的供应商标的范围在扩大 两者共同推动产业链核心标的及走向越发明朗 静待发包 [1][3][8] - 当前二级市场机器人板块仍处于炒预期和震荡期 缺乏爆炸性利好催化 行情更多体现在核心利好标的的轮动上行 但整体走势偏弱 各券商机构普遍认为2025年1月份核心特斯拉链才会迎来正式行情 [1][2][11][12] 特斯拉Optimus产业链近期市场表现 - 特斯拉链公司本周走势呈现大幅下行、超跌反弹、继续下行、微弱反弹的震荡格局 整体表现比预期中要好 [1] - 自11月21日以来的反弹行情 更多体现在核心利好标的 并已迎来较大涨幅 远超预期 [1] - 12月以来 板块走势极弱 更多是核心利好标的轮动上行且不持续 [2] “缩圈”逻辑:核心供应商聚焦 - “缩圈”逻辑指核心特斯拉链标的逐渐减少 越到最后越接近决赛圈 即获得特斯拉定点或量产订单 这些标的将是后续资本关注重点 [1] - “缩圈”从11月份开始 12月进一步聚焦 [8] “扩圈”逻辑:新工艺与技术迭代带来新机会 - “扩圈”伴随技术迭代和新工艺产生 特斯拉对产业链公司开放 会积极尝试新工艺和概念 即使Optimus V3定型或量产后 也会持续修改迭代 [3] - 每一次工艺路线选择 相关标的将迎来一波上行期 [4] - 新工艺的引入会迎来炒作期 但被采用才是关键 往期炒作的PCB、MIM、镁合金、轴向磁通电机等 最终被采用并进入特斯拉链的很少 [8] 新工艺案例:氮化镓 - 氮化镓工艺在11月底首次在业内发酵 12月2日有产业方表示已有公司配合特斯拉开发上肢和灵巧手GaN方案 [6] - 12月4日 GaN概念标的如RN、GG强势涨停 该工艺正式刷屏行业圈 [6] - 据券商机构研报 GaN已开始大量用于机器人执行器、灵巧手等模块 平均售价可能超过1万元 同时Innoscience已开始批量供货 GaN在机器人领域从技术验证阶段正式迈入商业化落地阶段 [6] - 目前头部整机研发企业和聚焦核心部件的厂商已明确将氮化镓驱动器作为核心组件 [7] 其他新工艺与增量方向 - 除了GaN工艺 陶瓷球和新的丝杠方案等也在炒作中 相关标的收益颇丰 有望成为后续最大增量 例如LX、FS等在本波反弹中表现亮眼 其中LX目前进展最快 [8] - 手套/衣服集成传感器标的目前已有发酵趋势 [8] 产业链公司动态与未来节点 - 目前持续发酵以及新晋利好标的的部分信息在“机器人头条”知识星球的人形供应链专栏中列举 [8] - 目前流传的节点是:2026年1月底-2月 V3机器人量产定型 3月首批供应商明确;2026年8月第二批供应商确定 开启大规模制造交付;2026年3季度机器人开始规模化走下产线 [10] - 关注核心利好标的 提前入局至关重要 [11]
涉及30%员工!台积电重大调整!
国芯网· 2025-09-11 22:25
台积电业务调整 - 台积电将在两年内退出氮化镓(GaN)代工业务 关闭位于中国台湾新竹科学园区的6英寸Fab 2晶圆厂[2] - 公司预计整合三座8英寸晶圆厂(Fab 3、Fab 5和Fab 8)并将最多30%员工重新部署至南部科学园区和高雄工厂 以弥补劳动力短缺、降低成本并优化资产利用率[2] - 6英寸工厂将被改造成CoPoS面板级封装工厂 8英寸晶圆厂将转向内部生产EUV掩膜保护膜以减少对ASML供应链的依赖[4] EUV技术战略 - EUV光刻机成本高昂:ASML EUV设备价格约1.5亿美元 最新High NA EUV系统价格超过3.5亿美元[4] - 台积电减少High NA订单 通过内部研发保护膜技术提高EUV良率并控制成本[4] - Fab 3晶圆厂将成为内部EUV保护膜研发中心 预计投产以减少对ASML供应商依赖并提高成本效益[4] 技术背景与行业影响 - EUV需采用新掩模版和保护膜方法 传统有机保护膜缺乏所需透明度和稳定性 导致晶圆厂需频繁检查缺陷[5] - 台积电自有保护膜技术将优化工作流程、提高良率、扩大产能并降低成本 提升盈利能力并扩大领先地位[5] - 设备和材料供应商可能受益于台积电转型带来的新基础设施需求[5] 产业竞争格局 - 台积电退出GaN领域凸显中国大陆竞争对手在第三代半导体市场的激烈价格竞争[6] - 瑞萨电子与Polar半导体合作开发下一代d型GaN 中国大陆企业加速GaN项目 全球IDM厂商如德州仪器和英飞凌也在扩大内部GaN产能[6] - 台积电向世界先进(VIS)和恩智浦半导体在新加坡的合资企业VSMC出售价值7100万至7300万美元设备[5]
传台积电或将停产GaN;深圳新设50亿元半导体产业投资基金;16Gb DDR4持续上涨…一周芯闻汇总(6.30-7.6)
芯世相· 2025-07-07 12:04
行业政策与投资 - 深圳设立50亿元半导体与集成电路产业投资基金,支持全产业链优化提质[5][6] - 上海对集成电路等重点产业链实施联合体支持政策,给予最高产业政策支持[5] - 香港首座8英寸碳化硅晶圆厂获批,将兴建第三代半导体生产设施[5] 全球半导体产能与市场 - 中国大陆预计2030年超越中国台湾成为全球最大半导体晶圆代工中心,份额达30%[7][8] - 2024年中国大陆以21%的全球代工产能份额位居第二,仅次于中国台湾(23%)[8] - 韩国6月半导体出口额同比增加11.6%至149.7亿美元,刷新历史纪录[7] 技术与工艺进展 - 东京大学研发掺镓氧化铟晶体材料,有望取代硅材料延续摩尔定律[19] - 三星确认LPDDR6将于2025年下半年量产,高通率先搭载[19] - 英特尔考虑以14A(1.4纳米)工艺直接对标台积电与三星的2纳米技术[14][15] 企业动态与市场表现 - 三星电子晶圆代工部门上半年绩效奖金为零,存储器部门获25%奖金[11] - 高通剔除三星2纳米代工名单,由台积电独吞旗舰大单[11] - 三星美国泰勒芯片厂因客户短缺推迟投产[12] - 摩尔线程和沐曦股份同日科创板IPO获受理,拟募资总额119.04亿元[12] 存储芯片市场 - 16Gb DDR4现货价格持续上涨,PC级DRAM价格失去动力[16] - DDR4价格或在Q4触顶回落,DDR5价格趋势稳定[17] - LPDDR4X价格预计Q3环比上涨20%以上,LPDDR5X小幅上扬[17] 消费电子市场 - 中国Q2智能手机销量预计增长1%,华为销量份额同比增12%[20][21] - 2025年全球TWS耳机销量预计同比增长3%,入门级产品为主要动力[21] - 中国电视市场2025年预计出货3830万台,同比增长3.2%,大屏需求强劲[22] 设备与材料 - 2026年日本半导体设备销售额预计突破5万亿日元[8] - 美国半导体企业新厂建设投资税收抵免比例有望升至35%[7][8]