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存储大变局,长鑫亮剑
半导体行业观察· 2026-11-13 09:34
文章核心观点 - AI推动DRAM和NAND存储成为技术浪潮重要赢家,存储超级周期正在进入全新的“分层时代” [1][3] - 存储产业竞争逻辑发生根本性转变,从单一参数比拼转向全场景产品布局能力竞争,差异化存储方案成为重塑市场竞争格局的核心变量 [9] - 长鑫科技正进入从规模增长迈向技术与产品双轮驱动的新阶段,通过下一代存储架构和先进工艺布局争取未来高端服务器内存市场技术竞争优势 [16][17] 存储需求分层 - 2026年第三季度全球DRAM市场营收达到近2000亿美元,同比增长369%,接近去年同期5倍,市场呈现明显超级周期特征 [1] - 服务器市场已成为DRAM重中之重,需求占比超过50%,预计2026年底服务器将消耗高达60%的存储,2030年进一步上升至71% [5] - 汽车领域DRAM需求有望到2030年将复合增长速度提高到30% [5] - AI大模型对话Decode推理阶段性能瓶颈主要在于内存带宽,长文本Prefill阶段瓶颈转向算力受限,大参数多卡训练场景内存容量和互联能力成为关键制约因素 [6] - DRAM内存作为承上启下核心位置,既要处理高频率交互的模型参数与KV缓存,又要平衡性能与成本,已成为当前AI算力升级中需求增长最快的层级 [6] 内存需求五个核心维度 - 容量:好比物流总仓储面积,超大规模模型训练、长上下文推理对容量需求高 [9] - 带宽:代表单位时间总货运能力,前馈网络计算环节在用户并发数较小时对带宽需求极高 [10] - 写入率:对应数据回写反向运输承载力,训练场景下对写入率要求高 [10] - 访问粒度:即最小运输单元,推理过程中稀疏注意力计算环节需要反复拉取零散历史对话缓存做匹配,对小粒度访问要求很高 [10] - 延迟:相当于物流配送时间,注意力计算环节要求高,延迟直接决定大模型回答快慢 [10] 研发投入 - 2026前三季度长鑫科技研发投入高达110.71亿元,同比增长超73% [12] - 4F²架构、VSG晶体管及混合键合等前沿技术取得进展,预计年底推出融合上述先进技术的新一代DDR5 RDIMM产品 [16] - 在4F²等架构取得关键突破基础之上,第六代工艺技术平台已完成工程样片验证 [16] 服务器领域产品布局 - 长鑫科技DDR5颗粒已完成从24Gb到32Gb的迭代 [13] - RDIMM模组端实现32GB到128GB主流容量、5600Mbps到8000Mbps速率档位全覆盖 [13] - MRDIMM覆盖128GB和192GB两个容量点,速率最高达12800Mbps [13] 手机及移动终端领域产品布局 - 2026年8月长鑫正式推出LPDDR6,最高速率达12800Mbps,相比上一代LPDDR5X带宽提升60%,功耗降低20%,已率先实现旗舰手机量产商用 [14] - 基于第五代DRAM技术平台推出两款单颗容量达24Gb的LPDDR5X产品,容量较上一代提升50%,均已进入规模量产阶段 [14] - LPDDR6凭借原生速率更高和双子架构设计,显著提升带宽容量比关键指标,未来能够拓展至智能驾驶、边缘计算及对存储能效要求较高的服务器场景 [14] 汽车领域产品布局 - 高阶自动驾驶和智能座舱对DRAM需求快速提升,单车内存需求有望从约16GB增长至300GB以上 [15] - 车规级LPDDR5X提供315焊球和441焊球两种封装方案,通过AEC-Q100 Grade 2及ISO 26262 ASIL D等认证 [15] - 产品从LPDDR4X逐步升级至LPDDR5X,并加快LPDDR6车载应用拓展 [15] 公司经营与市场表现 - 三季度营收、利润及经营性现金流持续增长,叠加DDR5需求旺盛、服务器客户需求强劲以及长期供货协议推进,反映公司市场竞争力和业务增长确定性正在增强 [16] - 公司通过持续更新、凭借长协锁定客户需求、以分层洞察指导产品研发迎接存储产业新格局 [16]
长鑫科技,最新发声
财联社· 2026-11-12 19:05
文章核心观点 - 受全球算力需求激增影响,存储超级周期进入全新“分层时代”,细分市场增长与内存需求呈现“双重分层”,存储产业竞争从单一参数比拼全面转向全场景产品布局能力的竞争 [1][3] - 长鑫科技以服务器、手机、汽车三大AI场景为主线首次集中展示核心内存产品矩阵,并通过高强度研发投入推动收入结构向高附加值领域转化 [1][12] 行业趋势与市场分层 - 服务器市场需求占比已超50%,优先流向AI大模型、智算中心等高价值场景 [1] - 汽车市场预计到2030年复合增速约30% [1] - 手机、PC等消费电子市场AI功能渗透加快,但仍具明显周期波动特征 [1] - 大模型推理解码阶段瓶颈集中在内存带宽,长文本前缀处理阶段算力约束更突出,超大参数多卡训练场景对内存容量和互联能力提出极高要求 [3] - DRAM供需偏紧、AI算力需求持续牵引,企业级市场中AI服务器需求持续旺盛,传统服务器需求保持稳健 [14] 服务器领域产品进展 - DDR5颗粒已完成从24Gb到32Gb的迭代 [4] - RDIMM模组端实现32GB到128GB全主流容量段、5600Mbps到8000Mbps全速率档位全覆盖 [4] - MRDIMM覆盖128和192GB等容量点,速率最高达12800Mbps [4] - 面向大容量、高可靠诉求,RDIMM产品迎来结构性红利 [4] - 采用4F²架构的首代DDR5 RDIMM产品送样,应用方向优先落地服务器等高附加值、对密度要求高的产品 [13] 智能手机领域产品进展 - 展出全球首发量产的LPDDR6产品,最高传输速率达12800Mbps,较上一代LPDDR5X带宽提升60%、功耗降低20% [5][7] - LPDDR6单颗粒容量16Gb,芯片最高容量16GB [7] - LPDDR6已首批搭载于小米18 Fold折叠旗舰手机,实现全球LPDDR6产品首次落地商用 [7] - LPDDR5X已落地全球首款AI智能体手机 [7] 智能汽车领域产品进展 - 已实现LPDDR4X、LPDDR5X车载内存规模量产,并加快LPDDR6在车载场景的应用创新与拓展 [10] - 最新车规级LPDDR5X内存产品已通过AEC-Q100 Grade 2等权威认证,并获得ISO 26262 ASIL D产品功能安全认证 [10] - 相关管理体系涵盖ISO 9001、IATF 16949及QC 080000 [10] - 车载存储展区展出两款封装方案:一款采用315焊球封装,通过优化I/O布局实现低寄生参数,信号传输更稳、干扰更小,兼顾信号完整性与电源效率 [10] - 另一款车载芯片采用441焊球封装,配置4个独立通道,总数据位宽64bit,多通道并行架构支持高速并行传输,满足车载域控高带宽需求 [10] - 两款方案在连接布局与接口配置上形成互补,客户可结合平台特点灵活选型 [10] 技术平台与研发投入 - 展出已量产的第五代技术平台(G5),依托四重曝光工艺将内存阵列有源区半间距微缩,比肩全球顶尖水平的DRAM量产制程 [11] - G5平台每片晶圆产出裸片数量较上一代平台提升至少50% [11] - 2026年前三季度研发投入110.71亿元,同比增长超73% [13] - 前三季度DDR系列收入占比持续上升,核心驱动力来自DDR5自2024年底规模量产后的销量爬坡 [13] - 公司在保持移动端LPDDR基本盘的同时,正在服务器与PC所代表的高附加值计算内存市场打开增量空间 [13] 市场拓展与客户合作 - 长协相关工作进展顺利,已与多家头部客户协商长期供货协议,以锁定中长期确定性需求 [14] - DDR5等主力产品呈现明显供不应求状态 [14] - 基于客户确定性需求,公司对企业级业务持续增长保持乐观预期 [14] - 依托技术与良率优势,预计明年在端侧AI和智能终端市场的份额将进一步扩大 [14] - 随着LPDDR6产品在高端市场应用格局打开,盈利能力会逐步释放 [13]