市场展望 - 2030年全球半导体市场将突破1万亿美元，高性能计算（HPC）占比达45%，智能手机占25%，汽车占15%，物联网占10% [4][5] - 边缘计算场景对高能效处理的迫切需求驱动半导体市场长期增长，AI功能深度集成是主要推动力 [4] - 汽车产业快速成长推动台积电N4、N3及N6RF工艺在自动驾驶领域加速应用，数据中心市场指数级成长推动5nm和3nm设计及CoWoS®、SoIC®先进封装技术发展 [5] 先进制程技术 3nm家族 - N3P已于2024年Q4量产，在相同漏电率下性能提升5%或功耗降低5-10%，晶体管密度提升约4% [6][8] - N3X支持1.2V电压，相同功耗下性能提升5%或功耗降低7%，预计2024年下半年量产，但漏电功耗可能增加250% [9] - 3nm家族已收到超过70个NTOS，预计成为高容量、长时间运行的节点 [6][10] 2nm及以下制程 - N2（2nm）制程256Mb SRAM良率>90%，预计2024年下半年量产，N2P将于2026年下半年量产，相比N3E性能提升18%或功耗降低36%，密度提高1.2倍 [11][13] - A16制程融合NanoFLEX晶体管架构、超级电轨和DTCO技术，2026年下半年量产，相比N2P性能提升8-10%或功耗降低15-20%，逻辑密度提升7-10% [14][16][18][19] - A14制程基于第二代GAA晶体管技术，2028年量产，相比N2性能提升15%或功耗降低30%，逻辑密度增加20% [20][21][22] 先进封装技术 - TSMC 3DFabric®技术包括SoIC-P和SoIC-X，N3-on-N4堆叠方案将于2025年量产，A14-on-N2方案2029年就绪 [23][25][26] - CoWoS技术支持硅中介层和有机中介层，InFO技术扩展至汽车应用 [26] - SoW-X基于CoWoS技术，运算能力比现有方案高40倍，2027年量产 [29][30] 特殊制程技术 汽车技术 - N7A、N5A、N3A满足L2-L4级ADAS需求，每代技术性能提升20%或功耗降低30-40%，N3A预计2024年底通过汽车认证 [32] - 28nm RRAM已通过汽车认证，22nm MRAM已量产，16nm MRAM准备就绪 [36][37] 物联网与射频技术 - N4C RF相比N6RF+功耗和面积减少30%，2026年Q1试产，支持Wi-Fi 8和AI功能 [39][40] - 16HV FinFET高压平台相比28HV功耗降低28%，逻辑密度提升41%，适用于OLED和AR眼镜 [41][42] 制造与产能规划 - 2025年AI相关晶圆出货量达2021年12倍，大尺寸芯片出货量达8倍 [44][45] - 2022-2026年SoIC产能CAGR超100%，CoWoS产能CAGR超80% [45] - 2025年新增9座设施，包括6座中国台湾晶圆厂和1座先进封装厂 [45] 可持续发展 - 2040年实现RE100，2050年净零排放，加入SBTi设定减碳目标 [46] - 2030年供应链碳排放降低50%，资源回收率98%，工业用水循环利用率97%以上 [46][47]

Key Takeaways TSM is advancing nanosheet nodes N2, N2P, and A16 to boost chip performance, power, and density. N2 enters volume production in H2 2025, with tape-out activity expected to surpass 3nm and 5nm nodes. Apple and AMD are early adopters of TSM's N2 node for future iPhones, Macs, and competitive CPUs/GPUs.Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSM) , also known as TSMC, is reinforcing its nanosheet chip technology roadmap with N2, N2P, and A16, which are aimed at extending performance and eff ...

国芯网[原:中国半导体论坛] 振兴国产半导体产业！ 不拘中国、 放眼世界 ！ 关注 世界半导体论坛 ↓ ↓ ↓ 4月29日消息，据台媒报道，中国台湾计划加强对先进制程技术出口管控， 新的措施将强制执行"N- 1"技术限制，将实质上禁止台积电出口其最新生产节点！ 此次修订的规则基于修订后的《产业创新法》第22条，预计将于2025年底生效，不过相关部门表示，该 法的实施日期将在各子法规修订后（六个月内）公布，这意味着最早可能在2025年底开始实施。 在此修订之前，中国台湾法规并未明确要求对半导体制造工艺进行此类管控。这些规定基于修订后的 《产业创新法》第22条，预计将于2025年底生效。 台积电最先进制程技术存在重大变数。目前，台积电拥有一个尖端节点：N3P（3nm）制程。但到今年 年底，台积电将开始采用N2（2nm）制程生产芯片，这将成为其旗舰技术。 然而，从2026年底开始，台积电预计将拥有两个旗舰节点：面向不需要高级供电的客户端应用的N2P， 以及面向高功耗HPC（高性能计算）应用的配备Super Power Rail背面供电的A16（1.6nm）工艺。 中国台湾将视哪项制程技术为"旗舰"并因此限制出口，或 ...

台积电技术路线图更新 - 公司发布第二代GAA工艺14A，计划2028年投产，良率已提前达标，相比N2工艺在相同功耗下速度提升15%或相同速度下功耗降低30%，逻辑密度提升20%以上 [1][8][10] - A14采用NanoFlex Pro架构实现设计灵活性，首代不支持背面供电(2028年量产)，支持SPR背面供电版本计划2029年推出 [12][13][26] - 3nm工艺进展：N3P已投产，相比N3E性能提升5%或功耗降低5-10%，密度提升4%；N3X计划2025年下半年量产，支持1.2V电压但漏电增加250% [15][16][17] 先进封装技术发展 - CoWoS技术2027年将实现9.5倍光罩尺寸量产，集成12个以上HBM堆栈；SoW-X技术计算能力达现有CoWoS方案40倍，计划2027年量产 [2][39] - 3DFabric技术组合包含SoIC-P(16微米间距)和SoIC-X(几微米间距)等方案，支持芯片/晶圆级3D集成 [35][37] - 集成硅光子和高密度电感器技术将功率传输密度提升5倍，解决AI加速器数千瓦级功耗挑战 [44][47] 各应用领域技术布局 - 高性能计算：推出COUPE硅光子引擎和HBM4逻辑基片，IVR电压调节器功率密度提升5倍 [3][42] - 智能手机：N4C RF技术相比N6RF+功耗和面积减少30%，支持WiFi8和AI功能，2026年Q1风险生产 [4] - 汽车电子：N3A工艺通过AEC-Q100一级认证，满足汽车级DPPM要求，已开始应用于ADAS/AV芯片 [5] - 物联网：N6e超低功耗工艺已投产，N4e工艺继续提升边缘AI能效 [6] 半导体行业趋势 - AI驱动半导体需求快速增长，预计行业规模将突破1万亿美元，公司凭借移动SoC经验占据优势 [20][22] - N2工艺流片量首年即超N3，2026年下半年量产的N2P相比N3E速度提升18%/功耗降36%/密度1.2倍 [31][33] - 先进制程与封装需协同发展，公司正开发统一解决方案满足AR眼镜、人形机器人等未来产品需求 [49][50][52]

财报表现 - 25Q1收入255 3亿美元 同比+35 3%/环比-5 1% 符合指引预期(250-258亿美元) 环比下降主要受智能手机季节性因素影响 部分被AI需求增长抵消 [2] - 25Q1毛利率58 8% 同比+5 7pcts/环比-0 2pcts 位于指引上限(57-59%) 主要受地震及海外产能扩张稀释 部分被成本改善措施抵消 [2] - 25Q1 EPS为13 94新台币 ROE为32 7% ASP 3482美元/环比-0 4% [2] - 25Q2收入指引284-292亿美元 中值同比+38%/环比+13% 主要受3/5nm技术强劲增长驱动 [4] 业务结构 - 按技术节点: 25Q1 3/5/7nm收入占比分别为22%/36%/15% 7nm及以下先进制程合计占比73% [2] - 按平台划分: HPC收入150 6亿美元 环比+7% 占比59%/环比+6pcts 智能手机收入71 5亿美元 环比-22% 占比28%/环比-7pcts [2] - 按地区划分: 北美收入占比77% 环比+2pcts 中国大陆占比7% 环比-2pcts [2] 资本支出与产能规划 - 25Q1资本支出100 6亿美元 2025全年指引380-420亿美元 其中70-80%用于先进制程 10-20%用于特色工艺 10-20%用于先进封装/测试/光罩等 [2] - 美国亚利桑那州追加1000亿美元投资 计划再建设3座晶圆厂+3座先进封装厂+1个研发中心 叠加此前规划总投资达1650亿美元 [15] - 日本熊本第一座特色晶圆厂2024年底量产 第二座预计2025年底建设 德国德累斯顿晶圆厂按计划推进 中国台湾地区未来几年将建设11座晶圆厂+4座先进封装厂 [15] 技术进展 - N2制程预计25H2量产 产能爬坡节奏与N3E类似 前两年新流片数量将高于N3和N5同期水平 [17] - N2P制程作为N2延伸 计划26H2量产 A16制程针对高性能计算产品 计划26H2量产 [17] - N2相比N3E在相同功耗下速度提升10-15% 或相同速度下功耗降低20-30% 芯片密度提升超15% [17] AI业务展望 - 维持2025年AI加速芯片收入翻倍指引 相关产能也将翻倍 未来五年AI加速芯片营收CAGR预计接近45% [14] - DeepSeek等推理模型将提高效率并降低AI发展门槛 促进领先芯片使用 [14] - AI GPU、AI ASIC、HBM等产品需求持续强劲 公司正与客户密切合作规划产能 [14] 海外扩张影响 - 海外工厂成本较高 预计2025年毛利率稀释2-3pcts 未来五年初期每年稀释2-3pcts 后期扩大至3-4pcts 但长期仍维持53%以上毛利率目标 [11] - 亚利桑那州2nm及以下先进制程产能占比将达30% 形成独立半导体制造集群 [15] - 海外扩张主要响应客户需求 特别是美国客户如苹果、英伟达、AMD等对AI芯片的强劲需求 [19]

财务数据和关键指标变化 - 2025年第一季度营收新台币计环比下降3.4%，美元计环比下降5.1%，主要受智能手机季节性影响，部分被AI相关需求增长抵消，且略高于指引中点 [5] - 毛利率环比下降0.2个百分点至58.8%，主要因地震影响和海外稀释，部分被成本改善努力抵消 [6] - 总运营费用占净营收的10.2%，运营利润率环比下降0.5个百分点至48.5% [7] - 第一季度每股收益为新台币13.94元，净资产收益率为32.7% [7] - 应收账款周转天数增加1天至28天，库存天数增加3天至83天，主要因新海外工厂投产 [10] - 第一季度运营产生约新台币6260亿现金，资本支出新台币3310亿，分配2024年第二季度现金股息新台币1040亿，债券发行筹集新台币160亿，季度末现金余额增加新台币2670亿至新台币2.4万亿 [11] - 预计第二季度营收在284 - 292亿美元之间，中点环比增长13%、同比增长38%；毛利率在57% - 59%，运营利润率在47% - 49%；第二季度税率约20%，第三和第四季度降至14% - 15%，全年税率在16% - 17% [13][14] 各条业务线数据和关键指标变化 - 按技术划分，3纳米制程技术第一季度贡献22%的晶圆营收，5纳米和7纳米分别占36%和15%，7纳米及以下先进技术占73% [7] - 按平台划分，HPC第一季度营收占比环比增长7%至59%，智能手机占比下降22%至28%，IoT占比下降9%至5%，汽车占比增长14%至5%，DCE占比增长8%至1% [8] 各个市场数据和关键指标变化 无 公司战略和发展方向和行业竞争 - 公司预计2025年代工2.0行业增长将受强劲AI相关需求和其他终端市场温和复苏支撑，公司全年营收预计以接近20%中段的幅度增长，有望跑赢代工2.0行业 [23][25] - 公司重申2025年资本预算在380 - 420亿美元之间，约70%用于先进制程技术，10% - 20%用于特种技术，10% - 20%用于先进封装、测试等 [18] - 公司计划将CoWoS产能在2025年翻倍，预计AI加速器收入在2025年翻倍，未来五年AI加速器收入复合年增长率将接近40%中段 [26][27][30] - 公司宣布额外100亿美元投资计划用于扩大美国亚利桑那州的产能，加上之前计划，总投资达165亿美元，建成后约30%的2纳米及更先进产能将位于亚利桑那州 [31][32][36] - 公司在日本熊本的首个特种技术工厂已于2024年底投产，第二个特种技术工厂计划今年晚些时候开工；在德国德累斯顿的特种技术工厂建设按计划推进；在台湾计划未来几年建设11个晶圆制造厂和4个先进封装设施 [36][37] - 公司2纳米技术预计2025年下半年量产，N2P预计2026年下半年量产，A16预计2026年下半年量产，这些技术将进一步巩固公司技术领先地位 [39][40][41] 管理层对经营环境和未来前景的评论 - 尽管面临地震、智能手机季节性、潜在关税政策等不确定性，但公司凭借制造技术领先、大规模生产基地等优势，预计长期毛利率可达53%以上 [17] - 公司认为AI相关需求将持续强劲，近期AI模型发展将推动行业长期增长，公司将受益于5G、AI和HPC等行业大趋势 [26][28] - 公司表示海外工厂成本较高，但通过扩大规模、优化运营、与客户和供应商合作等方式，有望提高成本效益 [16] 其他重要信息 - 1月21日台湾发生6.4级地震及多次余震，公司部分在制晶圆受影响，但努力恢复了大部分损失的产量，展现了运营韧性 [21] 总结问答环节所有的提问和回答 问题1: AI需求及CoWoS供需情况 - 提问者询问CoWoS订单调整及AI需求情况，以及2025年和2026年CoWoS供需状况 [46][47] - 公司表示目前CoWoS需求仍高于供应，需扩大产能，2026年供需有望更平衡 [50][54] 问题2: 美国投资及相关问题 - 提问者询问美国投资所需条件、半导体关税影响及海外扩张时向客户转嫁价值的能力 [56][57][58] - 公司称美国扩张是应客户需求，与美国政府沟通获取必要许可；定价策略会反映公司价值，正与主要客户讨论且进展良好 [61][65][66] 问题3: 地缘政治风险对业务的影响 - 提问者询问H20被禁对公司业务、产能规划和长期生产计划的影响 [71] - 公司表示已在全年增长展望中考虑此因素，目前未看到客户行为变化，坚持原有预测 [73][77] 问题4: 成熟节点产能扩张问题 - 提问者询问鉴于成熟节点产能利用率不足，是否考虑放缓日本和欧洲的产能扩张，或从台湾搬迁设备 [78][79] - 公司表示不会放缓计划，因成熟节点特种技术需求竞争对手无法满足；具体操作方式为机密信息 [81][82] 问题5: 半导体关税相关问题 - 提问者询问公司是否参与台美关税谈判，以及165亿美元投资能否使半导体免关税 [86][87] - 公司表示作为私人公司不参与关税谈判，关税决策由政府负责 [90][94] 问题6: 营收展望相关问题 - 提问者询问第二季度营收增长是否受关税拉动，以及全年营收指引是否考虑消费科技需求影响和关税变化时是否会修订指引 [95][96] - 公司表示未看到客户行为因关税改变，第二季度增长主要由3纳米和5纳米技术需求驱动；坚持全年接近20%中段的增长预测 [99][101] 问题7: 海外扩张毛利率稀释问题 - 提问者询问后期毛利率稀释扩大至3% - 4%的驱动因素 [102] - 公司称主要是成本通胀和潜在关税相关成本增加 [104] 问题8: 美国扩张相关问题 - 提问者询问公司所说的“公平”含义，以及美国研发中心是否会参与主要研发和新节点开发 [108][109][110] - 公司表示公平指补贴和激励应一视同仁；研发中心初期支持制造集群，目前已开展一些探索性工作，未来可能有更多参与 [112][114][117] 问题9: 亚利桑那州扩张时间和定价、毛利率问题 - 提问者询问亚利桑那州扩张时间安排，以及海外扩张定价和毛利率稀释的价格假设 [123][131] - 公司表示正努力加快第二和第三工厂进度，具体时间受劳动力和许可等因素影响；定价会反映公司价值，与客户讨论进展良好，毛利率稀释主要来自成本通胀和关税成本增加 [125][129][133][134] 问题10: AI需求和第二季度营收指引问题 - 提问者询问尽管美国禁止AI GPU进入中国，AI业务仍预计翻倍的原因，以及第二季度营收指引是否受关税拉动 [142][143] - 公司表示非中国地区AI需求强劲，有信心AI营收翻倍；未看到客户行为因关税改变，第二季度增长主要由3纳米和5纳米技术需求驱动 [145][147] 问题11: 股东回报政策问题 - 提问者询问公司为何不采用股票回购政策 [150] - 公司表示经研究和与投资者沟通，认为可持续且稳步增加股息是更好的回报股东方式，将维持现有政策 [152] 问题12: AI芯片设计和产能分配问题 - 提问者询问向N3过渡时AI芯片设计是否有结构变化，CPO或PLP等新技术情况，以及是否会在亚利桑那州投资后端技术；还询问N2产能在亚利桑那州的时间和长期先进节点产能占比 [158][159][165] - 公司表示客户更多采用先进封装技术，PLP目前处于可行性研究阶段，大概率先在台湾扩大规模再引入美国；目前计划亚利桑那州六个工厂中2纳米是主要节点，后续1.4纳米和1.0纳米尚未讨论 [163][164][167] 问题13: 下半年营收和N2需求可见性问题 - 提问者询问下半年营收可见性和N2需求情况 [172] - 公司表示目前处于第二季度，谈论下半年太早，未来几个月可能有更清晰情况；目前N2新流片客户数量超出预期，需求强劲 [174][176] 问题14: 日本工厂产能和营收贡献问题 - 提问者询问日本工厂目前产能和今年营收贡献 [178] - 公司表示工厂满产时产能为4万，今年对公司整体营收贡献不显著 [180]