DRAM技术竞争格局 - 三星电子成立工作组推进第七代DRAM量产，目标颠覆高带宽内存(HBM)领域现有格局[2] - SK海力士已完成第六代DRAM(D1c)开发并评估D1d工艺可靠性，计划2024年下半年应用于通用DRAM[2] - 美光向客户运送基于"1γ"的DDR5样品，与D1c技术进步同步[2] - 三星停止10纳米(1z)工艺LPDDR4芯片生产，集中资源开发第七代DRAM，计划2026年量产10纳米级D1d，2027年量产亚10纳米级D0a[2] 行业动态与市场表现 - SK海力士首季净利同比大增322%至8.11兆韩元，营业利益同比增157.8%至7.44兆韩元(约52亿美元)，营收同比增41.9%至17.64兆韩元[4] - 尽管业绩亮眼，SK海力士股价仍下跌1.5%，反映市场对下半年记忆体市况的担忧[4] - 非AI应用记忆体市场中，消费性DRAM和NAND Flash价格出现回升趋势，车用及工控市场仍疲弱但价格有升温迹象[4] 行业风险因素 - 美国关税政策不确定性导致全球记忆体需求波动，可能引发下半年"价量齐跌"局面[4][5] - OEM/ODM厂商可能因关税政策提前拉货，导致下半年旺季需求受影响[4] - 消费电子产品需求可能受AI功能新品推动，但关税引发的囤货行为或造成市场扭曲[4] 企业战略应对 - SK海力士计划将1c纳米工艺应用于HBM4E以保持市场领先地位[2] - 三星DS部门负责人下令对D1a(第四代)电路进行重新设计，显示技术路线调整[2] - 行业厂商试图通过减产措施稳定DRAM和NAND Flash价格，首季已见成效[4]

公司整体情况 - 2024 年公司销售收入首破十亿元，达 10.47 亿元，同比增长 42.91%；归属上市公司股东净利润亏损减至 -4840.70 万元，同比减亏 27.35% [3] - 2024 年研发投入 1511.60 万元，同比增长 132.77% [3] - 2025 年把握数字化等趋势，推进内部管理改革，双轮驱动业务发展；半导体聚焦高端应用，优化产品结构；新能源推进郴州项目建设；汽车加速海外拓展，推动缓速器标配化 [3][5] - 2022 年与桂阳县签协议获矿权，以国家战略为导向储备矿产资源；2024 年考察电子信息与先进制造领域业务 [5][6] 半导体存储业务 - 2024 年营收 8.77 亿元，同比增长 51.31%，占总营收 83.74%；主要产品为 NAND、DRAM 系列，应用多领域 [3] - 产能充足，生产周期 2 - 4 周，上游供应链为国际国内厂商代理商 [8] - DRAM/LPDDR 技术升级由多因素驱动，2025 年 DDR5/LPDDR5 有望更多市场突破 [9] - 与龙头企业比，在品牌等方面有差距，特定领域有份额，将加大投入缩小差距 [9] - 2024 年新增 BGA NAND Flash 产品线，完善 DRAM 产品，完成 LPDDR5 样品认证，新增平台适配认证 [10][11] - 2024 年境外订单占比约四成，通过香港交货 [12] - 销售策略含了解需求等，主要客户为国内相关上市公司和知名企业 [12] - 竞争对手为国际原厂和国内大型模组厂，竞争策略是深耕细分市场，灵活报价 [12] - 行业处于边际复苏阶段，2025 年二季度存储器价格或现拐点，不同产品价格有不同走势，需求端多因素推动增长，供给端台积电扩产但制程分化 [13][14] - 2025 年聚焦 LPDDR5 量产与信创渗透，导入新产品，深化合作推动国产化替代，控制风险 [15] 新能源业务 - 推进郴州年产 4 万吨电池级碳酸锂项目（一期）建设，已取得部分批复和用地使用权，桂阳大冲里矿勘探完成，正推进采矿权证等工作 [16] - 桂阳大冲里矿为长石伴生锂矿，氧化锂平均品位 0.15%左右，易开采，伴生多元素；选矿试验锂回收率提至 78%，石英长石分离技术产出 99.8%高纯石英；配套设施建设中 [16][17] - 与其他锂矿相比，有矿床大、易开采、可综合提取、位置优、成本低等优势 [17] - 2024 年碳酸锂业务销售收入 2284.31 万元，通过采购、委托生产和套期保值运营 [18] 汽车业务 - 2024 年汽车事业部营收 7441.78 万元，同比增长 51.37%；销售量 9392 台，同比增长 54.50% [4] - 缓速器有三大系列，扭矩 300N.m - 3000N.m，2024 年毛利率约 20% [19] - 拥有 42 项电涡流缓速器核心专利，2024 年实现新能源纯电动客车标配并出口，推出适配型号，集成技术，液力缓速器优化材料与能效；对头部主机厂稳定供货，新增海外贸易商合作 [20] - 2025 年聚焦海外拓展与新能源标配化，扩大东南亚、中东市场覆盖，深化与主机厂合作，挖掘需求拓展客户 [21][22]

核心观点 - 铁电存储器公司(FMC)与Neumonda合作在德国重新建立DRAM+生产，专注于非易失性FeRAM技术，应用领域包括人工智能、汽车、消费、工业和医疗 [1] - FMC的技术采用铁电氧化铪(HfO₂)替代传统DRAM电容器，实现高性能、低功耗和非易失性数据保留 [1] - 较旧的FeRAM技术(如PZT)容量有限且难以扩展，而HfO₂与CMOS兼容，可缩小至10nm以下，实现更高密度和性能 [2] - 两家公司合作开发新型内存产品，旨在重建欧洲本地先进内存设计和测试生态系统 [3] 技术细节 - 传统FeRAM技术使用PZT铁电层，容量通常为4MB或8MB，难以与标准CMOS工艺集成 [2] - HfO₂技术可实现千兆位到千兆字节范围的密度，更接近DRAM性能 [2] - FMC的DRAM+技术用非易失性电容器取代传统DRAM电容器，保持高性能同时提高能效 [1] 合作与战略 - Neumonda将为FMC提供先进测试系统(Rhinoe、Octopus和Raptor)，支持低成本、节能的内存测试 [3] - 合作目标是加快产品开发并重建欧洲半导体产能 [3] - FMC首席执行官强调HfO₂铁电效应的颠覆性潜力，特别是在AI计算领域 [3] 应用前景 - FMC的存储器技术适用于AI、汽车、消费电子、工业和医疗等多个领域 [1] - 技术突破可能改变内存市场格局，特别是在高性能非易失性存储领域 [1][2]

DRAM价格走势 - 2月份DRAM指标产品大宗交易价格环比下跌3%，连续6个月环比下降，创2023年12月以来最低水平 [1] - 8GB DDR4价格降至1.70美元/个，4GB产品降至1.30美元/个，均较上月下降3% [1] - 价格下跌主因PC和智能手机需求疲软，这两类终端占DRAM需求的85%（PC/服务器50%+智能手机35%） [1] 中国市场影响 - 中国补贴政策推动本土采购，长鑫存储(CXMT)主要生产DDR4并研发DDR5，加剧市场竞争 [2] - 行业调研显示，中国低价产品挤压市场，且无替代市场可选，导致卖方议价能力削弱 [2] 行业供需展望 - DRAM价格下跌趋势可能持续至2023年下半年才出现回升 [2] - 存储器制造商与设备商谈判持续以降价达成协议，反映需求端疲软态势未改 [1]

公司战略转型 - 公司决定突破存储模组经营"魔咒"，目标包括营收突破20亿美金以及实现向半导体存储品牌转型[1] - 为支持转型，公司加大技术投入，从算法和IP设计入手，2020年组建主控芯片团队，并在去年推出eMMC（支持QLC）主控和SD主控[2] - 通过收购和业务模式转变为公司未来发展打下基础[2] 自研芯片进展 - 公司去年推出的eMMC/SD自研主控一次性成功，在市场上带来很大反响，意味着掌握了Flash存储核心技术之一[4] - 基于自研主控可实现存储技术应用创新，高度定制化，提高效率降低成本[4] - 今年推出多款自研主控芯片，包括嵌入式存储主控WM7400(UFS 4.1)、WM7300（UFS 3.1）、WM7200（UFS 2.2)和移动存储主控WM3000(USB 3.2)[5] - UFS 4.1主控WM7400采用先进工艺制造，顺序读取速度高达4350MB/s，随机读写速度高达630K/750K IOPS，容量最高2TB[7] - eMMC Ultra产品突破eMMC 5.1标准，带宽提升50%，理论速度可达600MB/s[10] 汽车存储布局 - 汽车存储产品矩阵丰富，涵盖车规级UFS、eMMC、LPDDR4x、SPI NAND Flash等，构建Flash与DRAM"双轮驱动"体系[11] - 2024年汽车存储市场增长接近100%，已与20余家主机厂和50余家Tier1客户建立深度合作[12][18] - 车规级产品通过AEC-Q100 Grade2质量体系认证，应用于ADAS高级辅助驾驶、智能座舱等10余种车载应用[12] 业务模式创新 - 推出TCM（技术合约制造）和PTM（存储产品技术制造）服务新模式[15] - TCM通过整合上下游环节降低综合服务成本、优化库存管理、透明化交易和稳定供应[15] - PTM提供从芯片设计到测试制造全方位存储Foundry服务，解决行业同质化和创新瓶颈问题[16] - 通过收购元成苏州和Zilia（智忆巴西）支持PTM模式实现[16] - PTM模式已覆盖汽车、服务器、工业、手机、穿戴等多个行业，与数十个主要客户达成合作[18] 企业级市场拓展 - 在企业级存储领域布局高性能eSSD、RDIMM、MRDIMM和CXL2.0内存扩展模块等产品[19] - 针对AI算力平台推出定制化优化解决方案，满足高带宽、低延迟存储需求[19] - 未来三年将重点聚焦高性能eSSD和内存等主流产品，同时拓展边缘计算和工业控制领域[19] 全球化布局 - 加快美洲和欧洲市场布局，推动TCM和PTM模式在全球落地[20] - 通过深度合作赋能全球客户，新模式将成为全球市场竞争重要优势[21] 创新理念 - 公司价值观为务实本份、独立创新和联合创业[24] - 通过开源方式连接行业价值观相同的合作伙伴，联合创业开拓国际市场[24] - 目标是提供多样、高质量的产品满足客户需求[25]

文章核心观点 - 存储巨头三星和SK海力士正将HBM技术从数据中心拓展至智能汽车和移动设备领域，推动行业技术革新 [1][3][6] - 移动HBM（LPW DRAM）通过3D堆叠和先进封装技术实现高性能与低功耗，将成为端侧AI设备的核心内存解决方案 [9][15][25] - 汽车HBM市场增长迅猛，预计从2023年47.6亿美元增至2028年102.5亿美元，SK海力士已率先推出车规级HBM2E芯片 [3][5] - 三星计划2028年推出带宽200GB/s、功耗1.9pJ/bit的LPW DRAM，性能较LPDDR5x提升166% [15][16] - SK海力士开发VFO技术实现27%厚度缩减和4.9%能效提升，与三星形成差异化竞争 [18][19][20] HBM在智能汽车领域的应用 - 智能汽车"新四化"趋势催生对高带宽内存的需求，ADAS、智能座舱等系统需实时处理高分辨率数据 [2] - SK海力士HBM2E已应用于Waymo自动驾驶汽车，容量8GB、带宽410GB/s，符合AEC-Q车规标准 [3] - 汽车HBM市场规模预计2028年达102.5亿美元，增速可能超越数据中心 [5] - 特斯拉等车企正积极寻求与HBM厂商合作，行业竞争加速技术落地 [4][5] 移动HBM技术发展 - 移动HBM采用阶梯状堆叠LPDDR DRAM，通过垂直引线键合实现高I/O密度，带宽提升8倍 [9][14] - 三星VCS技术使I/O密度和带宽分别提升8倍和2.6倍，生产效率提高9倍 [14] - LPW DRAM带宽达200GB/s，较LPDDR5x提升166%，功耗降低54%至1.9pJ/bit [15][16] - SK海力士VFO技术缩短信号路径至1/4以下，能效提高4.9%，封装厚度减少27% [18][19] 市场竞争格局 - 三星侧重高带宽设计（LP Wide I/O），SK海力士聚焦低功耗与轻薄化（VFO） [20] - 移动HBM可能采用定制化生产模式，类似SK海力士为苹果Vision Pro供应专用DRAM [21] - 预计2027年超50%的AI手机将集成HBM，平板和笔记本市场快速跟进 [20] - 两家公司技术路线差异将影响移动AI市场格局，量产能力与客户生态成竞争关键 [20][26] 技术差异与趋势 - 传统HBM采用TSV技术，移动HBM通过垂直引线键合实现中带宽低功耗 [25] - 移动HBM推动端侧AI设备升级，传统HBM向16层HBM4演进 [25] - 成本与良率仍是短期挑战，但技术创新将重塑智能手机、AR/VR设备性能边界 [26]

半导体内存技术发展历程 - 1980年代主流半导体内存技术包括SRAM、DRAM、EPROM和非闪存EEPROM [2] - 1980年代末出现早期持久性内存技术：Ramtron的FRAM和Simtek的SONOS闪存 其中FRAM技术至今仍在使用 [2] - 东芝1987年开始生产闪存 该技术在1990年代成为主流 目前闪存EEPROM广泛用于代码和数据存储 [2] - DRAM发展为SDRAM 简化了RAM存储相关操作但增加了高速走线匹配等新要求 [2] 新型替代内存技术现状 - 近十年出现FRAM、MRAM、ReRAM和PCM等技术 竞相成为存储级内存(SCM)主流方案 [3] - NOR闪存在28nm节点停止缩放 FinFET工艺无法兼容NOR闪存单元 迫使微控制器寻求替代存储方案 [3] - 微控制器转向替代方案的三个选择：FinFET+平面NOR闪存(成本高)、外部闪存(增加系统复杂度)、新型片上非易失性存储器 [4][5] - 已出现采用MRAM、FRAM和ReRAM的微控制器产品 如恩智浦汽车MRAM控制器(2023)、TI的16KB FRAM微控制器、瑞萨10.8Mbits MRAM实验芯片等 [6] 内存技术面临的挑战与机遇 - NAND闪存在15nm遇到缩放瓶颈 转向3D结构 SK海力士已开发321层3D NAND芯片 [7] - DRAM自1990年代采用3D沟槽电容器结构后同样面临工艺缩放限制 [7] - 英特尔/美光PCM技术(Optane/3D XPoint)因成本过高于2021-2022年停产 但未来可能随工艺进步恢复经济可行性 [8] - 新型存储器具有抗辐射、快速写入、字节可写等优势 适用于太空和军事等特殊领域 [9] 替代内存技术发展预测 - MRAM已应用于助听器和AR眼镜等嵌入式场景 [10] - 预计还需10年左右才能在嵌入式应用中替代闪存和SRAM 微控制器领域转型较慢 [10] - 独立内存芯片的替代进程将滞后于嵌入式应用 但转换速度更快 预计在嵌入式转型完成后迅速跟进 [10]