报告行业投资评级 - 强于大市（维持）[1] 报告核心观点 - AI驱动半导体周期持续上行，产业链迎来全面涨价潮，建议关注晶圆代工、封测、功率器件、服务器CPU、存储器等领域的投资机会[4][7][8] - 海外云厂商2026年资本支出再加速，推动AI算力硬件基础设施需求持续旺盛，建议关注AI PCB、光芯片等领域投资机会[7] 市场表现总结 - **股票市场**：2026年1月国内半导体行业（中信）上涨18.63%，大幅强于沪深300指数（上涨1.65%），其中半导体材料板块上涨19.04%表现最佳[7][13] - **美股市场**：2026年1月费城半导体指数上涨12.92%，大幅强于纳斯达克100指数（上涨1.20%）[7][18] - **可转债市场**：2026年1月国内半导体行业可转债全面上涨，鼎龙转债以42.32%的涨幅居首[23][25] - **ETF市场**：2026年1月国内半导体行业ETF全面上涨，华泰柏瑞中证韩交所中韩半导体ETF以45.09%的涨幅领先[26][27] 行业基本面与需求分析 - **全球销售额**：2025年12月全球半导体销售额同比增长37.1%，连续26个月同比增长，环比增长2.7%[7][28] - **需求结构**：下游需求呈现结构性分化，AI算力硬件基础设施需求持续旺盛，消费类需求（智能手机、PC）逐步复苏[7][38] - **存储器价格**：2026年1月DRAM与NAND Flash现货价格继续环比上涨，DRAM指数环比上涨约39%，NAND指数环比上涨约35%[7] - **价格预测**：TrendForce全面上调26Q1存储器价格预测，预计整体一般型DRAM合约价将环比增长90-95%，整体NAND Flash合约价将环比上涨55-60%[7] 资本支出与产能状况 - **海外云厂商**：2025年第四季度北美四大云厂商（谷歌、微软、Meta、亚马逊）资本支出合计为1176亿美元，同比增长67%，环比增长22%，并预计2026年继续加速增长[7] - **具体预算**：谷歌预计2026年资本支出为1750-1850亿美元，同比增长91-102%；Meta预计为1150-1350亿美元，同比增长60-88%；亚马逊预计约为2000亿美元，同比增长56%[7] - **国内互联网厂商**：2025年第三季度国内三大互联网厂商（阿里巴巴、百度、腾讯）资本开支合计同比增长32%[7] - **晶圆厂产能**：2025年第三季度中芯国际、华虹、联电产能利用率环比继续提升，华虹持续满产[7] AI驱动的新兴终端趋势 - **AI手机**： - Canalys预计2025年全球AI手机渗透率将快速提升至34%，2026年达到45%[68] - 端侧大模型参数规模预计逐年增长，Counterpoint预测2025年将达到170亿参数，推动对更大容量存储器（如16GB DRAM）的需求[70] - AI手机的高算力与高能耗需求，推动了散热方案（如VC均热板）和电池技术（如硅碳负极）的升级[73][74] - **AI PC**： - 2025年第四季度全球PC出货量同比增长9.1%，延续复苏态势，AI PC被视为推动增长的重要动力[76][78] - 产业生态加速迭代升级，微软、英特尔、高通等主要厂商积极布局[76] 产业链上游环节 - **半导体设备**：全球半导体设备销售额2025年第三季度同比增长11%，中国半导体设备销售额同期同比增长13%[7] - **硅片出货**：全球硅片出货量2025年第三季度同比增长3.1%，SEMI预计2026年将继续增长5.2%[7]

核心观点 - 人工智能等领域需求激增，叠加供应短缺，导致DDR5内存及移动存储（DRAM/NAND）价格持续大幅上涨，且预计未来将继续攀升，短缺可能持续至2027年第四季度 [1][2][3][5][7] DDR5内存价格动态 - 韩国市场DDR5内存价格已失控，单条16GB DDR5-5600内存售价接近40万韩元（约270-300美元），32GB套装售价在68万至78万韩元之间（约450-500美元）[1] - 入门级支持XMP/EXPO的内存套装在韩国售价73万至92.6万韩元（约500-650美元），而数月前可用更低价格购买更高性能的64GB套装 [2] - 美国市场目前16GB内存条售价165-175美元，32GB条售价300-400美元，但预计价格将在一个月内大幅上涨，此前一个月内多数内存产品价格已上涨30% [2] - 高端工作站和服务器专用的ECC RDIMM或OC RDIMM套装价格极高，达5000至8000美元以上 [2] - 内存价格未现稳定迹象，可能成为消费者未来需支付的最昂贵电脑配件之一 [3] 移动存储（DRAM/NAND）成本影响 - 受DRAM危机影响，预计到2026年智能手机物料清单成本将上涨25% [5] - 移动LPDDR RAM价格上涨70%以上，NAND闪存（存储）成本上涨100% [5] - 内存成本占智能手机总制造成本比例已从10%-15%上升至20% [6] - 芯片组成本亦在上涨，例如骁龙8 Elite Gen 6 Pro芯片组售价可能轻松超过300美元 [6] - 手机制造商面临两难：要么降低手机配置，要么将成本转嫁给消费者并面临销量下滑风险 [7] 行业现状与预期 - 人工智能领域需求增长是推动内存价格上涨的关键因素，相关封装厂商也因订单激增而提价 [1] - 韩国市场是内存价格上涨的先行指标，其价格走势预示了其他地区的趋势 [1] - 行业预计价格将进行“渐进式”调整，短缺危机预计将持续至2027年第四季度 [2][7] - 并非所有公司都受直接影响，例如NVIDIA通过预购库存避免了短缺影响，但其行为可能加剧了此次短缺 [7] - 行业巨头如苹果也面临压力，其高管曾长期滞留海外以期与三星、SK海力士等DRAM制造商达成协议 [5]

高通与三星的2纳米晶圆代工合作 - 高通执行长艾蒙证实，公司正与三星半导体洽谈2纳米晶圆代工，并已完成前期设计工作，目标是尽快进入商业化 [1] - 这是高通五年来首次重新与三星在先进制程上合作，此举将打破台积电过去五年独家获得高通最先进制程芯片订单的局面 [1] - 三星为吸引高通投片，开出晶圆代工价格比台积电便宜至少30%的条件 [1] 高通的晶圆代工策略转变 - 高通未来在最先进制程上，可能重回“双晶圆代工厂策略”，由台积电和三星共同分食旗舰芯片订单 [2] - 此策略旨在降低生产成本，并达到巩固三星手机客户及分散供应链风险的好处 [2] - 高通多年前的“骁龙8 Gen 1”芯片曾由三星独家以4纳米量产，但因功耗和散热问题，后续产品转由台积电代工并独占至今 [1] 高通新一代旗舰芯片规划 - 高通今年将推出的最新旗舰手机芯片“骁龙8 Elite Gen 6”传出有Pro版及标准版两种规格 [2] - 预计今年第3季晶圆代工厂开始出货，第4季芯片登场 [2] - 芯片CPU架构将使用自行开发的Oryon，最高阶版本有望支援LPDDR6，领先全球行动平台跨入LPDDR6世代 [2] - 高通的2纳米旗舰手机芯片将为非苹品牌厂打造今年最强AI手机 [2] - 三星争取高通后续的“骁龙8 Elite Gen 5”更新版订单，预计今年开始陆续进入量产 [1]

高通与三星的2纳米芯片代工合作 - 高通首席执行官证实，公司正与三星电子积极推进2纳米芯片代工合作洽谈，相关芯片设计工作已全部完成，旨在加快产品商业化落地进程 [1] - 此次合作备受业界关注，此前高通曾因三星代工制程稳定性问题将尖端芯片订单转交台积电，如今考虑重返三星供应链被解读为三星2纳米制程已达到具备市场竞争力的水准 [2] - 业界推测，此次合作涉及的芯片可能是骁龙8 Elite Gen 5的2纳米专项优化版本，或是下一代旗舰芯片骁龙8 Elite Gen 6 [2] 三星的2纳米制程技术与业务进展 - 三星是全球首家宣布实现2纳米芯片量产的企业，其第二代2纳米制程工艺（SF2P）已展现出较强的技术吸引力 [2] - 计划搭载于Galaxy S26系列手机的Exynos 2600芯片将采用该2纳米制程工艺生产 [2] - 随着先进制程技术优势显现，三星晶圆代工业务近期迎来显著转机，不仅已与特斯拉正式签约，AMD与谷歌也被传出有望后续合作 [2]

营业利润预测 - 券商Kiwoon Securities高级研究员预计三星明年营业利润将达到90兆至100兆韩元（约台币2.14兆元）[1] - KB证券研究员金东元预计三星营业利润将达到100兆韩元，年增129%[2] - KB证券预测三星明年营业利润同比增长129%至97万亿韩元[5] 技术进展与产能 - 三星计划在2027年实现晶圆代工业务获利，提高2nm GAA制程良率是首要任务[1] - 三星2nm GAA制程已获得两家中国加密货币挖矿设备制造商订单，并与特斯拉签署价值165亿美元巨额交易[1] - 三星向高通提供骁龙8 Elite Gen 5样品用于评估2nm GAA制程，随着骁龙8 Elite Gen 6明年发布，三星作用可能更突出[2] - 三星在HBM4速度方面具有竞争优势，极有可能在今年年初通过质量认证[6] 内存市场与HBM驱动 - 高频宽记忆体HBM4和DRAM价格56%上涨对三星利润形成加持[1] - 由于NAND快闪记忆体价格上涨，三星营收可望大幅提升[1] - 三星预计将成为HBM最大受益者，过去三年HBM折扣价将转为溢价，传统DRAM价格持续上涨[4] - KB证券高级分析师金东元预计三星明年将占据英伟达HBM4供应链40%，预测2026年HBM出货量比今年增长2.5倍[4] - 人工智能内存半导体需求比供应量高出50%以上，供应短缺导致平均售价将持续上涨至2026年[4][5] 客户与订单增长 - 三星与特斯拉签署价值165亿美元巨额交易，有助于建立稳固客户基础[1] - 三星成功部分源自Google TPU订单成长，由于Google Gemini整合，记忆体供应增加[2] - 从英伟达GPU到谷歌TPU，人工智能内存需求推动HBM和服务器DRAM普及[5] - 谷歌下一代TPU预计将采用HBM4，加剧供应短缺，三星有望扩大对北美大型科技公司供应[6] 股价与市场预期 - 三星电子股价突破10万韩元（68美元），多家券商预测目标价位达15万韩元[3] - 韩国投资证券、KB证券和Eugene投资证券均将目标价上调至15万韩元，SK证券目标价达17万韩元[3] - 摩根士丹利将三星目标股价上调至144,000韩元，牛市情况下可能达到175,000韩元[3] - HBM销售扩大和传统DRAM价格上涨组合可能推动三星市值达到1000万亿韩元，目前市值为675万亿韩元[4] - 三星电子和SK海力士即将进入第二波增长阶段，两家公司明年合并营业利润预计178万亿韩元，占韩国综合股价指数预计总营业利润40%[5]

产品规格 - 小米17 Ultra预计搭载骁龙8 Elite Gen 5平台，并配备豪威OV50X一英寸主摄传感器[1] - 主摄传感器标称动态范围达到16EV，实际动态范围可达100dB+[1] - 该机型是同期骁龙8 Elite Gen 5超大杯机型中唯一采用一英寸主摄的手机[1] - 一英寸传感器尺寸优势带来可观的进光量提升[1] 技术趋势 - 豪威与思特威传感器已应用LOFIC技术，索尼计划明年在传感器上引入LOFIC技术[1] - 行业主摄传感器规格竞争从1/1.3英寸与一英寸的差距，转向一英寸与1/1.2英寸规格的较量[1] - 除一英寸OV50X外，豪威还提供1/1.3英寸规格的OV50R传感器选项[1]

三星2nm GAA技术进展 - 2nm GAA技术已进入量产阶段 预计成为首批量产2nm芯片的厂商之一 [2] - 2nm GAA工艺良率在2月份达到30% 经过数月优化已具备商业化生产条件 [2] - 首款2nm芯片组Exynos 2600相比Exynos 2500将实现重大性能飞跃 [2] Exynos 2600芯片性能表现 - 芯片采用10核CPU架构 包含1个3.55GHz主核心+3个2.96GHz性能核心+6个2.46GHz能效核心 [5] - Geekbench 6测试显示单核得分2,155分 多核得分7,788分 [5] - 多线程性能全面超越苹果A19 Pro 与降频版骁龙8 Elite Gen 5性能相当 [3] 产品应用与市场影响 - Exynos 2600将搭载于Galaxy S26和Galaxy S26 Edge 打破高通在旗舰机的垄断地位 [2][6] - 三星与特斯拉达成165亿美元2nm芯片供应协议 [4] - 第二代2nm GAA工艺（SF2P）已完成基本设计 预计2026年底实现量产 [4] 技术对比与竞争态势 - Exynos 2600的Xclipse 960 GPU性能比高通Adreno 830 GPU强15% [4] - 对比Exynos 2500（Geekbench单核2,099分/多核7,433分）性能显著提升 [5] - 对比骁龙8 Elite（Geekbench单核2,910分/多核9,152分）仍存在差距但追赶明显 [5]