英伟达Rubin CPX GPU架构变革 - 英伟达推出专为长上下文AI工作负载设计的Rubin CPX GPU 采用成本更低的GDDR7内存而非高端HBM方案 颠覆以往AI芯片搭载HBM的惯例 [1][2] - 该芯片定位解耦推理架构中的上下文阶段主力 在NVFP4格式下提供30 PFLOPs算力并搭载128 GB GDDR7显存 而标准版Rubin GPU专注于生成阶段 提供50 PFLOPs FP4算力及288 GB HBM4显存 [3][5] - 整体系统Vera Rubin NVL144 CPX机架计划2026年推出 包含144块Rubin GPU和144块Rubin CPX GPU 性能达8 ExaFLOPs NVFP4 是现役GB300 NVL72的7.5倍 [3][4] HBM与GDDR7的技术经济性对比 - HBM成本高昂且存在带宽闲置问题 在推理任务的预填充阶段因并行度高 其额外带宽未被充分利用 而解码阶段才真正需要高带宽 [8][11] - GDDR7在预填充阶段带宽和延迟已足够 配合HBM在生成阶段的分工 既保障性能又降低系统总成本 使显存成本占比大幅下降 [9] - 选择GDDR7可降低预填充与token的单位成本 可能刺激推理需求增长 进而反向推动解码阶段对HBM带宽的更高需求 [9] 内存供应链格局变化 - 英伟达对GDDR7需求激增 要求三星将产量翻倍 三星已完成扩产准备并预计本月启动量产 而SK海力士和美光产能更多锁定HBM订单 [10] - 针对中国市场的新产品"B40"将搭载三星GDDR7 预计年出货量达100万片 仅GDDR7基板需求约2000亿韩元 整体订单规模或达数万亿韩元 [12] - 三星凭借GDDR7订单巩固图形DRAM市场地位 并积极争取HBM4供应资格 计划用1c存储单元技术实现反超 [12] HBM技术发展持续 - SK海力士宣布完成全球首款HBM4开发并做好量产准备 强调通过性能、功耗和可靠性优势保持AI存储器领域领先地位 [13] - 行业仍持续追求性价比优化 HBM4被视为新里程碑 但巨头竞争焦点同时涵盖高端HBM和成本更优的替代方案 [13]

行情表现 - 9月12日存储板块开盘大涨 德明利涨停 东芯股份、江波龙、香农芯创、普冉股份、朗科科技、兆易创新、佰维存储等集体大涨[1] 公司业务定位 - 兴森科技系国内本土IC封装基板行业先行者 IC封装基板应用于手机内存条等领域[3] - 德明利建立完善存储产品矩阵 涵盖移动存储、固态硬盘、嵌入式存储等[3] - 东芯股份系中国大陆少数能同时提供NAND Flash、NOR Flash、DRAM完整解决方案企业 主营非易失性存储芯片与易失性DRAM[3] - 江波龙为国内存储模组领先企业 内存产品线覆盖DDR内存条 应用于服务器、终端及电竞领域[3] - 兆易创新系国内存储领域龙头 业务涵盖存储器、微控制器及传感器 闪存芯片全球无晶圆厂供应排名第一[3] 行业动态与事件 - 隔夜美光、闪迪等美股存储龙头集体大涨[5] - 闪迪9月5日宣布全渠道消费类产品价格普涨10% 供应链消息称长江存储四季度将跟进涨价[5] - 英伟达9月9日推出Rubin CPX专用GPU 采用GDDR7内存提升海量数据上下文处理速度[5] - 长江存储三期公司于2025年9月5日正式成立 标志扩产计划进入新阶段[5] 机构观点与数据 - 闪迪涨价10%标志新一轮定价周期开启 供需缺口扩大：AI推动需求增长 供应端因产能转向高密度节点及财务困境导致紧缩[6] - 2025年第二季度全球DRAM市场规模季增17%至309亿美元 受AI风潮推动合约价上涨及HBM出货增长[6] - 英伟达Rubin CPX硬件拆分AI推理负载 内存升级推动DRAM量价齐升[6] - 长江存储三期项目有望打破三星/海力士垄断 推动国产设备/材料/零部件增长[6]