芯片巨头突然掀起涨价潮。 受涨价消息刺激，今晚美股开盘后，台积电ADR大幅飙涨，盘初一度暴涨近5%，创出历史新高，其他美股芯片股亦多数走强。有消息称，台积电正在计划 对其3纳米制程和2纳米制程的工艺节点进行涨价。另外，三星、美光科技和闪迪等大厂此前也宣布了涨价策略。 有分析人士指出，这轮芯片涨价潮反映出AI浪潮对半导体产业链的深度影响，数据中心大规模建设的需求持续推高存储器采购量，芯片供应商的议价能力 显著增强。 台积电暴涨 美光科技和闪迪等大厂也宣布了类似涨价策略，其中美光科技的存储芯片产品价格涨幅达20%～30%，并暂停接受新订单。 受此影响，23日亚洲交易时段，三星电子、SK海力士等存储芯片巨头股价集体走强，截至收盘，涨幅分别为1.44%、2.85%。 美股市场整体呈现窄幅震荡格局，三大指数涨跌不一，截至发稿，道指涨0.55%，纳指跌0.24%，标普500指数微涨0.02%。 北京时间9月23日晚间，美股开盘后，台积电ADR直线拉升，一度暴涨近5%，截至22:50，涨幅为3.5%。美股其他芯片股亦多数走强，英特尔大涨超4%，美 光科技、安森美半导体涨超2%，博通、阿斯麦ADR、应用材料、德州仪器均涨超1 ...

芯片巨头突然掀起涨价潮。 受涨价消息刺激， 今晚美股开盘后 ，台积电ADR大幅飙涨，盘初一度暴涨近5%，创出历史新高，其他美股芯片股亦多数走强。有消息称，台积电正在计划对其3纳 米制程和2纳米制程的工艺节点进行涨价。另外，三星、美光科技和闪迪等大厂此前也宣布了涨价策略。 有分析人士指出，这轮芯片涨价潮反映出AI浪潮对半导体产业链的深度影响，数据中心大规模建设的需求持续推高存储器采购量，芯片供应商的议价能力显著增 强。 台积电暴涨 北京时间9月23日晚间，美股开盘后，台积电ADR直线拉升，一度暴涨近5%，截至22:50，涨幅为3.5%。美股其他芯片股亦多数走强，英特尔大涨超4%，美光科 技、安森美半导体涨超2%，博通、阿斯麦ADR、应用材料、德州仪器均涨超1%。 有消息称，台积电正在计划对其3纳米制程和2纳米制程的工艺节点进行涨价。产业链人士透露，由于研发成本高昂加上良率较竞争对手更高，台积电2纳米制程价 格相比3纳米或至少上涨50%。这一涨幅远超市场预期，反映出先进制程技术的稀缺性和高昂成本。 据业界消息，台积电2纳米制程将于本季度开始量产，但由于先进制程资本支出庞大，台积电暂无打折及议价策略。 这一定价策略 ...

来源：券商中国 芯片巨头突然掀起涨价潮。 受涨价消息刺激，今晚美股开盘后，台积电ADR大幅飙涨，盘初一度暴涨近5%，创出历史新高，其他 美股芯片股亦多数走强。有消息称，台积电正在计划对其3纳米制程和2纳米制程的工艺节点进行涨价。 另外，三星、美光科技和闪迪等大厂此前也宣布了涨价策略。 有分析人士指出，这轮芯片涨价潮反映出AI浪潮对半导体产业链的深度影响，数据中心大规模建设的 需求持续推高存储器采购量，芯片供应商的议价能力显著增强。 美股市场整体呈现窄幅震荡格局，三大指数涨跌不一，截至发稿，道指涨0.55%，纳指跌0.24%，标普 500指数微涨0.02%。 台积电暴涨 北京时间9月23日晚间，美股开盘后，台积电ADR直线拉升，一度暴涨近5%，截至22:50，涨幅为 3.5%。美股其他芯片股亦多数走强，英特尔大涨超4%，美光科技、安森美半导体涨超2%，博通、阿斯 麦ADR、应用材料、德州仪器均涨超1%。 有消息称，台积电正在计划对其3纳米制程和2纳米制程的工艺节点进行涨价。产业链人士透露，由于研 发成本高昂加上良率较竞争对手更高，台积电2纳米制程价格相比3纳米或至少上涨50%。这一涨幅远超 市场预期，反映出先进 ...

报告公司投资评级 - 买入 [2][6][12] 报告的核心观点 - 生成式人工智能或正向服务式和物理式人工智能演进，CSP资本支出预计从2025年超3000亿美元增长到2028年的1万亿美元，英伟达参与垂直行业人工智能改造，展望未来垂直行业实体工厂都将有对应的“AI工厂” [2] - 英伟达延续每年更新产品，产品路线图显示性能较之前显著升级，若没有特别出口政策，中国内地客户或是2H25 Blackwell Ultra上市前Hopper的主要客户，维持对英伟达FY26/27调整后EPS 4.74/6.28美元的预测、买入评级和168美元目标价 [6] 相关目录总结 公司基本信息 - 收盘价115.43美元，目标价168.00美元，潜在涨幅+45.5% [1] - 52周高位149.43美元，52周低位76.20美元，市值2,816,492.00百万美元，日均成交量297.77百万，年初至今变化-14.04%，200天平均价130.91美元 [4] 财务数据 |项目|2024|2025|2026E|2027E|2028E| |----|----|----|----|----|----| |收入（百万美元）|60,922|130,497|211,723|270,548|311,585| |同比增长（%）|125.9|114.2|62.2|27.8|15.2| |净利润（百万美元）|32,312|74,265|117,514|155,099|180,404| |每股盈利（美元）|1.30|2.99|4.74|6.28|7.30| |同比增长（%）|288.2|131.1|58.2|32.6|16.3| |市盈率（倍）|89.1|38.6|24.4|18.4|15.8| |每股账面净值（美元）|1.72|3.20|6.77|11.91|18.05| |市账率（倍）|66.98|36.09|17.04|9.69|6.39| |股息率（%）|0.0|0.0|0.0|0.0|0.0| [5] 产品升级 - 英伟达认为数据中心服务器内部Scale - up比服务器间的Scale - out更重要，通信与计算单元在机架分离成主流架构，发布新开源操作系统Dynamo，或成博通VMWare软件竞争对手 [6] - 数据中心加速芯片路线图：2H25推出Blackwell Ultra（GB300），2H26上市Vera Rubin，2H27上市Rubin Ultra，之后产品性能有明显升级，Feynman为2028年之后产品代号 [6] - 为应对Scale - out需求，交换机产品Spectrum - X和Quantum - X预计2H25和2H26上市，Quantum - X或首次使用光电混合封装CPO技术，台积电和内地光模块厂商或受益 [6] 产品性能对比 |GPU|NVL|GPU dies数量|机架数|token算力| |----|----|----|----|----| |H100|8|45K|1400|400M/s| |GB200|72|85K|800|12,000M/s| [7] 产品路线图 |系统|NVL|NVL带宽|上市时间|推理算力|训练算力|HBM型号|HBM带宽|Fast Memory| |----|----|----|----|----|----|----|----|----| |Blackwell Ultra|72|130 TB/s|2H25|1.1 EF FP4|0.36 EF FP8|HBM3e 288GB对应8TB/s| |40 TB| |Rubin|144|260 TB/s NVL6|2H26|3.6 EF FP4|1.2 EF FP8|HBM4|13 TB/s|75 TB| |Rubin Ultra|576|1.5 PB/s NVL7|2H27|15 EF FP4|5 EF FP8|HBM4e|4.6 PB/s|365 TB| [7] 交换机产品路线图 |产品|上市时间|面向标准|CPO|端口数|性能|主要技术协议| |----|----|----|----|----|----|----| |Spectrum - X|2H25|Ethernet|否|256 X 200G|1.6X对于传统Ethernet|RDMA/RoCE| |Quantum - X 800 (Q3400 - RA 4U)|2H26|Infiniband|是|144 X 800G|2X速度，5X延展性|SHARP v4| [8]