公司资本预算与战略 - 台积电董事会批准高达450亿美元的资本预算案 资金高度集中于先进前端制造工艺及晶圆厂基础设施建设 [1] - 董事会同时批准派发每股新台币6.0元的季度股息 并向亚利桑那州子公司增拨新台币12亿元资金 [1] - 此预算结构与公司2026年激进的资本支出计划高度吻合 预计2026年总资本支出将达520亿至560亿美元 较2025年增长约27%至37% [1] 资本支出驱动因素与目标 - 资本投入偏向先进前端制造及设施 旨在为2纳米及A16埃米级制程的大规模量产提前准备无尘室空间与产能 [2] - 资本开支扩张的核心推力源于人工智能领域对高性能芯片的强劲需求 管理层认为AI发展对先进制程的需求远超预期 [2] - 通过在前端制造领域构建高资本与技术门槛 旨在拉大与竞争对手差距 并锁定英伟达、苹果及大型云服务商等核心客户的长期合作 [3] 财务表现与市场展望 - 台积电1月份营收达4013亿新台币（约127亿美元） 同比增长37% 高于全年30%的营收增长预期 [3] - 清晰的预算结构体现了公司在应对半导体周期性波动中的战略定力 饱和式资源投入旨在将技术优势转化为绝对的市场占有率 [3] - 规模化扩张预计将支撑公司2026年后的盈利增长预期 [3]

台积电美国扩产计划 - 业界传出，台积电将扩大投资美国，新取得亚利桑那州第二块土地可再扩建四至六座厂 [1] 对供应链的积极影响 - 台积电扩大美国晶圆厂阵容，将催动新一波建厂需求，带旺汉唐、帆宣、洋基工程等无尘室及机电协力厂后市 [1] - 帆宣及汉唐追随台积赴美布局最早，是美国新厂建置初期就开始搭配的老伙伴 [1] - 洋基工程去年完成美国子公司设置，跟进抢食商机 [1] 汉唐的业务进展与优势 - 汉唐深入参与国际大厂建置2纳米新厂，并加大投入CoWoS先进封装厂建造，以强化技术优势与市场竞争力 [1] - 随着北美地区重要专案二期工程启动，汉唐关键客户进一步加大与加速海外工厂扩建 [1] - 汉唐在当地取得丰富建厂经验和客户高度信任，借此扩大海外工程服务位阶以及工程承揽范畴，深化全球市场布局 [1] - 汉唐承接大客户美国新建厂业务范畴扩大，承揽位阶提升，不仅供应既有机电及无尘室系统，并提供建照管理等更多服务，相当大客户第二厂“某种程度的总承揽商”，但并非百分之百的统包 [1] 帆宣的业务进展与优势 - 帆宣早在2021年就完成美国厂迁址作业，为承接大客户建厂订单做好准备，成为其不可或缺的坚强供应链之一 [2] - 受惠于台湾先进封装设备出货放量，推升帆宣在手订单创历史新高 [2]

投资评级与目标价 - 报告给予台积电(TSM.N)“增持”评级 [7] - 基于FY2027年22倍市盈率及1美元兑31新台币的汇率假设，对应美股目标价为407美元 [9][11] - 当前股价为341.64美元 [7] 核心观点与业绩指引 - 报告核心观点：AI需求真实且强劲，台积电确认了其强度和持续性，并全面上调了长期业绩指引和资本开支，这提振了AI叙事，同时晶圆制造仍是瓶颈环节，看好算力重回主线 [3][9] - 台积电指引2026年全年收入增速接近30%，高于彭博预期的25% [9] - 公司将2024至2029年AI加速器收入的复合年增长率(CAGR)预期上调至mid-to-high 50s（中高50%区间），此前预期为mid 40s（中40%区间） [9] 财务预测与业绩表现 - 报告调整了台积电FY2026E-FY2028E的营业收入预测至48,805.57亿、61,518.36亿和75,327.92亿新台币（FY2026E/FY2027E前值分别为46,897亿和59,155亿新台币） [9][11] - 报告调整了FY2026E-FY2028E的GAAP净利润预测至23,621.06亿、29,765.46亿和36,505.95亿新台币（FY2026E/FY2027E前值分别为19,442亿和24,511亿新台币） [9][11] - FY2025A营业收入为38,068.16亿新台币，同比增长32%，FY2025A GAAP净利润为17,153.97亿新台币，同比增长46% [5] - 预测FY2026E-FY2028E营业收入同比增长率分别为28%、26%和22%，同期GAAP净利润同比增长率分别为38%、26%和23% [5] - 预测毛利率持续提升，从FY2025A的59.9%上升至FY2028E的64.0% [5] - FY25Q4毛利率达到62.3%，环比提升2.8个百分点，超出指引上限，主要得益于成本优化、产能利用率提升和汇率顺风 [9] - 预计FY26Q1毛利率为63%-65%，且N3制程毛利率将在2026年某个时间点超过公司平均毛利率 [9] 业务与技术进展 - 先进制程持续放量，Blackwell出货是主要推动力 [9] - FY25Q4晶圆收入中，N3/N5/N7制程收入占比分别为28%、35%和14%，三者合计达77% [9] - 展望2026年，预计以N2/N3/N5为代表的晶圆制造和后端CoWoS先进封装均将供不应求 [11] 资本开支与行业地位 - 台积电2026年资本开支(Capex)指引为520-560亿美元，远高于彭博预期的459亿美元，并表态“未来三年Capex显著增加” [9] - 在制程从N3向N2、A14演进的过程中，单位晶圆产能所需的资本开支投入显著提升 [9] - 报告认为，台积电历史上扩产谨慎，此次坚定加大资本开支投入，确认了AI需求愈发确定和持续，对算力本身、上游设备及下游云厂商资本开支叙事有重大支撑作用 [9] - 台积电与云厂商共同指出，晶圆制造仍是数据中心的瓶颈环节，有望催化算力重回投资主线 [9] 估值与可比公司 - 报告选取全球晶圆代工厂作为可比公司，FY2027年可比公司平均市盈率为41倍 [11] - 基于台积电更强的盈利能力，给予其FY2027年22倍市盈率，低于行业平均值 [11]

核心观点 - 公司面临美国政治压力需追加在美投资，但基于当前强劲的3纳米制程订单需求和商业考量，决定优先在台湾扩充产能，美国投资将作为备案并视未来情况逐步推进 [1][2] 产能规划与调整 - 由于AI和高效能运算需求从云端向边缘扩展，公司3纳米制程订单大幅超出预期，迫使产能规划紧急调整 [1] - 原计划在台湾南科18B厂区增建的三座2纳米制程新厂，将改为优先冲刺3纳米制程产能 [1] - 原计划在美国亚利桑那州21厂的P2B厂导入2纳米产线，现修正为切入3纳米制程 [1] - 公司3纳米产能规划将从原计划的月产16万片，扩大至超过20万片，创下公司最大产能规模 [1] - 产能扩充将主要在台湾南科18B厂区进行，同时美国亚利桑那州厂列为备案，实现美台两地同步扩充 [1][2] - 除3纳米产能外，CoWoS先进封装产能也将同步在台湾扩充 [2] 投资与成本策略 - 为应对海外布局成本上升，公司已通知客户从今年起连续四年调涨晶圆代工价格，今年涨幅为5%至20% [2] - 据《纽约时报》披露，公司可能承诺在美国追加投资建设五座晶圆厂，以回应特朗普政府的压力 [1][2] - 每座晶圆厂投资额高达220亿美元，五座厂追加投资总额将增加至少1000亿美元 [2] - 公司未来即使做出在美投资承诺，也会基于稳健原则，视市场和客户需求逐步推进新厂建设 [2] 地缘政治与商业考量 - 公司不能漠视特朗普政府的压力，追加在美投资案将先争取白宫信服，再视客户需求推进 [1] - 美国商务部长卢特尼克此前透露公司会再加码在美投资，显示扩大在美投资似乎已与美国政府达成默契 [2] - 公司当前策略是优先利用台湾的生产优势进行扩充，以满足客户需求并提升获利 [1] - 未来当台湾在土地、用水用电和人才等方面面临更大困难时，美国将被列入先进制程的扩充之地 [2]

台积电2纳米(GAA)技术进展与影响 - 台积电2纳米(N2)技术已于2025年第四季开始量产，采用第一代纳米片晶体管技术，是自2011年FinFET以来晶体管结构最重大的变革[1] - 与3纳米N3E制程相比，2纳米在相同功耗下速度增加10%至15%，在相同速度下功耗降低25%至30%，芯片密度增加大于15%[2] - 2纳米技术采用堆叠3-4层硅纳米片，每层厚度约5nm，宽度10-50nm，层间距7-15nm，其“自然长度”比FinFET缩短约30%，为持续微缩奠定基础[10] - 台积电推出N2P制程作为2纳米家族的延伸，计划于2026年下半年量产，以支持智能手机和高效能运算应用[2] - 2纳米生产设备密集度将增加30%至50%，推动一个持续多年的资本支出周期，SEMI预测到2027年该周期将达到1560亿美元[1] 2纳米产能布局与投资 - 台积电2纳米在高雄厂和新竹厂同步展开，其中高雄厂是2纳米生产的重中之重[2] - 台积电规划在高雄建置5座2纳米晶圆厂，总投资金额超过1.5万亿新台币[2] - 高雄P1厂已于2025年底量产，P2厂预计2026年第二季量产，将创造7000个高科技职缺[2] - 受益于AI需求，2025年2纳米制程最大月产能预计高达14万片，超过市场预估的10万片，直逼3纳米制程今年将放大到的16万片月产能[2] GAA晶体管技术的优势与挑战 - GAA纳米片通过将栅极包裹在水平堆叠硅带的四个侧面，解决了FinFET在5nm以下因漏极感应势垒降低(DIBL)导致的漏电问题[6] - 模拟显示，与同等尺寸FinFET相比，GAA纳米片的DIBL降低了65-83%，实现了静电控制方面的飞跃式提升[7] - GAA转型引入了4-5个全新的工艺模块，使制造流程延长了约20%，每个步骤都需要专用设备[13] - 应用材料公司量化指出，每10万片晶圆/月产能的设备收入，因GAA和背面供电从约60亿美元增长到70亿美元，这是与产量无关的结构性需求增长[15] - 台积电的“NanoFlex”技术允许在同一芯片上采用可变宽度的纳米片，突破了FinFET设计中量化宽度的限制，实现了架构自由[10] 制程成本与晶圆厂投资 - 2纳米(GAA)晶圆成本预计为25000-30000美元，较5纳米(~17000美元)增长约50%[16] - 建设一座月产能5万片(50K WSPM)的2纳米晶圆厂成本约280亿美元，较5纳米晶圆厂(~150亿美元)增长约40%[16] - 2纳米节点每10万片月产能对应的设备投资约70亿美元以上，较5纳米节点(~60亿美元)增长约17%[16] 先进封装(CoWoS)成为关键瓶颈 - 先进封装能力，而非晶体管密度，已成为制约AI芯片领先地位的关键因素[17] - 即便拥有最先进的2nm计算芯片，若无法将其与HBM内存封装在CoWoS中介层上，也无法发挥作用[3][17] - 单次极紫外光刻曝光的光罩面积限制约为858平方毫米，NVIDIA的GB100芯片面积已达814平方毫米，基本达到极限，要构建更大系统必须依赖封装技术将多芯片连接[19] - 材料间热膨胀系数不匹配是主要挑战，可能导致翘曲、开裂和连接故障，这也是Blackwell处理器曾推迟发布的原因[19] - HBM集成复杂度高，每个HBM3e堆叠包含8-12个DRAM芯片，通过数千个硅通孔连接，微凸点间距为20-30微米，预计2026年推出的HBM4将间距缩小至10微米[20] 先进封装产能、需求与客户分配 - 台积电CEO魏哲家证实CoWoS供应紧张情况可能持续到2025年，希望2026年能有所缓解[23] - 尽管2024年和2025年产能都翻了一番，但需求仍然超过供应[23] - 先进封装的平均售价每年增长10-20%，而逻辑晶圆的平均售价仅增长5%[23] - 台积电的封装业务目前约占其营收的7-9%，利润率接近公司平均水平(毛利率约53%)[23] - 摩根士丹利分析揭示了2025年CoWoS产能分配：NVIDIA占60-63%，博通占约13%，AMD占约10%，Marvell占约8%，其他(英特尔、联发科等)占约6%[23] - NVIDIA预计在CoWoS-L(Blackwell双芯片设计所需变体)中拥有70%以上的份额[23] - 国内法人已上修台积电2026年底CoWoS产能预估14%，达到125Kwpm(千片/月)，预计2027年底将进一步提升至170Kwpm[24] 台积电先进封装技术多元化发展与产能布局 - 台积电先进封装技术正朝多元化发展，除CoWoS外，SoIC技术已获得AMD MI300等产品应用，NVIDIA、博通也预计在2027年后导入[24] - 苹果的A20芯片预计将导入WMCM技术，用于iPhone 18/折叠手机[24] - 台积电正在开发CoPoS技术，预计在2027年后导入AI/HPC相关芯片，旨在提升封装面积利用率、生产效率并降低成本[24] - 台积电先进封装厂区广泛分布，包括龙潭(AP3)、台中(AP5)、竹南(AP6)、嘉义(AP7)、台南(AP8)等[25] - 其中AP8扩产加速主要用于满足CoWoS-L需求，嘉义AP7则专注于SoIC和WMCM[25] - 在美国亚利桑那州的AP9和AP10厂区，未来规划亦将包含CoWoS、SoIC及CoPoS技术[25] 主要客户技术路线与市场动态 - NVIDIA的战略重点在于电源传输而非芯片密度，据报道其将成为台积电A16(1.6nm)制程的首家客户，该节点采用Super Power Rail背面供电设计[26] - 了解功耗需求后此战略合理：Blackwell Ultra的TDP为1400W，而Rubin的目标功耗预计为2300W，在此功耗水平下，正面供电会产生无法接受的IR压降[26] - 博通已悄然打造了一个价值约600亿至900亿美元的定制AI加速器市场，在定制AI加速器市场占据约70%的份额[29] - 博通2024财年AI收入达到122亿美元，同比增长220%[29] - 博通为谷歌打造的TPU v7 Ironwood采用N3P制程和CoWoS封装，计划于2025年生产；同时为Meta、苹果、字节跳动、OpenAI、Anthropic等客户开发定制AI加速器[30] - 超大规模数据中心正通过定制芯片来规避对NVIDIA的依赖，博通是其首选的设计合作伙伴[32] AI芯片市场竞争格局演变 - 2026年全球芯片业迎来新一轮关键竞争期，AI芯片市场进入英伟达、超微、博通与英特尔“四强争霸”时代[32] - 英伟达市场龙头地位稳固，其Vera Rubin平台结合新一代Rubin GPU与安谋架构的Vera CPU，主打超大上下文处理能力，并透过高达200亿美元的Groq授权交易补强低延迟推理技术[32] - 超微的策略重点放在“开放标准”，其Helios机架级AI架构可在单一机架中整合72颗MI450系列GPU，并采用与Meta共同开发的开放标准，甲骨文已承诺大规模采用，OpenAI也被视为重要早期客户[33] - 英特尔计划在2025年推出名为“Crescent Island”的数据中心AI GPU，强调能源效率与推理效能，锁定“每美元效能”作为差异化卖点[34] - AI芯片竞争已从“算力比拼”转向“效率、成本与架构选择”的综合战[34] 技术发展路线图 - 纳米片之后的路线图明确：叉状片预计在2028年左右引入介电壁以实现更小间距，CFET预计在2032年左右将nMOS直接垂直堆叠在pMOS上[11] - 台积电技术路线图显示：N2于2025年下半年量产；N2P于2026年下半年量产；A16(含背面供电)于2026年下半年量产；N2X于2027年推出；A14(首用High-NA EUV)于2028年推出[37] 委外封测代工(OSAT)业者的机遇 - 由于台积电CoWoS产能吃紧且云端服务供应商考虑分散业务风险，委外封测代工业者正成为AI封测需求扩张的第二波成长动能[41] - OSAT端的CoWoS扩产将在2026年进入成长加速期，例如日月光投控的先进封装产能预计将由2025年底的5 Kwpm，快速成长至2026年底的20 Kwpm[41] - 为优化AI芯片整体拥有成本并应对芯片尺寸增长，OSAT业者正积极发展面板级封装，以追求生产效益最大化[41]

台积电CoWoS产能与竞争格局 - 台积电CoWoS先进封装产能持续吃紧，导致订单外溢至其他封测业者及英特尔EMIB封装制程[1] - 台积电正积极扩张CoWoS产能，预计今年产能达7~8万片，较去年约3万片翻倍增长，2026年产能目标上看11~12万片[1] - 尽管积极扩产，但产能缺口仍在扩大，英特尔EMIB因成本低、良率高，已吸引如Google及Meta等云端服务提供商评估转单[1][2] 台积电技术发展与资本支出策略 - 市场担忧的产能瓶颈主要在于N3先进制程而非CoWoS，因NVIDIA、AMD、Google明年新芯片均需使用N3，预计2026年下半年N3产能将最为紧缺[1] - 市场讨论台积电可能上修明年资本支出，主要用于将N3产能从约12万片提升至15~16万片，并为N2准备更多产能，CoWoS扩产属于配套布局[2] - 台积电未过度积极扩张当前CoWoS产能，是因正在发展下一代“面板级封装CoPoS”技术，以避免未来技术转换导致圆形晶圆设备浪费[2] 英特尔EMIB封装技术的竞争优势 - 英特尔EMIB封装无需使用大面积矽中介层，而是采用嵌入式小型桥接芯片，材料更少，成本结构比台积电CoWoS更具优势[2] - 英特尔EMIB封装的价格预计比台积电CoWoS便宜50%，且良率不差，对成本敏感或无法获得台积电产能的客户具有吸引力[2] 台积电营收增长与AI芯片市场动态 - 台积电今年AI相关营收已超越Apple，且供应给微软、NVIDIA等公司的AI芯片定价更优，带动平均销售单价上升[3] - 预估台积电2026年营收将增长26%，高于市场共识的15~20%[3] - 预测到2027年，客制化芯片市场规模将超越GPU，因AI模型使用量增大后，ASIC的运作成本将低于通用型GPU[3] - 为降低成本，大型企业更倾向转用ASIC，例如Google及AWS积极推广自研芯片搭配云端服务，Google向客户提供搭配TPU算力的资料中心租赁服务，每1MW算力抽成0.5美元[3]

台积电先进封装产能分配与行业动态 - 台积电的先进封装产能已全部预定完毕，其中英伟达占据了超过一半的份额 [1] - 英伟达已为2026年预订了80万至85万片晶圆，其份额显著大于博通和AMD等竞争对手 [1] 英伟达的产能需求与战略 - 英伟达大规模锁定产能，主要为了满足Blackwell Ultra芯片持续增长的量产需求，并为下一代Rubin架构的推出做准备 [3] - 目前的订单量尚未包含中国市场对H200 AI芯片的潜在需求，若考虑此因素，英伟达对产能的需求可能会进一步攀升 [3] 台积电的产能扩张与外包策略 - 为应对激增的订单需求，台积电正积极扩大其先进封装设施，计划在AP7工厂建设八座晶圆厂 [3] - 台积电正在美国亚利桑那州引入两座新的封装工厂，预计将于2028年开始大规模生产 [3] - 由于自身产能有限，台积电已决定将CoWoS先进封装中的部分环节外包给中国台湾地区的日月光集团和矽品精密等企业 [3] 封装技术竞争格局 - 台积电的产能限制促使一些企业开始思考替代选择，英特尔的EMIB技术由此受到关注，已有厂商考虑从CoWoS方案转向EMIB技术 [3] - 相较于技术成熟的CoWoS，EMIB的优势主要在于面积和成本，允许高度定制封装布局 [3] - 对于英伟达、AMD这类对带宽、传输速度及低延迟需求较高的GPU供应商，台积电的CoWoS仍是其首选的封装解决方案 [3]

核心观点 - 台积电2025年11月营收保持强劲同比增长并创同期新高，但环比出现下滑，累计营收增长显著 [1][4] - 受AI与HPC需求驱动，台积电先进封装产能爆满，公司正积极扩产并计划与封测伙伴合作以满足需求 [6][7] - 基于AI推动的先进封装需求增长预期，伯恩斯坦上调了台积电目标股价 [8][9] 财务表现 - 2025年11月销售额为3436.1亿元新台币，同比增长24.5%，创历年同期新高 [4] - 2025年11月销售额环比下滑6.5%，不及10月的3674.73亿元新台币 [4][5] - 2025年1月至11月累计销售额为3.47万亿元新台币，同比增长32.8%，首度突破3.4万亿元，为历年最佳 [4] - 2025年10月销售额同比增长16.9%，环比增长11.0% [5] - 2025年10月和11月销售额合计同比增长20.45% [5] 市场与股价表现 - 二级市场上，台积电美股夜盘交易小幅上涨0.51% [2] - 今年以来，台积电股价累计上涨超过55% [2] - 伯恩斯坦将台积电目标股价上调至每股新台币1800元（此前为1444元），按美国ADR计算为每股330美元，并重申“跑赢大盘”评级 [8][9] 业务与产能状况 - 台积电先进封装（CoWoS全系列）产能因AI与高速运算（HPC）订单涌入而爆满，客户包括英伟达、Google、亚马逊、联发科等 [6] - 公司正努力扩产，并计划在2026年扩大携手协力伙伴以满足客户需求 [6] - 台积电积极扩充的CoWoS制程主要为CoWoS-L，CoWoS-S则通过挪移设备方式去瓶颈扩充，重要应用客户包括英伟达、AMD、苹果、博通及多家云端服务与设计公司 [6] - 研调机构Counterpoint指出，台积电积极扩充CoWoS-L产能，预计至2026年底可达每月10万片晶圆，主要受惠于英伟达GPU与客制化ASIC订单 [7] - 伯恩斯坦预计，到2026年底，台积电的CoWoS产能将达到每月125,000片晶圆 [9] - 如果包括OSAT（外包半导体封装和测试），整个行业的CoWoS产能预计约为每年125万片 [9] 行业需求与展望 - 在全球芯片封装技术竞争激烈的背景下，台积电先进封装产能面临持续增长的需求压力 [6] - 先进封装需求持续高张，日月光投控也受惠于台积电订单外溢 [7] - 台积电董事长曾在法说会上表示，当前CoWoS产能严重供不应求，公司希望在2025年至2026年达到供需平衡阶段 [7] - 伯恩斯坦报告指出，人工智能推动了先进封装需求的加速增长，支撑了更高的目标股价 [8][9] - 报告认为，预计的产能水平大致足以支持已宣布的项目（例如英伟达的Blackwell & Rubin在2025年和2026年提供的0.5万亿美元），但不会更多 [9]

台积电CoWoS先进封装产能瓶颈与策略调整 - 台积电面临CoWoS先进封装产能严重饱和的困境，已无法单独满足英伟达、苹果等客户对AI芯片的爆发式需求[1] - 台积电现有的CoWoS生产线处于“全额预订”状态，产能瓶颈严重制约了AI芯片的交付速度[3] 台积电的外包策略与合作伙伴 - 为解决产能瓶颈，台积电决定改变策略，将部分“溢出”订单外包给日月光投控和矽品精密等封测大厂[1] - 外包的主要对象锁定日月光投控和矽品精密等公司，这些厂商将负责承接台积电无法及时处理的订单[3] - 为了承接需求，日月光等厂商此前已宣布投入数十亿美元扩大生产规模[3] 策略调整的影响与行业竞争 - 合作模式能缓解台积电当下的交付压力，让整个供应链在面对AI芯片需求爆发式增长时表现出更强的韧性[3] - 台积电在寻求外包的同时，并未停止自身扩产步伐，目前正积极建设新的封装工厂[3] - 策略调整背后有深层竞争考量：英特尔近期在先进封装领域动作频频，试图吸引苹果和高通等客户[3] - 台积电通过外包扩充可用产能，能有效避免客户因等待时间过长而流向竞争对手，从而巩固其在高端封装市场的统治地位[3]

行业核心趋势 - 半导体行业对台积电CoWoS先进封装替代方案的需求日益凸显 [2] - 先进封装技术创新正成为提升芯片性能的关键方向，因先进制程演进趋缓 [4] - 多家企业转向EMIB方案可能重塑半导体封装领域的竞争格局 [4] 英特尔EMIB技术优势 - EMIB技术采用2.5D封装架构，在异构芯片集成方面展现出独特优势 [4] - EMIB采用的嵌入式桥接方案相较于传统中介层设计，在成本控制与良率提升方面更具优势 [4] - 英特尔最新推出3.5D封装技术，通过更精密的硅通孔实现了更高密度的芯片互联 [4] 主要公司动态 - Marvell美满电子与联发科正评估将英特尔EMIB技术引入其ASIC芯片设计选项 [2] - 苹果、高通与博通发布的招聘信息中均明确提及EMIB相关技术职位，显示领先企业正积极布局先进封装领域人才储备 [4] 台积电面临的挑战 - 台积电CoWoS先进封装产能持续紧缺，且其先进封装产能短期内难以迅速扩张 [2][4] - 美国客户对全产业链本土化提出要求，而台积电及其供应链在美国的后段产能布局尚未完备 [4]