华海清科(688120)
搜索文档
华海清科(688120) - 关于部分募投项目延期的公告
2026-02-13 17:30
募集资金情况 - 公司公开发行A股26,666,700股,每股发行价136.66元,应募集3,644,271,222.00元,实际净额3,489,905,265.98元[2][3] 项目资金使用 - “高端半导体装备(化学机械抛光机)产业化项目”拟投入35,000.00万元,已投入13,937.42万元[5] - “高端半导体装备研发项目”拟投入20,000.00万元,已投入20,000.00万元[5] - “晶圆再生项目”拟投入15,000.00万元,已投入14,020.49万元[5] - “集成电路高端装备研发及产业化项目”拟投入50,000.00万元,已投入36,458.38万元[5] - “补充流动资金项目”拟投入30,000.00万元,已投入30,148.59万元[5] 项目资金安排 - “高端半导体装备(化学机械抛光机)产业化项目”结余项后节余21,300.44万元用于“集成电路高端装备研发及产业化项目”[4] - “晶圆再生项目”结余项后节余979.51万元用于永久补充流动资金[4] 项目延期 - 公司将“集成电路高端装备研发及产业化项目”预定可使用日期延至2026年12月[2] - 2026年2月13日公司董事会审议通过部分募投项目延期议案[2][8]
华海清科(688120) - 独立董事候选人声明与承诺(雷震霖)
2026-02-13 17:30
独立董事任职要求 - 需具备五年以上法律、经济等工作经验[2] - 持股1%以上或前十股东自然人股东直系亲属无独立性[3] - 持股5%以上股东单位任职人员直系亲属无独立性[3] 不良记录界定 - 近36个月受证监会处罚或刑事处罚有不良记录[4] - 近36个月受交易所谴责或3次以上通报批评有不良记录[4] 其他限制 - 兼任境内上市公司独董不超三家[5] - 在华海清科连续任职不超六年[5] 资格审查 - 通过公司第二届提名与薪酬委员会资格审查[5] - 核实确认符合任职资格[5]
华海清科(688120) - 关于独立董事任期即将届满辞任暨提名独立董事候选人的公告
2026-02-13 17:30
董事会人事变动 - 公司审议通过提名雷震霖、马德芳、王浩为独立董事候选人[1][3] - 金玉丰等三人因任职满 6 年申请辞去独立董事职务[2] - 离任董事在新董事选出前继续履职[3] 候选人情况 - 提名与薪酬委员会审查候选人资格符合规定[4] - 候选人取得培训记录证明,任职资格待股东会审议[4] - 雷震霖、马德芳、王浩现任职务及持股情况[7][8]
华海清科(688120) - 独立董事提名人声明与承诺(雷震霖)
2026-02-13 17:30
董事会提名 - 华海清科董事会提名雷震霖为第二届董事会独立董事候选人[2] 提名人条件 - 被提名人持有上市公司已发行股份应低于1%且非前十股东中的自然人股东及其直系亲属[3] - 被提名人不应在直接或间接持有上市公司已发行股份5%以上的股东单位或前五名股东单位任职及其直系亲属[3] - 被提名人最近36个月内未受中国证监会行政处罚或司法机关刑事处罚[4] - 被提名人最近36个月内未受证券交易所公开谴责或3次以上通报批评[4] - 被提名人兼任独立董事的境内上市公司数量未超过三家[5] - 被提名人在华海清科连续任职未超过六年[5] 声明时间 - 提名人声明时间为2026年2月13日[6]
华海清科(688120) - 独立董事提名人声明与承诺(马德芳)
2026-02-13 17:30
独立董事提名 - 华海清科董事会提名马德芳为第二届董事会独立董事候选人[2] - 提名人声明时间为2026年2月13日[6] 任职资格 - 被提名人具备注册会计师资格证[7] - 被提名人已通过公司第二届董事会提名与薪酬委员会资格审查[8] 限制条件 - 被提名人直接或间接持股不超1%,非前十股东自然人及其直系亲属[3] - 被提名人不在持股5%以上或前五股东单位任职,直系亲属也不行[3] - 被提名人近36个月无证监会处罚、司法刑事处罚[4] - 被提名人近36个月无交易所公开谴责或3次以上通报批评[4] - 被提名人兼任独立董事境内上市公司不超三家[5] - 被提名人在华海清科连续任职不超六年[5]
华海清科(688120) - 关于召开2026年第二次临时股东会的通知
2026-02-13 17:30
股东会信息 - 2026年第二次临时股东会3月4日14点30分召开[2] - 会议地点为天津市津南区咸水沽镇聚兴道11号2号楼2102会议室[2] - 网络投票起止时间为2026年3月4日[2] 投票信息 - 交易系统投票平台投票时间为9:15 - 9:25、9:30 - 11:30、13:00 - 15:00[3] - 互联网投票平台投票时间为9:15 - 15:00[5] - 股东每持有一股拥有与议案组下应选董事人数相等的投票总数[1] 审议议案 - 本次股东会审议提名第二届董事会独立董事候选人议案,应选3人[5] 时间登记 - 股权登记日为2026年2月25日[12] - 会议登记时间为2026年2月27日8:30 - 11:30、13:00 - 16:30[13] 其他信息 - 会议登记地点为天津市津南区咸水沽镇聚兴道11号公司资本证券部[13] - 公司联系电话为022 - 59781962,传真022 - 59781796,邮箱ir@hwatsing.com[17]
半导体设备ETF华夏(562590)跌0.11%,半日成交额7136.72万元
新浪财经· 2026-02-12 11:39
半导体设备ETF华夏市场表现 - 截至2月12日午间收盘,半导体设备ETF华夏(562590)下跌0.11%,报1.897元,成交额为7136.72万元 [1] - 该ETF自2023年10月9日成立以来,累计回报率达到89.93%,近一个月回报为0.38% [1] 半导体设备ETF华夏持仓股表现 - 前十大重仓股中,长川科技上涨0.22%,华海清科上涨0.33%,南大光电上涨0.13%,芯源微上涨0.77% [1] - 前十大重仓股中,北方华创下跌0.59%,中微公司下跌1.63%,拓荆科技下跌1.83%,沪硅产业下跌0.19%,中科飞测下跌0.33%,安集科技下跌0.73% [1] 半导体设备ETF华夏产品信息 - 该ETF的业绩比较基准为中证半导体材料设备主题指数收益率 [1] - 该ETF的管理人为华夏基金管理有限公司,基金经理为单宽之 [1]
科创芯片ETF广发(589160)开盘涨0.85%,重仓股海光信息涨1.90%,中芯国际涨0.23%
新浪财经· 2026-02-10 12:54
科创芯片ETF广发(589160)当日市场表现 - 2月10日,该ETF开盘上涨0.85%,报0.953元 [1] - 其前十大重仓股开盘表现分化,其中海光信息涨1.90%,芯原股份涨2.00%,寒武纪涨1.67%,中芯国际涨0.23%,拓荆科技涨0.19%,华虹公司涨0.09%,中微公司涨0.00%,澜起科技跌0.55%,佰维存储跌0.60%,华海清科跌0.06% [1] 科创芯片ETF广发(589160)产品概况 - 该ETF的业绩比较基准为上证科创板芯片指数收益率 [1] - 基金管理人为广发基金管理有限公司,基金经理为罗国庆 [1] - 该ETF成立于2026年1月21日,自成立以来回报率为-5.38% [1]
半导体设备ETF华夏(562590)跌0.83%,半日成交额6419.00万元
新浪财经· 2026-02-10 11:43
半导体设备ETF华夏市场表现 - 截至2月10日午间收盘,半导体设备ETF华夏(562590)下跌0.83%,报1.904元,成交额为6419.00万元 [1] - 该ETF自2023年10月9日成立以来,累计回报率为92.01%,近一个月回报率为1.48% [1] - 其业绩比较基准为中证半导体材料设备主题指数收益率,管理人为华夏基金管理有限公司,基金经理为单宽之 [1] 半导体设备ETF华夏重仓股表现 - 截至2月10日午盘,前十大重仓股中,南大光电上涨1.92%,芯源微上涨1.13% [1] - 其余重仓股普遍下跌,其中中科飞测下跌3.71%,长川科技下跌3.57%,中微公司下跌1.36%,华海清科下跌0.84%,拓荆科技下跌0.82%,安集科技下跌0.71%,北方华创下跌0.70%,沪硅产业下跌0.62% [1]
未知机构:中信电子2026年1月存储行业简报主流利基存储涨幅全面超预期-20260210
未知机构· 2026-02-10 10:00
纪要涉及的行业或公司 * **行业**:半导体存储行业,涵盖DRAM、NAND Flash、NOR Flash、SLC NAND等细分市场 [1][2] * **公司**: * **海外原厂**:SK海力士、三星电子、闪迪 [3] * **国内推荐标的**:兆易创新、普冉股份、北京君正、澜起科技、中微公司、华海清科、珂玛科技、精智达、华虹半导体、燕东微 [3] 核心观点和论据 * **存储价格全面超预期上涨** * **1月价格回顾**:DRAM主流颗粒现货价环比涨16%~33%,DDR5-8Gb/DDR4-8Gb合约价环比分别涨119%和63% [1] * **1月价格回顾**:NAND Flash主流颗粒现货价环比涨24%~34%,合约价环比涨37%~67% [1] * **1月价格回顾**:模组端,DDR4/5内存条现货价涨13%~50%,SSD涨39%~62%,移动存储涨22%~43% [1] * **DRAM价格展望**:预计Q1传统DRAM合约价上涨90%~95%,远超此前50%~60%的预期,服务器DRAM预计单季度涨88%~93% [1] * **NAND Flash价格展望**:预计Q1整体合约价上涨55%~60%,远超此前33%~38%的预期 [2] * **利基存储价格展望**:预计NOR Flash在26年上半年保持上涨,Q1涨幅整体超20%,中小容量涨幅更大 [2] * **SLC NAND价格展望**:因美光、铠侠陆续减少供应,预计26年上半年价格上涨幅度有望接近主流TLC/QLC产品 [2] * **需求核心驱动力来自AI与数据中心** * SK海力士预计2026年DRAM需求位元量同比增20%以上,NAND需求位元量同比增15%~20%,核心受AI服务器、数据中心需求驱动 [3] * 三星电子指出AI服务器需求保持强劲 [3] * 闪迪预计2026年数据中心位元需求增长将超过60% [3] * **供给紧张与结构性变化** * DRAM供需差距继续扩大,北美CSP厂商锁定货源导致其他客群被迫接受原厂高价 [1] * 手机和PC出货受存储供给和价格影响走弱 [3] * 美光、铠侠陆续减少SLC NAND供应 [2] 其他重要内容 * **投资建议方向** * **存储涨价受益**:重点推荐兆易创新、普冉股份、北京君正等 [3] * **CPU链/内存升级**:重点推荐AI互联芯片龙头澜起科技 [3] * **长鑫募投扩产设备受益**:建议关注国内存储敞口大的设备公司中微公司、华海清科、珂玛科技、精智达等 [3] * **存储配套逻辑芯片代工**:建议关注华虹半导体、燕东微等 [3]