格隆汇11月21日｜阿斯麦周四在美国亚利桑那州凤凰城成立技术学院，专门培训工程师维修及保养其高 度复杂的芯片制造设备。新设施邻近凤凰城机场，目标每年培训逾1000名工程师，以支援美国迅速扩张 的先进芯片产能。阿斯麦副总裁Clayton Patch表示，其DUV及EUV设备复杂程度可媲美F-35等战机，最 先进EUV设备造价约4亿美元，运送亦需多架747货机。他称具军机维修背景的退伍军人极为合适，亦 是公司最属意的招聘对象。 ...

荷兰光刻机出口管制新规 - 荷兰政府于2025年10月31日将深紫外光刻设备（DUV）的出口门槛从7纳米收紧至14纳米 [1] - ASML的中端光刻机型（如1970i和1980i）出口需申请许可证，审批时间延长至90天或更长 [1] - 新规不仅限制设备，还涵盖技术维护、服务、测量检测工具和软件升级 [2] - 此次管制是2023年美国主导的芯片联盟对EUV设备禁令的延续，并在2024年扩展至维修服务，2025年覆盖DUV设备 [1][4] 新规对全球半导体行业的影响 - ASML对中国市场的销售份额预计从超过40%降至2025年的25%以下，公司股价应声回落 [2][14] - 全球芯片巨头如台积电、三星需调整供应链，导致生产延期和成本上涨 [2] - 日本供应商讨论备用路线，欧洲材料厂出现库存积压，美国英特尔实验室测试替代方案 [2] - 全球半导体供应链从上游硅片到下游封装均需重新洗牌 [2] 中国的应对与国产替代进展 - 中国半导体设备投资在2025年同比增长20%，地方政府在资金、政策、人才方面全线加码 [6] - 上海微电子的DUV技术已能覆盖65纳米和28纳米节点，电子束光刻机“羲之”于2025年8月商用亮相 [6][8] - 中芯国际等晶圆厂调整采购节奏，国产设备占比提升至35%以上 [8] - 2025年9月，自研EUV设备在Semicon China展亮相，正在进行性能验证 [8] - 中国计划在2026年将晶圆代工产量翻三倍，2025年晶圆代工能力已位居世界第二 [10] 产业链与技术发展 - 中国在掩膜版、光刻胶、工艺气体、检测设备等环节形成完整研发链 [8] - 北方华创、中微半导体等公司在刻蚀等设备领域填补空白，测试周期缩短，精度提升 [8] - 政策层面强调产业链安全，国家发改委介入资金平台支持厂商 [10] - 人才回流明显，数十万工程师团队支撑技术迭代，浙江大学等机构推动商用工具验证 [10] 市场与资本反应 - 全球半导体销售额2024年增长16%，2025年预计增长12.5%，超出预期 [14] - 中国半导体装备企业市值回暖，研发投入破纪录 [11] - 深圳创业板交易活跃，基金份额成交量攀升 [11] - 2024年中国购买了价值250亿美元的光刻机，2025年2月投入370亿欧元开发本土EUV技术 [14] 地缘政治与技术博弈 - 美国从2020年起通过BIS规则层层加码技术管制，2024年12月推出“穿透规则”扩大管制范围 [4] - 荷兰在2025年1月小步收紧设备出口，4月1日正式修改出口措施以对标美国清单 [4] - 中国出台稀土新规，要求含0.1%中国来源稀土的光刻机货物需获得许可，对ASML供应链形成反制 [4]

荷兰光刻机出口新规内容 - 荷兰政府提前6个月实施光刻机出口新规，将DUV设备出口限制从7纳米下调至14纳米 [1] - 新规将ASML的1970i、1980i等中阶机型纳入许可证管理，并将审批周期拉长至90天 [1] - 敏感领域的测量检测设备、计算光刻软件等配套技术也遭到管制 [1] 新规对荷兰及ASML的直接影响 - 中国作为ASML最大的DUV市场，贡献了其全球35%的销量，2024年对华营收占比达28%，其中DUV设备销售额占比近90% [3] - 新规落地当天，ASML股价应声大跌8.2%，市场预测若失去中国市场，其2025年营收可能缩水12% [3] - 荷兰半导体产业12万从业者中，20%的岗位与对华贸易直接相关，本土供应商对华销售额占比普遍超20% [3] ASML的应对策略 - ASML推出NX2000系列新机型，通过微调参数规避管制标准，客户投入800万美元适配即可实现7纳米芯片生产 [5] - 公司计划在苏州建设技术服务中心，储备5亿美元零部件，将设备维修周期从45天压缩至15天 [5] - 中国占全球半导体市场38%的份额，中低端芯片需求超过70%，是DUV设备的核心战场 [5] 中国的反制措施与影响 - 中国升级稀土管制新规，含0.1%中国来源稀土的光刻机类货物均需许可 [7] - ASML单台光刻机的稀土磁体用量超10公斤，占电机成本三成以上，镜头抛光依赖中国高纯度铈基材料 [7] - 全球90%的稀土精炼产能在中国，ASML的稀土库存仅能支撑8周生产 [7] 对中国半导体设备替代的加速作用 - 中芯国际等企业加大与日本及国产设备商的合作 [9] - 上海微电子28nm光刻机良率达90%，成本仅为ASML同类产品的1/3，2025年计划交付10台以上 [9] 行业格局与博弈终局 - 半导体产业链深度绑定，政治命令难以切割 [11] - 荷兰为迎合美国牺牲本土产业利益，ASML用市场智慧规避政策限制，中国以资源优势捍卫发展权益 [11]

中国稀土出口管制新规 - 2025年10月9日，中国商务部连发六条公告，对稀土及相关技术实施出口管制 [1] - 新规要求任何含有0.1%以上中国稀土成分的境外产品再出口时必须经过中国审批 [1][3] - 新规首次将全产业链技术纳入管制范围，涵盖开采、冶炼分离、金属冶炼到磁材制造的所有环节 [3] 对阿斯麦及半导体设备行业的直接影响 - 全球唯一能生产最先进EUV光刻机的荷兰巨头阿斯麦成为首当其冲的受害者，其光刻机核心部件离不开中国稀土 [1] - 阿斯麦可能面临长达12周的出货延迟，因为所有含中国稀土的设备出口都需额外审批 [8] - 一台EUV光刻机包含上万个零件，其中激光器、磁悬浮系统、光学镜头等核心部件必须使用钕、镝、铽等中重稀土 [5] 全球半导体产业链的连锁反应 - 阿斯麦的困境迅速波及全球芯片产业链，台积电、三星和英特尔等巨头均依赖其光刻机生产高端芯片 [7] - 三星试图用钐钴磁体替代钕铁硼，但成本骤增40% [9] - 英特尔亚利桑那州工厂的稀土抛光材料库存仅能维持90天 [9] - 摩根士丹利预测，若管制持续，2026年智能手机和PC价格将上涨15-20% [13] 中国稀土产业的全球主导地位 - 中国掌控全球70%的稀土开采、90%的分离提纯和93%的磁体制造能力 [5] - 新规借鉴了美国“外国直接产品规则”的逻辑，通过技术溯源实现长臂管辖，即使光刻机零部件在德国生产，若采用中国稀土技术也必须接受中国审批 [11] - 美国本土稀土精炼能力仅满足国内需求的15% [11] 市场与价格反应 - 伦敦金属交易所的氧化镝价格在48小时内暴涨30%，氧化铽突破13920元/公斤 [13] - 北方稀土等中国企业股价连续涨停 [13] - 美国半导体行业协会紧急召开会议，评估产能风险 [13] 地缘政治博弈背景 - 新规被视为中美科技博弈的升级，是对美国限制的对等反制 [11][15] - 2018年起，在美国施压下，阿斯麦逐步停止向中国出口EUV光刻机，2023年进一步限制DUV设备，导致其中国市场收入锐减 [15] - 韩国经济部门试图协商“民生用途豁免”，但中方明确表示半导体制造不在此列 [9]

中国稀土出口管制措施 - 中国商务部宣布对稀土及相关技术实施新的出口管制，此举被描述为精准打击全球高科技产业链的“稀土核弹”[1] - 新规要求，只要产品中含有中国稀土或间接使用了中国的稀土冶炼技术，出口时均需获得中国批准[3] - 此项管制被《金融时报》称为“最具战略性的出口管控”，不仅是一次经济操作，更是一次全球规则的重塑[7] 对阿斯麦公司的直接影响 - 作为全球唯一能生产最先进EUV光刻机的公司，阿斯麦的核心部件严重依赖稀土元素[3] - 在新规下，阿斯麦的部分产品可能面临数周甚至数月的出货延迟[3] - 公司陷入两难境地：站在美国一边使其失去中国市场，向中国示好则可能遭遇美国反制[7] 全球供应链与地缘政治影响 - 中国稀土产能占全球供应量的70%以上，几乎控制了所有中重稀土的开采与冶炼技术[3] - 此举是对美国芯片封锁的反制，标志着中美博弈进入互相制衡的新阶段[5][7] - 事件展现了在支撑高科技产业的原料和工艺方面，中国拥有强大的掌控力[5][9] 长期战略意义 - 稀土管控标志着全球高科技产业秩序的重新定义，使世界重新认识中国制造和技术的实力[9] - 这是一次战略宣示，表明中国可以成为主导全球规则的力量，而不再被动承受外部压力[9] - 对于西方寻求替代方案的努力，文章认为在没有中国稀土的情况下，再先进的光刻机也无法实现[9]

项目概述 - 俄罗斯科学院微结构物理研究所公布一项关于本土11.2纳米波长极紫外光刻工具的长期路线图 [1] - 该计划由尼古拉·奇哈洛提出，从2026年启动并延续至2037年，旨在通过差异化设计规避ASML复杂且成本高昂的技术体系 [2] - 路线图展示了俄罗斯在EUV光刻技术领域寻求自主创新的决心 [2] 技术路线图阶段 - 第一阶段（2026-2028年）：推出支持40纳米工艺的光刻机，套刻精度10纳米，曝光场3×3毫米，每小时吞吐量超5片晶圆 [5] - 第二阶段（2029-2032年）：推出支持28纳米的扫描式光刻机，套刻精度提升至5纳米，曝光场26×0.5毫米，每小时吞吐量超50片晶圆 [6] - 第三阶段（2033-2036年）：面向亚10纳米制程，套刻精度达2纳米，曝光场最大26×2毫米，每小时吞吐量超100片晶圆 [6] 核心技术路径 - 采用11.2纳米波长，与全球主流采用的13.5纳米波长不同 [6] - 技术方案采用混合固态激光器、基于氙等离子体的光源，以及由钌和铍制成的反射镜，是一次彻底的技术重构 [6] - 使用氙气光源替代ASML的锡液滴，可避免损伤光掩模的碎屑产生，大幅降低维护需求 [6] - 通过简化设计规避了先进制程所需的高压浸没液和多重图形化步骤 [6] 技术优势与挑战 - 氙气光源能将光学元件的污染减少几个数量级，从而大幅降低维护需求和运营成本 [8] - 采用钌和铍制成的反射镜优化可令分辨率提升20% [8] - 更短的波长可能开启使用含硅光刻胶的可能性，降低制造成本和运营成本 [8] - 所有光学元件都需要针对新的波长进行特别设计与优化，需要自行开发配套生态系统 [7] - 第三阶段光刻机的生产效率为每小时超100片晶圆，仅为ASML EUV光刻机的一半 [8] 市场定位与战略意义 - 俄罗斯的光刻机并非面向超大规模晶圆厂的极限产能，而是旨在为小型代工厂提供高性价比解决方案 [8] - 通过技术绕开传统EUV限制，试图实现芯片自主生产 [9] - 技术平台可能吸引被ASML生态排除在外的国际客户，以显著更低的资本与运营成本实现先进芯片的本土制造与出口供应 [9] - 俄罗斯选择的技术路径体现了差异化竞争策略，由于缺乏相关产业链和技术底子，选择另辟蹊径实现芯片生产的自主可控 [9]

芯片制程突破 - 国产5nm芯片实现量产 良率从35%提升至60%-70% 接近台积电初期SF3水平 [1] - 中芯国际5纳米良率与三星电子3纳米GAA制程相当 后者用于Exynos 2500芯片生产 [1] - 工程师采用DUV设备和四重图案化技术(SAQP)突破分辨率限制 实现先进制程 [3] 技术路线与成本 - 中芯国际计划2025年前完成5纳米开发 但DUV设备导致成本增加50% [1] - 目前未见到实际使用中芯5纳米的产品 最新麒麟X90芯片仍采用7纳米制程 [3] 市场影响与潜在应用 - 华为Mate 80系列可能搭载国产5nm工艺制造的麒麟9030 SoC [3] - 国产EUV设备预计第三季试产 若成功将挑战ASML市场地位 [3] 产业战略意义 - 自主EUV设备量产将突破半导体技术瓶颈 推进先进制程发展 [4] - 技术突破可能使美国"科技围堵"政策失效 改变全球芯片竞争格局 [4]