芯片制程突破 - 国产5nm芯片实现量产 良率从35%提升至60%-70% 接近台积电初期SF3水平 [1] - 中芯国际5纳米良率与三星电子3纳米GAA制程相当 后者用于Exynos 2500芯片生产 [1] - 工程师采用DUV设备和四重图案化技术(SAQP)突破分辨率限制 实现先进制程 [3] 技术路线与成本 - 中芯国际计划2025年前完成5纳米开发 但DUV设备导致成本增加50% [1] - 目前未见到实际使用中芯5纳米的产品 最新麒麟X90芯片仍采用7纳米制程 [3] 市场影响与潜在应用 - 华为Mate 80系列可能搭载国产5nm工艺制造的麒麟9030 SoC [3] - 国产EUV设备预计第三季试产 若成功将挑战ASML市场地位 [3] 产业战略意义 - 自主EUV设备量产将突破半导体技术瓶颈 推进先进制程发展 [4] - 技术突破可能使美国"科技围堵"政策失效 改变全球芯片竞争格局 [4]