项目概述 - 俄罗斯科学院微结构物理研究所公布一项关于本土11.2纳米波长极紫外光刻工具的长期路线图 [1] - 该计划由尼古拉·奇哈洛提出，从2026年启动并延续至2037年，旨在通过差异化设计规避ASML复杂且成本高昂的技术体系 [2] - 路线图展示了俄罗斯在EUV光刻技术领域寻求自主创新的决心 [2] 技术路线图阶段 - 第一阶段（2026-2028年）：推出支持40纳米工艺的光刻机，套刻精度10纳米，曝光场3×3毫米，每小时吞吐量超5片晶圆 [5] - 第二阶段（2029-2032年）：推出支持28纳米的扫描式光刻机，套刻精度提升至5纳米，曝光场26×0.5毫米，每小时吞吐量超50片晶圆 [6] - 第三阶段（2033-2036年）：面向亚10纳米制程，套刻精度达2纳米，曝光场最大26×2毫米，每小时吞吐量超100片晶圆 [6] 核心技术路径 - 采用11.2纳米波长，与全球主流采用的13.5纳米波长不同 [6] - 技术方案采用混合固态激光器、基于氙等离子体的光源，以及由钌和铍制成的反射镜，是一次彻底的技术重构 [6] - 使用氙气光源替代ASML的锡液滴，可避免损伤光掩模的碎屑产生，大幅降低维护需求 [6] - 通过简化设计规避了先进制程所需的高压浸没液和多重图形化步骤 [6] 技术优势与挑战 - 氙气光源能将光学元件的污染减少几个数量级，从而大幅降低维护需求和运营成本 [8] - 采用钌和铍制成的反射镜优化可令分辨率提升20% [8] - 更短的波长可能开启使用含硅光刻胶的可能性，降低制造成本和运营成本 [8] - 所有光学元件都需要针对新的波长进行特别设计与优化，需要自行开发配套生态系统 [7] - 第三阶段光刻机的生产效率为每小时超100片晶圆，仅为ASML EUV光刻机的一半 [8] 市场定位与战略意义 - 俄罗斯的光刻机并非面向超大规模晶圆厂的极限产能，而是旨在为小型代工厂提供高性价比解决方案 [8] - 通过技术绕开传统EUV限制，试图实现芯片自主生产 [9] - 技术平台可能吸引被ASML生态排除在外的国际客户，以显著更低的资本与运营成本实现先进芯片的本土制造与出口供应 [9] - 俄罗斯选择的技术路径体现了差异化竞争策略，由于缺乏相关产业链和技术底子，选择另辟蹊径实现芯片生产的自主可控 [9]

芯片制程突破 - 国产5nm芯片实现量产 良率从35%提升至60%-70% 接近台积电初期SF3水平 [1] - 中芯国际5纳米良率与三星电子3纳米GAA制程相当 后者用于Exynos 2500芯片生产 [1] - 工程师采用DUV设备和四重图案化技术(SAQP)突破分辨率限制 实现先进制程 [3] 技术路线与成本 - 中芯国际计划2025年前完成5纳米开发 但DUV设备导致成本增加50% [1] - 目前未见到实际使用中芯5纳米的产品 最新麒麟X90芯片仍采用7纳米制程 [3] 市场影响与潜在应用 - 华为Mate 80系列可能搭载国产5nm工艺制造的麒麟9030 SoC [3] - 国产EUV设备预计第三季试产 若成功将挑战ASML市场地位 [3] 产业战略意义 - 自主EUV设备量产将突破半导体技术瓶颈 推进先进制程发展 [4] - 技术突破可能使美国"科技围堵"政策失效 改变全球芯片竞争格局 [4]